JPH03285385A - セラミック電子回路基板の製造方法 - Google Patents

セラミック電子回路基板の製造方法

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JPH03285385A
JPH03285385A JP8725390A JP8725390A JPH03285385A JP H03285385 A JPH03285385 A JP H03285385A JP 8725390 A JP8725390 A JP 8725390A JP 8725390 A JP8725390 A JP 8725390A JP H03285385 A JPH03285385 A JP H03285385A
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JP
Japan
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electronic circuit
circuit board
ceramic electronic
copper
acid
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Pending
Application number
JP8725390A
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English (en)
Inventor
Junzo Fukuda
福田 順三
Shinji Yoshikawa
吉川 伸治
Kuniharu Noda
野田 邦治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Narumi China Corp
Original Assignee
Narumi China Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野: この発明は、セラミンク基板を用いた電子回路に係り、
特に銅ペーストを用いた厚膜回路を形成するセラミック
電子回路の製造方法に関する。
[従来の技術] 近時、セラミック厚膜回路を形成する導体ペーストとし
て、Au、 A4−Pd 、Ag−PC等の貴金属系ペ
ースト、または、Cu等の卑金属系ペーストがある。
前者は、焼成条件が空気雰囲気中で行うことができると
いう製造上の利点があるが、貴金属であり、高価である
という難点がある。一方、後者は材料費は安価であるう
え、耐マイグレーショ性、耐半田性、および導通抵抗の
低さ等の特性に優れている。
1発明が解決しようとする課題] しかし、銅は酸化し易く、焼成工程でペースト中の有機
成分を完全に消失させると、銅の一部が酸化し、半田濡
れ性を劣化させる銅酸化物が生成するという課題があっ
た。しかし、銅酸化物を生成させない焼成条件で行う場
合は、有機成分の不完全燃焼物が残留する、銅の焼結を
抑制する。接着強度が劣化する等の副作用があった。
本発明は上述の課題を解決するために銅導体表面に生成
したlid化物を還元して、半田濡れ性を改善したセラ
ミ・ツク電子回路基板の製造方法の提供を目的とする。
1課頭を解決するための手段] 上述の課題を解決するため、本発明はセラミック電子回
路基板の銅導体中に生成した銅酸化物をヒドラジン、抱
水ヒドラジン、ギ酸、アルコルビン酸、シュウ酸の1種
または2種以上の水溶液で還元処理することを特徴とす
るセラミック電子回路基板の製造方法である。
[実施例コ 以下本発明の作用・効果を実施例で説明する。
使用したセラミック基板は、常法で作製した96%アル
ミナ基板(以下Aとする)、およびCab−3iO□−
A1□O,−B20系ガラスとアルミナより成る低温焼
成基板(以下りとする)である。
銅ペーストは、銅粉、Pd0−5iO□−B203系ガ
ラス、エチルセルロース等の有機物からなる。
セラミック基板上に銅ペーストでスクリーン印刷して回
路を形成し、乾燥後、厚膜焼成ベルト炉を用いて500
℃までは30PP)4の02を含むN2雰囲気で、50
0℃〜900℃はN2雰囲気で焼成を行った。
こうして得たセラミック電子回路基板を第1表に示す条
件で還元処理して、次いで蒸留水にて水洗を行った後、
乾燥して、半田濡れ性および引張強度の測定しな。その
結果を第1表に示した。
半田濡れ性は、230℃に加熱した60Sn−40Pd
半田中に5秒間浸漬の後、導体上を半田が覆った面積を
測定した6 引張強度は211mの導体パターン上に、0,6龍径の
銅線を半田付けして、90°ビール法にて測定した。
第1表 *2は比較例 以上のように、半田濡れ性は試験M1〜5の全ての実施
例は、95%以上と非常に良いものであった。しかし、
未処理の試験隘6の比較例は、半田濡れ性が60%と悪
かった。また、接着強度は、試験N[L1〜5の全ての
実施例は2.5Kg/211110以上と優れた値であ
った。
なお、セラミック電子回路基板は、内部にWやAg、A
g/Pd等の内層導体を備えたものであっても、本発明
の効果は同様である。
[発明の効果] 本発明は、焼成時に酸化銅の生成があっても、以上の説
明の還元側により還元することにより、半田濡れ性の良
い銅導体をセラミック回路基板上に備えることができ、
表面の銅導体であるセラミック電子回路基板を工業的に
容易に製造できる効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)セラミック電子回路基板の銅導体中に生成した銅
    酸化物をヒドラジン、抱水ヒドラジン、ギ酸、アルコル
    ビン酸、シュウ酸の1種または2種以上の水溶液で還元
    処理することを特徴とするセラミック電子回路基板の製
    造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04302194A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Murata Mfg Co Ltd 厚膜導体の表面処理方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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