JPH03273606A - Semiconductor manufacturing system - Google Patents

Semiconductor manufacturing system

Info

Publication number
JPH03273606A
JPH03273606A JP2239315A JP23931590A JPH03273606A JP H03273606 A JPH03273606 A JP H03273606A JP 2239315 A JP2239315 A JP 2239315A JP 23931590 A JP23931590 A JP 23931590A JP H03273606 A JPH03273606 A JP H03273606A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
lock chamber
load
wafers
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2239315A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2646821B2 (en
Inventor
Satoru Hosooka
細岡 悟
Toru Yagi
八木 亨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12473795&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH03273606(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of JPH03273606A publication Critical patent/JPH03273606A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2646821B2 publication Critical patent/JP2646821B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve throughput considerably and to suppress contamination of wafer considerably by arranging a loading wafer stage and an unloading wafer stage in a first load rock chamber at the opposite sides of a line on one plane, connecting between an atmospheric air carrier and a reaction chamber, and perpendicularly thereto. CONSTITUTION:An atmospheric air carrier 9 takes out a wafer prior to processing and mounts the wafer on a loading wafer stage 24a. A first load lock chamber 18 is then evacuated and the telescoping mechanism of a vacuum carrying robot in a load lock chamber 19 is extended in the direction of the loading wafer stage 24a in order to take out the wafer, which is then loaded in a reaction chamber 3 and subjected to thin film processing. Thereafter, the wafer is mounted on an unloading wafer stage 24b in the first load lock chamber 18. The wafer processed by the atmospheric air carrier 9 is then contained in the original shelf of carrier cassette 10 or 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、LSI製造装置に代表される半導体製造装
置に係り、その構成として、複数のウェーハが装填され
た大気中にあるキャリアカセットとロードロック室との
間のウェーハの受渡しを行う大気搬送1i!i直が配置
された大気搬送部と:ウエーハに薄膜加工処理を行う反
応室と:核反応室と前記大気搬送部との間に位置し、送
り込まれたウェーハを次工程への移動まで待機させる。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, typified by LSI manufacturing equipment, and includes a carrier cassette in the atmosphere loaded with a plurality of wafers and a load. Atmospheric transport 1i that transfers wafers to and from the lock chamber! It is located between the atmospheric transport section in which the i-direction is arranged, the reaction chamber for performing thin film processing on wafers, the nuclear reaction chamber, and the atmospheric transport section, and waits the sent wafers until they are moved to the next process. .

前記大気搬送部側にゲートバルブを備えた集1のロード
ロック室と、該第1のロードロック室と反応室との間に
位置し該第1のロードロック室と反応室との間のウェー
ハ受渡しを真空雰囲気中で行う真空ロボットを内蔵する
1反応室側に反応室と結合されるゲートバルブを備えた
第2のロードロック室とをゲートバルブを介して結合し
てなり、反応室へ向かう処理前のウェーハと大気側へ向
かう処理後のウェーハとが通過する往復搬送2重ロード
ロック方式の真空搬送部と;を備えてなる半導体製造装
置に関する。
a first load-lock chamber equipped with a gate valve on the atmospheric transport section side; and a wafer located between the first load-lock chamber and the reaction chamber and between the first load-lock chamber and the reaction chamber. A first reaction chamber containing a vacuum robot that performs delivery in a vacuum atmosphere is connected to a second load-lock chamber equipped with a gate valve connected to the reaction chamber on the side of the reaction chamber via a gate valve, and heads toward the reaction chamber. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a reciprocating conveyance dual load-lock type vacuum transfer section through which unprocessed wafers and processed wafers heading toward the atmosphere pass.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

カセットツウカセント方式の半導体製造装置では、近年
、急速なサブミクロン加工化の進展に伴い、大気中のパ
ーティクルが直接反応室に舞い込まないよう、ロードロ
ック室を、送り込まれたウェーハを次工程への移動まで
待機させる。大気搬送部側にゲートバルブを備えた第1
のロードロツタ室と、ウェーハ受渡しを真空雰囲気中で
行う真空搬送ロボットを内蔵する1反応室側に反応室と
結合されるゲートバルブを備えた第2のロードロック室
とをゲートバルブを介して結合した21iロードロフク
室として形成するとともに、このロードロック室内を、
反応室へ向かう処理前のウェーハと大気側へ向かう処理
後のウェーハとが通過する。往復搬送2重ロードロック
方式の採用が一般化してきた。この往復搬送2重ロード
ロック方式による真空搬送部を備えた半導体製造装置の
従来の構成例を第11図および第12図に示す、この構
成例では、複数のウェーハが装填された大気中のキャリ
アカセット10.11 と第1のロードロック室との間
のウェーハ受渡しを行う、360°旋回可能な回転アー
ム式搬送ロボット9が配置された大気搬送部と:半導体
ウェー八に薄膜加工処理を行う反応室3と;反応室3と
大気搬送部との間に位置し、送り込まれたウェーハを次
工程への移動までウエ−ハスデージ13上で待機させる
。大気搬送部側にゲートバルブ6を備えた第1のロード
ロック室lと、このロードロック室1と反応室3との間
に位置し該両室間のウェーハ受渡しを行う、パンタグラ
フ式伸縮機構をもつ真空搬送ロボット5を内蔵する1反
応室3側に反応室3と結合されるゲートバルブ8を備え
た第2のロードロック室2とがゲートバルブ7を介して
結合されてなる真空搬送部と;により半導体製造装置が
形成されている。
In recent years, in cassette-to-cassent type semiconductor manufacturing equipment, with the rapid progress in submicron processing, load lock chambers have been installed to prevent particles in the atmosphere from directly entering the reaction chamber, allowing wafers sent to the next process to pass through. wait until it moves. The first one is equipped with a gate valve on the atmosphere conveying section side.
The load-lock chamber is connected via a gate valve to a second load-lock chamber, which is equipped with a gate valve connected to the reaction chamber on the first reaction chamber side, which has a built-in vacuum transfer robot that transfers wafers in a vacuum atmosphere. 21i load lock chamber, and inside this load lock chamber,
Unprocessed wafers heading toward the reaction chamber and processed wafers heading toward the atmosphere side pass through. The adoption of a double load lock system for reciprocating transport has become commonplace. FIGS. 11 and 12 show an example of a conventional configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section using this reciprocating transfer double load-lock system. In this configuration example, a carrier loaded with a plurality of wafers is An atmospheric transfer section in which a rotary arm type transfer robot 9 capable of rotating 360° is arranged to transfer wafers between the cassette 10.11 and the first load lock chamber; Chamber 3: Located between the reaction chamber 3 and the atmospheric transport section, the wafer sent therein is kept on standby on a wafer stage 13 until it is moved to the next process. A first load lock chamber 1 is provided with a gate valve 6 on the atmospheric transport section side, and a pantograph type telescopic mechanism is located between the load lock chamber 1 and the reaction chamber 3 and transfers wafers between the two chambers. A vacuum transfer section in which a second load lock chamber 2 is connected via a gate valve 7 to a second load lock chamber 2 equipped with a gate valve 8 connected to the reaction chamber 3 on the side of the first reaction chamber 3 that incorporates a vacuum transfer robot 5; A semiconductor manufacturing device is formed by;

なお、反応室3は、ここでは、導波管を通して導入され
たマイクロ波とコイルが形成する磁界との電子サイクロ
トロン共鳴効果によりキャリアガスがプラズマ化される
プラズマ室3aから上方へ流出するプラズマにより薄膜
原料ガスを活性化して半導体ウェーハ上に薄膜として堆
積させるECRプラズマ薄膜薄膜薄膜猛威装置上室て示
されている。
In this case, the reaction chamber 3 is formed by forming a thin film by plasma flowing upward from the plasma chamber 3a, where the carrier gas is turned into plasma by the electron cyclotron resonance effect of the microwave introduced through the waveguide and the magnetic field formed by the coil. The upper chamber of the ECR plasma thin film deposition apparatus is shown for activating source gas to deposit a thin film on a semiconductor wafer.

〔発明が解決しようとするll!題〕[This is what the invention is trying to solve! Title]

前記従来の半導体製造装置の例における真空搬送部は、
大気側から取り込まれた処理前のウェーハは第1のロー
ドロック室1のウェーハステージ13にatされ、第2
のロードロック室2内蔵の真空搬送ロボット5により反
応室3ヘローデイングされ、薄膜加工処理を行った後、
同一経路をたどり大気側へアンローディングされる動作
を順次繰り返すといった極めて単純な搬送システムのも
のであるが、第1のロードロック重工内蔵のウェーハス
テージ13はローディングおよびアンローディング兼用
の1層型ウェーハステージであるため、−旦、第1のロ
ードロック室1にローディングされたウェーハは、加工
処理後アンローディングされ大気側キャリアカセットl
Oあるいはキャリアカセット11の元の棚にもどるまで
は次の新しい処理前のウェーハを第1のロードロック室
1内に取り込むことができない、即ちシリーズ動作のた
め、第1のロードロック室1の真空引き時間や大気圧へ
の復帰時間を含めたウェーハ1枚当たりの処理時間が長
く、半導体工場の量産ラインにおける半導体製造装置の
スループント向上への要求には追従できなくなった。
The vacuum transfer section in the example of the conventional semiconductor manufacturing apparatus is
The unprocessed wafer taken in from the atmosphere side is placed on the wafer stage 13 of the first load lock chamber 1, and then placed on the wafer stage 13 of the first load lock chamber 1.
After being loaded into the reaction chamber 3 by the vacuum transfer robot 5 built into the load lock chamber 2 and subjected to thin film processing,
Although it is an extremely simple transfer system that sequentially repeats the operation of following the same route and unloading to the atmosphere side, the wafer stage 13 with built-in first load lock is a single-layer wafer stage that can be used for both loading and unloading. Therefore, the wafer loaded into the first load lock chamber 1 is unloaded after processing and placed in the atmosphere side carrier cassette l.
The next new unprocessed wafer cannot be taken into the first load-lock chamber 1 until the wafer returns to the original shelf of the carrier cassette 11, i.e., the vacuum in the first load-lock chamber 1 is The processing time per wafer, including the pull time and return time to atmospheric pressure, is long, making it impossible to keep up with the demand for improved throughput of semiconductor manufacturing equipment on the mass production lines of semiconductor factories.

また、ウェーハステージ13が1層構造であることから
アンローディングされる加工処理済みウェーハに付着し
ている1反応室内で生じた副生酸物等によるウェーハス
テージ載置面への汚染があり、処理前ウェーハへの悪影
響が大きくクローズアップされてきた。
In addition, since the wafer stage 13 has a one-layer structure, the wafer stage mounting surface may be contaminated by by-product oxides etc. generated in one reaction chamber that adhere to processed wafers being unloaded. The negative impact on the previous wafer has been attracting a lot of attention.

さらに、前記従来の半導体製造装置の例では、真空搬送
ロボット5と大気搬送装置9との搬送位置決め誤差の累
積により、アンローディングされたウェーハが正確にキ
ャリアカセットに収納できなくなり、搬送系の信頼性を
低減させる問題が発生している。
Furthermore, in the example of the conventional semiconductor manufacturing equipment described above, due to the accumulation of transfer positioning errors between the vacuum transfer robot 5 and the atmospheric transfer device 9, unloaded wafers cannot be accurately stored in the carrier cassette, and the reliability of the transfer system is reduced. A problem has arisen that reduces the

また、ウェーハを載置する第1のロードロック室のロー
ディングウェーハステージとアンローディングウェーハ
ステージとは、ウェーハとの接触面積が大きいためパー
ティクル汚染発生の原因となっており、ウェーハの搬送
形態がフェイスダウンの場合、加工面がウェーハステー
ジと接触するため不良品の発生原因となる問題が発生し
ている。
In addition, the loading wafer stage and unloading wafer stage of the first load lock chamber, where wafers are placed, have a large contact area with the wafer, which causes particle contamination, and the wafer transport mode is face-down. In this case, the processing surface comes into contact with the wafer stage, causing a problem that causes defective products.

この発明の目的は、従来構成の半導体製造装置における
前述の問題を解決し、半導体製造装置のスループットを
大幅に向上させるとともにウェーハ汚染を大きく低減さ
せることができかつ搬送系を信頼性高<siさせること
のできる真空搬送部を備えた半導体製造装置を提供する
ことである。
The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems in conventional semiconductor manufacturing equipment, to significantly improve the throughput of the semiconductor manufacturing equipment, to greatly reduce wafer contamination, and to make the transport system highly reliable. An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section that can perform a vacuum transfer section.

C2JHを解決するための手段〕 上記課題を解決するために、この発明においては、半導
体製造装置を、往復搬送2重ロードロック方式による真
空搬送部の第1のロードロック室内に、大気側から処理
前のウェーハを受け取るローディングウェーハステージ
と、反応室から真空搬送ロボットによりアンローディン
グされたラニーハラ受け取るアンローディングウェーハ
ステージとが、一平面内にかつ前記大気側搬送装置と反
応室とを結ぶ直線にほぼ直角の方向に該直線を挟んで配
された装置とするか、第1のロードロック室内に、大気
側から処理前のウェーハを受け取るローディングウェー
ハステージを上段に1反応室から真空搬送ロボットによ
りアンローディングされた処理後のウェーハを受け取る
アンローディングウエーハステージを下段に配した2層
構造のウェーハステージが配Iされたmlとするものと
する。そして、この2層構造のウェーハステージを第1
のロードロック室内に収容した半導体製造装置を、ウェ
ーハステージに載置されるウェーハのあるべき中心を重
心位置とする。ウェーハの搬送方向の2辺の間隔がウェ
ーハの直径よりも大きく搬送方向と直角方向の2辺の間
隔がウェーハの直径よりも小さい、ウェーハ面と同方向
の長方形の各頂点位置に移動片が配され、ウェーハの搬
送方向に並ぶそれぞれ2個の移動片がそれぞれ搬送方向
の配列と間隔とを維持しつつウェーハの搬送方向と直角
方向にかつ互いに同時に等量近接するように移動して移
動片がウェーハの周縁に当り、移動片の移動が停止する
までウェーハを面内で移動させるセンタリング機構が第
1のロードロック室に設けられている装置とすればさら
に好適である。
Means for Solving C2JH] In order to solve the above problems, in the present invention, semiconductor manufacturing equipment is processed from the atmospheric side in the first load lock chamber of the vacuum transfer section using a reciprocating transfer double load lock system. The loading wafer stage that receives the previous wafer and the unloading wafer stage that receives the runny wafer unloaded from the reaction chamber by the vacuum transfer robot are arranged in one plane and approximately perpendicular to the straight line connecting the atmosphere-side transfer device and the reaction chamber. Alternatively, in the first load lock chamber, there is a loading wafer stage that receives unprocessed wafers from the atmosphere side, and the wafers are unloaded from the reaction chamber by a vacuum transfer robot. In this example, a wafer stage I is provided with a two-layer structure in which an unloading wafer stage for receiving processed wafers is arranged at the lower stage. Then, this two-layer structure wafer stage is
The center of gravity of the semiconductor manufacturing equipment housed in the load lock chamber is set at the center of the wafer placed on the wafer stage. A moving piece is arranged at each vertex position of a rectangle in the same direction as the wafer surface, in which the distance between the two sides in the wafer transport direction is larger than the diameter of the wafer and the distance between the two sides in the direction perpendicular to the transport direction is smaller than the diameter of the wafer. The two movable pieces aligned in the wafer conveyance direction are moved in a direction perpendicular to the wafer conveyance direction while maintaining the arrangement and spacing in the wafer conveyance direction, so that they approach each other by the same amount at the same time. It is further preferable that the device is provided with a centering mechanism in the first load lock chamber that moves the wafer within the plane until it hits the periphery of the wafer and the movement of the moving piece stops.

また、第1のロードロック室内に配されるローディング
ウェーハステージとアンロープインクウェーハステージ
とを、ともに、ウェーハが載置される上面側に、周方向
に間隔をおいて複数、上面もしくは上辺がウェーハステ
ージの内側下方へ傾いた支持片を備えた構造とし、ウェ
ーハが該支持片の傾いた上面もしくは上辺により周縁で
支持される半導体製造装置とすれば好適である。
In addition, a plurality of loading wafer stages and unroping ink wafer stages arranged in the first load lock chamber are arranged at intervals in the circumferential direction on the upper surface side on which the wafer is placed, and the upper surface or the upper side thereof is connected to the wafer. It is preferable that the semiconductor manufacturing apparatus has a structure in which a support piece is inclined downwardly inside the stage, and the wafer is supported at the periphery by the inclined upper surface or upper side of the support piece.

〔作用〕[Effect]

半導体製造装置をこのように構成すれば、第1のロード
ロック室内で、処理前のウェーハをローディングウェー
ハステージに、処理後のウェーハをアンローディングウ
ェーハステージに同時に載置して両ウェーハにそれぞれ
次工程への移動まで待機させることができるから、真空
搬送装置と反応室との間で一定の真空度を維持しながら
処理前のウェーハを反応室に搬入した後、第1のロード
ロック室と第2のロードロック室との間のゲートバルブ
を閉じ、第1のロードロツタ室内を大気圧に復帰するこ
とにより、反応室内でのウェーハ処理中に新たな未処理
ウェーハの第1のロードロック室への搬入と、処理済み
ウェーハの第1のロードロック室からの搬出とが同時に
可能となる。そして、第1のロードロック室を再び真空
に引き、第1.第2のロードロック室間のゲートバルブ
を開けば、処理済みのウェーハの第1のロードロック室
への搬出と、未処理ウェーハの反応室への搬入とが可能
になる。
If the semiconductor manufacturing equipment is configured in this way, the unprocessed wafer is simultaneously placed on the loading wafer stage and the processed wafer is placed on the unloading wafer stage in the first load lock chamber, and both wafers are subjected to the next process. Since the wafer can be kept on standby until it is moved to the first load lock chamber and the second load lock chamber, after carrying the unprocessed wafer into the reaction chamber while maintaining a constant degree of vacuum between the vacuum transfer device and the During wafer processing in the reaction chamber, new unprocessed wafers can be transferred to the first load-lock chamber by closing the gate valve between the load-lock chamber and the first load-lock chamber to return to atmospheric pressure. and unloading of the processed wafer from the first load lock chamber is possible at the same time. Then, the first load lock chamber is evacuated again, and the first load lock chamber is evacuated again. By opening the gate valve between the second load lock chambers, processed wafers can be transferred to the first load lock chamber, and unprocessed wafers can be transferred to the reaction chamber.

このようにして、第1のロードロック室内の大気圧復帰
、真空引きを切り返しつつウェーハの処理を行った場合
、ウェーハ1枚当たりの搬送システム上のサイクルタイ
ム (ローディング−加工処理−アンローディングの時
間)が従来と比較して大幅に短縮され、半導体製造装置
のスループットが大きく向上する。また、処理前のウェ
ーハが載置されるウェーハステージと処理後のウェーハ
が載置されるウェーハステージとはそれぞれローディン
グ用、アンローディング用と専用化されているから、処
理後のウェーハに付着した反応室内での副生酸物により
処理前のウェーハが汚染されることがなくなり、処理後
のウェーハの品質がより高レベルに均一化される。
In this way, when wafers are processed while returning to atmospheric pressure in the first load lock chamber and reversing vacuuming, the cycle time on the transport system per wafer (loading - processing - unloading time) ) is significantly shortened compared to the conventional method, and the throughput of semiconductor manufacturing equipment is greatly improved. In addition, since the wafer stage on which the wafer before processing is placed and the wafer stage on which the wafer after processing is placed are dedicated for loading and unloading, the reaction that adheres to the wafer after processing Unprocessed wafers are no longer contaminated by by-product oxides in the room, and the quality of processed wafers is made more uniform.

そして、上述のごとき構成によるセンタリング機構を第
1のロードロック室に設けた装置構成とすれば、第1の
ロードロツタ室内で、大気側より送り込まれる処理前の
ウェーハをローディングウェーハステージに、反応室か
ら送り込まれる処理後のウェーハをアンローディングウ
ェーハステージに同時に取直してそれぞれ次工程への移
動までの待機中に、該第1のロードロック室内に配され
たウェーハセンタリング機構にまりウェーハがセンタリ
ングされ、ウェーハの第1のロードロック室内へのロー
ディングから加工処理を経て再び第1のロードロック室
内へアンローディングされるまでの搬送系における累積
された大気搬送装置と真空搬送ロボットとの位置決め誤
差を解消することができ、かつ、第1のロードロック室
内における大気圧復帰、真空引きによる待機時間を利用
してウェーハのセンタリングを行うことができるため、
スループットを減少させることなく、搬送系の信頼性の
高い半導体製造装置が可能となる。
If the apparatus configuration is such that the centering mechanism as described above is provided in the first load lock chamber, the unprocessed wafer fed from the atmosphere side is transferred from the reaction chamber to the loading wafer stage in the first load lock chamber. While the processed wafers being sent are simultaneously transferred to the unloading wafer stage and waiting for movement to the next process, the wafers are centered in the wafer centering mechanism arranged in the first load lock chamber, and the wafers are To eliminate accumulated positioning errors between an atmospheric transfer device and a vacuum transfer robot in a transfer system from loading into a first load lock chamber through processing until unloading into the first load lock chamber again. In addition, the wafer can be centered using the waiting time due to atmospheric pressure return and evacuation in the first load lock chamber.
A semiconductor manufacturing apparatus with a highly reliable transport system can be achieved without reducing throughput.

また、第1のロードロック室内に配されたローディング
ウェーハステージとアンローディングウェーハステージ
とを、ともに上述のごとき支持片を備えたものとして、
ウェーハとウェーハステージとの接触をウェーハのエッ
ヂ部分で行うようにすることにより、特にウェーハのフ
ェースダウン搬送時にパーティクル汚染防止が効果的に
行われ、ウェーハの品質が高レベルに均一された製品が
製造可能な半導体製造装置とすることができる。
Further, the loading wafer stage and the unloading wafer stage arranged in the first load lock chamber are both equipped with the above-mentioned support piece,
By making contact between the wafer and the wafer stage at the edge of the wafer, particle contamination is effectively prevented, especially when wafers are transported face-down, and products with a high level of uniform wafer quality are manufactured. It can be made into a semiconductor manufacturing device that is possible.

〔実施例〕〔Example〕

第1図および第2図に本発明の第1の実施例による往復
搬送2重ロードロツタ方式の真空搬送部を備えた半導体
製造装置の構成を示す、これらの図において第11.1
2図と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する
1 and 2 show the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a reciprocating conveyance double load rotor type vacuum conveyance section according to a first embodiment of the present invention.
Components that are the same as those in FIG.

複数のウェーハが装填されたキャリアカセット10また
は11からのウェーハの取出し、搬送などを行う大気搬
送袋W9と、ECRプラズマ薄膜形成装置の反応室3と
の間には、処理前のウェーハが載置されるローディング
ウェーハステージ24aと処理後のウェーハが1111
1されるアンローディングウェーハステージ24bとが
一平面内にかつ大気搬送装置9と反応室3とを結ぶ直線
に直角の方向に該直線を対称に挟んで配された第1のロ
ードロック室18と、真空雰囲気中で第1のロードロッ
ク室18内の処理前のウェーハを反応室3へ搬送し、反
応室3内で処理された処理後のウェーハを第1のロード
ロック室18へ搬送する。パンタグラフ式伸縮機構をも
つ真空搬送ロボット15を内蔵した第2のロードロック
室19とがゲートバルブ17を介して結合され、半導体
製造装置の真空搬送部を形成している。この真空搬送部
は大気搬送装置9側にゲートバルブ16を備え、反応室
3とはゲートバルブ8を介して結合される。また、第2
のロードロック室19内に収納された真空搬送ロボット
15は、パンタグラフ式伸**構に伸縮動作を行わせる
ためのR軸駆動モータ15aと、反応室3への搬入方向
から反応室3からの搬出方向へパンタグラフ式伸縮機構
の向きを180°変えるためのθ軸駆動モータ15bと
を備えている。
Wafers to be processed are placed between the atmospheric transfer bag W9, which takes out and transfers wafers from the carrier cassette 10 or 11 loaded with a plurality of wafers, and the reaction chamber 3 of the ECR plasma thin film forming apparatus. The loading wafer stage 24a to be loaded and the processed wafer 1111
a first load-lock chamber 18 in which an unloading wafer stage 24b to be loaded is disposed in one plane and in a direction perpendicular to a straight line connecting the atmospheric transport device 9 and the reaction chamber 3, symmetrically sandwiching the straight line; The unprocessed wafer in the first load lock chamber 18 is transferred to the reaction chamber 3 in a vacuum atmosphere, and the processed wafer processed in the reaction chamber 3 is transferred to the first load lock chamber 18. A second load lock chamber 19 containing a vacuum transfer robot 15 having a pantograph type expansion and contraction mechanism is connected via a gate valve 17 to form a vacuum transfer section of the semiconductor manufacturing apparatus. This vacuum transfer section is equipped with a gate valve 16 on the atmospheric transfer device 9 side, and is connected to the reaction chamber 3 via the gate valve 8. Also, the second
The vacuum transfer robot 15 housed in the load lock chamber 19 is equipped with an R-axis drive motor 15a for causing the pantograph type extension mechanism to perform an extension/retraction operation, and an R-axis drive motor 15a for making the pantograph type extension structure perform an extension/retraction operation, and a It is equipped with a θ-axis drive motor 15b for changing the direction of the pantograph type telescoping mechanism by 180 degrees in the unloading direction.

この装置m威におけるウェーハの搬送は次の手順で行わ
れる。すなわち、まず、第1のロードロック室18内の
圧力を大気圧に復帰させてゲートバルブ16を開き、大
気搬送装置9にてキャリアカセットIOまたは11から
処理前のウェーハを取り出してローディングウェーハス
テージ24aに載置する。
The wafer is transferred in this apparatus according to the following procedure. That is, first, the pressure in the first load lock chamber 18 is returned to atmospheric pressure, the gate valve 16 is opened, and the unprocessed wafer is taken out from the carrier cassette IO or 11 by the atmospheric transfer device 9 and transferred to the loading wafer stage 24a. Place it on.

しかる後再びゲートバルブ16を閉じて第1のロードロ
ック室18内を真空引きし、室内が一定の真空度に到達
するとゲートバルブ17を開き、第2のロードロック室
19内の真空搬送ロボットの伸縮機構をR輪駆動モータ
15a、θ軸駆動モータ15bによりローディングウェ
ーハステージ24a方向へ伸ばして処理前のウェーハを
取り出し、ゲートバルブ17を閉じた後、ゲートバルブ
8を開き、反応室3ヘウエーハをローディングし、薄膜
加工処理を行う。
Thereafter, the gate valve 16 is closed again to evacuate the first load lock chamber 18, and when the chamber reaches a certain degree of vacuum, the gate valve 17 is opened and the vacuum transfer robot in the second load lock chamber 19 is opened. The expansion mechanism is extended toward the loading wafer stage 24a by the R-wheel drive motor 15a and the θ-axis drive motor 15b to take out the wafer before processing, and after closing the gate valve 17, the gate valve 8 is opened and the wafer is loaded into the reaction chamber 3. Then, perform thin film processing.

この処理中に第1のロードロック室18内は大気圧にも
どされ、次の処理前ウェーハが取り込まれ、ロードロッ
ク室18内は再び真空引きされてウェーハは反応室3へ
の搬入を待機する。
During this process, the inside of the first load lock chamber 18 is returned to atmospheric pressure, the next wafer to be processed is taken in, the inside of the load lock chamber 18 is evacuated again, and the wafer waits to be carried into the reaction chamber 3. .

薄膜加工処理を終えたウェーハは真空搬送ロボット15
によりアンローディングされ、第1のロードロック室1
8のアンローディングウェーハステージ24bにatさ
れる。真空搬送ロボット15は次の動作で待機中の処理
前ウェーハを反応室3ヘローデイングする0次に第1の
ロードロック室18内は大気圧に復帰され、大気搬送装
置9により処理後のウェーハがキャリアカセット10ま
たは11の元の棚に収納されてローディング−加工処理
−アンローディングの一連の動作を終える。
The wafer that has undergone thin film processing is transferred to the vacuum transfer robot 15.
is unloaded by the first load lock chamber 1.
The wafer is transferred to the unloading wafer stage 24b of No. 8. In the next operation, the vacuum transfer robot 15 loads the waiting unprocessed wafer into the reaction chamber 3.Next, the inside of the first load lock chamber 18 is returned to atmospheric pressure, and the processed wafer is transferred to the carrier by the atmospheric transfer device 9. The cassette 10 or 11 is stored in its original shelf and the series of operations of loading, processing, and unloading is completed.

第3図および第41!Iに本発明の第2の実施例による
往復搬送2重ロードロック方式の真空搬送部を備えた半
導体製造装置の構成を示す、これらの図において、第1
.2.11.12図と同一の部材には同一符号を付して
説明を省略する。
Figures 3 and 41! 1 shows the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a reciprocating conveyance dual load-lock type vacuum transfer section according to a second embodiment of the present invention.
.. 2.11.12 The same members as in FIG.

この実施例では、第1のロードロック室1内に、大気側
から処理前のウェーハを受け取るローディングウェーハ
ステージ4&と1反応室3から処理後のウェーハを受け
取るアンローディングウェーハステージ4bとが上下2
段に配されている2層構造のウェーハステージ4が配置
されている。このため、第2のロードロック室2内の真
空搬送ロボット5はパンタグラフ式伸縮機構に伸縮動作
を行わせるためのR軸駆動モータ5a、反応室3への搬
入方向から反応室3からの搬出方向へパンタグラフ式伸
m機構の向きを180°変えるためのθ軸駆動モータ5
bのほかにパンタグラフ式伸縮機構を上下動させるため
のzIIIII!動モータ5Cを備えている。
In this embodiment, a loading wafer stage 4 & which receives unprocessed wafers from the atmosphere side and an unloading wafer stage 4b which receives processed wafers from the first reaction chamber 3 are placed in the first load lock chamber 1 in upper and lower positions.
A wafer stage 4 having a two-layer structure arranged in stages is arranged. For this reason, the vacuum transfer robot 5 in the second load-lock chamber 2 has an R-axis drive motor 5a for causing the pantograph-type telescoping mechanism to perform the telescoping operation, and an R-axis drive motor 5a for moving the pantograph-type telescoping mechanism from the direction of transport into the reaction chamber 3 to the direction of transport from the reaction chamber 3. θ-axis drive motor 5 for changing the direction of the hepantograph type extension mechanism by 180°
In addition to b, zIII for moving the pantograph type telescopic mechanism up and down! It is equipped with a dynamic motor 5C.

この装置構成におけるウェーハ搬送の手順は次の通りで
ある0手順の大半は第1の実施例の場合と同じであるが
、手順が連続しているため、第1の実施例に倣って説明
する。
The steps for transferring wafers in this device configuration are as follows.Most of the steps are the same as in the first embodiment, but since the steps are continuous, they will be explained based on the first embodiment. .

まず、第1のロードロック室1内の圧力を大気圧に復帰
させてゲートバルブ6を開き、大気搬送装置9にてキャ
リアカセット10または11から処理前のウェーハを取
り出して第1のロードロック室1内に配Iされた2層構
造のウェーハステージ4の上段側のローディングウェー
ハステージ4aに載置し、ゲートバルブ6を閉じる0次
にロードロック室1内が一定の真空度に到達するとゲー
トバルブ7を開き、第2のロードロック室2の真空搬送
ロボット5のパンタグラフ式伸縮機構をZ軸駆動モータ
5cにより上方へ移動させ、ウェーハステージ4の上段
側のローデイングウエーノへステージ4aから処理前ウ
ェーハを取り出し、ゲートバルブ7を閉じた後、ゲート
バルブ8を開くとともに2軸駆動モータ5Cによりパン
タグラフ式伸縮機構の高さを調節しつつ処理前ウェーハ
を反応室3ヘローデイングし薄膜加工処理を行う、この
処理中に第1のロードロック室1内は大気圧にもどされ
、次の処理前ウェーハが取り込まれ、第1のロードロッ
ク室1内は再び真空引きされてウェーハは反応室3への
搬入を待機する。
First, the pressure in the first load lock chamber 1 is returned to atmospheric pressure, the gate valve 6 is opened, and the unprocessed wafer is taken out from the carrier cassette 10 or 11 by the atmospheric transfer device 9 and transferred to the first load lock chamber. The wafer is placed on the upper loading stage 4a of the two-layered wafer stage 4 arranged in the load lock chamber 1, and the gate valve 6 is closed.Next, when the inside of the load lock chamber 1 reaches a certain degree of vacuum, the gate valve is closed. 7 is opened, and the pantograph-type telescoping mechanism of the vacuum transfer robot 5 in the second load-lock chamber 2 is moved upward by the Z-axis drive motor 5c, and the wafer is transferred from the stage 4a to the loading wafer on the upper side of the wafer stage 4 before processing. After taking out the wafer and closing the gate valve 7, the gate valve 8 is opened and the wafer to be processed is loaded into the reaction chamber 3 while adjusting the height of the pantograph type expansion/contraction mechanism by the two-axis drive motor 5C to perform thin film processing. During this process, the inside of the first load lock chamber 1 is returned to atmospheric pressure, the next wafer to be processed is taken in, the inside of the first load lock chamber 1 is evacuated again, and the wafer is carried into the reaction chamber 3. wait.

薄膜加工処理を終えたウェーハは真空搬送ロボット5に
よりアンローディングされ、第1のロードロック室l内
のウェーハステージ4の下段側のアンローディングウェ
ーハステージ4bに載置される。*置の際にはZ軸駆動
モータ5cにより真空搬送ロボット5のパンタグラフ式
伸縮機構が下方へ移動させられる。真空搬送ロボットは
次の動作で2輪上方向に移動し、待機中の処理前ウェー
ハを反応室3ヘローデイングする0次に第1のロードロ
ック室1内は大気圧に復帰され、大気搬送装置9により
アンローディングウェーハステージ4b上の処理済みウ
ェーハがキャリアカセット10または11の元の棚に収
納されてローディング−加工処理−アンローディングの
一連の動作を終える。
The wafer that has undergone the thin film processing is unloaded by the vacuum transfer robot 5 and placed on the unloading wafer stage 4b on the lower side of the wafer stage 4 in the first load lock chamber l. *At the time of placement, the pantograph type telescoping mechanism of the vacuum transfer robot 5 is moved downward by the Z-axis drive motor 5c. In the next operation, the vacuum transfer robot moves upward with two wheels and loads the waiting unprocessed wafer into the reaction chamber 3.Next, the inside of the first load lock chamber 1 is returned to atmospheric pressure, and the atmospheric pressure is transferred to the atmospheric transfer device 9. As a result, the processed wafer on the unloading wafer stage 4b is stored on the original shelf of the carrier cassette 10 or 11, and the series of loading-processing-unloading operations is completed.

なお、この実施例では、ウェーハステージ4の作用、効
果は第1の実施例におけるウェーハステージ24と同じ
であるが、この実施例ではウェーハステージが上下2段
に配されているため、第1のロードロック室1が第1の
実施例における第1のロードロック室18と比べて小形
になるメリットがあり、真空搬送ロボットが2軸駆動モ
ータの分筆1の実施例と比べて複雑となるデメリットを
補っている。さらに、ローディングウェーハステージ4
aが上段に、アンローディングウェーハステージ4bが
下段に配置されているので、アンローディングされる処
理済みウェーハに付着している副生酸物が、ローディン
グされている処理前のウェーハ上に落下付着し、このウ
ェーハを汚染する心配もない。
In this embodiment, the function and effect of the wafer stage 4 are the same as those of the wafer stage 24 in the first embodiment. There is an advantage that the load-lock chamber 1 is smaller than the first load-lock chamber 18 in the first embodiment, and there is a disadvantage that the vacuum transfer robot is more complicated than in the embodiment of the separation 1 with a two-axis drive motor. Compensating. Furthermore, loading wafer stage 4
Since the unloading wafer stage 4b is placed on the upper stage and the unloading wafer stage 4b is placed on the lower stage, by-product oxides adhering to the processed wafer being unloaded fall onto the unprocessed wafer being loaded. , there is no need to worry about contaminating the wafer.

第5図に上記第2の実施例による真空搬送部を備えた半
導体製造装置構成の変形例を示す、この例は、第2のロ
ードロック室2内の真空搬送ロボット5へのZ軸駆動モ
ータ5c (第4図)の付設をやめ、第1のロードロッ
ク室l内の2層構造ウェーハステージ14にZ軸駆動モ
ータ14cを付設し、これにより、真空搬送ロボット5
への各種駆動モータ、駆動機構の集中を避けてロボ7)
の機構を簡素化し、ロボット機構の動作信頼性の向上を
図ったものである。この装置構成におけるウェーハ搬送
の手順は第2の実施例の場合と同様であるから説明を省
略する。
FIG. 5 shows a modified example of the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section according to the second embodiment. 5c (Fig. 4) is removed, and a Z-axis drive motor 14c is attached to the two-layer structure wafer stage 14 in the first load-lock chamber l, and thereby the vacuum transfer robot 5
Avoiding the concentration of various drive motors and drive mechanisms on the robot 7)
The aim is to simplify the mechanism and improve the operational reliability of the robot mechanism. The wafer transfer procedure in this apparatus configuration is the same as that in the second embodiment, so a description thereof will be omitted.

第6図ないし第9図に本発明の第3の実施例による真空
搬送部を備えた半導体製造装置の構成を示す、これらの
図において、第1.2,3,4゜5.11.12図と同
一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
6 to 9 show the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section according to a third embodiment of the present invention. The same members as those in the figures are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

第6図および第8図に示すように、第1のロードロック
室l内に配置された2層構造のウェーハステージ4の中
心を重心位置とする。ウェーハの搬送方向の2辺の間隔
がウェーハの直径よりも大きく搬送方向と直角方向の2
辺の間隔がウェーハの直径よりも小さい長方形の各頂点
位置に、ウェーハステージ4に載置されたウェーハの中
心をウェーハステージ4の中心と一致させるように動作
させるセンタリング機構の移動片26aが位置している
。この移動片は、2層同軸に形成されたウェーハステー
ジ4の上段のローディングウェーハステージ、下段のア
ンローディングウェーハステージいずれに載置されたウ
ェーハも中心をウェーハステージの中心と一致させるこ
とができるようにウェーハに垂直方向の棒状に形成され
、この棒状の移動片26a(第7図)のウェーハの搬送
方向に並ぶそれぞれ2個がそれぞれ搬送方向の配列と間
隔を保ってウェーハの搬送方向と直角方向にかつ同時に
等量近接するように移動する。この移動片を備えたセン
タリング機構の具体構造を第9図に示す。移動片26a
はウェーハの搬送方向に並ぶ2個がそれぞれ1組となり
、このそれぞれの組における移動片のウェーハ側突起先
端部の間隔がウェーハの直径よりも小さくなるように共
通の移動台26bに固設され、対向する組同志のウェー
ハ側突起先端部の間隔がウェーハの直径よりも大きくな
るように移動台26bの移動開始前の位置が設定されて
いる。移動台26bを移動させる駆動機構26cは、こ
こには特に図示してないが、減速機構を備えた駆動電動
機と、減速機構と移動台とを結ぶベルトとを内蔵し、ベ
ルトを介して両方の移動台26bを同時に等量移動させ
る。移動台26bの進退の切換えは駆動電動機の回転方
向を逆にして行う。
As shown in FIGS. 6 and 8, the center of gravity is the center of the two-layered wafer stage 4 placed in the first load lock chamber l. The distance between the two sides of the wafer in the transport direction is larger than the diameter of the wafer and the two sides in the direction perpendicular to the transport direction are
A movable piece 26a of a centering mechanism that operates to align the center of the wafer placed on the wafer stage 4 with the center of the wafer stage 4 is located at each vertex of the rectangle whose sides are smaller than the diameter of the wafer. ing. This moving piece is designed so that the center of the wafer placed on either the upper loading wafer stage or the lower unloading wafer stage of the two-layer coaxial wafer stage 4 can be aligned with the center of the wafer stage. Two bar-shaped movable pieces 26a (FIG. 7) are formed in the shape of a bar extending perpendicularly to the wafer, and are arranged in a direction perpendicular to the wafer carrying direction while maintaining the arrangement and spacing in the carrying direction. and move equally close to each other at the same time. The specific structure of the centering mechanism equipped with this moving piece is shown in FIG. Moving piece 26a
are arranged in the wafer transport direction to form a set, and are fixedly mounted on a common moving table 26b such that the distance between the tips of the wafer-side protrusions of the moving pieces in each set is smaller than the diameter of the wafer, The position of the moving table 26b before the start of movement is set so that the interval between the tips of the wafer-side protrusions of opposing sets is larger than the diameter of the wafer. Although not particularly shown here, the drive mechanism 26c for moving the moving table 26b includes a drive motor equipped with a deceleration mechanism and a belt that connects the deceleration mechanism and the moving table. The moving bases 26b are simultaneously moved by the same amount. The moving table 26b is switched between moving forward and backward by reversing the rotational direction of the drive motor.

センタリング機構をこのように槽底すると、ウェーハの
中心をウェーハステージの中心と一致させるセンタリン
グ操作時に、移動台26bがウェーハの搬送方向と直角
方向に、かつ同時に等量近接して、移動片26aのウェ
ーハ側突起先端部の平面中央部がウェーハの周縁に当り
、移動台26bが停止するまでウェーハは面内を移動し
、その中心がウェーハステージの中心と一致した位Iに
停止する。
When the centering mechanism is arranged at the bottom of the tank in this manner, during the centering operation to align the center of the wafer with the center of the wafer stage, the movable table 26b moves in the direction perpendicular to the wafer conveyance direction and approaches the same amount at the same time, thereby moving the movable piece 26a. The center of the plane of the tip of the wafer-side protrusion hits the periphery of the wafer, and the wafer moves within the plane until the moving table 26b stops, and stops at a position I where its center coincides with the center of the wafer stage.

第8.9.10図に本発明による半導体製造装置の第1
のロードロツタ室内に配置されるウェーハステージ構造
の一実施例を示す、この実施例はウェーハステージが2
層構造のものを対象としているが、ローディングウェー
ハステージとアンローディングウェーハステージとが一
平面内に配された。第1の実施例におけるウェーハステ
ージの場合にも適用可能である。ウェーハステージは、
ローディングウェーハステージ、アンローディングウェ
ーハステージともに内径がウェーハよりも大きく形成さ
れ、内径の周方向に間隔をおいて複数、上面がウェーハ
ステージの内側下方へ傾く支持片27がウェーハステー
ジの内壁面に固設されている。
FIG. 8.9.10 shows the first semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
This example shows an example of a wafer stage structure placed in a load rotor chamber.This example has two wafer stages.
Although the target is a layered structure, the loading wafer stage and the unloading wafer stage are arranged in one plane. It is also applicable to the wafer stage in the first embodiment. The wafer stage is
Both the loading wafer stage and the unloading wafer stage are formed with an inner diameter larger than the wafer, and a plurality of support pieces 27 whose upper surfaces are inclined downwardly inside the wafer stage are fixed to the inner wall surface of the wafer stage at intervals in the circumferential direction of the inner diameter. has been done.

ウェーハは支持片27の傾斜した上面により周縁のエツ
ジで支持され、ウェーハが被加工面を鉛直方向下向きに
して搬送されるフェースダウン搬送の場合にも、被加工
面に何ものも接触しない状態にウェーハステージに載置
される。そして、2層構造のウェーハステージ4を第9
図のような構造に形成すれば、ウェーハを周縁のエツジ
で支持することができるとともに、センタリング機構を
操作してウェーハをウェーハステージの中心に位置させ
ることか容易に可能になり、ウェーハのパーティクル汚
染防止と、大気搬送りtX、真空搬送部における位置決
めrj4差の累積を解消することができ、ウェーハの品
質を高レベルに均一化するとともに搬送系の信頼性の高
い半導体製造Wtとすることができる。
The wafer is supported by the edge of the periphery by the inclined upper surface of the support piece 27, and even in the case of face-down transport in which the wafer is transported with the surface to be processed vertically downward, nothing can come into contact with the surface to be processed. It is placed on the wafer stage. Then, the wafer stage 4 with a two-layer structure is placed on the ninth stage.
If the structure shown in the figure is formed, the wafer can be supported by the peripheral edge, and the centering mechanism can be operated to easily position the wafer at the center of the wafer stage, thereby preventing particle contamination of the wafer. It is possible to eliminate the accumulation of differences in atmospheric transport tX and positioning rj4 in the vacuum transport section, and it is possible to uniformize the quality of wafers to a high level and achieve semiconductor manufacturing Wt with high reliability of the transport system. .

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明においては、半導体製造装置を上述のように槽底
したので、以下に記載するような効果が奏せられる。
In the present invention, since the semiconductor manufacturing apparatus has the tank bottom as described above, the following effects can be achieved.

請求項第1項または請求項第2項の装置では、ウェーハ
の加工処理中に大気側から処理前のウェーハを第1のロ
ードロック室内へ取り込み、かつ処理後のウェーハを第
1のロードロ7り室から取り出す操作が可能となり、多
数枚のウェーハを枚葉処理する際の1枚当たりのサイク
ルタイムが大幅に短縮され、半導体工場の量産ラインに
適合する高スループツトの半導体製造装置の提供が可能
となった。また、処理前のウェーハに対するアンローデ
ィングウェーバカセント側からの汚染がより確実に防止
され、処理前のウェーハが常により清浄な状態で反応室
ヘローディングされるため、処理後のウェーハ品質をよ
り高レベルにより均一化することが可能となった。
In the apparatus of claim 1 or claim 2, during wafer processing, the unprocessed wafer is taken into the first load lock chamber from the atmosphere side, and the processed wafer is taken into the first load lock chamber. This makes it possible to take the wafer out of the chamber, significantly shortening the cycle time per wafer when processing a large number of wafers one by one, and making it possible to provide high-throughput semiconductor manufacturing equipment that is compatible with mass production lines at semiconductor factories. became. In addition, contamination of unloaded wafers from the unloading wafer center side is more reliably prevented, and unloaded wafers are always loaded into the reaction chamber in a cleaner state, resulting in higher quality wafers after processing. It became possible to equalize the level.

請求項第3項の装置では、第1のロードロック室内で、
大気側から送り込まれる処理前のウェーハをローディン
グウェーハステージに、反応室から送り込まれる処理後
のウェーハをアンローディングウェーハステージに同時
に載置してそれぞれ次工程への移動までの待機中に、該
第1のロードロック室内に配されたウェーハセンタリン
グ機構により、ウェーハがセンタリングされ、第1のロ
ードロック室内へのローディングから加工処理につづく
第1のロードロック室内へのアンローディングに到る。
In the device according to claim 3, in the first load lock chamber,
Unprocessed wafers sent from the atmosphere side are placed on the loading wafer stage, and processed wafers sent from the reaction chamber are placed on the unloading wafer stage at the same time, and while waiting for movement to the next process, the first A wafer centering mechanism disposed in the load lock chamber centers the wafer, and the wafer is loaded into the first load lock chamber and unloaded into the first load lock chamber following processing.

累積された大気搬送装置と真空搬送ロボットとの位置決
め誤差を解消することができ、アンローディングされた
ウェーハがキャリアカセットに収納できなくなる問題が
解消されるとともに、第1のロードロック室内における
大気復帰、真空引きによる待機時間を利用して、ウェー
ハのセンタリングを行うため、スルーブツトを減少させ
ることなく、搬送系を信頼性の高くII#lさせること
ができる。
Accumulated positioning errors between the atmospheric transport device and the vacuum transport robot can be eliminated, and the problem of unloaded wafers not being able to be stored in the carrier cassette can be resolved, and the atmosphere can be returned to the atmosphere in the first load lock chamber. Since the wafer is centered using the waiting time due to evacuation, the transfer system can be made to II#l with high reliability without reducing the throughput.

請求項第4項の装置では、第1のロードロック室内に配
されたローディングウェーハステージおよびアンローデ
ィングウェーハステージとウェーハとの接触がウェーハ
周縁のエツジ部で行われるため、特にウェーハのフェイ
スダウン搬送時に問題となる。ウェーハが加工処理の前
後にウェーハステージから受けるパーティクル汚染を避
けることが可能になり、ウェーハ品質を高レベルに均一
化することができる。
In the apparatus of claim 4, since the loading wafer stage and the unloading wafer stage disposed in the first load lock chamber contact the wafer at the edge portion of the wafer periphery, it is particularly difficult to transport the wafer face-down. It becomes a problem. It is possible to avoid particle contamination that the wafer receives from the wafer stage before and after processing, and it is possible to achieve a high level of uniform wafer quality.

以上のことから、半導体製造装置を請求項第1項または
第2項と第3項および第4項に基づいて権威することに
より、スループントが大きく、搬送系の信頼性が高く、
かつ加工処理されたウェーハの品質を高レベルに均一化
することのできる半導体製造装置とすることができる。
From the above, by authorizing the semiconductor manufacturing equipment based on the first or second, third, and fourth claims, the throughput is large and the reliability of the transport system is high.
Moreover, it is possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can uniformize the quality of processed wafers to a high level.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は本発明の第1の実施例による真空
搬送部を備えた半導体製連装Xの権威を示す、それぞれ
平面図と側面断面図、第3図および第4図は本発明の第
2の実施例による真空搬送4〜し 部をモLかた半導体製造WIFの権威を示す、それぞれ
平面図と側面断面図、第5図は上記第2の実施例による
真空搬送部の変形例を示す半導体製造装置の側面断面図
、第6図および第7図は本発明の第3の実施例による真
空搬送部を備えた半導体製造装置の権威を示す、それぞ
れ平面図と側面断面図、第8図は第6図および第7図に
示す半導体製造装置の第1のロードロック室の権威を拡
大して示すとともに第1図ないし第7図に示す半導体製
造装置のウェーハステージ構造の一実施例を合せて示す
平面図、第9図は第6図および第7図に示す半導体製造
装置の第1のロードロック室に設けられるセンタリング
装置の権威とウェーハステージの構造とのそれぞれ一実
施例を示す斜視図、第10図は第6図および第71El
に示す半導体製造装置の第1のロードロック室に配され
るウェーハステージ構造の一実施例を示す、第8図のA
−Afiに沿う側面断面図、第11図および第12図は
従来の往復搬送2重ロードロック方式の真空搬送部を備
えた半導体製造装置のin示す、それぞれ平面図と側面
断面図である。 1.18:第1のロードロック室、2.19:第2のロ
ードロック室、3:反応室、4.13.14.24 :
ウエーハステージ、4a、14a、24a :ローディ
ングウエーハステージ、4b、 14b、24b :ア
ンローディングウエーハステージ、S、tS:真空搬送
ロボット、7+t7:ゲートバルブ、9:大気搬送装置
、10,11 :キャリアカセット、26:センタリン
グ装置室、26a:移動片、27:支持片。
1 and 2 are a plan view and a side cross-sectional view, respectively, of a semiconductor series X equipped with a vacuum transfer section according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are views of the present invention. A plan view and a side cross-sectional view showing the authority of the semiconductor manufacturing WIF of the vacuum transfer section 4 to 4 according to the second embodiment, respectively, and FIG. 5 shows a modification of the vacuum transfer section according to the second embodiment. FIGS. 6 and 7 are a plan view and a side sectional view, respectively, of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section according to a third embodiment of the present invention; FIG. 8 shows an enlarged view of the first load lock chamber of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIGS. 6 and 7, and also shows an implementation of the wafer stage structure of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIGS. FIG. 9 is a plan view showing an example of the structure of the centering device and the wafer stage provided in the first load lock chamber of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIGS. 6 and 7, respectively. FIG. 10 is a perspective view shown in FIG. 6 and 71El.
A of FIG. 8 shows an example of the wafer stage structure arranged in the first load lock chamber of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.
-Afi, and FIGS. 11 and 12 are a plan view and a side sectional view, respectively, of a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a vacuum transfer section of a conventional reciprocating transfer double load-lock type. 1.18: First load lock chamber, 2.19: Second load lock chamber, 3: Reaction chamber, 4.13.14.24:
Wafer stage, 4a, 14a, 24a: Loading wafer stage, 4b, 14b, 24b: Unloading wafer stage, S, tS: Vacuum transfer robot, 7+t7: Gate valve, 9: Atmospheric transfer device, 10, 11: Carrier cassette, 26: Centering device chamber, 26a: Moving piece, 27: Supporting piece.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)複数のウェーハが装填された大気中にあるキャリア
カセットとロードロック室との間のウェーハの受渡しを
行う大気搬送装置が配置された大気搬送部と;ウェーハ
に薄膜加工処理を行う反応室と;該反応室と前記大気搬
送部との間に位置し、送り込まれたウェーハを次工程へ
の移動まで待機させる、前記大気搬送部側にゲートバル
ブを備えた第1のロードロック室と、該第1のロードロ
ック室と反応室との間に位置し該第1のロードロック室
と反応室との間のウェーハ受渡しを真空雰囲気中で行う
真空ロボットを内蔵する、反応室側に反応室と結合され
るゲートバルブを備えた第2のロードロック室とをゲー
トバルブを介して結合してなり、反応室へ向かう処理前
のウェーハと大気側へ向かう処理後のウェーハとが通過
する往復搬送2重ロードロック方式の真空搬送部と;を
備えてなる半導体製造装置において、前記第1のロード
ロック室内に、大気側から処理前のウェーハを受け取る
ローディングウェーハステージと、反応室から真空搬送
ロボットによりアンローディングされたウェーハを受け
取るアンローディングウェーハステージとが、一平面内
にかつ前記大気搬送装置と反応室とを結ぶ直線にほぼ直
角の方向に該直線を挟んで配されていることを特徴とす
る半導体製造装置。 2)複数のウェーハが装填された大気中にあるキャリア
カセットとロードロック室との間のウェーハの受渡しを
行う大気搬送装置が配置された大気搬送部と;ウェーハ
に薄膜加工処理を行う反応室と;該反応室と前記大気搬
送部との間に位置し、送り込まれたウェーハを次工程へ
の移動まで待機させる、前記大気搬送部側にゲートバル
ブを備えた第1のロードロック室と、該第1のロードロ
ック室と反応室との間に位置し該第1のロードロック室
と反応室との間のウェーハ受渡しを真空雰囲気中で行う
真空ロボットを内蔵する、反応室側に反応室と結合され
るゲートバルブを備えた第2のロードロック室とをゲー
トバルブを介して結合してなり、反応室へ向かう処理前
のウェーハと大気側へ向かう処理後のウェーハとが通過
する往復搬送2重ロードロック方式の真空搬送部と;を
備えてなる半導体製造装置において、前記第1のロード
ロック室内に、大気側から処理前のウェーハを受け取る
ローディングウェーハステージを上段に、反応室から真
空搬送ロボットによりアンローディングされた処理後の
ウェーハを受け取るアンローディングウェーハステージ
を下段に配した2層構造のウェーハステージが配置され
ていることを特徴とする半導体製造装置。 3)請求項第2項に記載の半導体製造装置において、ウ
ェーハステージに載置されるウェーハのあるべき中心を
重心位置とする、ウェーハの搬送方向の2辺の間隔がウ
ェーハの直径よりも大きく搬送方向と直角方向の2辺の
間隔がウェーハの直径よりも小さい、ウェーハ面と同方
向の長方形の各頂点位置に移動片が配され、ウェーハの
搬送方向に並ぶそれぞれ2個の移動片がそれぞれ搬送方
向の配列と間隔とを維持しつつウェーハの搬送方向と直
角方向にかつ互いに同時に等量近接するように移動して
移動片がウェーハの周縁に当り、移動片の移動が停止す
るまでウェーハを面内で移動させるセンタリング機構が
第1のロードロック室に設けられていることを特徴とす
る半導体製造装置。 4)請求項第1項または第2項に記載の半導体製造装置
において、ローディングウェーハステージおよびアンロ
ーディングウェーハステージがそれぞれ、ウェーハが載
置される上面側に、周方向に間隔をおいて複数、上面も
しくは上辺がウェーハステージの内側下方へ傾いた支持
片を備え、ウェーハが該支持片の傾いた上面もしくは上
辺により周縁で支持されることを特徴とする半導体製造
装置。
[Claims] 1) An atmospheric transport section in which an atmospheric transport device is arranged to transfer wafers between a carrier cassette loaded with a plurality of wafers in the atmosphere and a load lock chamber; thin film processing on the wafers; a reaction chamber in which processing is performed; a first chamber provided with a gate valve on the side of the atmospheric transport section, which is located between the reaction chamber and the atmospheric transport section, and waits the sent wafer until moving to the next process; A reaction system comprising a load-lock chamber and a vacuum robot located between the first load-lock chamber and the reaction chamber for transferring wafers between the first load-lock chamber and the reaction chamber in a vacuum atmosphere. A second load-lock chamber is connected via the gate valve to a second load-lock chamber equipped with a gate valve connected to the reaction chamber on the chamber side, and unprocessed wafers heading to the reaction chamber and post-processing wafers heading towards the atmosphere side. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a double load-lock type vacuum transfer unit for reciprocating transfer through which the wafer passes; and a loading wafer stage for receiving unprocessed wafers from the atmosphere side in the first load-lock chamber, and a reaction chamber. An unloading wafer stage for receiving a wafer unloaded by a vacuum transfer robot from the wafer is disposed in one plane and in a direction substantially perpendicular to a straight line connecting the atmospheric transfer device and the reaction chamber, with the straight line sandwiched therebetween. A semiconductor manufacturing device characterized by: 2) an atmospheric transport section in which an atmospheric transport device is arranged to transfer wafers between a carrier cassette loaded with a plurality of wafers in the atmosphere and a load lock chamber; a reaction chamber for performing thin film processing on wafers; a first load-lock chamber located between the reaction chamber and the atmospheric transport section, and equipped with a gate valve on the atmospheric transport section side, in which the sent wafer waits until being moved to the next process; A reaction chamber is located between the first load lock chamber and the reaction chamber, and has a built-in vacuum robot that transfers wafers between the first load lock chamber and the reaction chamber in a vacuum atmosphere. A reciprocating transport 2 in which unprocessed wafers heading toward the reaction chamber and post-processing wafers heading toward the atmosphere pass through a second load-lock chamber that is coupled to a second load-lock chamber equipped with a gate valve. In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a heavy load-lock type vacuum transfer section; a loading wafer stage is placed in the first load-lock chamber to receive unprocessed wafers from the atmosphere side, and a vacuum transfer robot is installed from the reaction chamber. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that a wafer stage having a two-layer structure is disposed, with an unloading wafer stage disposed at a lower stage for receiving processed wafers unloaded by a wafer stage. 3) In the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, the distance between two sides of the wafer in the transport direction is larger than the diameter of the wafer, with the center of gravity being the desired center of the wafer placed on the wafer stage. A moving piece is arranged at each vertex position of a rectangle in the same direction as the wafer surface, and the distance between the two sides in the direction perpendicular to the wafer direction is smaller than the diameter of the wafer. While maintaining the directional alignment and spacing, the wafers are moved in a direction perpendicular to the wafer transport direction and equally close to each other at the same time until the moving pieces hit the periphery of the wafer and the movement of the moving pieces stops. 1. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a centering mechanism for movement within the first load lock chamber is provided in the first load lock chamber. 4) In the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 or 2, each of the loading wafer stage and the unloading wafer stage includes a plurality of loading wafer stages and a plurality of unloading wafer stages arranged at intervals in the circumferential direction on the upper surface side on which the wafer is placed. Alternatively, a semiconductor manufacturing apparatus comprising a support piece whose upper side is inclined downwardly inside the wafer stage, and the wafer is supported at its periphery by the inclined upper surface or upper side of the support piece.
JP23931590A 1990-02-17 1990-09-10 Semiconductor manufacturing equipment Expired - Fee Related JP2646821B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2-36583 1990-02-17
JP3658390 1990-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03273606A true JPH03273606A (en) 1991-12-04
JP2646821B2 JP2646821B2 (en) 1997-08-27

Family

ID=12473795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23931590A Expired - Fee Related JP2646821B2 (en) 1990-02-17 1990-09-10 Semiconductor manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2646821B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198659A (en) * 1992-01-22 1993-08-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Plasma processor
JPH05198658A (en) * 1992-01-23 1993-08-06 Nissin Electric Co Ltd Water conveyor
JPH09246347A (en) * 1996-03-01 1997-09-19 Applied Materials Inc Multichamber wafer treatment system
JP2001358191A (en) * 2000-06-09 2001-12-26 Asm Japan Kk Substrate support plate for semiconductor manufacturing apparatus
JP2004311689A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for substrate treatment
US7025554B2 (en) 1998-11-17 2006-04-11 Tokyo Electron Limited Vacuum process system

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198659A (en) * 1992-01-22 1993-08-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Plasma processor
JPH05198658A (en) * 1992-01-23 1993-08-06 Nissin Electric Co Ltd Water conveyor
JPH09246347A (en) * 1996-03-01 1997-09-19 Applied Materials Inc Multichamber wafer treatment system
US7025554B2 (en) 1998-11-17 2006-04-11 Tokyo Electron Limited Vacuum process system
US7198448B2 (en) 1998-11-17 2007-04-03 Tokyo Electron Limited Vacuum process system
JP2001358191A (en) * 2000-06-09 2001-12-26 Asm Japan Kk Substrate support plate for semiconductor manufacturing apparatus
JP2004311689A (en) * 2003-04-07 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for substrate treatment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2646821B2 (en) 1997-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4729237B2 (en) Material transport system or method, carry-in port module
TWI571953B (en) Vacuum processing apparatus
US5404894A (en) Conveyor apparatus
US6473989B2 (en) Conveying system for a vacuum processing apparatus
JP3238432B2 (en) Multi-chamber type single wafer processing equipment
JP2002517055A (en) Substrate handling and processing systems and methods
TWI532114B (en) Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device
JPH11307614A (en) Multi-chamber system for etching equipment of semiconductor element manufacture
US20070065581A1 (en) Substrate processing system and method
JPH08181189A (en) High-speed movement of manufacture thing in processing in vacuum
JPH09176857A (en) Vacuum device for surface treatment of work piece
JP3632812B2 (en) Substrate transfer equipment
JP2007005435A (en) Processing apparatus
JP2001135704A (en) Substrate treatment apparatus and transfer control method for substrate transfer tray
TW201123340A (en) Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
JP2545591B2 (en) Wafer processing equipment
JPS61112312A (en) Vacuum continuous treater
JPH03273606A (en) Semiconductor manufacturing system
JP2873761B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPH0615720B2 (en) Vacuum processing device
JPH08181183A (en) Carrying equipment of specimen
JP3121022B2 (en) Decompression processing equipment
JPH06349931A (en) Processing system
JPH04271139A (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPH04298059A (en) Vacuum processor

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees