JPH03290626A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
- Publication number
- JPH03290626A JPH03290626A JP2092926A JP9292690A JPH03290626A JP H03290626 A JPH03290626 A JP H03290626A JP 2092926 A JP2092926 A JP 2092926A JP 9292690 A JP9292690 A JP 9292690A JP H03290626 A JPH03290626 A JP H03290626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- transparent electrode
- electrode
- color developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 abstract description 5
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N boron lithium Chemical compound [Li].[B] PPTSBERGOGHCHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005486 organic electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 H2SO4 Chemical class 0.000 description 1
- 101100450563 Mus musculus Serpind1 gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は各種デイスプレィや調光装置に用いられるエレ
クトロクロミック素子に関するものである。
クトロクロミック素子に関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のエレクトロクロミック素子として、第3
図に示すように上下一対の透明な基板51.52を対向
配置し、各基板51.52の内面に透明な電極53.5
4を形成するとともに両電極53.54間に還元発色膜
55、電解質56及び酸化発色膜57を重ね合わせて配
設したものがある。前記電極53.54としてはITO
[5重量%の二酸化スズ(Snow)を含有する酸化イ
ンジウム(In20a))が、酸化発色膜57としては
導電性高分子であるポリアニリンが、また電解質56と
しては、過塩素酸リチウム(LiCIO4)、四フッ化
硼素リチウム(LiBF4)等をプロピレンカーボネー
トに溶解した有機電解液が一般的に使用されている。前
記のように構成されたエレクトロクロミック素子におい
ては、その製造時及び駆動時に次のような問題がある。
図に示すように上下一対の透明な基板51.52を対向
配置し、各基板51.52の内面に透明な電極53.5
4を形成するとともに両電極53.54間に還元発色膜
55、電解質56及び酸化発色膜57を重ね合わせて配
設したものがある。前記電極53.54としてはITO
[5重量%の二酸化スズ(Snow)を含有する酸化イ
ンジウム(In20a))が、酸化発色膜57としては
導電性高分子であるポリアニリンが、また電解質56と
しては、過塩素酸リチウム(LiCIO4)、四フッ化
硼素リチウム(LiBF4)等をプロピレンカーボネー
トに溶解した有機電解液が一般的に使用されている。前
記のように構成されたエレクトロクロミック素子におい
ては、その製造時及び駆動時に次のような問題がある。
〈製造時〉:
前記酸化発色膜57は電解重合法によって形成される。
この方法は第4図に示すようにアニリン、HC104等
を含有する水溶液からなる電解液58に、ITOよりな
る透明な電極54が形成された基板52と対向電極59
とを浸漬し、基板52に正の電圧を印加するとともに対
向電極59に負の電圧を印加して、電極54上にポリア
ニリンを析出させ、目的の酸化発色膜57を製膜するも
のである。し・かじながら、この方法による酸化発色膜
57の製膜時には、前記電解液58中に含有していルH
CI O,等の酸によって電極54が部分的に溶解して
しまう。
を含有する水溶液からなる電解液58に、ITOよりな
る透明な電極54が形成された基板52と対向電極59
とを浸漬し、基板52に正の電圧を印加するとともに対
向電極59に負の電圧を印加して、電極54上にポリア
ニリンを析出させ、目的の酸化発色膜57を製膜するも
のである。し・かじながら、この方法による酸化発色膜
57の製膜時には、前記電解液58中に含有していルH
CI O,等の酸によって電極54が部分的に溶解して
しまう。
〈駆動時〉:
エレクトロクロミック素子の駆動時には電解質56中で
次に示す反応(1)、(2)が起こる。
次に示す反応(1)、(2)が起こる。
そして、これらの反応によって生じたH C104、H
F等の酸が酸化発色膜57を通過して電極54に接触し
、その結果同電極54が部分的に溶解する。
F等の酸が酸化発色膜57を通過して電極54に接触し
、その結果同電極54が部分的に溶解する。
20
L i C104−−→ L i OH+HC1204
・・・(1)zO L i BF4 L i OH+HF+BFa
・・・(2)前記のように製造時又は駆動時に電極54
が部分的に溶解すると、その電極54表面から酸化発色
膜57が剥離し、この剥離がエレクトロクロミック素子
の発色ムラ等の不良の原因となる。
・・・(1)zO L i BF4 L i OH+HF+BFa
・・・(2)前記のように製造時又は駆動時に電極54
が部分的に溶解すると、その電極54表面から酸化発色
膜57が剥離し、この剥離がエレクトロクロミック素子
の発色ムラ等の不良の原因となる。
一方、実開昭64−29627号公報には、透明電極上
に金属薄膜を形成したエレクトロクロミック素子が開示
されている。この技術では金属薄膜が透明電極を保護す
るので、同透明電極からの酸化発色膜の剥離を防止して
耐久性の向上を図ることが可能である。
に金属薄膜を形成したエレクトロクロミック素子が開示
されている。この技術では金属薄膜が透明電極を保護す
るので、同透明電極からの酸化発色膜の剥離を防止して
耐久性の向上を図ることが可能である。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前記従来技術のように透明電極上に金属薄膜を
設けると、この金属薄膜の存在によりエレクトロクロミ
ック素子の光線透過率が低下してしまい、消色時にほぼ
透明な状態にすることが困難であるという問題があった
。
設けると、この金属薄膜の存在によりエレクトロクロミ
ック素子の光線透過率が低下してしまい、消色時にほぼ
透明な状態にすることが困難であるという問題があった
。
実験によると、ITOからなる電極のみが形成された基
板の光線透過率が82%であるのに対し、その電極上に
アルミニウムからなる膜厚500人の金属薄膜を形成し
た場合には、光線透過率が28%にまで低下した。また
、アルミニウムに代え、電極上にイリジウムからなる膜
厚200人の金属薄膜を形成した場合には光線透過率が
42%にまで低下した。前記光線透過率は、金属薄膜の
膜厚を100人程程度で薄くしても50%程度である。
板の光線透過率が82%であるのに対し、その電極上に
アルミニウムからなる膜厚500人の金属薄膜を形成し
た場合には、光線透過率が28%にまで低下した。また
、アルミニウムに代え、電極上にイリジウムからなる膜
厚200人の金属薄膜を形成した場合には光線透過率が
42%にまで低下した。前記光線透過率は、金属薄膜の
膜厚を100人程程度で薄くしても50%程度である。
本発明は前述した事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は製品の光線透過率を低下させることなく、発色
膜の製膜時や駆動時に電極が溶解するのを防止して、発
色膜の剥離を確実に阻止し、発色ムラ等の不良を低減で
きるエレクトロクロミック素子を提供することにある。
の目的は製品の光線透過率を低下させることなく、発色
膜の製膜時や駆動時に電極が溶解するのを防止して、発
色膜の剥離を確実に阻止し、発色ムラ等の不良を低減で
きるエレクトロクロミック素子を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために本発明は、一対の電極のうち
少なくとも一方を透明電極とし、両電極間に発色膜及び
電解質を重ね合わせて配設したエレクトロクロミック素
子において、前記透明電極表面にはセラミックスからな
る透明な保護薄膜を形成したエレクトロクロミック素子
をその要旨とするものである。
少なくとも一方を透明電極とし、両電極間に発色膜及び
電解質を重ね合わせて配設したエレクトロクロミック素
子において、前記透明電極表面にはセラミックスからな
る透明な保護薄膜を形成したエレクトロクロミック素子
をその要旨とするものである。
前記保護薄膜を構成するセラミックスとしては、透明で
酸に対する耐久性が良好であることが必要で、例えば二
酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(A l
203) 、炭化ケイ素(SiC)。
酸に対する耐久性が良好であることが必要で、例えば二
酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(A l
203) 、炭化ケイ素(SiC)。
炭化ホウ素(84C)等を用いることができる。
[作用コ
電極表面に形成されたセラミックス製の保護薄膜は、発
色膜の製膜時に電極表面が溶解するのを阻止するととも
に、エレクトロクロミック素子の駆動時に電解質によっ
て電極が溶解するのを防止する。従って、この保護薄膜
の存在により基板からの発色膜の剥離が防止される。
色膜の製膜時に電極表面が溶解するのを阻止するととも
に、エレクトロクロミック素子の駆動時に電解質によっ
て電極が溶解するのを防止する。従って、この保護薄膜
の存在により基板からの発色膜の剥離が防止される。
また、前記セラミックス製の保護薄膜は、従来技術の金
属薄膜より透明度が高いので、エレクトロクロミック素
子を消色時にほぼ透明にすることが可能である。
属薄膜より透明度が高いので、エレクトロクロミック素
子を消色時にほぼ透明にすることが可能である。
[実施例]
以下、本発明を具体化した一実施例を第1,2図に従っ
て説明する。
て説明する。
本実施例のエレクトロクロミック素子は、ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート等の合成樹脂又はガラ
スからなる透明な一対の基板1゜2を備えている。上側
の基板1下面及び下側の基板2上面には、それぞれイオ
ンブレーティング法によって膜厚約2000人の上下両
透明電極3゜4が形成されている。
タクリレート、ポリカーボネート等の合成樹脂又はガラ
スからなる透明な一対の基板1゜2を備えている。上側
の基板1下面及び下側の基板2上面には、それぞれイオ
ンブレーティング法によって膜厚約2000人の上下両
透明電極3゜4が形成されている。
下部透明電極4の上面には、二酸化ケイ素(S02)か
らなる膜厚約100人の保護薄膜5が形成されている。
らなる膜厚約100人の保護薄膜5が形成されている。
二酸化ケイ素は無色透明で、かつ耐酸性の良好なセラミ
ックスである。保護薄膜5は300人よりも厚くなると
絶縁性が増し、後記ポリアニリンよりなる酸化発色膜6
の製膜不良が生じたり、エレクトロクロミック素子の使
用時に作動不良が起こったりする。また、保護薄膜5を
50人よりも薄くすると、下部透明電極4に対する保護
作用が不十分となる。従って、保護薄膜5の膜厚は50
〜300人であることが好ましい。
ックスである。保護薄膜5は300人よりも厚くなると
絶縁性が増し、後記ポリアニリンよりなる酸化発色膜6
の製膜不良が生じたり、エレクトロクロミック素子の使
用時に作動不良が起こったりする。また、保護薄膜5を
50人よりも薄くすると、下部透明電極4に対する保護
作用が不十分となる。従って、保護薄膜5の膜厚は50
〜300人であることが好ましい。
前記保護薄膜5は、真空容器内で二酸化ケイ素を加熱蒸
発させ、その蒸発物を下部透明電極4の表面に被着させ
るという一般的な真空蒸着法によって形成されたもので
ある。本実施例における真空蒸着の条件は以下の通りで
ある。
発させ、その蒸発物を下部透明電極4の表面に被着させ
るという一般的な真空蒸着法によって形成されたもので
ある。本実施例における真空蒸着の条件は以下の通りで
ある。
・蒸発源・・・電子ビーム蒸発源
・真空度・・・7XIO−2Pa
・反応性ガス・・・02
・高周波電源の出力・・・l 00W
・基板温度・・・100℃
前記保護薄膜5の上面にはポリアニリンからなる膜厚約
6000人の酸化発色膜6が電解重合法によって形成さ
れている。本実施例での電解重合の条件は以下の通りで
ある。
6000人の酸化発色膜6が電解重合法によって形成さ
れている。本実施例での電解重合の条件は以下の通りで
ある。
・電解液−HC1040,2mol/l 、アニリン0
.1mol/lを含有した水溶液 ・重合電流密度・・・500mA/rn’・重合時間・
・・30分 なお、電解液中のHCA’ 04に代えてHCII。
.1mol/lを含有した水溶液 ・重合電流密度・・・500mA/rn’・重合時間・
・・30分 なお、電解液中のHCA’ 04に代えてHCII。
H2SO4、HNOa等の無機酸を使用することも可能
である。
である。
一方、前記上部透明電極3の下面には、酸化タングステ
ンからなる還元発色膜7が形成されている。下部透明電
極4及び上部透明電極3は、両者間に配設されたスペー
サ8により所定間隔に離間配置され、これらの下部透明
電極4、上部透明電極3及びスペーサ8によって囲まれ
た空間に電解質9が配設されている。この電解質9とし
ては、濃度IM程度の過塩素酸リチウム、四フッ化硼素
リチウム等をプロピレンカーボネートに溶解した有機電
解液が用いられている。
ンからなる還元発色膜7が形成されている。下部透明電
極4及び上部透明電極3は、両者間に配設されたスペー
サ8により所定間隔に離間配置され、これらの下部透明
電極4、上部透明電極3及びスペーサ8によって囲まれ
た空間に電解質9が配設されている。この電解質9とし
ては、濃度IM程度の過塩素酸リチウム、四フッ化硼素
リチウム等をプロピレンカーボネートに溶解した有機電
解液が用いられている。
上下両透明電極3,4の一端には電極取出し部IOが設
けられ、両電極取出し部IOに一対のリード線11が接
続されている。また、前記スペーサ8の外側はエポキシ
樹脂よりなる封止材12によって封止されている。
けられ、両電極取出し部IOに一対のリード線11が接
続されている。また、前記スペーサ8の外側はエポキシ
樹脂よりなる封止材12によって封止されている。
前記のように構成された本実施例のエレクトロクロミッ
ク素子においては、リード線11を介して酸化発色膜6
及び還元発色膜7にそれぞれ電圧を印加すると、酸化発
色膜6で酸化反応が起こるとともに還元発色膜7で還元
反応が起こり、その結果、両発色膜6,7が青色に着色
される。また、リード線11に逆電圧を印加すると上記
とは逆の反応が起こって消色される。
ク素子においては、リード線11を介して酸化発色膜6
及び還元発色膜7にそれぞれ電圧を印加すると、酸化発
色膜6で酸化反応が起こるとともに還元発色膜7で還元
反応が起こり、その結果、両発色膜6,7が青色に着色
される。また、リード線11に逆電圧を印加すると上記
とは逆の反応が起こって消色される。
ところで、本実施例では下部透明電極4上に直接酸化発
色膜6を形成するのではなく、保護薄膜5を介して下部
透明電極4上に酸化発色膜6を形成した。そして、この
保護薄膜5は耐酸性の良いセラミックスである二酸化ケ
イ素によって構成されている。このため、電解重合法を
用いて酸化発色膜6を製膜する際に、下部透明電極4が
形成された基板2を酸性の電解液に浸漬しても、保護薄
膜5が電解液に接触するものの下部透明電極4は電解液
に直接接触しない。しかも、この保護薄膜5は電解液に
溶解しない。従って、前記下部透明電極4の電解液によ
る溶解が保護薄膜5によって阻止される。
色膜6を形成するのではなく、保護薄膜5を介して下部
透明電極4上に酸化発色膜6を形成した。そして、この
保護薄膜5は耐酸性の良いセラミックスである二酸化ケ
イ素によって構成されている。このため、電解重合法を
用いて酸化発色膜6を製膜する際に、下部透明電極4が
形成された基板2を酸性の電解液に浸漬しても、保護薄
膜5が電解液に接触するものの下部透明電極4は電解液
に直接接触しない。しかも、この保護薄膜5は電解液に
溶解しない。従って、前記下部透明電極4の電解液によ
る溶解が保護薄膜5によって阻止される。
また、本実施例のエレクトロクロミック素子の使用時に
は、前述した反応式(1)、 (2)に基づき電解質
9が反応してHCAO4、HF等の酸が生ずる。これら
の酸は酸化発色膜6を通過して下部透明電極4側へ浸透
する。しかし、前述のように、同下部透明電極4の上面
には保護薄膜5が形成されているので、この保護薄膜5
によって前記酸の下部透明電極4への浸透が遮断され、
その結果、下部透明電極4の溶解が防止される。
は、前述した反応式(1)、 (2)に基づき電解質
9が反応してHCAO4、HF等の酸が生ずる。これら
の酸は酸化発色膜6を通過して下部透明電極4側へ浸透
する。しかし、前述のように、同下部透明電極4の上面
には保護薄膜5が形成されているので、この保護薄膜5
によって前記酸の下部透明電極4への浸透が遮断され、
その結果、下部透明電極4の溶解が防止される。
このように、本実施例では下部透明電極4が酸によって
溶解しない。このため、従来技術とけ異なり、下部透明
電極4からの酸化発色膜6の剥離を防止でき、ひいては
エレクトロクロミック素子駆動時の発色ムラ等の不良を
低減できる。なお、保護薄膜5と下部透明電極4及び酸
化発色膜6との間の密着性は良い。
溶解しない。このため、従来技術とけ異なり、下部透明
電極4からの酸化発色膜6の剥離を防止でき、ひいては
エレクトロクロミック素子駆動時の発色ムラ等の不良を
低減できる。なお、保護薄膜5と下部透明電極4及び酸
化発色膜6との間の密着性は良い。
さらに、本実施例では二酸化ケイ素によって保護薄膜5
を約100人の膜厚に形成したので、光線透過率を、保
護薄膜5を形成しない場合とほぼ同一(83%)にする
ことができた。このため、金属薄膜を用いて光線透過率
が50%程度まで低下した従来技術とは異なり、本実施
例では消色時にほぼ透明にすることが可能となった。
を約100人の膜厚に形成したので、光線透過率を、保
護薄膜5を形成しない場合とほぼ同一(83%)にする
ことができた。このため、金属薄膜を用いて光線透過率
が50%程度まで低下した従来技術とは異なり、本実施
例では消色時にほぼ透明にすることが可能となった。
なお、本発明は前記実施例の構成に限定されるものでは
なく、例えば以下のように発明の趣旨から逸脱しない範
囲で任意に変更してもよい。
なく、例えば以下のように発明の趣旨から逸脱しない範
囲で任意に変更してもよい。
(1)ITOよりなる下部透明電極4上に保護薄膜5を
形成する方法としては、真空蒸着以外にもスパッタリン
グ等の他の物理蒸着(PVD)や化学蒸着(CVD)を
用いることもできる。
形成する方法としては、真空蒸着以外にもスパッタリン
グ等の他の物理蒸着(PVD)や化学蒸着(CVD)を
用いることもできる。
(2)前記実施例では上下両電極を透明電極3゜4とし
たが、片方の電極が不透明であってもよい。
たが、片方の電極が不透明であってもよい。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明のエレクトロクロミック素子
によれば、発色膜の製膜時や製品駆動時に電極が溶解す
るのを防止し、発色膜の剥離を確実に阻止して発色ムラ
等の不良を低減できるばかりでなく、消色時にほぼ透明
な状態にすることができるという優れた効果を発揮する
。
によれば、発色膜の製膜時や製品駆動時に電極が溶解す
るのを防止し、発色膜の剥離を確実に阻止して発色ムラ
等の不良を低減できるばかりでなく、消色時にほぼ透明
な状態にすることができるという優れた効果を発揮する
。
第1. 2図は本発明を具体化した一実施例を示し、第
1図はエレクトロクロミック素子の断面図、第2図は同
じく要部拡大断面図、第3,4図は従来技術を示し、第
3図はエレクトロクロミック素子の断面図、第4図は電
解重合法によって酸化発色膜を形成する状態を示す断面
図である。 3・・・上部透明電極、4・・・下部透明電極、5・・
・保護薄膜、6・・・酸化発色膜、7・・・還元発色膜
、9・・・電解質。
1図はエレクトロクロミック素子の断面図、第2図は同
じく要部拡大断面図、第3,4図は従来技術を示し、第
3図はエレクトロクロミック素子の断面図、第4図は電
解重合法によって酸化発色膜を形成する状態を示す断面
図である。 3・・・上部透明電極、4・・・下部透明電極、5・・
・保護薄膜、6・・・酸化発色膜、7・・・還元発色膜
、9・・・電解質。
Claims (1)
- 1、一対の電極(3、4)のうち少なくとも一方を透明
電極(4)とし、両電極(3、4)間に発色膜(6、7
)及び電解質(9)を重ね合わせて配設したエレクトロ
クロミック素子において、前記透明電極(4)表面には
セラミックスからなる透明な保護薄膜(5)を形成した
ことを特徴とするエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092926A JPH03290626A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092926A JPH03290626A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03290626A true JPH03290626A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14068099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2092926A Pending JPH03290626A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03290626A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532352A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-13 | サン−ゴバン グラス フランス | エレクトロクロミック層構造およびその製造のための方法 |
US11513410B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-11-29 | National Institute For Materials Science | Electrochromic device using organic/metal hybrid polymer and method for producing same |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2092926A patent/JPH03290626A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012532352A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-13 | サン−ゴバン グラス フランス | エレクトロクロミック層構造およびその製造のための方法 |
US11513410B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-11-29 | National Institute For Materials Science | Electrochromic device using organic/metal hybrid polymer and method for producing same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4009936A (en) | Electrochromic display device free of liquid components | |
US4182551A (en) | Electrochromic display device | |
KR102149672B1 (ko) | 전기변색 소자 | |
US4233339A (en) | Method for making electrochromic films having improved etch resistance | |
JPH043121A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JPH03290626A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0580357A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
US4236792A (en) | Electrochromic display and method for making same | |
US4475795A (en) | Electrochromic films having improved etch resistance | |
JPS5891431A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JP2002319321A (ja) | Ito膜の形成方法 | |
JPH10253983A (ja) | 反射型液晶表示装置および反射電極 | |
KR102170911B1 (ko) | 일렉트로크로믹 디바이스의 제조방법 및 그에 의한 일렉트로크로믹 디바이스 | |
KR20010028520A (ko) | 전기 변색소자 및 제조 방법 | |
JP2721076B2 (ja) | 薄膜elパネル | |
JP2650258B2 (ja) | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 | |
JPS5840167B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS58125017A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
JPH03290627A (ja) | エレクトロクロミック素子及びその製造方法 | |
JP2936185B2 (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPH08262466A (ja) | 透明電極板 | |
JPS5818618A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
JPH071624Y2 (ja) | 長辺側に電極取出し部を有するec素子 | |
JPS60262141A (ja) | エレクトロクロミック表示素子 | |
JPS5944708A (ja) | 透明電極の形成方法 |