JPH03290624A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　　　要〕 本発明は、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示素子
等、半導体スイッチング素子を具備して成る液晶表示素
子の製造方法に係わるものであり、液晶表示素子の製造
過程において頻繁に発生する静電気による絶縁破壊を防
止して欠陥のない液晶表示素子を得るために、透明基板
にマトリクス状に配設される画素電極と画素電極への電
圧の供給を制御する半導体スイッチング素子との表面を
含む透明基板の表面に塗布された配向膜をラビング処理
する前に、予め半導体スイッチング素子に接続された走
査電極端子及び信号電極端子を低抵抗接続体で相互に短
絡しておくことを特徴とするものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、液晶表示素子の製造方法に関するものであり
、特に、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示素子等
、半導体スイッチング素子を具備して成る液晶表示素子
の製造方法に係わるものである。

〔従来の技術〕

液晶表示素子として、複数の半導体スイッチング素子に
よって個別に駆動される複数の画素電極をマトリクス状
に配設し、この画素電極と対向電極との間に液晶が封入
され、この液晶を画素電極によって選択的に励起するこ
とで任意の画像を表示するものが知られている。この種
のいわゆるアクティブマトリクス駆動型の液晶表示素子
は、クロストークの発生が極めて少なくデユーティ比を
高くすることができるから、昨今では、高コントラスト
表示が要求される液晶表示素子として種々の表示機器に
用いることが検討されている。そして、このアクティブ
マトリクス駆動型の液晶表示素子は、個々の画素電極及
び半導体スイッチング素子の形成精度によって表示特性
がほぼ決定されてしまうことから、その製造に際しては
、画素電極及び半導体スイッチング素子を高精度で形成
する必要がある。

第２図は、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表
示素子の構造を液晶表示素子の内部構造を模式的に示す
図である。

同図に示されるように、液晶表示面となる透明基Ｖｉ１
には、液晶を選択的に励起するための複数の画素電極２
がマトリクス状に配設されており、個々の画素電極２に
は、半導体スイッチング素子としての電界効果型の薄膜
トランジスタ３のソース電極（又はドレイン電極）が個
々に接続されている。これら薄膜トランジスタ３は、画
素電極２とともに薄膜技術を用いて形成されたものであ
り、個々の画素電極２のマトリクス配列に対応して配列
されている。

画素電極２とともにマトリクス配列を成す薄膜トランジ
スタ３は、個々のゲート電極が、行方向に連なるゲート
ライン４に接結されており、また、個々のドレイン電極
（又はソース電極）が、ゲートライン４と電気的に絶縁
されて列方向に連なるデータライン５に接結されている
。さらに、ゲート電極を行方向に接結する個々のゲート
ライン４は、その端部が透明基板１の周縁部（図の左側
）に配設された複数のゲートライン端子６に接続されて
おり、一方、ドレイン電極を列方向に連結する個々のデ
ータライン５は、その端部が同じく透明基板１の周縁部
（図の上側）に配設された複数のデータライン端子７に
接続されている。そして、前記ゲートライン端子６に走
査信号を供給し、また前記データライン端子７にデータ
信号を供給することにより、薄膜トランジスタ３は、走
査信号によって１行ごとに順次導通制御され、この走査
信号に同期して供給されるデータ信号に応じて画素電極
２へ電圧が供給される。

透明基板１の表面には、その画素電極２及び薄膜トラン
ジスタ３を覆ってポリイミド等の合成樹脂から成る配向
膜８が塗布されている。この配向膜８は、液晶と画素電
極２等とを電気的に絶縁すると共に、液晶分子の長軸を
所定の方向に配向させる配向制御膜であり、液晶が透明
基板面と水平に配向するように、表面を綿布等の繊維で
一方向に摩擦するラビング処理が施されている。

配向膜８へのラビング処理を経た透明基板ｌは、その配
向膜８の周縁部に図示されないシール材が周回状に塗布
され、このシール材を介して全面電極の上に配向膜が形
成され、且つその表面がラビング処理された図示されな
い他の透明基板と対向させて接合される。そして、透明
基板１及び他の透明基板とシール材とで包囲された空間
に液晶が注入される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表
示素子は、液晶の配向手段として、配向膜の表面をラビ
ング処理する方法が採用されている。この配向手段は、
液晶分子の水平配向を得るためのものであり、アクティ
ブマトリクス駆動型の液晶表示素子をはじめとして、種
々の液晶表示素子の液晶の配向手段として多用されてい
る。

しかしながら、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示
素子の製造過程において液晶の配向をラビング処理を以
って行う場合、薄膜トランジスタ３のゲートとドレイン
間、及びゲートとソース間が薄い絶縁膜のみで絶縁され
ているため、ラビング処理のときに発生する静電気によ
って、前記薄膜トランジスタ３が破壊されるという問題
があった。

すなわち、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示素子
の製造過程において配向膜８にラビング処理を施す際に
は、配向膜８を形成するポリイミド等の合成樹脂を綿布
等の繊維で一方向に摩擦するため、その摩擦によって高
電圧の静電気が配向膜８の表面に発生する。この静電気
によってゲートライン４とデータライン５との間に高い
電位差が生じ、薄膜トランジスタ３のゲート電極とドレ
イン電極との間に放電して絶縁膜を破壊し、短絡が生じ
ることとなる。

その結果、欠陥のない液晶表示素子を得ることが極めて
困難であった。また、ラビング処理時に発生する静電気
の他にも、例えば、人体から誘導される静電気によって
も同様にマトリクスアレイの絶縁破壊が生じていた。

本発明は、こうした実情に鑑みて為されたものであり、
その目的は、液晶表示素子の製造過程において頻繁に発
生する静電気による薄膜トランジスタ等の絶縁破壊を防
止するための液晶表示素子の製造方法を提供することに
ある。

５課８を解決するための手段〕 本発明の請求項１に係る液晶表示素子の製造方法は、透
明基板にマトリクス状に配設される画素電極と画素電極
への電圧の供給を制御する半導体スインチング素子との
表面を含む透明基板の表面に塗布された配向膜をラビン
グ処理する方法において、半導体スイッチング素子に接
続された走査電極端子及び信号電極端子を低抵抗接続体
で相互に短絡した後、前記ラビング処理を施すことを特
徴とするものである。

また、本発明の請求項２に係る液晶表示素子の製造方法
は、請求項１における低抵抗接続体をさらに接地してお
くことを特徴とするものである。

さらに、本発明の請求項３に係る液晶表示素子の製造方
法は、請求項１又は２における低抵抗接続体に導電性テ
ープを使用することを特徴とするものである。

〔作　　用〕

本発明の液晶表示素子の製造方法では、液晶表示素子の
製造過程における配向膜へのラビング処理の前に、予め
走査電極端子及び信号電極端子を低抵抗接続体で相互に
短絡しておくことにより走査電極端子の電位と信号電極
端子の電位とは同電位となり、ラビング処理時に発生す
る静電気や人体から誘導される静電気等により、ゲート
ラインとデータラインとの間に電位差が生じることはな
い。したがって、マトリクスアレイの各薄膜トランジス
タ及びゲートラインとデータライン間が静電気によって
破壊されることがなく、欠陥のない液晶表示素子が得ら
れる。なお、低抵抗接続体をさらに接地しておけば、ラ
ビング処理時にゲートライン及びデータラインに帯電す
る電荷が随時に放電されることから、マトリクスアレイ
における絶縁膜の破壊が確実に防止される。また、低抵
抗接続体に導電性テープを使用すれば、製造が極めて容
易になる。

［実　施　例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス駆動型の液晶表示素子における薄膜トランジスタを配
列したＴＰＴパネルを示す図である。尚、同図において
、薄膜トランジスタの構造は模式的に図示した。

同図に示されるように、本実施例に適用されるＴＰＴパ
ネルは、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表示
素子と同様に構成されている。

すなわち、液晶表示面となる透明基板１には、マトリク
ス配列を成す複数の画素電極２と、これらの個々の画素
電極２にソース電極（又はドレイン電極）が接続された
複数の薄膜トランジスタ（半導体スイッチング素子）３
とが配設されている。このうち、行方向に隣接する個々
の薄膜トランジスタ３のゲート電極は、ゲートライン４
を以って相互に接結されており、列方向に隣接する個々
の薄膜トランジスタ３のドレイン電極（又はソース電極
）は、ゲートライン４と電気的に絶縁されて交差するデ
ータライン５によって相互に接結されている。また、個
々のゲートライン４と個々のデータライン５とは、それ
ぞれ、複数の走査電極端子６と複数の信号電極端子７と
に接続されており、これらによって、各画素に対応する
液晶を選択的に励起するためのマトリクスアレイを構成
している。そして、このマトリクスアレイの主要部を成
す画素電極２及び薄膜トランジスタ３の表面を含む透明
基板１の表面には、ポリイミド等の合成樹脂から成る配
向膜８が形成されている。

この様にして形成された透明基板１の配向膜８に対し、
液晶分子を水平配向させるためのラビング処理が施され
る前に、個々の走査電極端子６を含む透明基板１の表面
と個々の信号電極端子７を含む透明基板１の表面とに走
査電極端子６及び信号電極端子７を相互に短絡するため
の導電性材料から成る導電性テープ（低抵抗接続体）９
が貼付される。そして、これら双方の導電性テープ９は
、その両者の端部がクロス部１０を以って接続するよう
に配置され、これにより、双方の導電性テープ９が導通
させられる。したがって、導電性テープ９の電位はその
全ての部位について等しくなって同電位となり、この同
電位の状態にある導電性テープ９に接触する全ての走査
電極端子６及び信号電極端子７の電位及びゲートライン
４．データライン５の電位も同電位となる。

走査電極端子６及び信号電極端子７に導電性テープ９が
貼付された透明基板１は、その状態で、配向膜８の表面
に対してラビング処理が施される。

このとき、ラビング処理時に静電気が発生しても走査電
極端子６又は信号電極端子７が導電性テープ９によって
電気的に接続されているので、走査電極端子６と信号電
極端子７との間に電位差が生じることはない。また、帯
電した人体の接近による誘導帯電の場合についても全く
同様である。したがって、薄膜トランジスタ３のゲート
電極に設置された絶縁膜やゲートライン４とデータライ
ン５との交点に設置された絶縁膜等の破壊を効果的に防
止することができる。

なお、図の破線部分に示されるように、導電性テープ９
の端部に余剰部分を設け、例えば、この余剰部分を接地
しておけば、ラビング処理時に走査電極端子６及び信号
電極端子７に次第に帯電していく電荷を随時に放電させ
ることができ、これにより、ゲートライン４とデータラ
イン５の間、及び薄膜トランジスタのゲートとドレイン
間の絶縁膜の破壊がより確実に防止される。また、貼付
した導電性テープ９は後に除去する必要があるので、導
電性テープ９に余剰部分を設けておけば、その導電性テ
ープ９の除去が極めて容易となる。

この様にして、配向膜８へのラビング処理を施した透明
基板１は、前記導電性テープ９を除去し、その配向膜８
の周縁部に、図示されないシール材が周回状に塗布され
、このシール材を介して、図示されない他の透明基板が
対向させて接合される。

そして、透明基板１及び他の透明基板とシール材とで包
囲された空間に液晶が注入される。

なお、導電性テープ９の除去の時機は特に限定されるも
のではなく、ラビング処理後の製造工程において静電気
が発生する可能性がなくなったときに除去すれば良く、
ラビング処理を完了した直後に導電性テープ９を除去し
ても良く、また他の透明基板と接合した後であっても良
い。

〔発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明によれば、配向膜へ
のラビング処理を施す前に、予め走査電極端子及び信号
電極端子を低抵抗接続体で相互に短絡するようにしたの
で、液晶表示素子の製造過程において頻繁に発生する静
電気によって生ずる絶縁破壊を防止することができ、こ
れにより、欠陥のない高品質の液晶表示素子を高歩留り
で製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス駆動型の液晶表示素子の製造方法を液晶表示素子の内
部構造を模式的に示す図、第２図は、従来のアクティブ
マトリクス駆動型の液晶表示素子の製造方法を液晶表示
素子の内部構造を模式的に示す図である。 １・・・透明基板、 ２・・・画素電極、 ３・・・薄膜トランジスタ、 ・ゲートライン、 ・データライン、 ・走査電極端子、 ・信号電極端子、 ・配向膜、 ・導電性テープ、 ・クロス部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）透明基板にマトリクス状に配設される画素電極と該
   画素電極への電圧の供給を制御する半導体スイッチング
   素子との表面を含む前記透明基板の表面に塗布された配
   向膜をラビング処理する方法において、前記半導体スイ
   ッチング素子に接続された走査電極端子及び信号電極端
   子を低抵抗接続体で相互に短絡した後、前記ラビング処
   理を施すことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 ２）低抵抗接続体は接地されていることを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示素子の製造方法。 ３）低抵抗接続体は導電性テープであることを特徴とす
   る請求項１又は２記載の液晶表示素子の製造方法。