JPH03294330A - ハイブリツドic用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリツドic - Google Patents
ハイブリツドic用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリツドicInfo
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- JPH03294330A JPH03294330A JP9694790A JP9694790A JPH03294330A JP H03294330 A JPH03294330 A JP H03294330A JP 9694790 A JP9694790 A JP 9694790A JP 9694790 A JP9694790 A JP 9694790A JP H03294330 A JPH03294330 A JP H03294330A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 15
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 4
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 3,4-epoxycyclohexylmethyl Chemical group 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRWFFFOEIHGUBG-UHFFFAOYSA-N 3,4-Epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclo-hexanecarboxylate Chemical compound C1C2OC2CC(C)C1C(=O)OCC1CC2OC2CC1C GRWFFFOEIHGUBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CCCC2OC21C=C XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASZFCDOTGITCJI-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.1.0]hex-2-ene Chemical compound C1C=CC2OC12 ASZFCDOTGITCJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- ADAHGVUHKDNLEB-UHFFFAOYSA-N Bis(2,3-epoxycyclopentyl)ether Chemical compound C1CC2OC2C1OC1CCC2OC21 ADAHGVUHKDNLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- LMMDJMWIHPEQSJ-UHFFFAOYSA-N bis[(3-methyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)methyl] hexanedioate Chemical compound C1C2OC2CC(C)C1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1C LMMDJMWIHPEQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002627 limonene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハイブリッドIC用被覆材料およびこれで外装
被覆されたハイブリッドIC1さらに詳しくは耐湿性、
耐熱衝撃性およびエツジカバー性に優れたハイブリッド
IC用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリッ
ドICに関する。
被覆されたハイブリッドIC1さらに詳しくは耐湿性、
耐熱衝撃性およびエツジカバー性に優れたハイブリッド
IC用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリッ
ドICに関する。
近年、民生機器や産業用機器に使用される電子機器が小
型化および薄型化するにつれ、これに使用されるハイブ
リッドIC(インチグレーティド・サーキント)も同様
に小型化、薄型化および高集積化が図られる傾向にある
。
型化および薄型化するにつれ、これに使用されるハイブ
リッドIC(インチグレーティド・サーキント)も同様
に小型化、薄型化および高集積化が図られる傾向にある
。
従来のハイブリッドICの製造法においては、回路が印
刷されたアルミナ基板上にIC、トランジスタ、コンデ
ンサ等を種々の方法で搭載した後、外力からの保護と耐
湿性を向上するために外装用樹脂で被覆する方法がとら
れている。
刷されたアルミナ基板上にIC、トランジスタ、コンデ
ンサ等を種々の方法で搭載した後、外力からの保護と耐
湿性を向上するために外装用樹脂で被覆する方法がとら
れている。
外装用樹脂としては、粉体エポキシ樹脂、液状フェノー
ル樹脂、液状エポキシ樹脂などが使用されており、粉体
エポキシ樹脂では流動浸漬法、液状フェノール樹脂およ
び液状エポキシ樹脂ではディッピング法によりハイブリ
ッドICを被覆した後に加熱処理が行われ、硬化されて
いる。
ル樹脂、液状エポキシ樹脂などが使用されており、粉体
エポキシ樹脂では流動浸漬法、液状フェノール樹脂およ
び液状エポキシ樹脂ではディッピング法によりハイブリ
ッドICを被覆した後に加熱処理が行われ、硬化されて
いる。
粉体エポキシ樹脂は大量生産ができるという特徴を有し
ているが、最近さらに厳しくなっている耐湿性(プレッ
シャー・クツカー試験)に劣る欠点がある。
ているが、最近さらに厳しくなっている耐湿性(プレッ
シャー・クツカー試験)に劣る欠点がある。
一方、液状フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂は、
有機溶剤を含んでいるため硬化後にボイドが生し易く耐
湿信幀性に劣る。そのためワックスなどに含浸し、ボイ
ドへのワックスの埋め込みとともに撥水性を付与し耐湿
性向上を図っているが、工程が煩雑になるという欠点が
ある。この欠点を解決するために、有機溶剤の代わりに
反応性希釈剤を用いて硬化後のボイドを低減する方法が
考えられるが、ガラス転移温度が低くなり、耐湿性(プ
レッシャー・クツカー試験)に劣るという欠点を生じる
。
有機溶剤を含んでいるため硬化後にボイドが生し易く耐
湿信幀性に劣る。そのためワックスなどに含浸し、ボイ
ドへのワックスの埋め込みとともに撥水性を付与し耐湿
性向上を図っているが、工程が煩雑になるという欠点が
ある。この欠点を解決するために、有機溶剤の代わりに
反応性希釈剤を用いて硬化後のボイドを低減する方法が
考えられるが、ガラス転移温度が低くなり、耐湿性(プ
レッシャー・クツカー試験)に劣るという欠点を生じる
。
液状樹脂を用い、ディッピング法によりハイブリッドI
Cに搭載された部品のエツジ部および基板端面が樹脂で
良好にカバーされた、外観に優れたハイブリットICを
得るためには、塗装時には適度な流動性を示し、塗装後
はそのままの状態を維持して硬化できるような適度な揺
変性を樹脂に付与する必要がある。
Cに搭載された部品のエツジ部および基板端面が樹脂で
良好にカバーされた、外観に優れたハイブリットICを
得るためには、塗装時には適度な流動性を示し、塗装後
はそのままの状態を維持して硬化できるような適度な揺
変性を樹脂に付与する必要がある。
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決し、作業性、
耐湿性(特に耐プレツシヤ−・クツカー性)および耐熱
衝撃性に優れ、外観の良好なハイブリッドICを得るこ
とができるハイブリッドIC用被覆材料およびこれで外
装被覆されたハイブリッドICを提供することにある。
耐湿性(特に耐プレツシヤ−・クツカー性)および耐熱
衝撃性に優れ、外観の良好なハイブリッドICを得るこ
とができるハイブリッドIC用被覆材料およびこれで外
装被覆されたハイブリッドICを提供することにある。
本発明は、(A)分子中に1個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂、(B)パラアルキルフェノールを原料
として得られるフェノールノボラック樹脂、(C)硬化
促進剤、(D)有機ベントナイト、(E)スチレンおよ
び/またはスチレン誘導体ならびに(F)無機質充填剤
を含有してなるハイブリッドIC用被覆材料および該被
覆材料を用いて外装被覆したハイブリッ)ICに関する
。
るエポキシ樹脂、(B)パラアルキルフェノールを原料
として得られるフェノールノボラック樹脂、(C)硬化
促進剤、(D)有機ベントナイト、(E)スチレンおよ
び/またはスチレン誘導体ならびに(F)無機質充填剤
を含有してなるハイブリッドIC用被覆材料および該被
覆材料を用いて外装被覆したハイブリッ)ICに関する
。
本発明に使用される分子中に1個以上のエポキシ基を有
するエポキシ樹脂(A) としては、ビスフェノールA
とエピクロルヒドリンから誘導されるジグリシジルエー
テルおよびその誘導体、ビスフェノールFとエピクロル
ヒドリンから誘導されるジグリシジルエーテルおよびそ
の誘導体などの通称エビ−ビス型液状エポキシ樹脂、多
価アルコールとエピクロルヒドリンから誘導されるジグ
リシジルエーテル、多塩基酸とエピクロルヒドリンから
誘導されるグリシジルエステルおよびその誘導体、水添
ビスフェノールAとエピクロルヒドリンから誘導される
ジグリシジルエーテルおよびその誘導体、3,4−エポ
キシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポ
キシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、シ
クロペンタジェンオキサイド、ビニルシクロヘキセンオ
キサイド、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エ
ーテル、3.4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,
4−エポキシシクロヘキサン)カルボキシレート、ビス
(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル
)アジペート、リモネンジオキサイド等の脂環式エポキ
シおよびこれらの誘導体、イソブチレンから誘導される
メチル置換型エポキシ等が挙げられ、その種類に制限は
ない。
するエポキシ樹脂(A) としては、ビスフェノールA
とエピクロルヒドリンから誘導されるジグリシジルエー
テルおよびその誘導体、ビスフェノールFとエピクロル
ヒドリンから誘導されるジグリシジルエーテルおよびそ
の誘導体などの通称エビ−ビス型液状エポキシ樹脂、多
価アルコールとエピクロルヒドリンから誘導されるジグ
リシジルエーテル、多塩基酸とエピクロルヒドリンから
誘導されるグリシジルエステルおよびその誘導体、水添
ビスフェノールAとエピクロルヒドリンから誘導される
ジグリシジルエーテルおよびその誘導体、3,4−エポ
キシ−6−メチルシクロヘキシルメチル−3,4−エポ
キシ−6−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、シ
クロペンタジェンオキサイド、ビニルシクロヘキセンオ
キサイド、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エ
ーテル、3.4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,
4−エポキシシクロヘキサン)カルボキシレート、ビス
(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル
)アジペート、リモネンジオキサイド等の脂環式エポキ
シおよびこれらの誘導体、イソブチレンから誘導される
メチル置換型エポキシ等が挙げられ、その種類に制限は
ない。
本発明に使用されるフェノールノボラック樹脂(B)は
、バラターシャリ−ブチルフェノール、バラオクチルフ
ェノール、バライソプロピルフェノール、バラノニルフ
ェノール等のパラアルキルフェノールを原料として得ら
れるフェノールノボラック樹脂である。
、バラターシャリ−ブチルフェノール、バラオクチルフ
ェノール、バライソプロピルフェノール、バラノニルフ
ェノール等のパラアルキルフェノールを原料として得ら
れるフェノールノボラック樹脂である。
該フェノールノボランク樹脂(B) は、得られる被
覆材料の硬化性の点から、上記エポキシ樹脂中のエポキ
シ基に対してフェノールノボラック樹脂のOH基が0.
9〜1.1当量の範囲となるように用いるのが好ましい
。
覆材料の硬化性の点から、上記エポキシ樹脂中のエポキ
シ基に対してフェノールノボラック樹脂のOH基が0.
9〜1.1当量の範囲となるように用いるのが好ましい
。
本発明に使用される硬化促進剤(C)としては、例えば
2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾ
ール化合物、ベンジルジメチルアミン、2,4.6−ト
リス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の第3級ア
ミン類、2−メチル−4−メチルイミダゾリウム、テト
ラフェニルボレート等の塩類などが挙げられる。
2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾ
ール化合物、ベンジルジメチルアミン、2,4.6−ト
リス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の第3級ア
ミン類、2−メチル−4−メチルイミダゾリウム、テト
ラフェニルボレート等の塩類などが挙げられる。
該硬化促進剤(C)の使用量は、硬化性および貯蔵安定
性の点から、フェノールノポラ・ツク樹脂(B)100
重量部に対して0.3〜25重量部とするのが好ましい
。
性の点から、フェノールノポラ・ツク樹脂(B)100
重量部に対して0.3〜25重量部とするのが好ましい
。
本発明に使用される有機ベントナイト(D)としては、
例えばNL Chemicals Inc、のベントン
SDI、ベントン5D−2、ベントン27等が挙げられ
、その使用量はエツジカバー性と揺変性の安定性とのバ
ランスの点から、成分(A) 、(B) 、(C) 、
(D)および(F)の総量に対して0.05〜1゜5体
積%とするのが好ましく、より好ましくは0゜07〜0
.7体積%である。
例えばNL Chemicals Inc、のベントン
SDI、ベントン5D−2、ベントン27等が挙げられ
、その使用量はエツジカバー性と揺変性の安定性とのバ
ランスの点から、成分(A) 、(B) 、(C) 、
(D)および(F)の総量に対して0.05〜1゜5体
積%とするのが好ましく、より好ましくは0゜07〜0
.7体積%である。
本発明に使用されるスチレンおよび/またはスチレン誘
導体(E)のスチレン誘導体としては、ビニルトルエン
、ジビニルベンゼン、ターシャリ−ブチルスチレン等が
挙げられる。
導体(E)のスチレン誘導体としては、ビニルトルエン
、ジビニルベンゼン、ターシャリ−ブチルスチレン等が
挙げられる。
該スチレンおよび/またはスチレン誘導体(E)の使用
量は、作業性の点から、成分(A) 、(B)、(C)
、(D) 、(E)および(F)の総量に対して20
〜40体積%とするのが好ましい。
量は、作業性の点から、成分(A) 、(B)、(C)
、(D) 、(E)および(F)の総量に対して20
〜40体積%とするのが好ましい。
本発明に使用される無機質充填剤(F)としては、例え
ば結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、水和アルミナ、
炭酸カルシウムなどが挙げられ、その使用量は、耐熱衝
撃性のバランスの点から、成分(A) 、(B) 、(
C) 、(D)および(F)の総量に対して70体積%
以上とするのが好ましく、より好ましくは73〜80体
積%である。
ば結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、水和アルミナ、
炭酸カルシウムなどが挙げられ、その使用量は、耐熱衝
撃性のバランスの点から、成分(A) 、(B) 、(
C) 、(D)および(F)の総量に対して70体積%
以上とするのが好ましく、より好ましくは73〜80体
積%である。
本発明のハイブリッドIC用被覆材料には、必要に応じ
てカップリング剤、着色剤、消泡剤等を添加することが
できる。
てカップリング剤、着色剤、消泡剤等を添加することが
できる。
ハイブリッドICの外装被覆法としては、通常の方法、
例えばデイツプ法、ボッティング法、ドロップ法、ロー
ラ法などが挙げられる。
例えばデイツプ法、ボッティング法、ドロップ法、ロー
ラ法などが挙げられる。
以下、本発明を実施例により説明する。なお、実施例中
、部とあるのは重量部を意味する。
、部とあるのは重量部を意味する。
実施例1
エポキシ樹脂(油化シェル社製商品名
Ep−828) 100部
および
をガラス製フラスコ内で100°Cで4時間溶解し、室
温に戻したのちに、さらに 無機質充填剤(電気化学工業社製商品名および を加え、均一に分散して樹脂組成物を得た。
温に戻したのちに、さらに 無機質充填剤(電気化学工業社製商品名および を加え、均一に分散して樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を用い、デイツプ方式により、印刷
抵抗および銀−パラジウム電極間隔0.3閣のくし型パ
ターンを搭載したハイブリッドICを外装被覆した後、
120°Cで30分、次いで150°Cで2時間加熱硬
化した。得られた硬化物について下記の特性の評価を行
った。その結果を第1表に示す。
抵抗および銀−パラジウム電極間隔0.3閣のくし型パ
ターンを搭載したハイブリッドICを外装被覆した後、
120°Cで30分、次いで150°Cで2時間加熱硬
化した。得られた硬化物について下記の特性の評価を行
った。その結果を第1表に示す。
(1)耐湿性試験(プレッシャー・クツカー試験)12
1″C12気圧および100%RHの水蒸気下に外装被
覆後のハイブリッドICをさらし、第1表に示す時間ご
とにくし型パターンの絶縁抵抗の変化を測定し、抵抗値
が1012Ω以下となったものを不良発生物とし、各時
間ごとの不良発生数を調べた。この試験は試料数20個
で行った。
1″C12気圧および100%RHの水蒸気下に外装被
覆後のハイブリッドICをさらし、第1表に示す時間ご
とにくし型パターンの絶縁抵抗の変化を測定し、抵抗値
が1012Ω以下となったものを不良発生物とし、各時
間ごとの不良発生数を調べた。この試験は試料数20個
で行った。
(2)耐熱衝撃性
外装被覆後のハイブリッドICに一40°Cで30分、
続いて125°Cで30分を1サイクルとした熱衝撃を
加え、25サイクルごとに印刷抵抗の変化を測定し、初
期値の1.5%以上変化したものを不良発生物とし、各
サイクルごとの不良発生数を調べた。この試験は前記と
同様に試料数20個で行った。
続いて125°Cで30分を1サイクルとした熱衝撃を
加え、25サイクルごとに印刷抵抗の変化を測定し、初
期値の1.5%以上変化したものを不良発生物とし、各
サイクルごとの不良発生数を調べた。この試験は前記と
同様に試料数20個で行った。
(3)外観試験
外装被覆後のハイブリッドICの基板エツジ部を目視観
察し、基板エツジ部が隠れている場合を良好、基板エツ
ジ部が見える場合を不良と判定した。なお、外装被覆は
作製直後の樹脂組成物を用いてまたは25°Cで1力月
放置して均一に再分散させた樹脂組成物を用いて行った
。
察し、基板エツジ部が隠れている場合を良好、基板エツ
ジ部が見える場合を不良と判定した。なお、外装被覆は
作製直後の樹脂組成物を用いてまたは25°Cで1力月
放置して均一に再分散させた樹脂組成物を用いて行った
。
実施例2
実施例1において、スチレンをビニルトルエンに代えた
以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を作製し、これ
を用いて実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装
被覆し、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第
1表に示した。
以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を作製し、これ
を用いて実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装
被覆し、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第
1表に示した。
比較例1
実施例2において、有機ベントナイトを用いなかった以
外は実施例2と同様にして樹脂組成物を作製し、これを
用いて実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被
覆し、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第1
表に示した。
外は実施例2と同様にして樹脂組成物を作製し、これを
用いて実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被
覆し、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第1
表に示した。
比較例2
実施例1において、有機ベントナイト5部を抜き、また
ビニルトルエン320部の代わりにトルエン200部お
よびメタノール70部を用いた以外は実施例1と同様に
して樹脂組成物を作製し、これを用いて硬化条件として
さらに60℃で1時間を追加した以外は実施例1と同様
にしてハイブリッドICを外装被覆し、実施例1と同様
の評価を行った。その結果を第1表に示した。
ビニルトルエン320部の代わりにトルエン200部お
よびメタノール70部を用いた以外は実施例1と同様に
して樹脂組成物を作製し、これを用いて硬化条件として
さらに60℃で1時間を追加した以外は実施例1と同様
にしてハイブリッドICを外装被覆し、実施例1と同様
の評価を行った。その結果を第1表に示した。
比較例3
比較例2で得られた外装被覆したハイブリッドICに、
ワックスを含浸させた後、実施例1と同様の評価を行っ
た。その結果を第1表に示した。
ワックスを含浸させた後、実施例1と同様の評価を行っ
た。その結果を第1表に示した。
比較例4
比較例1において、ビニルトルエンの代わりにカージュ
ラ−Elo(油化シェルエポキシ社製エポキシ樹脂)を
用いた以外は比較例1と同様にして樹脂組成物を作製し
、実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被覆し
、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第1表に
示した。
ラ−Elo(油化シェルエポキシ社製エポキシ樹脂)を
用いた以外は比較例1と同様にして樹脂組成物を作製し
、実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被覆し
、実施例1と同様の評価を行った。その結果を第1表に
示した。
比較例5
実施例2において、有機ベントナイトの代わりにエロジ
ール(日本アエロジル社製商品名5IG−200)を用
いた以外は実施例2と同様にして樹脂組成物を作製し、
実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被覆し、
実施例1と同様の評第1表から、実施例の樹脂組成物を
外装被覆したハイブリッドICは、比較例の樹脂組成物
を外装被覆したハイブリッドtCに比べ、優れた耐湿性
および耐熱衝撃性を有し、外観に優れることが示される
。
ール(日本アエロジル社製商品名5IG−200)を用
いた以外は実施例2と同様にして樹脂組成物を作製し、
実施例1と同様にしてハイブリッドICを外装被覆し、
実施例1と同様の評第1表から、実施例の樹脂組成物を
外装被覆したハイブリッドICは、比較例の樹脂組成物
を外装被覆したハイブリッドtCに比べ、優れた耐湿性
および耐熱衝撃性を有し、外観に優れることが示される
。
本発明のハイブリッドIC用被覆材料によれば、基板と
同等の線膨張係数に調整されるため、1回の外装被覆で
優れた耐湿性、耐熱衝撃性およびエツジカバー性(外観
)をハイブリッドICに付与することができる。また作
業工程の簡略化を図ることができるため、ハイブリッド
ICの信顛性が向上し、コストの低下を図ることができ
る。
同等の線膨張係数に調整されるため、1回の外装被覆で
優れた耐湿性、耐熱衝撃性およびエツジカバー性(外観
)をハイブリッドICに付与することができる。また作
業工程の簡略化を図ることができるため、ハイブリッド
ICの信顛性が向上し、コストの低下を図ることができ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)分子中に1個以上のエポキシ基を有するエポ
キシ樹脂、(B)パラアルキルフェノールを原料として
得られるフェノールノボラック樹脂、(C)硬化促進剤
、(D)有機ベントナイト、(E)スチレンおよび/ま
たはスチレン誘導体ならびに(F)無機質充填剤を含有
してなるハイブリッドIC用被覆材料。 2、無機質充填剤(F)の使用量が、上記成分(A)エ
ポキシ樹脂、(B)フェノールノボラック樹脂、(C)
硬化促進剤、(D)有機ベントナイトおよび(F)無機
質充填剤の総量に対して70体積%以上である請求項1
記載のハイブリッドIC用被覆材料。 3、有機ベントナイト(F)の使用割合が、上記成分(
A)エポキシ樹脂、(B)フェノールノボラック樹脂、
(C)硬化促進剤、(D)有機ベントナイトおよび(F
)無機質充填剤の総量に対して0.05〜1.5体積%
の範囲である請求項1記載のハイブリッドIC用被覆材
料。 4、請求項1記載のハイブリッドIC用被覆材料を用い
て外装被覆したハイブリッドIC。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9694790A JPH0768330B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | ハイブリツドic用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリツドic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9694790A JPH0768330B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | ハイブリツドic用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリツドic |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03294330A true JPH03294330A (ja) | 1991-12-25 |
JPH0768330B2 JPH0768330B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=14178499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9694790A Expired - Lifetime JPH0768330B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | ハイブリツドic用被覆材料およびこれで外装被覆されたハイブリツドic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0768330B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0632059A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Interpenetrating networks from unsaturated monomers and thermosetting resins |
JPH08325355A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-12-10 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高耐熱性、低誘電率の積層板用エポキシ樹脂組成物 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP9694790A patent/JPH0768330B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0632059A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Interpenetrating networks from unsaturated monomers and thermosetting resins |
EP0632059A3 (en) * | 1993-06-30 | 1996-04-17 | Sumitomo Chemical Co | Interpenetrating networks of unsaturated monomers and thermosetting resins. |
JPH08325355A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-12-10 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 高耐熱性、低誘電率の積層板用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0768330B2 (ja) | 1995-07-26 |
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