JPH03273627A - アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法 - Google Patents
アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法Info
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- JPH03273627A JPH03273627A JP7378890A JP7378890A JPH03273627A JP H03273627 A JPH03273627 A JP H03273627A JP 7378890 A JP7378890 A JP 7378890A JP 7378890 A JP7378890 A JP 7378890A JP H03273627 A JPH03273627 A JP H03273627A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アルミニウム合金膜のプラズマエッチング装
置置に関する。
置置に関する。
従来の技術
近年、半導体装置の微細化、高集積化を実現するために
、寸法細りゃデバイス損傷のないエツチング特性が要求
されている。このような優れたエツチング特性を実現す
るために、三塩化ほう素（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｉ’２
）、塩化水素（ＨＣｌ）。
、寸法細りゃデバイス損傷のないエツチング特性が要求
されている。このような優れたエツチング特性を実現す
るために、三塩化ほう素（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｉ’２
）、塩化水素（ＨＣｌ）。
三塩化メタン（ＣＨＣｌ ３）、三臭化ほう素（ＢＢｒ
３）、臭素（Ｂｒ２）、臭化水素（ＨＢｒ）などの蒸気
圧が低くて扱いづらいガスを用いたアルミニウム合金膜
のプラズマエッチング装置置が利用されつつある。
３）、臭素（Ｂｒ２）、臭化水素（ＨＢｒ）などの蒸気
圧が低くて扱いづらいガスを用いたアルミニウム合金膜
のプラズマエッチング装置置が利用されつつある。
以下、従来のアルミニウム合金膜のプラズマエッチング
装置置について説明する。
装置置について説明する。
第２図はその構成国であり、１はアルミニウム合金膜を
有する被エツチング基板、２はアース電位のエツチング
室、３は高周波電源と接続された下部電極、４は排気口
、５は圧力計、６はガス導入口、７はインピーダンス整
合器、８は人力波と反射波をモニタリングする電力計、
９は周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源、１０はイン
ピーダンス５０Ωの高周波ケーブル、１１はガスの混合
室、１２はＢＣｔｘのマスフローコントローラ、１３は
Ｃｌ２のマス７０−コントローラ、１４はマスフローコ
ントローラ１２．１３からエツチング室２までの間のガ
ス配管、１５はガスボンベからマス７０−コントローラ
１２．１３までの間のガス配管である。
有する被エツチング基板、２はアース電位のエツチング
室、３は高周波電源と接続された下部電極、４は排気口
、５は圧力計、６はガス導入口、７はインピーダンス整
合器、８は人力波と反射波をモニタリングする電力計、
９は周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源、１０はイン
ピーダンス５０Ωの高周波ケーブル、１１はガスの混合
室、１２はＢＣｔｘのマスフローコントローラ、１３は
Ｃｌ２のマス７０−コントローラ、１４はマスフローコ
ントローラ１２．１３からエツチング室２までの間のガ
ス配管、１５はガスボンベからマス７０−コントローラ
１２．１３までの間のガス配管である。
以上のように構成されたアルミニウム合金膜のエツチン
グ装置について、以下その動作を説明する。
グ装置について、以下その動作を説明する。
予め排気口４から１Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下の圧力に排
気されたエツチング室２に、マスフローコントローラ１
２．１３によって、流量がそれぞれ５０ＳＣＣＭ、３０
ＳＣＣＭｉ：：制御されたＢＣｌ２とＣｌ！がガスの混
合室１１を経て導入される。
気されたエツチング室２に、マスフローコントローラ１
２．１３によって、流量がそれぞれ５０ＳＣＣＭ、３０
ＳＣＣＭｉ：：制御されたＢＣｌ２とＣｌ！がガスの混
合室１１を経て導入される。
圧力計５の測定値が設定値である１００ｍＴｏｒｒに安
定した後に、３００Ｗの高周波電力が高周波電源９から
電力計８．インピーダンス整合器７を経て下部電極３に
供給され、アルミニウム合金膜を有する被エツチング基
板１がエツチングされる。
定した後に、３００Ｗの高周波電力が高周波電源９から
電力計８．インピーダンス整合器７を経て下部電極３に
供給され、アルミニウム合金膜を有する被エツチング基
板１がエツチングされる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような従来のアルミニウム合金膜の
エツチング装置では、ＢＣ７！３の沸点が１２．７℃と
非常に高いために、ガスボンベがらマスフローコントロ
ーラ１２までの間のガス配管１５内でＢＣｌｓｅ 液
化しやすいので、マスフローコントローラ１２の設定値
通りのガス流量が得られないという課題があった。この
ため装置の使用を開始する場合に、ＢＣｌｚの流量が設
定値に落ち着くまでに１〜２時間もＢＣｌ２を流し続け
なければならなかったり、エツチング処理をしているう
ちに、ＢＣｌ２の流量が設定値からはずれたりする場合
があった。またマスフローコントローラ１２以降のガス
配管１４内でＢＣｌ２の液化が発生した場合には流量を
チエツクする方法がない。
エツチング装置では、ＢＣ７！３の沸点が１２．７℃と
非常に高いために、ガスボンベがらマスフローコントロ
ーラ１２までの間のガス配管１５内でＢＣｌｓｅ 液
化しやすいので、マスフローコントローラ１２の設定値
通りのガス流量が得られないという課題があった。この
ため装置の使用を開始する場合に、ＢＣｌｚの流量が設
定値に落ち着くまでに１〜２時間もＢＣｌ２を流し続け
なければならなかったり、エツチング処理をしているう
ちに、ＢＣｌ２の流量が設定値からはずれたりする場合
があった。またマスフローコントローラ１２以降のガス
配管１４内でＢＣｌ２の液化が発生した場合には流量を
チエツクする方法がない。
本発明はこのような従来の課題を解決するもので、半導
体装置のアルミニウム合金膜をエツチングする際に、安
定なエツチング工程を実現する。
体装置のアルミニウム合金膜をエツチングする際に、安
定なエツチング工程を実現する。
プラズマエッチング装置置の提供を目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のアルミニウム合金膜
のエツチング装置は、エツチング処理前、およびエツチ
ング処理中のガスの定量分析を行う質量分析器を備え、
この質量分析器からの信号によって、エツチング室内に
導入する反応ガスの流量の制御を行う制御器を備えてい
る。
のエツチング装置は、エツチング処理前、およびエツチ
ング処理中のガスの定量分析を行う質量分析器を備え、
この質量分析器からの信号によって、エツチング室内に
導入する反応ガスの流量の制御を行う制御器を備えてい
る。
作用
この構成によって、実際にエツチング室に存在する反応
ガスの量を測定してガス配管内におけるガスの液化にか
かわらず反応ガスの流量の制御を行うことができること
になる。
ガスの量を測定してガス配管内におけるガスの液化にか
かわらず反応ガスの流量の制御を行うことができること
になる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例におけるアルミニウム合金膜
のプラズマエッチング装置置の構成図を示すものである
。第１図において１６はオリフィス１８を有する四重種
型質量分析器でエツチング室２に直結しである。１７は
差動排気用の排気口である。１９は四重種型質量分析器
１６からの信号によってＢＣｌ２のマスフローコントロ
ーラ１２とＣｌ２のマスフローコントローラ１４を制御
する制御器である。他の構成は従来例と同じである。
のプラズマエッチング装置置の構成図を示すものである
。第１図において１６はオリフィス１８を有する四重種
型質量分析器でエツチング室２に直結しである。１７は
差動排気用の排気口である。１９は四重種型質量分析器
１６からの信号によってＢＣｌ２のマスフローコントロ
ーラ１２とＣｌ２のマスフローコントローラ１４を制御
する制御器である。他の構成は従来例と同じである。
以上のように構成された本実施例のアルミニウム合金膜
のエツチング装置について、以下その動作を説明する。
のエツチング装置について、以下その動作を説明する。
まず、予め排気口４から１Ｘ１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下の圧
力に排気されたエツチング室２に、マスフローコントロ
ーラ１２．１３によって、流量がそれぞれ５０ＳＣＣＭ
、３０ＳＣＣＭに制御されたＢＣｌ２とＣｌ２がガスの
混合室１１を経て導入される。圧力計５の測定値が設定
値であるＬｏｏｍＴｏｒｒに安定した後に、四重極型質
量分析器１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ（１８ａ
ｍｕ）。
力に排気されたエツチング室２に、マスフローコントロ
ーラ１２．１３によって、流量がそれぞれ５０ＳＣＣＭ
、３０ＳＣＣＭに制御されたＢＣｌ２とＣｌ２がガスの
混合室１１を経て導入される。圧力計５の測定値が設定
値であるＬｏｏｍＴｏｒｒに安定した後に、四重極型質
量分析器１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ（１８ａ
ｍｕ）。
”Ｃｌ ”（３５ａｍｕ）、Ｂ”Ｃｌ ２”（８０ａｍ
ｕ）のピーク強度を測定する。ここでＨ２０＋のピーク
強度を測定する理由は、エツチング室２内には通常、ス
パッタ装置などの高真空装置に比べて、かなり多くの残
留Ｈ２０が含まれており、２Ｈ２０＋Ｃｌ２−２ＨＣｌ
＋０２ ２ＢＣｌ ｓ＋３Ｈ２０−Ｂ２０３＋６ＨＣｌＢＣｌ
３＋Ｂ２Ｏ３→（ＢＯＣｉ！ ）ｓなどの反応によりＢ
Ｃｌ３やＣｌ２の濃度が影響を受けるのでＨ２Ｏが無視
できないためである。またＣｌ中のピーク強度を測定す
る理由は、Ｃｌ２＋よりもＣｌ中のほうがピーク強度が
大きいためである。さらにＢＣｌ２＋のピーク強度を測
定する理由は、Ｂ Ｃｌ ３”＊ Ｂ Ｃｌ ２＋、Ｂ
Ｃｌ＋など（７）ＢＣｉ！３の７ラグメント（四重種
型質量分析器１６でのエレクトロンシャワーによる分解
物）のうちでＢＣｌ２＋のピーク強度が最も大きいため
である。
ｕ）のピーク強度を測定する。ここでＨ２０＋のピーク
強度を測定する理由は、エツチング室２内には通常、ス
パッタ装置などの高真空装置に比べて、かなり多くの残
留Ｈ２０が含まれており、２Ｈ２０＋Ｃｌ２−２ＨＣｌ
＋０２ ２ＢＣｌ ｓ＋３Ｈ２０−Ｂ２０３＋６ＨＣｌＢＣｌ
３＋Ｂ２Ｏ３→（ＢＯＣｉ！ ）ｓなどの反応によりＢ
Ｃｌ３やＣｌ２の濃度が影響を受けるのでＨ２Ｏが無視
できないためである。またＣｌ中のピーク強度を測定す
る理由は、Ｃｌ２＋よりもＣｌ中のほうがピーク強度が
大きいためである。さらにＢＣｌ２＋のピーク強度を測
定する理由は、Ｂ Ｃｌ ３”＊ Ｂ Ｃｌ ２＋、Ｂ
Ｃｌ＋など（７）ＢＣｉ！３の７ラグメント（四重種
型質量分析器１６でのエレクトロンシャワーによる分解
物）のうちでＢＣｌ２＋のピーク強度が最も大きいため
である。
なおここではＣｌ中の同位体のうちで３５（：ｅ 数
かの数が最も多いので３ＳＣｇ ＋、 Ｂ５５Ｃｌ ２
”（７） ヒ−り強度を測定しているが、もしフラグメ
ントが３５ａｍｕまたは８０ ａ ｍ ｕをもつ添加ガ
スを使用する場合には、３ＳＣｌＯ：）かわりに３６Ｃ
ｌや３７（ｅを測定すれば良い。もしＨ３Ｏ＋のピーク
強度が１Ｘ１０−７Ａを超えている場合には、エツチン
グを中止する。またもしＨ３Ｏ＋のピーク強度が１×１
Ｏ−７Ａ以内であるにもかかわらず、ＢＣｌ２＋のピー
ク強度が３Ｘ１０−８Ａから３Ｘ１０−９Ａ以上はずれ
ている場合には、ＢＣｌ３の液化により設定値（５０８
ＣＣＭ）通りの流量が流れていないと判断できるので、
ＢＣｌ２＋のピーク強度が３×１Ｏ−８Ａになるように
マスフローコントローラ１２の変換係数の変更を行う。
かの数が最も多いので３ＳＣｇ ＋、 Ｂ５５Ｃｌ ２
”（７） ヒ−り強度を測定しているが、もしフラグメ
ントが３５ａｍｕまたは８０ ａ ｍ ｕをもつ添加ガ
スを使用する場合には、３ＳＣｌＯ：）かわりに３６Ｃ
ｌや３７（ｅを測定すれば良い。もしＨ３Ｏ＋のピーク
強度が１Ｘ１０−７Ａを超えている場合には、エツチン
グを中止する。またもしＨ３Ｏ＋のピーク強度が１×１
Ｏ−７Ａ以内であるにもかかわらず、ＢＣｌ２＋のピー
ク強度が３Ｘ１０−８Ａから３Ｘ１０−９Ａ以上はずれ
ている場合には、ＢＣｌ３の液化により設定値（５０８
ＣＣＭ）通りの流量が流れていないと判断できるので、
ＢＣｌ２＋のピーク強度が３×１Ｏ−８Ａになるように
マスフローコントローラ１２の変換係数の変更を行う。
さらにもしＨ２Ｏ”およびＢＣｌ２＋のピーク強度が規
定値以内であるにもかかわらず、Ｃｌ中のピーク強度が
５×１Ｏ−７Ａから５Ｘ１０−８Ａ以上はずれている場
合には、Ｃｌ２の液化により設定値（３０８ＣＣＭ）通
りの流量が流れていないと判断できるので、Ｃｌ中のピ
ーク強度が５Ｘ１０−７Ａになるようにマスフローコン
トローラ１３の変換係数の変更を行う。以上の操作によ
りエツチング室２内の８２０ ”（１８Ａｍｕ）、”Ｃ
ｌ ”（３５ａｍｕ）、Ｂ５５Ｃｌ ２”（８０ａ ｍ
ｕ ）のピーク強度が規定値通りであることが確認さ
れれば、高周波電力が高周波電源９から電力計８．イン
ピーダンス整合器７を経て下部電極３に供給され、被エ
ツチング基板１がエツチングされる。エツチング開始後
３０秒経過して放電が安定した時点で、再び四重種型質
量分析器１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ” （１
８Ａｍｕ）。
定値以内であるにもかかわらず、Ｃｌ中のピーク強度が
５×１Ｏ−７Ａから５Ｘ１０−８Ａ以上はずれている場
合には、Ｃｌ２の液化により設定値（３０８ＣＣＭ）通
りの流量が流れていないと判断できるので、Ｃｌ中のピ
ーク強度が５Ｘ１０−７Ａになるようにマスフローコン
トローラ１３の変換係数の変更を行う。以上の操作によ
りエツチング室２内の８２０ ”（１８Ａｍｕ）、”Ｃ
ｌ ”（３５ａｍｕ）、Ｂ５５Ｃｌ ２”（８０ａ ｍ
ｕ ）のピーク強度が規定値通りであることが確認さ
れれば、高周波電力が高周波電源９から電力計８．イン
ピーダンス整合器７を経て下部電極３に供給され、被エ
ツチング基板１がエツチングされる。エツチング開始後
３０秒経過して放電が安定した時点で、再び四重種型質
量分析器１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ” （１
８Ａｍｕ）。
３５Ｃｌ ” （３５ａｍｕ ） 、Ｂ５５Ｃｌ ２”
（８０ａｍｕ＞のピーク強度を測定し、上記の操作を行
う。放電中のＨ２Ｏ”（１８Ａｍｕ）、”Ｃｌ”（３５
ａｍｕ）。
（８０ａｍｕ＞のピーク強度を測定し、上記の操作を行
う。放電中のＨ２Ｏ”（１８Ａｍｕ）、”Ｃｌ”（３５
ａｍｕ）。
Ｂ”Ｃ１！ ２” （８０ａｍｕ ） （７）ｌ：’−
り強ＦｌＯ：）Ｍｌ、定値は放電前の値とは異なる。こ
のことにより、もしエツチング開始後に液化によりガス
流量が変化しても、エツチング異常を回避することがで
きる。
り強ＦｌＯ：）Ｍｌ、定値は放電前の値とは異なる。こ
のことにより、もしエツチング開始後に液化によりガス
流量が変化しても、エツチング異常を回避することがで
きる。
さらに当然のことながら、エツチング室内の圧力および
高周波電力が変化すると、ＨｘＯ”（１８ａ ｍ ｕ
）、”Ｃｇ”（３５ａｍｕ）、Ｂ”Ｇｅｔ”（８０ａｍ
ｕ）のピーク強度も変化するので、四重種型質量分析器
１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ” （１８ａｍｕ
）、 ３５ＣＱ ” （３５ａｍｕ）ｒＢ”Ｃｌ２”（
８０ａｍｕ）のピーク強度ヲ＋１１１ 定する場合には
、予め圧力計５および電力計８の示す、エツチング室２
内の圧力、および高周波電力が設定値通りであることを
確認しなければならない。
高周波電力が変化すると、ＨｘＯ”（１８ａ ｍ ｕ
）、”Ｃｇ”（３５ａｍｕ）、Ｂ”Ｇｅｔ”（８０ａｍ
ｕ）のピーク強度も変化するので、四重種型質量分析器
１６によりエツチング室２内のＨ２Ｏ” （１８ａｍｕ
）、 ３５ＣＱ ” （３５ａｍｕ）ｒＢ”Ｃｌ２”（
８０ａｍｕ）のピーク強度ヲ＋１１１ 定する場合には
、予め圧力計５および電力計８の示す、エツチング室２
内の圧力、および高周波電力が設定値通りであることを
確認しなければならない。
以上のように本実施例によれば、エツチング処理前、ま
たはエツチング処理中のガスの定量分析を行う四重種型
質量分析器１６を備え、この質量分析器１６によるエツ
チング室２内の８２０” （１８Ａｍｕ）。
たはエツチング処理中のガスの定量分析を行う四重種型
質量分析器１６を備え、この質量分析器１６によるエツ
チング室２内の８２０” （１８Ａｍｕ）。
３５Ｃｌ” （３５ａｍｕ）、Ｂ”Ｃｆ！ ２”（８０
ａｍｕ）のピーク強度の測定値が、設定値通りとなるよ
うに、エツチング室２内に導入するＢＣｉ！３とＣｌ２
の流量の制御を行うマスフローコントローラ１２゜１３
の変換係数の変更を行うことにより、実際にエツチング
室２に存在するＢＣｌ３とＣｌ２の量を制御できるので
、ガス配管１４．１５内におけるガスの液化の有無にか
かわらず、エツチング異常を防止できるため、アルミニ
ウム合金膜のエツチング工程の高い安定性を実現するこ
とができる。
ａｍｕ）のピーク強度の測定値が、設定値通りとなるよ
うに、エツチング室２内に導入するＢＣｉ！３とＣｌ２
の流量の制御を行うマスフローコントローラ１２゜１３
の変換係数の変更を行うことにより、実際にエツチング
室２に存在するＢＣｌ３とＣｌ２の量を制御できるので
、ガス配管１４．１５内におけるガスの液化の有無にか
かわらず、エツチング異常を防止できるため、アルミニ
ウム合金膜のエツチング工程の高い安定性を実現するこ
とができる。
発明の効果
本発明は、エツチング処理前またはエツチング処理中の
ガス定量分析を行う質量分析器を備え、この質量分析器
からの信号によって、エツチング室内に導入する反応ガ
スの流量の制御を行う制御器を設けることにより、実際
にエツチング室内に存在する反応ガスの量を測定できる
ので、ガス配管内におけるガスの液化にかかわらず反応
ガスの流量の制御を行うことができるため、アルミニウ
ム合金のエツチング工程の高い安定性を実現することが
できる。
ガス定量分析を行う質量分析器を備え、この質量分析器
からの信号によって、エツチング室内に導入する反応ガ
スの流量の制御を行う制御器を設けることにより、実際
にエツチング室内に存在する反応ガスの量を測定できる
ので、ガス配管内におけるガスの液化にかかわらず反応
ガスの流量の制御を行うことができるため、アルミニウ
ム合金のエツチング工程の高い安定性を実現することが
できる。
第１図は本発明の一実施例におけるアルミニウム合金膜
のプラズマエッチング装置置の構成を示す図、第２図は
従来のアルミニウム合金膜のプラズマエッチング装置置
の構成を示す図である。 １・・・・・・アルミニウム合金膜を有する被エツチン
グ基板、２・・・・・・エツチング室、１６・・・・・
・質量分析器、１９・・・・・・制御器。
のプラズマエッチング装置置の構成を示す図、第２図は
従来のアルミニウム合金膜のプラズマエッチング装置置
の構成を示す図である。 １・・・・・・アルミニウム合金膜を有する被エツチン
グ基板、２・・・・・・エツチング室、１６・・・・・
・質量分析器、１９・・・・・・制御器。
Claims (2)
- （１）反応ガスをエッチング室内に流しながらアルミニ
ウム合金膜をエッチングするプラズマエッチング装置に
おいて、エッチング室に直結して質量分析器を設け、エ
ッチング処理前およびエッチング中に前記エッチング室
内のガスの定量分析を行ない、前記質量分析器からの信
号によってエッチング室内に導入する反応ガスの流量制
御を行なう制御器を設けたことを特徴とするアルミニウ
ム合金膜のプラズマエッチング装置。 - （２）エッチング室内の水（Ｈ＿２Ｏ＾＋、質量数・・
・・・・１８）、塩素（Ｃｌ＾−、質量数・・・・・・
３５）、二塩化ほう素（Ｂ＾３＾５Ｃｌ＿２、質量数・
・・・・・８０）の定量分析を行ない、三塩化ほう素（
ＢＣｌ＿３）および塩素（Ｃｌ＿２）の流量制御を行な
う請求項１記載のアルミニウム合金膜のプラズマエッチ
ング装置。
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| JP2073788A JP2753103B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法 |
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| JP2073788A JP2753103B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH03273627A true JPH03273627A (ja) | 1991-12-04 |
| JP2753103B2 JP2753103B2 (ja) | 1998-05-18 |
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ID=13528280
Family Applications (1)
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| JP2073788A Expired - Lifetime JP2753103B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753103B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2332881A (en) * | 1997-12-30 | 1999-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Plasma etching apparatus cleaning system with gas analyser |
| SG83812A1 (en) * | 1999-08-20 | 2001-10-16 | Applied Komatsu Technology Inc | Aluminium-neodymium etch process with hydrogen iodide |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629328A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
| JPS58111321A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | ドライエツチング法 |
| JPH02244623A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03177587A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-01 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP2073788A patent/JP2753103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| DE19844882B4 (de) * | 1997-12-30 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung zur Plasma-Prozessierung mit In-Situ-Überwachung und In-Situ-Überwachungsverfahren für eine solche Vorrichtung |
| SG83812A1 (en) * | 1999-08-20 | 2001-10-16 | Applied Komatsu Technology Inc | Aluminium-neodymium etch process with hydrogen iodide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2753103B2 (ja) | 1998-05-18 |
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