JPH03223870A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPH03223870A JPH03223870A JP2075990A JP2075990A JPH03223870A JP H03223870 A JPH03223870 A JP H03223870A JP 2075990 A JP2075990 A JP 2075990A JP 2075990 A JP2075990 A JP 2075990A JP H03223870 A JPH03223870 A JP H03223870A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は主として電子写真装置に用いられる新しい概念
に基づく感光体に関する。
に基づく感光体に関する。
(ロ)従来の技術
一般に電子写真装置としてはコロナ放電を利用したもの
が広く知られている。斯る電子写真装置は、感光体の周
囲にコロナ帯電、露光現象、転写、除電、クリーニング
などを行わしめる部品を配置しなければならず、構造が
複雑になる難点があった。
が広く知られている。斯る電子写真装置は、感光体の周
囲にコロナ帯電、露光現象、転写、除電、クリーニング
などを行わしめる部品を配置しなければならず、構造が
複雑になる難点があった。
このような問題点に鑑み、近年コロナ放電を用いない電
子写真装置が提案されている(例えば、画像電子学会第
16巻第5号1987参照)。
子写真装置が提案されている(例えば、画像電子学会第
16巻第5号1987参照)。
第8図にこの新しく提案された装置の構成を示す模式図
を示す。感光体40の外周面上部に現像機構41を、ま
た外周部下部に転写ローラ42を配置すると共に、感光
体40の内側にLEDアレイヘッド43を配置して構成
されている。今少し詳しく説明すると、感光体40はガ
ラス製の円筒状透明支持基140aの外周に、透明型1
’ff40bと感光部を構成する光導電層40cとを積
層して構成され、上記透明電極40bと現像機構41を
構成する磁極ローラ41aとの間に15〜′程度の電位
(V)が現像バイアスとして印加されている6導電性ト
ナーは磁極ローラ41aの外周に被せたスリーブ41b
周囲に吸着せしめられて所謂磁気ブラシが形成され、光
導電層40Cの外周面に臨んでいる。ここでこの導電性
トナーを通して現(象バイアスから光導電層40cへ電
荷の注入が起こり、光導電層40cは現像バイアスと略
同電位に帯電する。
を示す。感光体40の外周面上部に現像機構41を、ま
た外周部下部に転写ローラ42を配置すると共に、感光
体40の内側にLEDアレイヘッド43を配置して構成
されている。今少し詳しく説明すると、感光体40はガ
ラス製の円筒状透明支持基140aの外周に、透明型1
’ff40bと感光部を構成する光導電層40cとを積
層して構成され、上記透明電極40bと現像機構41を
構成する磁極ローラ41aとの間に15〜′程度の電位
(V)が現像バイアスとして印加されている6導電性ト
ナーは磁極ローラ41aの外周に被せたスリーブ41b
周囲に吸着せしめられて所謂磁気ブラシが形成され、光
導電層40Cの外周面に臨んでいる。ここでこの導電性
トナーを通して現(象バイアスから光導電層40cへ電
荷の注入が起こり、光導電層40cは現像バイアスと略
同電位に帯電する。
一方、LEDアレイヘッド43から投射された光像が円
筒状透明支持基板40aの内側から光導電層40cに入
射せしめられて光導電層40cに静電潜像が形成される
と、磁気ブラシから光導電層40bの表面にトナーが吸
着されてトナー顕像が形成され、転写ローラ42にて記
録紙44に転写せしめられてゆくことになる。
筒状透明支持基板40aの内側から光導電層40cに入
射せしめられて光導電層40cに静電潜像が形成される
と、磁気ブラシから光導電層40bの表面にトナーが吸
着されてトナー顕像が形成され、転写ローラ42にて記
録紙44に転写せしめられてゆくことになる。
感光体40表面の残留トナーが現像機構41による掃き
取り力、及び磁極ローラ41aの磁力によって除去され
る。従って感光体40に対する帯電、露光、現像、クリ
ーニングが現像機構41とLEDアレイヘッド43によ
って略同時的に行われることとなり、構成、並びに電子
写真処理プロセスが大幅に簡略化される。
取り力、及び磁極ローラ41aの磁力によって除去され
る。従って感光体40に対する帯電、露光、現像、クリ
ーニングが現像機構41とLEDアレイヘッド43によ
って略同時的に行われることとなり、構成、並びに電子
写真処理プロセスが大幅に簡略化される。
Cハ)発明が解決しようとする課題
この新しく提案された電子写真装置においては上述した
ように、構成、並びに電子写真処理プロセスが大幅に簡
略化される反面、現像時に印加される現像バイアスを利
用して帯電を行うために、帯電と現像の全く異なる現象
の両立が困難で、良好な印字品質を安定して得ることは
困難であった。
ように、構成、並びに電子写真処理プロセスが大幅に簡
略化される反面、現像時に印加される現像バイアスを利
用して帯電を行うために、帯電と現像の全く異なる現象
の両立が困難で、良好な印字品質を安定して得ることは
困難であった。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、透光性基板表面に絶縁層と膜厚方向に不純物
濃度の分布を有する非晶質半導体層を積み重ねた発電層
を多段形成すると共に、透光性基板の裏面から透光性基
板を介して発電層に光を照1、?することによって、各
段の発電層での起電圧を重畳した電圧を発電層の最表面
に出現せしめ、その電圧によって最上層表面に静電潜像
を形成せしぬることを特徴とする。
濃度の分布を有する非晶質半導体層を積み重ねた発電層
を多段形成すると共に、透光性基板の裏面から透光性基
板を介して発電層に光を照1、?することによって、各
段の発電層での起電圧を重畳した電圧を発電層の最表面
に出現せしめ、その電圧によって最上層表面に静電潜像
を形成せしぬることを特徴とする。
また、透光性基板表面に膜厚方向に構成元素濃度の分布
が設けられた絶縁層と真性非晶質半導体呵を積み重ねて
発電層を多段形成してもよい。
が設けられた絶縁層と真性非晶質半導体呵を積み重ねて
発電層を多段形成してもよい。
(ホ)作用
光の照射を受けて発電層が発電した起電圧によって静電
潜像を形成する。
潜像を形成する。
(へ)実施例
μス下に不発明を示す図面に基づき具体的に説明する。
U実施例−1つ
第1図::不発明に係る感光体を用いた電子写真装置の
模式図であり、図中1は本発明に係る感光体、2:ま磁
気ブラシ、3はLEDアレイヘッド、4:よ転写ローラ
、5は記録紙を示している。
模式図であり、図中1は本発明に係る感光体、2:ま磁
気ブラシ、3はLEDアレイヘッド、4:よ転写ローラ
、5は記録紙を示している。
感光体1;ま円筒形であって図示しない軸回りに矢印方
向に回転駆動せしめられるようになっており、その外周
面上部に臨ませてFa%ブラシ2が、またこの磁気ブラ
シ2に対向して感光体1の内側には露光のためのLED
アレイヘッド3が配置され、更に外周面下部に阻ませて
トナー顕像を記録紙に転写する転写ローラ4が設けられ
ている。
向に回転駆動せしめられるようになっており、その外周
面上部に臨ませてFa%ブラシ2が、またこの磁気ブラ
シ2に対向して感光体1の内側には露光のためのLED
アレイヘッド3が配置され、更に外周面下部に阻ませて
トナー顕像を記録紙に転写する転写ローラ4が設けられ
ている。
第2図は本発明に係る感光体1の部分断面構造図であり
、同図において11はガラスなどにて構成された透光性
基板を示している。この透光性基板11上には、微結晶
シリコンを主成分とする透明電極12が積層形成され、
更にその上に非晶質窒化シリコン(a−SiN )など
からなる絶縁層と非晶質シリコン(a−Si)を主成分
とする複数の薄膜を積み重ねて成る多段積層、望ましく
は7層程度積層された薄膜発電層13・・・・、が順次
積層形成されている。
、同図において11はガラスなどにて構成された透光性
基板を示している。この透光性基板11上には、微結晶
シリコンを主成分とする透明電極12が積層形成され、
更にその上に非晶質窒化シリコン(a−SiN )など
からなる絶縁層と非晶質シリコン(a−Si)を主成分
とする複数の薄膜を積み重ねて成る多段積層、望ましく
は7層程度積層された薄膜発電層13・・・・、が順次
積層形成されている。
ここでこの発電層13・・・について詳しく説明してお
く。各発電層は光の照射を受けると電子や正孔からなる
自由キャリアを発生する■型の非晶質シリコンからなる
■型層13−Iと、その両側に設けられた非晶質窒化シ
リコンからなる絶縁層13−2によって構成されている
。
く。各発電層は光の照射を受けると電子や正孔からなる
自由キャリアを発生する■型の非晶質シリコンからなる
■型層13−Iと、その両側に設けられた非晶質窒化シ
リコンからなる絶縁層13−2によって構成されている
。
そして、本実施例においては、■型層13−■に導電性
を決定する不純物元素、例えばp型てあればポロン(B
)、n型であればリン(P)が混入されている。このI
=層13−Iに混入する不純物は、表面層に向かって
濃度が高くなるように、膜厚方向に対して濃度の分布が
形成されている。
を決定する不純物元素、例えばp型てあればポロン(B
)、n型であればリン(P)が混入されている。このI
=層13−Iに混入する不純物は、表面層に向かって
濃度が高くなるように、膜厚方向に対して濃度の分布が
形成されている。
即ち、第3図に■型層のポロン濃度と光起電圧vsとの
関係を示すように、■型層のボロンの濃度が0.4tp
pmlまでは光起電圧が増加する。従って、この表面層
側のI型層の濃度を0.4ppm程度になるように、絶
縁層13−2側から表面層14に向かって0か60.4
ppmまで直線的に分布を有するように形成される。
関係を示すように、■型層のボロンの濃度が0.4tp
pmlまでは光起電圧が増加する。従って、この表面層
側のI型層の濃度を0.4ppm程度になるように、絶
縁層13−2側から表面層14に向かって0か60.4
ppmまで直線的に分布を有するように形成される。
また、絶縁層13−2はトンネル現象が可能な膜厚に設
定され、具体的には50〜100人の膜厚に設定される
。
定され、具体的には50〜100人の膜厚に設定される
。
第4図は第2図に示した実施例における感光体のエネル
ギーバンド図であり、この第4図に示すように、各■型
層は不純物濃度の傾斜に基づく所望のドリフトを有する
バンドギャップが形成されて、光キャリアは内蔵電界に
よるドリフトによって移動し、各層で発電が行なわれる
。
ギーバンド図であり、この第4図に示すように、各■型
層は不純物濃度の傾斜に基づく所望のドリフトを有する
バンドギャップが形成されて、光キャリアは内蔵電界に
よるドリフトによって移動し、各層で発電が行なわれる
。
ところで、−19に光のす3射を受けると光発電する発
電層を多段積層して各発電電圧を重畳する場合、各発電
層からの発電電流をそれぞれ近似したものとしておく必
要がある。そのような観点か−ら発電層の発電電流を見
てみると、その発電層へ到達する光量に依存することは
当然であるが、■型層の膜厚にも依存することが知られ
ている。即ち、この■型層の膜厚が厚いほど発電電流は
大きい。
電層を多段積層して各発電電圧を重畳する場合、各発電
層からの発電電流をそれぞれ近似したものとしておく必
要がある。そのような観点か−ら発電層の発電電流を見
てみると、その発電層へ到達する光量に依存することは
当然であるが、■型層の膜厚にも依存することが知られ
ている。即ち、この■型層の膜厚が厚いほど発電電流は
大きい。
一方、各発電層への到達光量について考えてみる。最も
基板11に近い工型層に入射される光量を100とし、
その■型層で吸収される割合を上記したように1型層を
7層に設定した場合、各I型層で光電変換される量は理
想的には14%である。この理想的に近い値を実現する
ために本発明においては各1型層の膜厚を第1表に示す
ように、500〜8000人に設定しでいる。この第1
表には、各■を層で吸収させたい割合(A)と、LED
アレイヘッド3からの入射光量を100とした場合に各
1型層に到達する光量(B)と、各1型層で吸収させた
い割合(、A )を実現するために各I型層に入射され
る光に対する各1型層の吸収率、即ち(A/B)が同時
に示されている。
基板11に近い工型層に入射される光量を100とし、
その■型層で吸収される割合を上記したように1型層を
7層に設定した場合、各I型層で光電変換される量は理
想的には14%である。この理想的に近い値を実現する
ために本発明においては各1型層の膜厚を第1表に示す
ように、500〜8000人に設定しでいる。この第1
表には、各■を層で吸収させたい割合(A)と、LED
アレイヘッド3からの入射光量を100とした場合に各
1型層に到達する光量(B)と、各1型層で吸収させた
い割合(、A )を実現するために各I型層に入射され
る光に対する各1型層の吸収率、即ち(A/B)が同時
に示されている。
肖りで、本発明においては、第1表に示すように3発電
層のうち、各I型層13−Iの膜厚を基板11側から表
面層に向うに従って厚く設定している。
層のうち、各I型層13−Iの膜厚を基板11側から表
面層に向うに従って厚く設定している。
(l、ス下余白)
第1表
このように構成された感光体lに対し、透光性基板11
、並びに透明電極12を介してLEDアレイへ・ンド3
からの光が各発電層13・・・・に照射されると、各発
電層の■型層13−■・・・・内で電子や正孔の自由キ
ャリアが発生し、それが透明電極12、並びに表面層1
4が集電されることにより起電力を生じる。
、並びに透明電極12を介してLEDアレイへ・ンド3
からの光が各発電層13・・・・に照射されると、各発
電層の■型層13−■・・・・内で電子や正孔の自由キ
ャリアが発生し、それが透明電極12、並びに表面層1
4が集電されることにより起電力を生じる。
ここで、第2図に示した本発明感光体の製造方法につい
て説明しておく。透光性基板11を反応室に入れ、その
反応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せし
めることにより、基板11上に透明電極12、各発電層
13・・・・、並びに表面層14が順次積層されるが、
それぞれの各層の組成は異なるので、積層順に反応ガス
が各層の成長時に切り替えられる。第2表に各層とその
層を成長させる時の反応ガスの組成を示す。
て説明しておく。透光性基板11を反応室に入れ、その
反応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を生起せし
めることにより、基板11上に透明電極12、各発電層
13・・・・、並びに表面層14が順次積層されるが、
それぞれの各層の組成は異なるので、積層順に反応ガス
が各層の成長時に切り替えられる。第2表に各層とその
層を成長させる時の反応ガスの組成を示す。
尚、反応ガスにはキャリヤガスとしてH2が含まれてい
る。
る。
(以下余白)
第2表
改にこのように形成された感光体を用いて構成した電子
写真装置について第1図を参即しつつ説明する。
写真装置について第1図を参即しつつ説明する。
感光体1の内側から中心波長6600人、16dot/
mmのLEDアレイヘッド3を画像信号に応して適宜点
灯させると、感光体1は光の照射を受けた個所だけが起
電力を発し、感光体1の表面層14に透明電tN12に
対して約−6Vの電荷が出現する。これと同時に表面層
14側から導電性トナー15を感光体lに接触させると
電荷が出現した個所のみにトナーが付着して現像される
。次に感光体1が回転し、トナーが付着した非像は感光
体1と約−100VにバイアスI7された転写ローラ4
との間に導かれた記録紙5に転写される。顕像が転写さ
れた記録紙5は図示しない定着手段に導かれ、その転写
された顕像を記録紙5に定着せしめ、印字動作を完了す
る。
mmのLEDアレイヘッド3を画像信号に応して適宜点
灯させると、感光体1は光の照射を受けた個所だけが起
電力を発し、感光体1の表面層14に透明電tN12に
対して約−6Vの電荷が出現する。これと同時に表面層
14側から導電性トナー15を感光体lに接触させると
電荷が出現した個所のみにトナーが付着して現像される
。次に感光体1が回転し、トナーが付着した非像は感光
体1と約−100VにバイアスI7された転写ローラ4
との間に導かれた記録紙5に転写される。顕像が転写さ
れた記録紙5は図示しない定着手段に導かれ、その転写
された顕像を記録紙5に定着せしめ、印字動作を完了す
る。
一方、感光体1は更に回転して再度現像位置に移動して
現像が行われ、以下このサイクルを繰り退す。このよう
にして得られた印字は現存する電子写真装置によって得
られたものと遜色のない画像を呈する。
現像が行われ、以下このサイクルを繰り退す。このよう
にして得られた印字は現存する電子写真装置によって得
られたものと遜色のない画像を呈する。
尚、本実施例において、表面層14は感光体として必要
な解像度を得るために形成するもので、この表面層I4
の存在によって16dot/mmの高解像度の印字が可
能となる。勿論、この表面層14は絶縁層13−2と同
様の組成で形成されるため、表面側に位置する絶縁層を
表面層としで用いれば良い。
な解像度を得るために形成するもので、この表面層I4
の存在によって16dot/mmの高解像度の印字が可
能となる。勿論、この表面層14は絶縁層13−2と同
様の組成で形成されるため、表面側に位置する絶縁層を
表面層としで用いれば良い。
L実施例−2J
第5図は本発明の実施例−2に係る感光体の部分断面構
造図であり、この第5図において、21はガラスなどに
て構成された円筒形の透光性基板で、この基板21上に
は微結晶シリコンを主成分とする透明電極22が形成さ
れ、更にその上に非晶質窒化シリコン(a−5iN )
からなる絶縁層23及びI型の非晶質シリコンからなる
■型層23−■からなる発電層24がこの順序で多段積
層形成され、本実施例においては7層形成され、その上
に非晶質窒化シリコン(a−5iN )からなる表面層
26が積層形成されている。
造図であり、この第5図において、21はガラスなどに
て構成された円筒形の透光性基板で、この基板21上に
は微結晶シリコンを主成分とする透明電極22が形成さ
れ、更にその上に非晶質窒化シリコン(a−5iN )
からなる絶縁層23及びI型の非晶質シリコンからなる
■型層23−■からなる発電層24がこの順序で多段積
層形成され、本実施例においては7層形成され、その上
に非晶質窒化シリコン(a−5iN )からなる表面層
26が積層形成されている。
尚、絶縁層23の膜厚は、前述の実施例−1と同しく、
トンネル現象が生しる程度の厚さ、即ち50〜100人
に設定される。
トンネル現象が生しる程度の厚さ、即ち50〜100人
に設定される。
ところで、この絶縁層23に、窒素、カーボン、酸素な
どの不純物を混入し、その濃度に分布を生しせしめるこ
とにより、その濃度に応じた光起電圧が1型層に発生す
る。第6図は絶縁層の非晶質窒化シリコン膜に添加する
窒素の量と1型層に発生する光起電力V、の関係を示す
特性図である。
どの不純物を混入し、その濃度に分布を生しせしめるこ
とにより、その濃度に応じた光起電圧が1型層に発生す
る。第6図は絶縁層の非晶質窒化シリコン膜に添加する
窒素の量と1型層に発生する光起電力V、の関係を示す
特性図である。
従って1本実施例においては、■型層23−■には不純
物元素は混入させずに、絶縁層23に濃度分布を形成し
た。絶縁層23の濃度分布は、基板側から表面側に向か
って濃度が直線的に高くなるように0〜80%迄分布を
形成した。
物元素は混入させずに、絶縁層23に濃度分布を形成し
た。絶縁層23の濃度分布は、基板側から表面側に向か
って濃度が直線的に高くなるように0〜80%迄分布を
形成した。
第7区は第5図に示した実施例における感光体のエネル
ギーバンド図であり、この第7図に示すように、各層は
所望のバンドギャップが形成されている。
ギーバンド図であり、この第7図に示すように、各層は
所望のバンドギャップが形成されている。
このような構成において、基板21並びに透明電極22
を介してLEDアレイヘッド3からの光が発電層24に
照射されると、実施例−1の場合と同様に各発電層24
て発電された電圧が重畳されて表面層26と透明電極2
2との間に発生する。
を介してLEDアレイヘッド3からの光が発電層24に
照射されると、実施例−1の場合と同様に各発電層24
て発電された電圧が重畳されて表面層26と透明電極2
2との間に発生する。
ここで第5図に示した本発明感光体の製造方法について
説明しておく。透光性基板21を反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を正起せしめ
ることにより、透明電極22、各発電層23.24.2
5が順次積層されるが、それぞれの各層の組成は異なる
ので、積層順に反応ガスが各層の成長時に切り替えられ
る。第3表に各層とその層を成長させる時の反応ガスの
組成を示す。
説明しておく。透光性基板21を反応室に入れ、その反
応室に適宜反応ガスを満たしてグロー放電を正起せしめ
ることにより、透明電極22、各発電層23.24.2
5が順次積層されるが、それぞれの各層の組成は異なる
ので、積層順に反応ガスが各層の成長時に切り替えられ
る。第3表に各層とその層を成長させる時の反応ガスの
組成を示す。
また、実施例−2における工型層の膜厚は実施例−1に
おける膜厚と同じ膜厚に構成した。
おける膜厚と同じ膜厚に構成した。
尚、反応ガスにはキャリアガスとしてH2が含まれてい
る。
る。
このように形成された感光体を用いた電子写真装置は実
施例−1と同様に構成される。
施例−1と同様に構成される。
(以下、余白)
第3表
[実施例−3]
実施例−1の感光体においては、■型層13−Iに濃度
分布を設け、実施例−2の感光体においては、絶縁層2
3に濃度分布を設けるように構成した。この実施例−3
においては、■型層及び絶縁層の双方共に濃度分布を設
けた。
分布を設け、実施例−2の感光体においては、絶縁層2
3に濃度分布を設けるように構成した。この実施例−3
においては、■型層及び絶縁層の双方共に濃度分布を設
けた。
このように、■型層及び絶縁層の双方に濃度分布を設け
ることにより、絶縁層と工型層からなる発電層の一層の
発電量が増加する。従って、第4表に示すように、積層
する発電層の数を5層に減少せしめても、実施例−1及
び2と同等の発電量が得られた。
ることにより、絶縁層と工型層からなる発電層の一層の
発電量が増加する。従って、第4表に示すように、積層
する発電層の数を5層に減少せしめても、実施例−1及
び2と同等の発電量が得られた。
(以下、余白)
第4表
尚、上述した実施例においては、■型層として非晶質シ
リコンを用いたが、これに限られず非晶質炭化シリコン
、非晶質シリコン・ゲルマニウムなども用いることがで
きる。
リコンを用いたが、これに限られず非晶質炭化シリコン
、非晶質シリコン・ゲルマニウムなども用いることがで
きる。
(ト)発明の詳細
な説明したように、本発明は絶縁層と非晶質半導体層に
て発電層を形成することができるので、表面電位をその
感光体に即射される光によって直接発生することが可能
な感光体を簡単な薄膜構成で形成することができる。
て発電層を形成することができるので、表面電位をその
感光体に即射される光によって直接発生することが可能
な感光体を簡単な薄膜構成で形成することができる。
更に、絶縁層を高抵抗化することができるので、高解像
度の感光体を得ることができる。
度の感光体を得ることができる。
第1図は本発明画像記録装置の構成を示す模式図、第2
図は本発明感光体の部分断面図、第3図はI型層の不純
物濃度と光起電力との関係を示す特性図、第4図は第2
図に示した感光体のエネルギーバンドギャップ図、第5
図は本発明感光体の他の実施例の部分断面図、第6図は
絶縁層の不純物濃度と光起電力との関係を示す特性図、
第7図は同しく第5図図示の実施例の感光体のエネルギ
ーバンド図、第8図は従来の画像記録装置の構成を示す
模式図である。 l・・・感光体、2・・磁気ブラシ、 3・・・LEDアレイヘッド、4・・・転写ローラ、5
・・・記録紙、11.21− 透光性基板、12.22
・・・透明電極、13.24・・・発電層、13−1.
23−I・・・I型層、 13−2.23・・・絶縁層
16.26・・ 表面層。 第 図 第 2 図 第 図 第 図 第 図 第 図 N濃度 第 図
図は本発明感光体の部分断面図、第3図はI型層の不純
物濃度と光起電力との関係を示す特性図、第4図は第2
図に示した感光体のエネルギーバンドギャップ図、第5
図は本発明感光体の他の実施例の部分断面図、第6図は
絶縁層の不純物濃度と光起電力との関係を示す特性図、
第7図は同しく第5図図示の実施例の感光体のエネルギ
ーバンド図、第8図は従来の画像記録装置の構成を示す
模式図である。 l・・・感光体、2・・磁気ブラシ、 3・・・LEDアレイヘッド、4・・・転写ローラ、5
・・・記録紙、11.21− 透光性基板、12.22
・・・透明電極、13.24・・・発電層、13−1.
23−I・・・I型層、 13−2.23・・・絶縁層
16.26・・ 表面層。 第 図 第 2 図 第 図 第 図 第 図 第 図 N濃度 第 図
Claims (3)
- (1)透光性基板表面に絶縁層と膜厚方向に不純物濃度
の分布が設けられた非晶質半導体層を積み重ねた発電層
を多段形成すると共に、前記透光性基板の裏面から該透
光性基板を介して発電層に光を照射することによって、
前記各段の発電層での起電圧を重畳した電圧を前記発電
層の最表面に出現せしめ、その電圧によって該最上層表
面に静電潜像を形成せしめることを特徴とした感光体。 - (2)透光性基板表面に膜厚方向に構成元素濃度の分布
が設けられた絶縁層と真性非晶質半導体層を積み重ねた
発電層を多段形成すると共に、前記透光性基板の裏面か
ら該透光性基板を介して発電層に光を照射することによ
って、前記各段の発電層での起電圧を重畳した電圧を前
記発電層の最表面に出現せしめ、その電圧によって該最
上層表面に静電潜像を形成せしめることを特徴とした感
光体。 - (3)絶縁層が膜厚方向に構成元素濃度の分布を有する
ことを特徴とする請求項第1に記載の感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2075990A JPH03223870A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2075990A JPH03223870A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03223870A true JPH03223870A (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=12036120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2075990A Pending JPH03223870A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03223870A (ja) |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2075990A patent/JPH03223870A/ja active Pending
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