JPH03294467A - 低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法Info
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- JPH03294467A JPH03294467A JP2096884A JP9688490A JPH03294467A JP H03294467 A JPH03294467 A JP H03294467A JP 2096884 A JP2096884 A JP 2096884A JP 9688490 A JP9688490 A JP 9688490A JP H03294467 A JPH03294467 A JP H03294467A
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 20
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 14
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 12
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 11
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- JUYZUJLVHMHVIY-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)silane;molybdenum(4+) Chemical compound [Mo+4].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O JUYZUJLVHMHVIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は鉄損値が掻めて低い一方向性珪素鋼板の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術）
一方向性珪素鋼板は、磁気鉄芯として多用され、エネル
ギーロスを少なくすべく鉄損を低減することが要求され
る。而して、一方向性珪素鋼板の鉄損を低減する手段と
して、仕上焼鈍後の材料表面にレーザービームを照射し
て局部的な歪を与え、それによって磁区を細分化して鉄
損を低下させる方法がたとえば特開昭５８−２６４０５
号公報に開示されている。また、一方向性珪素鋼板を鉄
芯へ加工した後、歪取焼鈍（応力除去焼鈍）を施しても
磁区細分化効果が消失しない磁区細分化手段として、た
とえば特開昭６２−８６１７５号公報に開示されている
方法がある。これらの技術的手段によって一方向性珪素
鋼板の鉄損値を低下させることができるが、さらに鉄損
値の低減を図ろうとするときは仕上焼鈍後の材料表面に
存在するグラス皮膜を除去し、鋼板表面近傍の磁区の動
きを阻害する地鉄表面の凹凸を取り除くことが重要であ
る。そのための手段として、仕上焼鈍後の材料の地鉄表
面を鏡面仕上げするか、または、鏡面仕上げした材料表
面に金属めっきを施すという方法がある。さらには、前
記の鏡面仕上げし、金属めっきした材料表面に絶縁皮膜
を塗布し焼付けることによって、超低鉄損の一方向性珪
素鋼板を得る方法が特公昭５２−２４４９９号公報に提
案されてむ゛る。さらに、たとえば特開昭６１−２０１
７３２号公報には、表面の平均粗さが０．４−以下の鏡
面状態に仕上げた一方向性珪素鋼板を、Ｔｉを含むガス
と非酸化性ガスからなる雰囲気下に５００〜１０００°
Ｃの温度域で熱処理し、表面にＴｉＮ 、 Ｔｉｃ 、
Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）からなる極薄張力皮膜を形成し、さら
に絶縁皮膜を被覆することによって鉄損値の低い一方向
性珪素鋼板を得る方法が開示されている。
ギーロスを少なくすべく鉄損を低減することが要求され
る。而して、一方向性珪素鋼板の鉄損を低減する手段と
して、仕上焼鈍後の材料表面にレーザービームを照射し
て局部的な歪を与え、それによって磁区を細分化して鉄
損を低下させる方法がたとえば特開昭５８−２６４０５
号公報に開示されている。また、一方向性珪素鋼板を鉄
芯へ加工した後、歪取焼鈍（応力除去焼鈍）を施しても
磁区細分化効果が消失しない磁区細分化手段として、た
とえば特開昭６２−８６１７５号公報に開示されている
方法がある。これらの技術的手段によって一方向性珪素
鋼板の鉄損値を低下させることができるが、さらに鉄損
値の低減を図ろうとするときは仕上焼鈍後の材料表面に
存在するグラス皮膜を除去し、鋼板表面近傍の磁区の動
きを阻害する地鉄表面の凹凸を取り除くことが重要であ
る。そのための手段として、仕上焼鈍後の材料の地鉄表
面を鏡面仕上げするか、または、鏡面仕上げした材料表
面に金属めっきを施すという方法がある。さらには、前
記の鏡面仕上げし、金属めっきした材料表面に絶縁皮膜
を塗布し焼付けることによって、超低鉄損の一方向性珪
素鋼板を得る方法が特公昭５２−２４４９９号公報に提
案されてむ゛る。さらに、たとえば特開昭６１−２０１
７３２号公報には、表面の平均粗さが０．４−以下の鏡
面状態に仕上げた一方向性珪素鋼板を、Ｔｉを含むガス
と非酸化性ガスからなる雰囲気下に５００〜１０００°
Ｃの温度域で熱処理し、表面にＴｉＮ 、 Ｔｉｃ 、
Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）からなる極薄張力皮膜を形成し、さら
に絶縁皮膜を被覆することによって鉄損値の低い一方向
性珪素鋼板を得る方法が開示されている。
（発明が解決しようとする課題）
一方向性珪素鋼板の地鉄表面を鏡面仕上げし、ＣＶＤ、
ＰＶＤ或いはイオンブレーティングといった手段によっ
て皮膜を形成することが近来多く提案されている。これ
らの方法はそれなりの効果が認められるが、１０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の真空を必要とし、厚い膜を形成するために
は長時間を要するので、生産性が極めて低くまた高いコ
ストを要する。
ＰＶＤ或いはイオンブレーティングといった手段によっ
て皮膜を形成することが近来多く提案されている。これ
らの方法はそれなりの効果が認められるが、１０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の真空を必要とし、厚い膜を形成するために
は長時間を要するので、生産性が極めて低くまた高いコ
ストを要する。
本発明はこれら従来技術における問題を解決し、極めて
鉄損値の低い一方向性珪素鋼板を低いコストで工業的に
生産することができる製造プロセスを提供することを目
的としてなされた。
鉄損値の低い一方向性珪素鋼板を低いコストで工業的に
生産することができる製造プロセスを提供することを目
的としてなされた。
（課題を解決するための手段）
本発明の要旨とするところは下記のとおりである。
（１）仕上焼鈍後の一方向性珪素鋼板の地鉄表面に金属
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめることを特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼
板の製造方法。
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめることを特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼
板の製造方法。
（２）仕上焼鈍後の一方向性珪素鋼板の地鉄表面に金属
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめ、さらに張力付与膜を塗布焼付けすること
を特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法。
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめ、さらに張力付与膜を塗布焼付けすること
を特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法。
以下に本発明の詳細な説明する。
発明者らは上記従来技術における問題を解決するために
、低圧プラズマ溶射法によって一方向性珪素鋼板表面に
珪化物皮膜を形成することを考えた。従来の低圧プラズ
マ溶射では噴射珪化物の粒径が５０〜１００ｎと大きい
ため、形成される珪化物皮膜も１００Ｉ！Ｔ！１以上の
極めて厚いものとなってしまう。発明者らは珪化物の粒
径を１２−以下にするとともに、基板の温度を４００℃
以上にすることによって短時間で極めて密着性のすぐれ
た１２−以下の皮膜を形成せしめ得ることを見出した。
、低圧プラズマ溶射法によって一方向性珪素鋼板表面に
珪化物皮膜を形成することを考えた。従来の低圧プラズ
マ溶射では噴射珪化物の粒径が５０〜１００ｎと大きい
ため、形成される珪化物皮膜も１００Ｉ！Ｔ！１以上の
極めて厚いものとなってしまう。発明者らは珪化物の粒
径を１２−以下にするとともに、基板の温度を４００℃
以上にすることによって短時間で極めて密着性のすぐれ
た１２−以下の皮膜を形成せしめ得ることを見出した。
本発明の低圧プラズマ溶射で用いる溶射珪化物の粒径は
、１〜３３−１好ましくは１〜２２−である。粒径が３
３ｔｒｍを超える粗い粒子を用いると、密着性に優れた
緻密な皮膜の形成が困難となる。一方、粒径が１ｎ未満
の粒子では、粒子の送給が不安定となり溶射が困難とな
る。本発明は溶射珪化物の粒径を１〜３３ｔｒｍとする
こと、溶射される基板の温度を４００℃以上にすること
を特徴としているが、このような溶射条件によって短時
間で極めて密着性に優れた１：＞ｒｍ以下の厚さの皮膜
を形成できる。
、１〜３３−１好ましくは１〜２２−である。粒径が３
３ｔｒｍを超える粗い粒子を用いると、密着性に優れた
緻密な皮膜の形成が困難となる。一方、粒径が１ｎ未満
の粒子では、粒子の送給が不安定となり溶射が困難とな
る。本発明は溶射珪化物の粒径を１〜３３ｔｒｍとする
こと、溶射される基板の温度を４００℃以上にすること
を特徴としているが、このような溶射条件によって短時
間で極めて密着性に優れた１：＞ｒｍ以下の厚さの皮膜
を形成できる。
このようにして形成された皮膜は張力が１〜３ｋｇ／−
どフォルステライト皮膜にくらべ著しく大きい。しかし
ながら、直接地鉄面に溶射を行うと溶射粒子の衝突によ
り地鉄面が粗らされるため磁区がピンニングされ磁気特
性が悪くなる。そこで種々の検討を行った結果、地鉄面
に好ましくは厚さ１ｆｍ以上の金属メッキを施した後に
溶射を行えば磁気特性を損なうことなく低圧プラズマ溶
射皮膜が付与出来るという新知見を得た。
どフォルステライト皮膜にくらべ著しく大きい。しかし
ながら、直接地鉄面に溶射を行うと溶射粒子の衝突によ
り地鉄面が粗らされるため磁区がピンニングされ磁気特
性が悪くなる。そこで種々の検討を行った結果、地鉄面
に好ましくは厚さ１ｆｍ以上の金属メッキを施した後に
溶射を行えば磁気特性を損なうことなく低圧プラズマ溶
射皮膜が付与出来るという新知見を得た。
本発明に従った低圧プラズマ溶射法による珪化物皮膜形
成手段は、仕上焼鈍後の材料表面のグラス皮膜を除去し
て地鉄表面に金属メッキを施した後、珪化物皮膜を形成
せしめるべく適用することができる。また、この手段は
一方向性珪素鋼板をストリップを走行させる状態下で二
次再結晶させ、その後に皮膜をつけるプロセスにも適用
できるのは勿論である。さらに、特公昭６３−４４８０
４号公報、特公昭６３−６６１１号公報に開示されてい
る、方向性珪素鋼板を鉄芯へ加工した後歪取り焼鈍を施
しても磁区細分化効果が消失しない磁区制御技術と組み
合わせて使用することもできる。
成手段は、仕上焼鈍後の材料表面のグラス皮膜を除去し
て地鉄表面に金属メッキを施した後、珪化物皮膜を形成
せしめるべく適用することができる。また、この手段は
一方向性珪素鋼板をストリップを走行させる状態下で二
次再結晶させ、その後に皮膜をつけるプロセスにも適用
できるのは勿論である。さらに、特公昭６３−４４８０
４号公報、特公昭６３−６６１１号公報に開示されてい
る、方向性珪素鋼板を鉄芯へ加工した後歪取り焼鈍を施
しても磁区細分化効果が消失しない磁区制御技術と組み
合わせて使用することもできる。
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
４ｗｔ％以下のＳｔを含有する鋼スラブを加熱し、熱間
圧延して熱延板とし、必要に応じてこの段階で焼鈍を施
し、次いで１回或は中間焼鈍を介挿する２回の冷間圧延
を施して最終板厚とした後、脱炭焼鈍し焼鈍分離剤を塗
布してストリップコイルとし、ついで高温長時間の仕上
焼鈍を施しく１１０）＜００１＞方位の二次再結晶粒を
発達させた鋼板のフォルステライト皮膜を、化学的或い
は機械的に除去するかまたは、前記焼鈍分離剤をアルミ
ナ等のフォルステライト皮膜を形成しないものにして仕
上焼鈍後の鋼板表面の地鉄を露出させた後に地鉄面に金
属メッキを施し、低圧プラズマ溶射装置中で珪化物皮膜
を形成する。金属メッキを施す意味はプラズマ溶射時の
粒子衝突による下地（地鉄）面のダメージを防止するた
めである。金属メッキは、そのメッキ金属、メッキ方法
において特に限定されるものではないが、Ｚｎ＋ Ｓｎ
＋ Ｃ１１Ｉ Ｎ１等の金属メッキを行うのが最も実用
的である。通常のプラズマ溶射条件では１−前後の下地
の凹凸が生じ、交流磁場中での磁区の動きをピンニング
するので鉄損が損なわれる。これを防止するために好ま
しくは厚さ１ｎ以上のメッキを施した後に低圧プラズマ
溶射するのが効果的である。下地面を金属メッキで保護
し、低圧プラズマ溶射皮膜で下地に大きな張力を付与し
て極めて磁性の良い製品を得るのが本発明の目的である
。
圧延して熱延板とし、必要に応じてこの段階で焼鈍を施
し、次いで１回或は中間焼鈍を介挿する２回の冷間圧延
を施して最終板厚とした後、脱炭焼鈍し焼鈍分離剤を塗
布してストリップコイルとし、ついで高温長時間の仕上
焼鈍を施しく１１０）＜００１＞方位の二次再結晶粒を
発達させた鋼板のフォルステライト皮膜を、化学的或い
は機械的に除去するかまたは、前記焼鈍分離剤をアルミ
ナ等のフォルステライト皮膜を形成しないものにして仕
上焼鈍後の鋼板表面の地鉄を露出させた後に地鉄面に金
属メッキを施し、低圧プラズマ溶射装置中で珪化物皮膜
を形成する。金属メッキを施す意味はプラズマ溶射時の
粒子衝突による下地（地鉄）面のダメージを防止するた
めである。金属メッキは、そのメッキ金属、メッキ方法
において特に限定されるものではないが、Ｚｎ＋ Ｓｎ
＋ Ｃ１１Ｉ Ｎ１等の金属メッキを行うのが最も実用
的である。通常のプラズマ溶射条件では１−前後の下地
の凹凸が生じ、交流磁場中での磁区の動きをピンニング
するので鉄損が損なわれる。これを防止するために好ま
しくは厚さ１ｎ以上のメッキを施した後に低圧プラズマ
溶射するのが効果的である。下地面を金属メッキで保護
し、低圧プラズマ溶射皮膜で下地に大きな張力を付与し
て極めて磁性の良い製品を得るのが本発明の目的である
。
以下に本発明の実施に用いた低圧プラズマ溶射条件の一
例を示す。
例を示す。
作動ガス ：Ａｒ
入力 ：８７ＫＷ
溶射雰囲気圧カニ ３ ＱＴｏｒｒ
溶射距離 ：４８０ｍｍ
粉体供給速度 ： ４６ ｇ ／ｌｉｎ。
なお、本発明は上記溶射条件に限定されるものではない
。
。
第１図は噴射粉末に二珪化モリブデン（ＭｏＳｉｊ）を
用いた時の二珪化モリブデン平均粒径と溶射厚みの関係
を示したものである。この図かられかるように、噴射珪
化物（溶射物粉末）の粒径を小さくするほど同一溶射時
間で薄い皮膜を形成できる。
用いた時の二珪化モリブデン平均粒径と溶射厚みの関係
を示したものである。この図かられかるように、噴射珪
化物（溶射物粉末）の粒径を小さくするほど同一溶射時
間で薄い皮膜を形成できる。
次に、溶射時の珪素鋼板（基板）の温度と溶射後の溶射
皮膜の密着性について調べた結果を、第２図に示す。第
２図から明らかなように基板の温度を室温から漸次上昇
させていくに従い溶射皮膜の密着性が向上する。これは
溶射時に基板の温度を高くしておくことによって、溶融
した溶射材料液滴と基板との濡れ性が改善されるととも
に拡散が起こるものと考えられる。
皮膜の密着性について調べた結果を、第２図に示す。第
２図から明らかなように基板の温度を室温から漸次上昇
させていくに従い溶射皮膜の密着性が向上する。これは
溶射時に基板の温度を高くしておくことによって、溶融
した溶射材料液滴と基板との濡れ性が改善されるととも
に拡散が起こるものと考えられる。
溶射皮膜の密着性は溶射後の珪素鋼板を３０ｍｍφの丸
棒に巻き付けたときの溶射皮膜の剥離率で評価した。第
２図から明らかなごとく基板の温度を４．００″Ｃ以上
にすると、溶射皮膜の密着性が良好となる（剥離率が低
下する）。４００°Ｃ以上の基板温度で、通常のフォル
ステライト皮膜の密着性と同等の密着性を示している 溶射に用いる粉体はチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、ニオブ（Ｎｂ） 、タンタル（Ｔａ） 、クロム
（Ｃｒ） 、モリブデン（Ｍｏ） 、タングステン（Ｗ
）等の二珪化物単体あるいは、それらの混合物、さらに
珪素の結合割合の異なる化合物（たとえばＭｏ３Ｓｉｓ
）のいずれでもよいが、製品の鉄損向上を考える場合は
、下地の珪素鋼板（地鉄）との間で熱膨張係数の差の大
きな珪化物を用いた方が下地に大きな張力が付与され、
鉄損が向上する。珪化物皮膜の形成後、−旦下地を８０
０℃程度に加熱して下地と珪化物皮膜の歪の緩和を行っ
た方が鉄損が向上する。珪化物皮膜の形成後、鋼板に張
力皮膜を塗布し焼付ける場合は、焼付けが８００°Ｃ以
上の温度域でなされるから、下地と珪化物皮膜の歪の緩
和が併せて行われる。製品を巻鉄芯等に加工した後、８
００°Ｃ以上の温度域で歪取り焼鈍を行う場合にも、下
地と珪化物皮膜の歪の緩和が併せて行われる。
棒に巻き付けたときの溶射皮膜の剥離率で評価した。第
２図から明らかなごとく基板の温度を４．００″Ｃ以上
にすると、溶射皮膜の密着性が良好となる（剥離率が低
下する）。４００°Ｃ以上の基板温度で、通常のフォル
ステライト皮膜の密着性と同等の密着性を示している 溶射に用いる粉体はチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、ニオブ（Ｎｂ） 、タンタル（Ｔａ） 、クロム
（Ｃｒ） 、モリブデン（Ｍｏ） 、タングステン（Ｗ
）等の二珪化物単体あるいは、それらの混合物、さらに
珪素の結合割合の異なる化合物（たとえばＭｏ３Ｓｉｓ
）のいずれでもよいが、製品の鉄損向上を考える場合は
、下地の珪素鋼板（地鉄）との間で熱膨張係数の差の大
きな珪化物を用いた方が下地に大きな張力が付与され、
鉄損が向上する。珪化物皮膜の形成後、−旦下地を８０
０℃程度に加熱して下地と珪化物皮膜の歪の緩和を行っ
た方が鉄損が向上する。珪化物皮膜の形成後、鋼板に張
力皮膜を塗布し焼付ける場合は、焼付けが８００°Ｃ以
上の温度域でなされるから、下地と珪化物皮膜の歪の緩
和が併せて行われる。製品を巻鉄芯等に加工した後、８
００°Ｃ以上の温度域で歪取り焼鈍を行う場合にも、下
地と珪化物皮膜の歪の緩和が併せて行われる。
（実施例）
実施例Ｉ
Ｓｉ：３．２％を含む板厚０．３ｍａ＋の仕上焼鈍後の
高磁束密度一方向性珪素鋼板を硫酸と弗酸の混合物に浸
漬してフォルステライト皮膜を除去した後、２ｎｅｔ＋
メッキを行い、この鋼板を低圧プラズマ溶射装置に導入
し基板温度を５００°Ｃとして平均粒径６−’−’１２
．の二珪化モリブデンを溶射して１０ｎ厚さの珪化物皮
膜を形成した。その後、不活性ガス雰囲気下、８００℃
に加熱して歪の緩和を行った。こうして得られた製品の
鉄損値を第１表に示す。
高磁束密度一方向性珪素鋼板を硫酸と弗酸の混合物に浸
漬してフォルステライト皮膜を除去した後、２ｎｅｔ＋
メッキを行い、この鋼板を低圧プラズマ溶射装置に導入
し基板温度を５００°Ｃとして平均粒径６−’−’１２
．の二珪化モリブデンを溶射して１０ｎ厚さの珪化物皮
膜を形成した。その後、不活性ガス雰囲気下、８００℃
に加熱して歪の緩和を行った。こうして得られた製品の
鉄損値を第１表に示す。
第 １ 表
燐酸系張力皮膜溶液を塗布し、８５０℃で６０秒間の焼
付は処理を行った。こうして得られた製品の磁気特性を
第２表に示す。
付は処理を行った。こうして得られた製品の磁気特性を
第２表に示す。
第２表
このように、本発明法は従来技術に比較して鉄損値が格
段に向上している。
段に向上している。
実施例２
Ｓｉ：３．２％を含む板厚０．３＋＋＋ｎの仕上焼鈍後
の高磁束密度一方向性珪素鋼板のフォルステライト皮膜
を砥石によって機械的に除去した後、２ｐのＮｉメッキ
を施し、次いでこの鋼板を低圧プラズマ溶射装置に導入
し、基板温度を６００°Ｃとして平均粒径Ｉｏｎの三珪
化五モリブデンの粉末を溶射して１０．厚さの珪化物皮
膜を形成した。その後、本発明の低圧プラズマ溶射によ
る鋼板表面における珪化物皮膜形成後、張力皮膜形成処
理を施すとさらに鉄損が向上（鉄損値が低下）している
ことがわかる。
の高磁束密度一方向性珪素鋼板のフォルステライト皮膜
を砥石によって機械的に除去した後、２ｐのＮｉメッキ
を施し、次いでこの鋼板を低圧プラズマ溶射装置に導入
し、基板温度を６００°Ｃとして平均粒径Ｉｏｎの三珪
化五モリブデンの粉末を溶射して１０．厚さの珪化物皮
膜を形成した。その後、本発明の低圧プラズマ溶射によ
る鋼板表面における珪化物皮膜形成後、張力皮膜形成処
理を施すとさらに鉄損が向上（鉄損値が低下）している
ことがわかる。
（発明の効果）
本発明は仕上焼鈍後の珪素鋼板のフォルステライト皮膜
を除去した後、金属メッキを施し、低圧プラズマ溶射法
により珪化物粉末を溶射して珪化物皮膜を形成すること
によって製品の鉄損を低くするものであり、本発明によ
るときは従来の皮膜形成技術による場合に比べ安価でか
つ高い生産性のもとに大きく鉄損を低下させることがで
き、その工業的効果は甚大である。
を除去した後、金属メッキを施し、低圧プラズマ溶射法
により珪化物粉末を溶射して珪化物皮膜を形成すること
によって製品の鉄損を低くするものであり、本発明によ
るときは従来の皮膜形成技術による場合に比べ安価でか
つ高い生産性のもとに大きく鉄損を低下させることがで
き、その工業的効果は甚大である。
第１図は溶射すべき珪化物粉末の粒径と形成される珪化
物皮膜の厚さの関係を示す図、第２図は溶射時の基板の
温度と溶射後の溶射皮膜の密着性の関係を示す図である
。 ５ｇ遺Ｕｎ娑Ｔ（テ」Ｌイと１セン）粉末のＡ１χ径（
ｘ乙）ｊ１版＠崖（Ｃ）
物皮膜の厚さの関係を示す図、第２図は溶射時の基板の
温度と溶射後の溶射皮膜の密着性の関係を示す図である
。 ５ｇ遺Ｕｎ娑Ｔ（テ」Ｌイと１セン）粉末のＡ１χ径（
ｘ乙）ｊ１版＠崖（Ｃ）
Claims (2)
- （１）仕上焼鈍後の一方向性珪素鋼板の地鉄表面に金属
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめることを特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼
板の製造方法。 - （２）仕上焼鈍後の一方向性珪素鋼板の地鉄表面に金属
メッキを施した後、低圧プラズマ溶射法にて珪化物皮膜
を形成せしめ、さらに張力付与膜を塗布焼付けすること
を特徴とする低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2096884A JPH03294467A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2096884A JPH03294467A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03294467A true JPH03294467A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14176831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2096884A Pending JPH03294467A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03294467A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704239A1 (fr) * | 1993-04-23 | 1994-10-28 | Ugine Sa | Procédé d'enrichissement en un élément d'alliage d'une tôle en acier magnétique. |
| US6758915B2 (en) * | 2001-04-05 | 2004-07-06 | Jfe Steel Corporation | Grain oriented electromagnetic steel sheet exhibiting extremely small watt loss and method for producing the same |
| JP2008280611A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-11-20 | Nippon Steel Corp | 磁気特性に優れた表面処理鋼材及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2096884A patent/JPH03294467A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2704239A1 (fr) * | 1993-04-23 | 1994-10-28 | Ugine Sa | Procédé d'enrichissement en un élément d'alliage d'une tôle en acier magnétique. |
| US6758915B2 (en) * | 2001-04-05 | 2004-07-06 | Jfe Steel Corporation | Grain oriented electromagnetic steel sheet exhibiting extremely small watt loss and method for producing the same |
| JP2008280611A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-11-20 | Nippon Steel Corp | 磁気特性に優れた表面処理鋼材及びその製造方法 |
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