JPH0328863A - 感光体、並びにそれを用いた画像記録装置 - Google Patents
感光体、並びにそれを用いた画像記録装置Info
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- JPH0328863A JPH0328863A JP16414189A JP16414189A JPH0328863A JP H0328863 A JPH0328863 A JP H0328863A JP 16414189 A JP16414189 A JP 16414189A JP 16414189 A JP16414189 A JP 16414189A JP H0328863 A JPH0328863 A JP H0328863A
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Landscapes
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業1−の利川分ツt
本発明は主として電子写Jl装;γlに用いられる新し
い概念に火づく感光体に関する。
い概念に火づく感光体に関する。
(ロ)従来の技術
一般に電子写真装置としてはコロナ放電を利用したもの
が広く知られている。斯る電子写真装IZは、感光体の
周囲にコロナ・;;}電、露光現像、転−Jf、除電、
クリーニングなどを行わしめる部品を配:7j Lなけ
ればならず、閘造が複雑になる雉点があった。
が広く知られている。斯る電子写真装IZは、感光体の
周囲にコロナ・;;}電、露光現像、転−Jf、除電、
クリーニングなどを行わしめる部品を配:7j Lなけ
ればならず、閘造が複雑になる雉点があった。
このような問題点に鑑み、近年コロナ放電を用いない電
子写真装:nが提案されている(例えば、画像電I一学
会第16巻第5号1987参照)。
子写真装:nが提案されている(例えば、画像電I一学
会第16巻第5号1987参照)。
第12tAにこの新しく提案された装:′nの構成を示
す模式図を示す。感光体30の外周而L部に現像機構3
1を、また外周部下部に転写ローラ32を配:??する
と』(に、感光体30の内側にL E l)アレイヘッ
ド33を配置して構威されている。今少し詳しく説明す
ると、感光#+3oはガラス製のPI筒状透明支持基板
34の外周に、透明電極35と感光部を溝威する光4電
屑36とを禎屑して構成され、上記透明電桶35と現像
機構31を構成する磁極ローラ37との間に現像バイア
ス38が印加されている。導電性トナー39は磁極ロー
ラ37の外周に被せたスリーブ40周囲に吸着せしめら
れて所謂磁気ブラシ4lが形成され、光導XttJfL
36の外周而に臨んでいる。ここでこの導電性トナー3
9を通して現像バイアス38から光導電PC436へ電
荷の1L人が起こり、光導4i肘36は現像バイアス3
8と略同電位にイ;}電する。
す模式図を示す。感光体30の外周而L部に現像機構3
1を、また外周部下部に転写ローラ32を配:??する
と』(に、感光体30の内側にL E l)アレイヘッ
ド33を配置して構威されている。今少し詳しく説明す
ると、感光#+3oはガラス製のPI筒状透明支持基板
34の外周に、透明電極35と感光部を溝威する光4電
屑36とを禎屑して構成され、上記透明電桶35と現像
機構31を構成する磁極ローラ37との間に現像バイア
ス38が印加されている。導電性トナー39は磁極ロー
ラ37の外周に被せたスリーブ40周囲に吸着せしめら
れて所謂磁気ブラシ4lが形成され、光導XttJfL
36の外周而に臨んでいる。ここでこの導電性トナー3
9を通して現像バイアス38から光導電PC436へ電
荷の1L人が起こり、光導4i肘36は現像バイアス3
8と略同電位にイ;}電する。
・方、L1ζ■)アレイヘッド33から投射された光像
が円筒状透明支持鵡板34の内側から光4電躬36に入
射せしめられて光導電屑36に静電潜像が形成されると
、磁只ブラシ41から光導電屑36表面にトナーが吸青
されてトナー穎像が形成され、転写ローラ32にて.2
録紙42に転写せしめられてゆくことになる。
が円筒状透明支持鵡板34の内側から光4電躬36に入
射せしめられて光導電屑36に静電潜像が形成されると
、磁只ブラシ41から光導電屑36表面にトナーが吸青
されてトナー穎像が形成され、転写ローラ32にて.2
録紙42に転写せしめられてゆくことになる。
感光体30表面の残留トナーは現像機FI4:nによる
1st!き取り力,及び磁極ローラ37の磁力によって
除去される。従って感光体30に対するイ;}電、露光
、JJI!像、クリーニングが現像機Fl:nと!、E
I)アレイヘノド33によって略同時的に行われるこ
ととなり、消戊、並びに電子写J’4処理プロセスが大
幅に簡略化される。
1st!き取り力,及び磁極ローラ37の磁力によって
除去される。従って感光体30に対するイ;}電、露光
、JJI!像、クリーニングが現像機Fl:nと!、E
I)アレイヘノド33によって略同時的に行われるこ
ととなり、消戊、並びに電子写J’4処理プロセスが大
幅に簡略化される。
(ハ)発明が解決しようとする課題
この新しく提案された電了・写真装IZにおいては!−
述したように、購戊、並びに1tT一写直処理プロセス
が大幅に同格化される反面、現像+1.’Fに印加され
る現像バイアスを利用してイ:}電を行うために、棗電
と現像の全く異なる現象の両立が困難で、良奸な印字品
質を安足して得ることは困難である。
述したように、購戊、並びに1tT一写直処理プロセス
が大幅に同格化される反面、現像+1.’Fに印加され
る現像バイアスを利用してイ:}電を行うために、棗電
と現像の全く異なる現象の両立が困難で、良奸な印字品
質を安足して得ることは困難である。
(二)課題を解決するためのT段
本発明は、透光性ノ.(板表面にPl数の薄1模を植み
重ねて成る薄膜発電層を多段形成し、上記透光往』.(
板の裏而から該透光れノ,(板を介して薄膜発電層に光
を!!(l 41することによって、L足各段の発電層
での起電ハ三を屈4゛トしたXIX厘をI’. +iL
薄膜発電層の7+k表面に出現せしめ、その電IS:.
によー〕で該最1表1+iに静屯潜像を形處せしめるも
のである。
重ねて成る薄膜発電層を多段形成し、上記透光往』.(
板の裏而から該透光れノ,(板を介して薄膜発電層に光
を!!(l 41することによって、L足各段の発電層
での起電ハ三を屈4゛トしたXIX厘をI’. +iL
薄膜発電層の7+k表面に出現せしめ、その電IS:.
によー〕で該最1表1+iに静屯潜像を形處せしめるも
のである。
(ホ)作用
光の+lfl射を受けて薄膜発電層が発屯した起電圧に
よって静電潜像を形l友する。
よって静電潜像を形l友する。
(へ)実施f列
[実施例−l]
以ドに本発明を示す図面に基づきJL体的に説明する。
第1tAは本発明に係る感光体を川いた電f写J″{装
:tlの模式図であり、図中1は本発明に係る感光体、
2は磁只ブラシ、3はI. E !)アレイヘノド、4
は転写ローラ、5は記S,五紙を示している。
:tlの模式図であり、図中1は本発明に係る感光体、
2は磁只ブラシ、3はI. E !)アレイヘノド、4
は転写ローラ、5は記S,五紙を示している。
感光体lは円倚形であって図示しない軸同りに失印方向
に四帖駆動せしめられるようになっており、その外周而
1−11!IIに臨ませて磁気ブラシ2が、またこの磁
5tブラシ2に対向して感光#+1の内側には露光のた
めのI. E I)アレイヘッド3が配訳され、更に外
Mi +MiF部に臨ませてトナー顕激を記録紙に転写
する転写ローラ4が設けられている。
に四帖駆動せしめられるようになっており、その外周而
1−11!IIに臨ませて磁気ブラシ2が、またこの磁
5tブラシ2に対向して感光#+1の内側には露光のた
めのI. E I)アレイヘッド3が配訳され、更に外
Mi +MiF部に臨ませてトナー顕激を記録紙に転写
する転写ローラ4が設けられている。
第2図は本発明に係る感光体1の部分断而fan図であ
り、1111図において目はグラスなどにて#lg威さ
れた透光性J,%板を示している。この透光性基板II
上には、微結品シリコンを主戒分とする透明電極12が
植k4形成され、更にその−1二に非品質シリコン(a
−S i)を主成分とする複数の薄1模を偵み重ねて
成る多段積躬、望ましくは10層程度積屑された薄膜5
l電層I3・・・・、及び該発電層の最表面層」:に形
成された非品質窒化シリコン(a −S iN )から
なる表面WIzが順次植層形成されている。
り、1111図において目はグラスなどにて#lg威さ
れた透光性J,%板を示している。この透光性基板II
上には、微結品シリコンを主戒分とする透明電極12が
植k4形成され、更にその−1二に非品質シリコン(a
−S i)を主成分とする複数の薄1模を偵み重ねて
成る多段積躬、望ましくは10層程度積屑された薄膜5
l電層I3・・・・、及び該発電層の最表面層」:に形
成された非品質窒化シリコン(a −S iN )から
なる表面WIzが順次植層形成されている。
ここでこの発電層13・・・について詳しく説明してお
く。各発Xft,ll+は光のjK1射を受けると電子
や正孔からなる白山キャリャを発生する1型の非品質シ
リコンがらなる1,9層I3−]と、その−4側に設け
られたpl!:lの非品質シリコンからなる■】型層1
3−Pと,NWの非品質シリコンがらなるN5113−
Nとによって団成されている。そして本発明においては
このそれぞれの発電欝のうち、3 1 WA’> 13
−1の膜厚を基板11g!4から表面Wl4flllに
1r−1がうに1足ってqく設定している。
く。各発Xft,ll+は光のjK1射を受けると電子
や正孔からなる白山キャリャを発生する1型の非品質シ
リコンがらなる1,9層I3−]と、その−4側に設け
られたpl!:lの非品質シリコンからなる■】型層1
3−Pと,NWの非品質シリコンがらなるN5113−
Nとによって団成されている。そして本発明においては
このそれぞれの発電欝のうち、3 1 WA’> 13
−1の膜厚を基板11g!4から表面Wl4flllに
1r−1がうに1足ってqく設定している。
一般に光の照射を受けると光発電する発電層を多段積躬
して?}9.電電圧を屯4’Lする場合、各発電層から
の発電電流をそれぞれ近似したものとしておく必要があ
る。そのような践点から発電層の発電電流を見てみると
、その発電層へ到達する光量に依イlすることは当然で
あるが、l型層の膜厚にも依存することが知られている
。即ち、このlJJ9MのV!厚がJv.いほど発si
電流は大きい。
して?}9.電電圧を屯4’Lする場合、各発電層から
の発電電流をそれぞれ近似したものとしておく必要があ
る。そのような践点から発電層の発電電流を見てみると
、その発電層へ到達する光量に依イlすることは当然で
あるが、l型層の膜厚にも依存することが知られている
。即ち、このlJJ9MのV!厚がJv.いほど発si
電流は大きい。
・方,各発電層への到達光fItについて{えてみる。
最も基板I+に近い【聖欝に入射される光量を1 (1
0とし、その1聖層で吸収される割合を上記したよう
にI型屑をIO層に設定した場合、各19屑で光一電変
換される量は理想的にはIO%である。
0とし、その1聖層で吸収される割合を上記したよう
にI型屑をIO層に設定した場合、各19屑で光一電変
換される量は理想的にはIO%である。
この理想的な&fを実現するために本発明においては各
1!:!Jflの膜厚を第3図に示すように、1000
〜+ +1 0 0 1)人に設定している。この第3
図には、各2型屑で吸収させたい割合(A)と、L E
I)アレイヘッド3からの入射光ち{を1 (1 0
とした場合に各!壁屑に到正する光積(I′I)と、各
1s:!屑で吸収させたい割合(^)を実現するために
各1やMに入射される光に対するh1!’;’!屑の吸
収串、即ち(^/It)が同時に示されている。
1!:!Jflの膜厚を第3図に示すように、1000
〜+ +1 0 0 1)人に設定している。この第3
図には、各2型屑で吸収させたい割合(A)と、L E
I)アレイヘッド3からの入射光ち{を1 (1 0
とした場合に各!壁屑に到正する光積(I′I)と、各
1s:!屑で吸収させたい割合(^)を実現するために
各1やMに入射される光に対するh1!’;’!屑の吸
収串、即ち(^/It)が同時に示されている。
このように隋戊された感光体1に対し、透光性ノ^板■
、#.t)Fに透明11t極12を介してl EI)ア
レイヘッド3からの光が各発電113・・・・に照射さ
れると、各発電層の■型層l3−ト・・内で電子や正孔
の白山キャリャが発生し、それが透明電横12、並びに
表而Jli$14に集電されることにより起1u力を生
じる。
、#.t)Fに透明11t極12を介してl EI)ア
レイヘッド3からの光が各発電113・・・・に照射さ
れると、各発電層の■型層l3−ト・・内で電子や正孔
の白山キャリャが発生し、それが透明電横12、並びに
表而Jli$14に集電されることにより起1u力を生
じる。
ここで第2図に示した本発明感光体の製造方法について
説明しておく。透光性基板11を反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、犬板目1;に透明電極12、各発電X4
13・・・・、並びに表面屑l4が順次積屑されるが、
それぞれの各層の#I+&は異なるので、積層顔に反応
ガスが各屑の成長11、}に切り!譬えられる.第4v
!Iに各層とその躬を成長させる時の反応ガスの組成を
示す。尚、反応ガスにはキャリャガスとしてII,が含
まれている。
説明しておく。透光性基板11を反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、犬板目1;に透明電極12、各発電X4
13・・・・、並びに表面屑l4が順次積屑されるが、
それぞれの各層の#I+&は異なるので、積層顔に反応
ガスが各屑の成長11、}に切り!譬えられる.第4v
!Iに各層とその躬を成長させる時の反応ガスの組成を
示す。尚、反応ガスにはキャリャガスとしてII,が含
まれている。
次にこのように形成された感光体を用いて構成した電r
・′グJ’4装j7iについて第1因を参g Lつり.
滉明する。
・′グJ’4装j7iについて第1因を参g Lつり.
滉明する。
感光#+1の内側から中心波長6600人. +6do
L/amのLEDアレイヘッド3を画像信7チに応じて
適′1”C点灯させると、感光体1は光の!!{{ Q
−1を受けた個所だけが起電力を発し、感光体lの表面
層14に透明?l[il2に対して約−6vの電荷が出
現する。これと同時に表面層14側から導電性トナー1
5を感光体1に核触させると電荷が出現した個所のみに
トナーが付青して現像される。次に感光体lが回転し、
トナーが付弄したiJl′i像は感光体1と約−+00
■にバイアスl7された転写ローラ4との間に導かれた
記録紙5に転写される.顕像が転写された記録紙5は図
示しない定若手段に導かれ、その転写された頴像を記録
紙5に定着せしめ、印字動作を完了する。一方、感光体
Iは更に同転して再度現像位式に移動してfM像が行わ
れ、以下このサイクルを繰り返す。このようにして得ら
れた印字は現存する電子写r番装置によって得られたも
のと遜色のない画像を早する。
L/amのLEDアレイヘッド3を画像信7チに応じて
適′1”C点灯させると、感光体1は光の!!{{ Q
−1を受けた個所だけが起電力を発し、感光体lの表面
層14に透明?l[il2に対して約−6vの電荷が出
現する。これと同時に表面層14側から導電性トナー1
5を感光体1に核触させると電荷が出現した個所のみに
トナーが付青して現像される。次に感光体lが回転し、
トナーが付弄したiJl′i像は感光体1と約−+00
■にバイアスl7された転写ローラ4との間に導かれた
記録紙5に転写される.顕像が転写された記録紙5は図
示しない定若手段に導かれ、その転写された頴像を記録
紙5に定着せしめ、印字動作を完了する。一方、感光体
Iは更に同転して再度現像位式に移動してfM像が行わ
れ、以下このサイクルを繰り返す。このようにして得ら
れた印字は現存する電子写r番装置によって得られたも
のと遜色のない画像を早する。
尚、本失施例において,表面屑14は感光体として必要
な解像度を得るために形處するもので、この表面層14
の777[によって16doL/amの高解像度の印宇
がi+f能となる。勿論、この表面層14なしで最表面
発也躬のN型躬の社能次第で所1i+7の高解像度が得
られる場合もあるが、その作威条イ↑は非常に難しく、
また不安定なものになるため、表而114を設けるのが
9lましい。
な解像度を得るために形處するもので、この表面層14
の777[によって16doL/amの高解像度の印宇
がi+f能となる。勿論、この表面層14なしで最表面
発也躬のN型躬の社能次第で所1i+7の高解像度が得
られる場合もあるが、その作威条イ↑は非常に難しく、
また不安定なものになるため、表而114を設けるのが
9lましい。
[失施例−2]
上記した実施例−1の感光体の各発電層はその膜淳を順
次変化させて各発電層での発電状況を゛ビ均化し,トー
タル的に高い光起電圧をiitる構戊であったが、II
L−の紹威の発電層を用いているので発電に嵜!j・す
る波長は同一であり、感光体に照射される光源からの光
の全てが用いられているとは3い難い。
次変化させて各発電層での発電状況を゛ビ均化し,トー
タル的に高い光起電圧をiitる構戊であったが、II
L−の紹威の発電層を用いているので発電に嵜!j・す
る波長は同一であり、感光体に照射される光源からの光
の全てが用いられているとは3い難い。
こよのうな観点から光源からの異なった波長の光をtr
均的に用いるために第5図に示すfli+&の感光体が
考えられる。
均的に用いるために第5図に示すfli+&の感光体が
考えられる。
第5図は本発明の実施例−2に係る感光体の部分断面H
R遣図であり、この第5図において、21はガラスなど
にて購威されたIrl筒形の透尤性ノ,(板で、この基
板21−11には微結晶シリコンを主成分とする透明電
極22が形成され、更にその上に非結晶シリコン(a
−S i)からなる第1.第2、第3の薄膜発電層23
、24、25、及び第3の発電層25上に形處された非
結晶窒化シリコン(a −S iN )からなる表面層
26が積屑形成されている。尚、各発電層2324、2
5は発電に直按寄′チする■型層23−1、24−1、
25−1と,その両面にそれぞれ配置されているP型躬
23−1’, 21−P、25−P,並びにNZ!:!
層23−N、24−N、25−Nとから構處されている
。
R遣図であり、この第5図において、21はガラスなど
にて購威されたIrl筒形の透尤性ノ,(板で、この基
板21−11には微結晶シリコンを主成分とする透明電
極22が形成され、更にその上に非結晶シリコン(a
−S i)からなる第1.第2、第3の薄膜発電層23
、24、25、及び第3の発電層25上に形處された非
結晶窒化シリコン(a −S iN )からなる表面層
26が積屑形成されている。尚、各発電層2324、2
5は発電に直按寄′チする■型層23−1、24−1、
25−1と,その両面にそれぞれ配置されているP型躬
23−1’, 21−P、25−P,並びにNZ!:!
層23−N、24−N、25−Nとから構處されている
。
このような構處において、基板21、抜びに透明電桶2
2を介してL E I)アレイヘッド3からの光が第1
、第2、第3の発電層23、24、25に照射されると
、失施例−1の場合と同様に各発電層23. 2425
で発電された[EがrR資されて表面屑26と透明電格
22との問に発生する。
2を介してL E I)アレイヘッド3からの光が第1
、第2、第3の発電層23、24、25に照射されると
、失施例−1の場合と同様に各発電層23. 2425
で発電された[EがrR資されて表面屑26と透明電格
22との問に発生する。
次に本夷施例感光体の共体的な構戒を、.組成、膜厚、
並びに光学的禁+1: 4i}幅EopLそれぞれにつ
いて第6図の表図にまとめた。この第6図から明かな如
く、各発電層23、24、25の谷I準肋23−1、2
4−1、25−1の光学的票止・j;}幅E aptは
第7図に示すように光人9・t側がら顔次小さくなって
いる。
並びに光学的禁+1: 4i}幅EopLそれぞれにつ
いて第6図の表図にまとめた。この第6図から明かな如
く、各発電層23、24、25の谷I準肋23−1、2
4−1、25−1の光学的票止・j;}幅E aptは
第7図に示すように光人9・t側がら顔次小さくなって
いる。
即ち、各発電層23、24、25において発電作用を行
うのは各I型肘23−■、24−■、25−1であるが
、その谷光学的禁止イ:}幅E aptはそれぞれ、I
.75eV、1.65cV、I.50eVと顔次小さく
設定されている。
うのは各I型肘23−■、24−■、25−1であるが
、その谷光学的禁止イ:}幅E aptはそれぞれ、I
.75eV、1.65cV、I.50eVと顔次小さく
設定されている。
般に゛卜導体発電8I!象において、発電に寄与.する
入射光波長、即ち吸収波長は発電領域の光学的禁正棗幅
1>optに依イfするとされており、このような愁+
L 45幅をそれぞれ有する各■型層23−1、24−
1.25−1の光吸収特性は第8図に示すように5 5
13(1人、6300人、6800入である。
入射光波長、即ち吸収波長は発電領域の光学的禁正棗幅
1>optに依イfするとされており、このような愁+
L 45幅をそれぞれ有する各■型層23−1、24−
1.25−1の光吸収特性は第8図に示すように5 5
13(1人、6300人、6800入である。
−・方、各I型屑23−I、24−1、25−Iの光学
的禁■1二41}幅1i:optを変えるためには各I
JF)c423−1、24−125−1の紹成に第6図
に示したように変化を持たせている。即ち、本発明にお
いては第115fi23−1と、第2■型躬2ヘ−1と
は共に水素を含むa−Siがら栖威され、その水素の含
右κを変えることによって禁11・4iF kA E
(1 11 1を変化させており、また第:{ I J
FJIl+25−1はノ1品質シリコンゲルマニウム(
a−SiGe)から構戊されている。
的禁■1二41}幅1i:optを変えるためには各I
JF)c423−1、24−125−1の紹成に第6図
に示したように変化を持たせている。即ち、本発明にお
いては第115fi23−1と、第2■型躬2ヘ−1と
は共に水素を含むa−Siがら栖威され、その水素の含
右κを変えることによって禁11・4iF kA E
(1 11 1を変化させており、また第:{ I J
FJIl+25−1はノ1品質シリコンゲルマニウム(
a−SiGe)から構戊されている。
その結果、感光体全体から見れば、光学的禁+1二掛幅
ビopLが異なる発電附が複数居設けられており、しか
も光入射側から順次禁止4:}幅が小さくなるよう配訳
されているので、入射光エネルギーはその短波長側のも
のが感光体の比較的浅い領域でイf効に発電に寄与し、
長波長側の光が感光体の浅い領域で吸収されることなく
感光体の深い領域まで進行してそこでイf効に発電に寄
り・することとなり、結果的に各発電網で発電した電圧
がそれぞれ重クとされ、感光体全体として高い電1fを
発生することとなる。
ビopLが異なる発電附が複数居設けられており、しか
も光入射側から順次禁止4:}幅が小さくなるよう配訳
されているので、入射光エネルギーはその短波長側のも
のが感光体の比較的浅い領域でイf効に発電に寄与し、
長波長側の光が感光体の浅い領域で吸収されることなく
感光体の深い領域まで進行してそこでイf効に発電に寄
り・することとなり、結果的に各発電網で発電した電圧
がそれぞれ重クとされ、感光体全体として高い電1fを
発生することとなる。
ここで第5図に示した本発明感光体の製造方法について
説明しておく。透光性基板2lを反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、透明電極22,各発電層23、24、2
5が植次梢躬されるが、.それぞれの各躬の組成は異な
るので、積Netに反1みガスが芥屑の戊長時に切り竹
えられる。第9図に各肘とその屑を成長させる11.′
Fの反+=ガスの組戊を示す。尚、反応ガスにはキャリ
ャガスとしてII,が含まれている。
説明しておく。透光性基板2lを反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、透明電極22,各発電層23、24、2
5が植次梢躬されるが、.それぞれの各躬の組成は異な
るので、積Netに反1みガスが芥屑の戊長時に切り竹
えられる。第9図に各肘とその屑を成長させる11.′
Fの反+=ガスの組戊を示す。尚、反応ガスにはキャリ
ャガスとしてII,が含まれている。
次にこのように形成された感光体を用いて構威した電(
=グJ′t装:nについて第1図を参照しつつ説明する
。この実施例においてはL E Dアレイヘッド3とし
ては中一の発光波長のものではなく、各発電層23、2
4、25に適した波長を持つものを川いるのが好ましい
。具体的には第10fiに示す如く、例えば5600人
前後に発光波長のピークを持つ緑包L IE I)、5
800人Ipj後に発光波長のピークを持つn色1.E
D,tびに6600入前後に発光波長のピークを持つ赤
色LEDの組み合わせが’i+(能で,更に波長の長い
L E D 7!If#lみ込まれることにより、本実
施例による感光体から高い起電『Eを発生せしめること
ができる。
=グJ′t装:nについて第1図を参照しつつ説明する
。この実施例においてはL E Dアレイヘッド3とし
ては中一の発光波長のものではなく、各発電層23、2
4、25に適した波長を持つものを川いるのが好ましい
。具体的には第10fiに示す如く、例えば5600人
前後に発光波長のピークを持つ緑包L IE I)、5
800人Ipj後に発光波長のピークを持つn色1.E
D,tびに6600入前後に発光波長のピークを持つ赤
色LEDの組み合わせが’i+(能で,更に波長の長い
L E D 7!If#lみ込まれることにより、本実
施例による感光体から高い起電『Eを発生せしめること
ができる。
[実施例−31
実施例−2の感光体ではそれぞれ光学的禁+1’. 4
R幅が異なる3種類の発電層を■屑づつ積屑して入射光
を効串よく光一電変換するよう摺成したが、発電層が3
肘であったために、感光体の表而肘に出現させる静it
ttM像の借電電圧が不足気味であった。そこで本実施
例においては、第11図に示すようにそれぞれの発電層
23、24、25ごとに複数屑、例えば3層づつ積層し
て表面屑26での電圧を高めている。
R幅が異なる3種類の発電層を■屑づつ積屑して入射光
を効串よく光一電変換するよう摺成したが、発電層が3
肘であったために、感光体の表而肘に出現させる静it
ttM像の借電電圧が不足気味であった。そこで本実施
例においては、第11図に示すようにそれぞれの発電層
23、24、25ごとに複数屑、例えば3層づつ積層し
て表面屑26での電圧を高めている。
尚、この夷施例においても第I1図で明示したが、各種
類の発電層のうちのl壁屑23−1、24−1、25−
1それぞれの膜厚を実施例一lの場合と同じようにノ&
板21側から表面層26側に向かうに促って11/,く
して発1!電1ルの均−化を計っている。
類の発電層のうちのl壁屑23−1、24−1、25−
1それぞれの膜厚を実施例一lの場合と同じようにノ&
板21側から表面層26側に向かうに促って11/,く
して発1!電1ルの均−化を計っている。
係る栖成の感光体に第lO図に示した各波長を持つL
E Dアレイヘッドの光源からの光をIKt Q−1す
ることよって表面層に約−6vの静電潜像を得た。
E Dアレイヘッドの光源からの光をIKt Q−1す
ることよって表面層に約−6vの静電潜像を得た。
その状態で導電性トナー15を感光体表面に接触させて
現像することによって、実施例−2よりハイフントラス
トの印字が得られた。
現像することによって、実施例−2よりハイフントラス
トの印字が得られた。
[実施例−4]
実施例−3と同じ構成の感光体に対して光源として螢光
灯を用い、その螢光灯光をスイッチングするた力に液品
シャッタアレイを使用した。螢光灯光は発光波長分市が
L E Dとは異なり、広い齢を持っているため、各発
電欝において光が吸収されて発電が行われ、実施例−3
より史に良奸なコントラストの印字が得られた。
灯を用い、その螢光灯光をスイッチングするた力に液品
シャッタアレイを使用した。螢光灯光は発光波長分市が
L E Dとは異なり、広い齢を持っているため、各発
電欝において光が吸収されて発電が行われ、実施例−3
より史に良奸なコントラストの印字が得られた。
[実施例−5]
実施例−3と同じ構成の感光体と、同じ光源を用い、導
電性トナーの代わりに2成分絶緑性トナーを使用した結
果、実施VA−2より僅かに劣るコントラストの印字が
得られた。
電性トナーの代わりに2成分絶緑性トナーを使用した結
果、実施VA−2より僅かに劣るコントラストの印字が
得られた。
(ト)発明の効果
本発明は以上の説明から明らがな如く、感光体の表面電
位をその感光体に照射される光によって直接発生せしめ
ているので、表面電位供給丁段が不要となり、構戊が簡
略化されると同n.+fに、良好な画像品質が安定して
得ることができる。
位をその感光体に照射される光によって直接発生せしめ
ているので、表面電位供給丁段が不要となり、構戊が簡
略化されると同n.+fに、良好な画像品質が安定して
得ることができる。
第1図は本発明画像記録装:nの構成を示す模式図,第
2図は本発明感光体の部分断面因、第3図は本発明感光
体のNIII&,部材の特性を示した表図、第・I j
Klは本発明感光体を52這する際の反応ガス組戊図、
第5図は本発明感光体の他の実施例の部分断面図、第6
図は第5因図示の実施例感光体の組戊とその光学的禁I
I−.. ’IF幅を示した表図、第7因は同じく第5
図図示の実施例感光体のエネルギーバンド図、第8図は
同じく第5図図示の実施例感光体の光吸収1、ν杜図、
第9図は同実施例感光体を製造する際の反応ガス組成図
、第lO図は各種のL E!)の相対光度分4i図、第
II図は本発明感光体の他の実施例の部分断而図、ip
+2図は従来の画像記録装:nの購成を示す模式図であ
る。 1・ ・・感光体、2・・・・磁シtブラシ、3・・・
・L E Dアレイヘッド、 4・・・転写ローラ、5・・・・記録紙、11、21・
・・・透光性ノ,チ板、l2、22・・・・透明電極、
13、■、15、23、24、25・・・・R膜発電層
、16、2G・・・・表而躬。 出11+人 二汗電機株式会社
2図は本発明感光体の部分断面因、第3図は本発明感光
体のNIII&,部材の特性を示した表図、第・I j
Klは本発明感光体を52這する際の反応ガス組戊図、
第5図は本発明感光体の他の実施例の部分断面図、第6
図は第5因図示の実施例感光体の組戊とその光学的禁I
I−.. ’IF幅を示した表図、第7因は同じく第5
図図示の実施例感光体のエネルギーバンド図、第8図は
同じく第5図図示の実施例感光体の光吸収1、ν杜図、
第9図は同実施例感光体を製造する際の反応ガス組成図
、第lO図は各種のL E!)の相対光度分4i図、第
II図は本発明感光体の他の実施例の部分断而図、ip
+2図は従来の画像記録装:nの購成を示す模式図であ
る。 1・ ・・感光体、2・・・・磁シtブラシ、3・・・
・L E Dアレイヘッド、 4・・・転写ローラ、5・・・・記録紙、11、21・
・・・透光性ノ,チ板、l2、22・・・・透明電極、
13、■、15、23、24、25・・・・R膜発電層
、16、2G・・・・表而躬。 出11+人 二汗電機株式会社
Claims (12)
- (1)透光性基板表面に複数の薄膜を積み重ねて薄膜発
電層を多段形成し、上記透光性基板の裏面から該透光性
基板を介して薄膜発電層に光を照射することによって、
上記各段の発電層での起電圧を重畳した電圧を上記薄膜
発電層の最表面に出現せしめ、その電圧によって該最上
層表面に静電潜像を形成せしめることを特徴とした感光
体。 - (2)上記透光性基板は円筒であることを特徴とした請
求項第1項記載の感光体。 - (3)上記多段薄膜発電層は上記透光性基板側から表面
側に向かって順次膜厚が厚くなるよう設定されているこ
とを特徴とする請求項第1項、または第2項記載の感光
体。 - (4)上記多段薄膜発電層はそれぞれ光学的禁止帯幅が
異なっていることを特徴とした請求項第1項、または第
2項記載の感光体。 - (5)上記光学的禁止帯幅が異なっている各薄膜発電層
は、それぞれ上記透光性基板側から表面側に向かって順
次膜厚が厚くなるよう設定されていることを特徴とする
請求項第4項記載の感光体。 - (6)上記感光体の薄膜発電層の最上層表面に硬質表面
層を設けたことを特徴とする請求項第1項、第2項、第
3項、第4項、または第5項記載の感光体。 - (7)円筒形透光性基板表面に設けられた多段薄膜発電
層を主構成要素とする感光体と、上記透光性基板の内側
に配置された印写画像に対応した光を発する光源と、上
記感光体の表面にトナーを接触せしめるトナー供給手段
と、該トナー供給手段の後方に設けられた転写手段と、
からなり、上記光源からの光を透光性基板の内面から該
透光性基板を介して薄膜発電層に照射して上記感光体表
面に静電潜像を形成し、その静電潜像に上記トナー供給
手段からトナーを供給してトナー顕像を出現せしめた後
、そのトナー顕像を上記転写手段を用いて記録紙に転写
することを特徴とした画像記録装置。 - (8)上記感光体の多段薄膜発電層は上記透光性基板側
から表面側に向かって順次膜厚が厚くなるよう設定され
ていることを特徴とする請求項第7項記載の画像記録装
置。 - (9)上記多段薄膜発電層はそれぞれ光学的禁止帯幅が
異なっていることを特徴とした請求項第7項記載の画像
記録装置。 - (10)上記光学的禁止帯幅が異なっている各薄膜発電
層は、それぞれ上記透光性基板側から表面側に向かって
順次膜厚が厚くなるよう設定されていることを特徴とす
る請求項第9項記載の画像記録装置。 - (11)上記感光体の薄膜発電層の最上層表面に硬質表
面層を設けたことを特徴とする請求項第7項、第8項、
第9項、または第10項記載の画像記録装置。 - (12)上記光源は広幅発光波長分布を有するものであ
ることを特徴とした請求項第7項、第8項、第9項、第
10項、または第11項記載の画像記録装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16414189A JPH0328863A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 感光体、並びにそれを用いた画像記録装置 |
US07/521,708 US5172163A (en) | 1989-05-10 | 1990-05-09 | Photovoltaic photo-receptor and electrophotographing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16414189A JPH0328863A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 感光体、並びにそれを用いた画像記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0328863A true JPH0328863A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15787530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16414189A Pending JPH0328863A (ja) | 1989-05-10 | 1989-06-27 | 感光体、並びにそれを用いた画像記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0328863A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0524280A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-02 | Tokyo Electric Co Ltd | 両面印刷装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61138958A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
JPS62184486A (ja) * | 1986-02-09 | 1987-08-12 | Fujitsu Ltd | 画像形成装置 |
JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16414189A patent/JPH0328863A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61138958A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
JPS62184486A (ja) * | 1986-02-09 | 1987-08-12 | Fujitsu Ltd | 画像形成装置 |
JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0524280A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-02 | Tokyo Electric Co Ltd | 両面印刷装置 |
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