JPH03282653A - メモリ装置の疑似障害発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ装置の擬似障害発生装置に関し、特にメ
モリ装置の制御装置の評価を補助するメモリ装置の擬似
障害発生装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のメモリ制御装置の評価を補助する擬似障害発生装
置としては、メモリ制御装置の上位装置すなわちチャネ
ル装置の動作をシミュシー１〜し、メモリ制御装置の各
種機能の試験を容易に行うことを可能とするＴ／○シミ
ュレータかあった。

〔発明か解決しようとする課題〕

メモリ装置に限らす、新規に開発した装置の評価を行う
場合、正常動作あるいは通常動作の評価に比しで、異常
動作の評価はより困難となる場合か多い。

その理由の１つとしで、異常動作を評価する為の環境設
定が困難であるということが挙けられるか、この点に関
しては上述した従来の評価補助装置であるＩ１０シミュ
レータを用いた場合においても同様で、正常動作や通常
動作の評価は容易に行えても、例えば磁気テープ装置の
異常な振舞すなわち故障時等に発生ずる可能性はあって
も通常あってはならないような動作に対してのメモリ制
御装置の応答機能の評価が充分に行い難いという欠点が
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のメモリ装置の擬似障害発生装置は、メモリ制御
装置とメモリ装置との間に位置し外部からのコマンドを
受信する手段と、前記コマンドをデコートしデコード結
果を出力するデコート手段と、前記デコート手段の出力
により制御され擬似インタフェース信号を発生させる手
段と、前記擬似インタフェース信号と前記メモリ装置か
ら出力されるインタフェース信号のうち前記擬似インタ
フェース信号に対応するインタフェース信号とのいずれ
か一方を選択して前記メモリ制御装置に出力するセレク
タ回路と、前記セレクタ回路の出力を前記メモリ装置か
ら出力される本来のインタフェース信号の代替信号とし
て前記メモリ制御装置へ伝達する手段とを有し、前記イ
ンタフェース信号を外部からの前記コマンドの指示によ
り任意の状態へと変化させて前記メモリ制御装置に対し
て出力して構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例の構成を示すブロック図で
ある。］Ｏはメモリ制御装置、２０はメモリ装置、１０
１はメモリ制御装置からメモリ装置間の、また２０１，
２０２はメモリ装置からメモリ制御装置間のインタフェ
ース信号線である。

３０は本発明によるメモリ装置の擬似障害発生装置であ
り、第１−図に示すことくメモリ装置からメモリ制御装
置間インタフェース信号線の中間に位置し、その内部に
コマンドフェッチ回路３］、コマンドデコード回路３２
．インタフェース信号発生回路３３．セレクタ回路３４
．インタフェース信号入力回路３５．インタフェース信
号出力回路３６をもつ。

次にその動作について説明する。コマンドフェッチ回路
３１は、図示されない外部のコマンド入力手段によりコ
マンド入力バス３０］を介して入力されるコマンドを受
信すると、これをコマンドハス３０２を介してコマンド
デコート回路３２に出力する。コマンドデコート回路３
２は与えられたコマンドをデコートし、制御信号３０３
．３０４を出力する。インタフェース信号発生回路３３
は、制御信号３０３による指示により任意のインタフェ
ース信号の任意の状態を発生する。セレクタ回路３４は
、インタフェース信号発生回Ｆｌ＠３３の出力信号３０
５とインタフェース信号入力回路の出力信号３０６のう
ちの一方を制御信号３０４の指示により選択しセレクタ
出力信号３０７により、インタフェース信号出力回路３
６に出力する。

以上のような動作によりメモリ装置からメモリ制御装置
間のインタフェース信号の一部の信号に操作を加え、磁
気テープ装置の異常動作を擬似的に再現させることを可
能とする。

なお、ここでメモリ装置２０の具体的な例について記し
ておく、すなわち、磁気テープや磁気ディスクのような
メモリや、ＣＣＤ又は磁気バブルを記憶素子とした電子
ディスクのようなメモリ装置がある。

また、擬似障害発生装置３０を使用しないときにのみ（
または取外しなときに）インクフェース信号線２０１２
０２を短絡するためにインタフェース信号伝達信号線３
０８か使用される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、インタフェース信号の一
部を外部からのコマンド指示により操作することで、磁
気テープ制御装置に対して磁気テープ装置の任意の障害
等の状態を擬似的に再現させることを可能とし、磁気テ
ープ制御装置の評価、特に磁気テープ装置の故障等によ
る異常動作に対する磁気テープ制御装置の応答動作に関
する評価を容易にかつ効果的に行うことか可能となると
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図。 ］０・・・メモリ制御装置、２０・・・メモリ装置、３
０・擬似障害発生装置、３トコマントフ工ツチ回路、３
２　・コラン１ヘテコー８回路、３３　インタフェース
信号発生回路、３４・セレクタ回路、３５・・インタフ
ェース信号入力回路、３６・インタフェース信号出力回
路、］、　０１　、２０　］２０２・・インタフェース
信号線、３０１・・コマンド入力ハス、３０２・・コマ
ンドハス、３０３・・インタフェース信号発生回路制御
信号、３０４・・セレクタ回路制御信号、３０５，３０
６・・セレクタ回路入力信号、３０７・・・セレクタ回
路出力信号、３０８・・・インタフェース信号伝達信号
線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、メモリ制御装置とメモリ装置との間に位置し外部か
   らのコマンドを受信する手段と、前記コマンドをデコー
   ドしデコード結果を出力するデコード手段と、前記デコ
   ード手段の出力により制御され擬似インタフェース信号
   を発生させる手段と、前記擬似インタフェース信号と前
   記メモリ装置から出力されるインタフェース信号のうち
   前記擬似インタフェース信号に対応するインタフェース
   信号とのいずれか一方を選択して前記メモリ制御装置に
   出力するセレクタ回路と、前記セレクタ回路の出力を前
   記メモリ装置から出力される本来のインタフェース信号
   の代替信号として前記メモリ制御装置へ伝達する手段と
   を有し、前記インタフェース信号を外部からの前記コマ
   ンドの指示により任意の状態へと変化させて前記メモリ
   制御装置に対して出力して成ることを特徴とするメモリ
   装置の擬似障害発生装置。 ２、前記メモリ装置は磁気テープ装置で、前記メモリ制
   御装置は磁気テープ制御装置で構成されて成ることを特
   徴とする請求項１記載のメモリ装置の擬似障害発生装置
   。 ３、前記メモリ装置は磁気ディスク装置で、前記メモリ
   制御装置は磁気ディスク制御装置で構成されて成ること
   を特徴とする請求項１記載のメモリ装置の擬似障害発生
   装置。 ４、前記メモリ装置は電子ディスク装置で、前記メモリ
   制御装置は電子ディスク制御装置で構成されて成ること
   を特徴とする請求項１記載のメモリ装置の擬似障害発生
   装置。