JPH03276744A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03276744A JPH03276744A JP7809390A JP7809390A JPH03276744A JP H03276744 A JPH03276744 A JP H03276744A JP 7809390 A JP7809390 A JP 7809390A JP 7809390 A JP7809390 A JP 7809390A JP H03276744 A JPH03276744 A JP H03276744A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に低融点合
金にて半導体組立ケースとキャップとを接着し、気密封
止する封止方法に関する。
金にて半導体組立ケースとキャップとを接着し、気密封
止する封止方法に関する。
従来、この種の半導体装置の封止は、半導体組立用ケー
スとキャップの間にそのどちらか一方あるいは両方にプ
リフォームされたＡｕ−８ｎ合金等の低融点合金、また
は低融点ガラスを挟んで位置決めし、クリップあるいは
おもり等によっである一定の荷重を加えながら連続式封
止炉、またはオーブン等で４０分から６０分間程度半導
体装置全体を直接加熱することにより、低融点合金を溶
融させて接着させるような方法を採っていた。
スとキャップの間にそのどちらか一方あるいは両方にプ
リフォームされたＡｕ−８ｎ合金等の低融点合金、また
は低融点ガラスを挟んで位置決めし、クリップあるいは
おもり等によっである一定の荷重を加えながら連続式封
止炉、またはオーブン等で４０分から６０分間程度半導
体装置全体を直接加熱することにより、低融点合金を溶
融させて接着させるような方法を採っていた。
上述した従来の封止方法は、ヒーターを用いた加熱装置
により直接半導体装置全体を加熱する。
により直接半導体装置全体を加熱する。
この場合、通常、低融点合金には融点２８０℃程度のＡ
ｕ−８ｎ合金を用いて３３０℃前後の温度で一定時間加
熱するため、半導体集積回路素子（以下チップと称す）
のＡ、ＩＩ電極パッドとＡｕワイヤーとの接合点におい
てＡρ−Ａｕ金属間化合物が生成され、抵抗異常及びボ
ンディング強度異常をきたす。したがって、半導体装置
をこういつた高温に長時間さらず封止方法を選択する場
合においては、Ａ ｕワイヤーを用いたボンディングが
不可能となるためＡ、＆ワイヤーを用いてボンディング
を行っていた。しかし、Ａ、＆ワイヤーポンターは、Ａ
ｕワイヤーホンターに比べてホンデインダスピードが半
分程度と遅いためＡρ線ホンディングは半導体装置の組
立コスト及び生産性の点においてＡｕ線ホンディングに
より不利であった。
ｕ−８ｎ合金を用いて３３０℃前後の温度で一定時間加
熱するため、半導体集積回路素子（以下チップと称す）
のＡ、ＩＩ電極パッドとＡｕワイヤーとの接合点におい
てＡρ−Ａｕ金属間化合物が生成され、抵抗異常及びボ
ンディング強度異常をきたす。したがって、半導体装置
をこういつた高温に長時間さらず封止方法を選択する場
合においては、Ａ ｕワイヤーを用いたボンディングが
不可能となるためＡ、＆ワイヤーを用いてボンディング
を行っていた。しかし、Ａ、＆ワイヤーポンターは、Ａ
ｕワイヤーホンターに比べてホンデインダスピードが半
分程度と遅いためＡρ線ホンディングは半導体装置の組
立コスト及び生産性の点においてＡｕ線ホンディングに
より不利であった。
本発明は、半導体装置組立ケースのキャビティ部に半導
体集積回路素子を載置固着し、ワイヤーボンディングに
よって半導体集積回路素子の電極パッドと組立ケースの
インナーリードとを結線した後、キャップを低融点合金
にによって組立ケースに固着し、キャビティ部を気密封
止する半導体装置の製造方法において、低融点合金の溶
融をレーザーを用いて行うことを特徴とする。
体集積回路素子を載置固着し、ワイヤーボンディングに
よって半導体集積回路素子の電極パッドと組立ケースの
インナーリードとを結線した後、キャップを低融点合金
にによって組立ケースに固着し、キャビティ部を気密封
止する半導体装置の製造方法において、低融点合金の溶
融をレーザーを用いて行うことを特徴とする。
この時、レーザー出力は数十ワット程度とし組立ケース
及びキャップのレーザー照射部分に変形が生じないこと
と、レーザー照射位置の温度が３５０℃〜４００℃位に
なるように選択する。
及びキャップのレーザー照射部分に変形が生じないこと
と、レーザー照射位置の温度が３５０℃〜４００℃位に
なるように選択する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の第１の実施例の縦断面図である。本実施例
は、セラミックピンクリッドアレー（以下ＰＧＡと称す
）に関するもので、ＡｕＳｎプリフォーム３を施した金
属キャップ２とセラミックの組立ケース１とを位置決め
し、図示しないクリップ等によりある一定荷重を加え挾
持する。次に、レーザービーム７をキャップ２のＡｕ−
３ｎプリフオ一ム部に相当する部分の上面に照射するこ
とにより３５０℃〜４００℃となるように加熱する。そ
うした場合、キャップ２はコバール（Ｋｖ）等の鉄系合
金のため変形はせずＡｕ−３ｎプリフオームだけが溶融
し、組立ケース１とキャップ２とが接着される。これを
キャップ２の全周にわたり行うことによりキャビティ部
８を気密封止することができる。但し、３５０°Ｃ〜４
００℃はレーザー照射位置のみの温度であり、キャビテ
ィ部８．チップ４及びワイヤー５に関しては、いづれも
２００℃以下である。
は、本発明の第１の実施例の縦断面図である。本実施例
は、セラミックピンクリッドアレー（以下ＰＧＡと称す
）に関するもので、ＡｕＳｎプリフォーム３を施した金
属キャップ２とセラミックの組立ケース１とを位置決め
し、図示しないクリップ等によりある一定荷重を加え挾
持する。次に、レーザービーム７をキャップ２のＡｕ−
３ｎプリフオ一ム部に相当する部分の上面に照射するこ
とにより３５０℃〜４００℃となるように加熱する。そ
うした場合、キャップ２はコバール（Ｋｖ）等の鉄系合
金のため変形はせずＡｕ−３ｎプリフオームだけが溶融
し、組立ケース１とキャップ２とが接着される。これを
キャップ２の全周にわたり行うことによりキャビティ部
８を気密封止することができる。但し、３５０°Ｃ〜４
００℃はレーザー照射位置のみの温度であり、キャビテ
ィ部８．チップ４及びワイヤー５に関しては、いづれも
２００℃以下である。
なお、キャップ２に関しては、鉄系合金の場合について
述べたが材質はそれに限るものではなく例えばセラミッ
ク等であっても良い。また、接着するための低融点合金
に関しても、例えば低融点ガラス等であってもさしつか
えない。
述べたが材質はそれに限るものではなく例えばセラミッ
ク等であっても良い。また、接着するための低融点合金
に関しても、例えば低融点ガラス等であってもさしつか
えない。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。本実
施例では、Ａｕ−３ｎプリフオーム３をＰＧＡの組立ケ
ース１の凹部側面及び底面に施している。そして、その
四部にキャップ２を収納した状態で図示しない挟持手段
により一定荷重を加える。次にレーザービーム７はＡｕ
−３ｎプリフオ一ム３２組立ケース１及びキャップ２の
全てにかかる位置に照射するが、第１の実施例と同様に
加熱温度を３５０℃〜４００°ＣにすることによりＡｕ
−３ｎプリフオームのみ溶融し、組立ケース１とキャッ
プ２とが接着される。したがって、キャップ２の全周に
わたりレーサー照射を行うことによりキャビティ８の気
密封止が得らえる。但し、チップ４．ワイヤー５及びキ
ャビティ８に関しても第１の実施例と同様に２００℃以
下である。
施例では、Ａｕ−３ｎプリフオーム３をＰＧＡの組立ケ
ース１の凹部側面及び底面に施している。そして、その
四部にキャップ２を収納した状態で図示しない挟持手段
により一定荷重を加える。次にレーザービーム７はＡｕ
−３ｎプリフオ一ム３２組立ケース１及びキャップ２の
全てにかかる位置に照射するが、第１の実施例と同様に
加熱温度を３５０℃〜４００°ＣにすることによりＡｕ
−３ｎプリフオームのみ溶融し、組立ケース１とキャッ
プ２とが接着される。したがって、キャップ２の全周に
わたりレーサー照射を行うことによりキャビティ８の気
密封止が得らえる。但し、チップ４．ワイヤー５及びキ
ャビティ８に関しても第１の実施例と同様に２００℃以
下である。
この実施例では、直接Ａ ｕ −Ｓ ｎプリフォームに
レーザー照射するため、より確実な溶融が可能となり気
密性を主とする信頼性向上が図られる。
レーザー照射するため、より確実な溶融が可能となり気
密性を主とする信頼性向上が図られる。
以上説明したように、本発明は半導体装置の組立ケース
とキャップとの接着媒体となる低融点合金の溶融に際し
、レーザー照射による部分加熱を行うことにより、今ま
でＡρワイヤーボンディングでしか組立てできなかった
ものについてもＡｕワイヤーボンディングへの変更が可
能となる。つまりは、大幅な生産性向上及び費用低減等
によるコストダウン、更には納期短縮等の複合的効果が
ある。
とキャップとの接着媒体となる低融点合金の溶融に際し
、レーザー照射による部分加熱を行うことにより、今ま
でＡρワイヤーボンディングでしか組立てできなかった
ものについてもＡｕワイヤーボンディングへの変更が可
能となる。つまりは、大幅な生産性向上及び費用低減等
によるコストダウン、更には納期短縮等の複合的効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は、
本発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・組立ケース、２・・・キャップ、３・・・Ａｕ
Ｓｎプリフォーム、４・・・チップ、５・・・ワイヤー
６・・・アウターリード、７・・・レーザービーム、８
・・・キャビティ。
本発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・組立ケース、２・・・キャップ、３・・・Ａｕ
Ｓｎプリフォーム、４・・・チップ、５・・・ワイヤー
６・・・アウターリード、７・・・レーザービーム、８
・・・キャビティ。
Claims (1)
- 半導体装置組立ケースのキャビティ部に半導体集積回
路素子を載置固着し、ワイヤーボンディングによって半
導体集積回路素子の電極パッドと組立ケースのインナー
リードとを結線した後、キャップを低融点合金によって
組立ケースに固着し、キャビティ部を気密封止する半導
体装置の製造方法において、低融点合金の溶融をレーザ
ーを用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7809390A JPH03276744A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7809390A JPH03276744A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276744A true JPH03276744A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13652250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7809390A Pending JPH03276744A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1316698C (zh) * | 2000-12-28 | 2007-05-16 | 松下电器产业株式会社 | 短波长激光模件及其制造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7809390A patent/JPH03276744A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1316698C (zh) * | 2000-12-28 | 2007-05-16 | 松下电器产业株式会社 | 短波长激光模件及其制造方法 |
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