JPH0328863A - 感光体、並びにそれを用いた画像記録装置 - Google Patents

感光体、並びにそれを用いた画像記録装置

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JPH0328863A
JPH0328863A JP16414189A JP16414189A JPH0328863A JP H0328863 A JPH0328863 A JP H0328863A JP 16414189 A JP16414189 A JP 16414189A JP 16414189 A JP16414189 A JP 16414189A JP H0328863 A JPH0328863 A JP H0328863A
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light
photoreceptor
thin film
film power
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JP16414189A
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Toshihiko Yamaoki
山置 俊彦
Tomomichi Nagashima
知理 長島
Koji Minami
浩二 南
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業1−の利川分ツt 本発明は主として電子写Jl装;γlに用いられる新し
い概念に火づく感光体に関する。
(ロ)従来の技術 一般に電子写真装置としてはコロナ放電を利用したもの
が広く知られている。斯る電子写真装IZは、感光体の
周囲にコロナ・;;}電、露光現像、転−Jf、除電、
クリーニングなどを行わしめる部品を配:7j Lなけ
ればならず、閘造が複雑になる雉点があった。
このような問題点に鑑み、近年コロナ放電を用いない電
子写真装:nが提案されている(例えば、画像電I一学
会第16巻第5号1987参照)。
第12tAにこの新しく提案された装:′nの構成を示
す模式図を示す。感光体30の外周而L部に現像機構3
1を、また外周部下部に転写ローラ32を配:??する
と』(に、感光体30の内側にL E l)アレイヘッ
ド33を配置して構威されている。今少し詳しく説明す
ると、感光#+3oはガラス製のPI筒状透明支持基板
34の外周に、透明電極35と感光部を溝威する光4電
屑36とを禎屑して構成され、上記透明電桶35と現像
機構31を構成する磁極ローラ37との間に現像バイア
ス38が印加されている。導電性トナー39は磁極ロー
ラ37の外周に被せたスリーブ40周囲に吸着せしめら
れて所謂磁気ブラシ4lが形成され、光導XttJfL
36の外周而に臨んでいる。ここでこの導電性トナー3
9を通して現像バイアス38から光導電PC436へ電
荷の1L人が起こり、光導4i肘36は現像バイアス3
8と略同電位にイ;}電する。
・方、L1ζ■)アレイヘッド33から投射された光像
が円筒状透明支持鵡板34の内側から光4電躬36に入
射せしめられて光導電屑36に静電潜像が形成されると
、磁只ブラシ41から光導電屑36表面にトナーが吸青
されてトナー穎像が形成され、転写ローラ32にて.2
録紙42に転写せしめられてゆくことになる。
感光体30表面の残留トナーは現像機FI4:nによる
1st!き取り力,及び磁極ローラ37の磁力によって
除去される。従って感光体30に対するイ;}電、露光
、JJI!像、クリーニングが現像機Fl:nと!、E
 I)アレイヘノド33によって略同時的に行われるこ
ととなり、消戊、並びに電子写J’4処理プロセスが大
幅に簡略化される。
(ハ)発明が解決しようとする課題 この新しく提案された電了・写真装IZにおいては!−
述したように、購戊、並びに1tT一写直処理プロセス
が大幅に同格化される反面、現像+1.’Fに印加され
る現像バイアスを利用してイ:}電を行うために、棗電
と現像の全く異なる現象の両立が困難で、良奸な印字品
質を安足して得ることは困難である。
(二)課題を解決するためのT段 本発明は、透光性ノ.(板表面にPl数の薄1模を植み
重ねて成る薄膜発電層を多段形成し、上記透光往』.(
板の裏而から該透光れノ,(板を介して薄膜発電層に光
を!!(l 41することによって、L足各段の発電層
での起電ハ三を屈4゛トしたXIX厘をI’. +iL
薄膜発電層の7+k表面に出現せしめ、その電IS:.
によー〕で該最1表1+iに静屯潜像を形處せしめるも
のである。
(ホ)作用 光の+lfl射を受けて薄膜発電層が発屯した起電圧に
よって静電潜像を形l友する。
(へ)実施f列 [実施例−l] 以ドに本発明を示す図面に基づきJL体的に説明する。
第1tAは本発明に係る感光体を川いた電f写J″{装
:tlの模式図であり、図中1は本発明に係る感光体、
2は磁只ブラシ、3はI. E !)アレイヘノド、4
は転写ローラ、5は記S,五紙を示している。
感光体lは円倚形であって図示しない軸同りに失印方向
に四帖駆動せしめられるようになっており、その外周而
1−11!IIに臨ませて磁気ブラシ2が、またこの磁
5tブラシ2に対向して感光#+1の内側には露光のた
めのI. E I)アレイヘッド3が配訳され、更に外
Mi +MiF部に臨ませてトナー顕激を記録紙に転写
する転写ローラ4が設けられている。
第2図は本発明に係る感光体1の部分断而fan図であ
り、1111図において目はグラスなどにて#lg威さ
れた透光性J,%板を示している。この透光性基板II
上には、微結品シリコンを主戒分とする透明電極12が
植k4形成され、更にその−1二に非品質シリコン(a
 −S i)を主成分とする複数の薄1模を偵み重ねて
成る多段積躬、望ましくは10層程度積屑された薄膜5
l電層I3・・・・、及び該発電層の最表面層」:に形
成された非品質窒化シリコン(a −S iN )から
なる表面WIzが順次植層形成されている。
ここでこの発電層13・・・について詳しく説明してお
く。各発Xft,ll+は光のjK1射を受けると電子
や正孔からなる白山キャリャを発生する1型の非品質シ
リコンがらなる1,9層I3−]と、その−4側に設け
られたpl!:lの非品質シリコンからなる■】型層1
3−Pと,NWの非品質シリコンがらなるN5113−
Nとによって団成されている。そして本発明においては
このそれぞれの発電欝のうち、3 1 WA’> 13
−1の膜厚を基板11g!4から表面Wl4flllに
1r−1がうに1足ってqく設定している。
一般に光の照射を受けると光発電する発電層を多段積躬
して?}9.電電圧を屯4’Lする場合、各発電層から
の発電電流をそれぞれ近似したものとしておく必要があ
る。そのような践点から発電層の発電電流を見てみると
、その発電層へ到達する光量に依イlすることは当然で
あるが、l型層の膜厚にも依存することが知られている
。即ち、このlJJ9MのV!厚がJv.いほど発si
電流は大きい。
・方,各発電層への到達光fItについて{えてみる。
最も基板I+に近い【聖欝に入射される光量を1 (1
 0とし、その1聖層で吸収される割合を上記したよう
にI型屑をIO層に設定した場合、各19屑で光一電変
換される量は理想的にはIO%である。
この理想的な&fを実現するために本発明においては各
1!:!Jflの膜厚を第3図に示すように、1000
〜+ +1 0 0 1)人に設定している。この第3
図には、各2型屑で吸収させたい割合(A)と、L E
 I)アレイヘッド3からの入射光ち{を1 (1 0
とした場合に各!壁屑に到正する光積(I′I)と、各
1s:!屑で吸収させたい割合(^)を実現するために
各1やMに入射される光に対するh1!’;’!屑の吸
収串、即ち(^/It)が同時に示されている。
このように隋戊された感光体1に対し、透光性ノ^板■
、#.t)Fに透明11t極12を介してl EI)ア
レイヘッド3からの光が各発電113・・・・に照射さ
れると、各発電層の■型層l3−ト・・内で電子や正孔
の白山キャリャが発生し、それが透明電横12、並びに
表而Jli$14に集電されることにより起1u力を生
じる。
ここで第2図に示した本発明感光体の製造方法について
説明しておく。透光性基板11を反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、犬板目1;に透明電極12、各発電X4
13・・・・、並びに表面屑l4が順次積屑されるが、
それぞれの各層の#I+&は異なるので、積層顔に反応
ガスが各屑の成長11、}に切り!譬えられる.第4v
!Iに各層とその躬を成長させる時の反応ガスの組成を
示す。尚、反応ガスにはキャリャガスとしてII,が含
まれている。
次にこのように形成された感光体を用いて構成した電r
・′グJ’4装j7iについて第1因を参g Lつり.
滉明する。
感光#+1の内側から中心波長6600人. +6do
L/amのLEDアレイヘッド3を画像信7チに応じて
適′1”C点灯させると、感光体1は光の!!{{ Q
−1を受けた個所だけが起電力を発し、感光体lの表面
層14に透明?l[il2に対して約−6vの電荷が出
現する。これと同時に表面層14側から導電性トナー1
5を感光体1に核触させると電荷が出現した個所のみに
トナーが付青して現像される。次に感光体lが回転し、
トナーが付弄したiJl′i像は感光体1と約−+00
■にバイアスl7された転写ローラ4との間に導かれた
記録紙5に転写される.顕像が転写された記録紙5は図
示しない定若手段に導かれ、その転写された頴像を記録
紙5に定着せしめ、印字動作を完了する。一方、感光体
Iは更に同転して再度現像位式に移動してfM像が行わ
れ、以下このサイクルを繰り返す。このようにして得ら
れた印字は現存する電子写r番装置によって得られたも
のと遜色のない画像を早する。
尚、本失施例において,表面屑14は感光体として必要
な解像度を得るために形處するもので、この表面層14
の777[によって16doL/amの高解像度の印宇
がi+f能となる。勿論、この表面層14なしで最表面
発也躬のN型躬の社能次第で所1i+7の高解像度が得
られる場合もあるが、その作威条イ↑は非常に難しく、
また不安定なものになるため、表而114を設けるのが
9lましい。
[失施例−2] 上記した実施例−1の感光体の各発電層はその膜淳を順
次変化させて各発電層での発電状況を゛ビ均化し,トー
タル的に高い光起電圧をiitる構戊であったが、II
L−の紹威の発電層を用いているので発電に嵜!j・す
る波長は同一であり、感光体に照射される光源からの光
の全てが用いられているとは3い難い。
こよのうな観点から光源からの異なった波長の光をtr
均的に用いるために第5図に示すfli+&の感光体が
考えられる。
第5図は本発明の実施例−2に係る感光体の部分断面H
R遣図であり、この第5図において、21はガラスなど
にて購威されたIrl筒形の透尤性ノ,(板で、この基
板21−11には微結晶シリコンを主成分とする透明電
極22が形成され、更にその上に非結晶シリコン(a 
−S i)からなる第1.第2、第3の薄膜発電層23
、24、25、及び第3の発電層25上に形處された非
結晶窒化シリコン(a −S iN )からなる表面層
26が積屑形成されている。尚、各発電層2324、2
5は発電に直按寄′チする■型層23−1、24−1、
25−1と,その両面にそれぞれ配置されているP型躬
23−1’, 21−P、25−P,並びにNZ!:!
層23−N、24−N、25−Nとから構處されている
このような構處において、基板21、抜びに透明電桶2
2を介してL E I)アレイヘッド3からの光が第1
、第2、第3の発電層23、24、25に照射されると
、失施例−1の場合と同様に各発電層23. 2425
で発電された[EがrR資されて表面屑26と透明電格
22との問に発生する。
次に本夷施例感光体の共体的な構戒を、.組成、膜厚、
並びに光学的禁+1: 4i}幅EopLそれぞれにつ
いて第6図の表図にまとめた。この第6図から明かな如
く、各発電層23、24、25の谷I準肋23−1、2
4−1、25−1の光学的票止・j;}幅E aptは
第7図に示すように光人9・t側がら顔次小さくなって
いる。
即ち、各発電層23、24、25において発電作用を行
うのは各I型肘23−■、24−■、25−1であるが
、その谷光学的禁止イ:}幅E aptはそれぞれ、I
.75eV、1.65cV、I.50eVと顔次小さく
設定されている。
般に゛卜導体発電8I!象において、発電に寄与.する
入射光波長、即ち吸収波長は発電領域の光学的禁正棗幅
1>optに依イfするとされており、このような愁+
L 45幅をそれぞれ有する各■型層23−1、24−
1.25−1の光吸収特性は第8図に示すように5 5
 13(1人、6300人、6800入である。
−・方、各I型屑23−I、24−1、25−Iの光学
的禁■1二41}幅1i:optを変えるためには各I
JF)c423−1、24−125−1の紹成に第6図
に示したように変化を持たせている。即ち、本発明にお
いては第115fi23−1と、第2■型躬2ヘ−1と
は共に水素を含むa−Siがら栖威され、その水素の含
右κを変えることによって禁11・4iF kA E 
(1 11 1を変化させており、また第:{ I J
FJIl+25−1はノ1品質シリコンゲルマニウム(
a−SiGe)から構戊されている。
その結果、感光体全体から見れば、光学的禁+1二掛幅
ビopLが異なる発電附が複数居設けられており、しか
も光入射側から順次禁止4:}幅が小さくなるよう配訳
されているので、入射光エネルギーはその短波長側のも
のが感光体の比較的浅い領域でイf効に発電に寄与し、
長波長側の光が感光体の浅い領域で吸収されることなく
感光体の深い領域まで進行してそこでイf効に発電に寄
り・することとなり、結果的に各発電網で発電した電圧
がそれぞれ重クとされ、感光体全体として高い電1fを
発生することとなる。
ここで第5図に示した本発明感光体の製造方法について
説明しておく。透光性基板2lを反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せしめ
ることにより、透明電極22,各発電層23、24、2
5が植次梢躬されるが、.それぞれの各躬の組成は異な
るので、積Netに反1みガスが芥屑の戊長時に切り竹
えられる。第9図に各肘とその屑を成長させる11.′
Fの反+=ガスの組戊を示す。尚、反応ガスにはキャリ
ャガスとしてII,が含まれている。
次にこのように形成された感光体を用いて構威した電(
=グJ′t装:nについて第1図を参照しつつ説明する
。この実施例においてはL E Dアレイヘッド3とし
ては中一の発光波長のものではなく、各発電層23、2
4、25に適した波長を持つものを川いるのが好ましい
。具体的には第10fiに示す如く、例えば5600人
前後に発光波長のピークを持つ緑包L IE I)、5
800人Ipj後に発光波長のピークを持つn色1.E
D,tびに6600入前後に発光波長のピークを持つ赤
色LEDの組み合わせが’i+(能で,更に波長の長い
L E D 7!If#lみ込まれることにより、本実
施例による感光体から高い起電『Eを発生せしめること
ができる。
[実施例−31 実施例−2の感光体ではそれぞれ光学的禁+1’. 4
R幅が異なる3種類の発電層を■屑づつ積屑して入射光
を効串よく光一電変換するよう摺成したが、発電層が3
肘であったために、感光体の表而肘に出現させる静it
ttM像の借電電圧が不足気味であった。そこで本実施
例においては、第11図に示すようにそれぞれの発電層
23、24、25ごとに複数屑、例えば3層づつ積層し
て表面屑26での電圧を高めている。
尚、この夷施例においても第I1図で明示したが、各種
類の発電層のうちのl壁屑23−1、24−1、25−
1それぞれの膜厚を実施例一lの場合と同じようにノ&
板21側から表面層26側に向かうに促って11/,く
して発1!電1ルの均−化を計っている。
係る栖成の感光体に第lO図に示した各波長を持つL 
E Dアレイヘッドの光源からの光をIKt Q−1す
ることよって表面層に約−6vの静電潜像を得た。
その状態で導電性トナー15を感光体表面に接触させて
現像することによって、実施例−2よりハイフントラス
トの印字が得られた。
[実施例−4] 実施例−3と同じ構成の感光体に対して光源として螢光
灯を用い、その螢光灯光をスイッチングするた力に液品
シャッタアレイを使用した。螢光灯光は発光波長分市が
L E Dとは異なり、広い齢を持っているため、各発
電欝において光が吸収されて発電が行われ、実施例−3
より史に良奸なコントラストの印字が得られた。
[実施例−5] 実施例−3と同じ構成の感光体と、同じ光源を用い、導
電性トナーの代わりに2成分絶緑性トナーを使用した結
果、実施VA−2より僅かに劣るコントラストの印字が
得られた。
(ト)発明の効果 本発明は以上の説明から明らがな如く、感光体の表面電
位をその感光体に照射される光によって直接発生せしめ
ているので、表面電位供給丁段が不要となり、構戊が簡
略化されると同n.+fに、良好な画像品質が安定して
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明画像記録装:nの構成を示す模式図,第
2図は本発明感光体の部分断面因、第3図は本発明感光
体のNIII&,部材の特性を示した表図、第・I j
Klは本発明感光体を52這する際の反応ガス組戊図、
第5図は本発明感光体の他の実施例の部分断面図、第6
図は第5因図示の実施例感光体の組戊とその光学的禁I
I−.. ’IF幅を示した表図、第7因は同じく第5
図図示の実施例感光体のエネルギーバンド図、第8図は
同じく第5図図示の実施例感光体の光吸収1、ν杜図、
第9図は同実施例感光体を製造する際の反応ガス組成図
、第lO図は各種のL E!)の相対光度分4i図、第
II図は本発明感光体の他の実施例の部分断而図、ip
+2図は従来の画像記録装:nの購成を示す模式図であ
る。 1・ ・・感光体、2・・・・磁シtブラシ、3・・・
・L E Dアレイヘッド、 4・・・転写ローラ、5・・・・記録紙、11、21・
・・・透光性ノ,チ板、l2、22・・・・透明電極、
13、■、15、23、24、25・・・・R膜発電層
、16、2G・・・・表而躬。 出11+人  二汗電機株式会社

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透光性基板表面に複数の薄膜を積み重ねて薄膜発
    電層を多段形成し、上記透光性基板の裏面から該透光性
    基板を介して薄膜発電層に光を照射することによって、
    上記各段の発電層での起電圧を重畳した電圧を上記薄膜
    発電層の最表面に出現せしめ、その電圧によって該最上
    層表面に静電潜像を形成せしめることを特徴とした感光
    体。
  2. (2)上記透光性基板は円筒であることを特徴とした請
    求項第1項記載の感光体。
  3. (3)上記多段薄膜発電層は上記透光性基板側から表面
    側に向かって順次膜厚が厚くなるよう設定されているこ
    とを特徴とする請求項第1項、または第2項記載の感光
    体。
  4. (4)上記多段薄膜発電層はそれぞれ光学的禁止帯幅が
    異なっていることを特徴とした請求項第1項、または第
    2項記載の感光体。
  5. (5)上記光学的禁止帯幅が異なっている各薄膜発電層
    は、それぞれ上記透光性基板側から表面側に向かって順
    次膜厚が厚くなるよう設定されていることを特徴とする
    請求項第4項記載の感光体。
  6. (6)上記感光体の薄膜発電層の最上層表面に硬質表面
    層を設けたことを特徴とする請求項第1項、第2項、第
    3項、第4項、または第5項記載の感光体。
  7. (7)円筒形透光性基板表面に設けられた多段薄膜発電
    層を主構成要素とする感光体と、上記透光性基板の内側
    に配置された印写画像に対応した光を発する光源と、上
    記感光体の表面にトナーを接触せしめるトナー供給手段
    と、該トナー供給手段の後方に設けられた転写手段と、
    からなり、上記光源からの光を透光性基板の内面から該
    透光性基板を介して薄膜発電層に照射して上記感光体表
    面に静電潜像を形成し、その静電潜像に上記トナー供給
    手段からトナーを供給してトナー顕像を出現せしめた後
    、そのトナー顕像を上記転写手段を用いて記録紙に転写
    することを特徴とした画像記録装置。
  8. (8)上記感光体の多段薄膜発電層は上記透光性基板側
    から表面側に向かって順次膜厚が厚くなるよう設定され
    ていることを特徴とする請求項第7項記載の画像記録装
    置。
  9. (9)上記多段薄膜発電層はそれぞれ光学的禁止帯幅が
    異なっていることを特徴とした請求項第7項記載の画像
    記録装置。
  10. (10)上記光学的禁止帯幅が異なっている各薄膜発電
    層は、それぞれ上記透光性基板側から表面側に向かって
    順次膜厚が厚くなるよう設定されていることを特徴とす
    る請求項第9項記載の画像記録装置。
  11. (11)上記感光体の薄膜発電層の最上層表面に硬質表
    面層を設けたことを特徴とする請求項第7項、第8項、
    第9項、または第10項記載の画像記録装置。
  12. (12)上記光源は広幅発光波長分布を有するものであ
    ることを特徴とした請求項第7項、第8項、第9項、第
    10項、または第11項記載の画像記録装置。
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