JPH03269826A - 相変化光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、たとえば情報の書き換えまたはオーバライ
ト可能な相変化光ディスクに対して情報の記録／再生も
しくは消去を行う相変化光ディスク装置に関する。

（従来の技術） 周知のように、相変化光ディスクは、記録されている情
報を消去した後に別の情報を書き込む情報の書き換え、
または記録されている情報の上から別の情報を書き込む
オーバライトが可能とされている。

ところで、この種の相変化光ディスクは、長期保存、ま
たは情報の記録／消去の繰り返しなどにより、記録膜や
保護膜に劣化を生じることがある。

このような劣化を生じた光ディスクでは、記録膜の反射
率が初期状態から変動されるため、情報の書き込みが正
確に行えなくなるものとなっていた。

し勿）シながら、相変化光ディスクへの情報の書き込み
などを行う相変化光ディスク装置では、記録膜や保護膜
の劣化を見ていない。このため、劣化されているにもか
かわらず、相変化光ディスクに対して情報の書き込みが
行われるという不具合があった。

（発明が解決しようとする課１ｉ） 上記したように、従来においては、記録膜や保護膜の劣
化を見ていないため、劣化されているにもかかわらず、
相変化光ディスクに対して情報の書き込みが行われると
いう不具合があった。

そこで、この発明は、長期保存または繰り返しの記録／
消去などによる相変化光ディスクの劣化を容易に検出す
ることができるとともに、相変化光ディスクに劣化が生
じている場合には新たな情報の書き込みを禁止すること
が可能な相変化光ディスク装置を提供することを目的と
している。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、この発明の相変化光ディ
スク装置にあっては、情報の書き換えまたはオーバライ
ト可能な相変化光ディスクに対して、情報の記録／再生
もしくは消去を行うものにおいて、記録情報を再生する
ときの反射光の反射率を検出する検出手段と、この検出
手段で検出された反射光の反射率から前記相変化光ディ
スクの劣化を診断する診断手段と、この診断手段で前記
光ディスクの劣化が診断された場合に、当該光ディスク
への情報の書き換えまたはオーバライトを禁止する禁止
手段とから構成されている。

（作用） この発明は、長期保存または繰り返しの記録／消去など
によって保護膜または記録膜が劣化されると再生光の反
射率が大きく変動されるため、再生光の反射率をモニタ
し、その再生光の反射率が初期時の状態から大きく変動
された場合に、相変化光ディスクへの情報の書き換えま
たはオーバライトを禁止するようにしたものである。

（実施例） 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。

第３図は、相変化光ディスクの再生波形を示すものであ
る。

相変化光ディスクには、たとえばＩｎ５ｂＴｅなどの化
合物半導体からなる記録膜が設けられている。この記録
膜は、通常、初期時には非晶質状態とされており、光ビ
ームの照射またはオーブンアニールなどによって初期結
晶化の状態とされる。

Ｉｎ５ｂＴｅなどの化合物半導体を記録膜に用いた相変
化光ディスクの場合、初期結晶化によってその反射率は
大きく低下されるようになっている。

また、オーバライトなどの情報の記録が行われると、情
報の「１」に対応する記録ビット部分の記録膜は非晶質
状態に近い結晶構造となり、情報の「０」に対応する消
去部分の記録膜は結晶化状態に近い構造となる。

初期時においては、非晶質状態の記録膜の反射率は図示
Ａで示すような範囲となるように設定され、また初期結
晶化状態の記録膜の反射率は図示Ｂで示すような範囲と
なるように設定され、また記録ビット部分の記録膜の反
射率は図示Ｃで示すような範囲となるように設定され、
さらに消去部分の記録膜の反射率は図示りで示すような
範囲となるようにそれぞれ設定されている。

第１図は、上記相変化光ディスクへの情報の書き換えま
たはオーバライトなどを行う相変化光ディスク装置の構
成を示すものである。

この光ディスク装置の場合、信号検出の方式として振幅
検出（たとえば、「光記録における信号処理技術」　国
中監修、トリケッブス、１９８９．２．２０発行）を用
いており、再生信号を適当なしきい値で２値コンパレー
トすることにより元の記録波形を得るようになっている
。また、トラッキングおよびフォーカス信号検出用の周
波数としては、記録信号よりも低い周波数を用いるよう
になっている。

すなわち、相変化光ディスク１１は、モータ１２によっ
てたとえば一定の速度にて回転されるようになっている
。

一方、光学ヘッドは、光源としての半導体レーザ１３、
集光レンズ１４、プリズム、ミラー、波長板などの光学
部品からなる伝達光学系１５、光検知器としてのフォト
ダイオードを主体に構成されるトラッキング誤差検出光
学系１６およびフォーカシング誤差検出光学系１７から
なる。

サーボ回路１８は、トラッキング誤差検出光学系１６お
よびフォーカシング誤差検出光学系１７からの検出出力
をもとにサーボ駆動機構１９を制御し、これにより集光
レンズ１４のフォーカス制御およびトラッキング制御を
行うものである。

信号検出回路２０は、再生信号を適当なしきい値で２値
コンパレートすることにより元の記録波形を得るもので
ある。

反射率検出回路２１は、上記した非晶質状態の記録膜か
らの反射率、初期結晶化状態の記録膜からの反射率、ま
たは記録ビット部分の記録膜からの反射率、さらには消
去部分の記録膜からの反射率のうち、少なくとも１つ以
上の反射率を検出するものである。

書き込み禁止回路２２は、上記反射率検出回路２１から
の反射率によって相変化光ディスク１１の劣化を検出す
るものである。すなわち、相変化光ディスク１１の劣化
の検出は、たとえば上記反射率検出回路２１によって検
出された反射率を、あらかじめ設定されている初期時の
反射率とそれぞれ比較することにより行われる。

ここで、上記初期時の反射率としては、たとえば第３図
にＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄでそれぞれ示すように、再生波形のＤ
Ｃ（直流）レベルでその変動範囲が設定されている。そ
して、この初期時の反射率は、パーシャルＲＯＭとして
相変化光ディスク１１にあらかじめ記録しておくように
しても良いし、あるいは使用前に記録するようにしても
良い。また、相変化光ディスク装置に、相変化光ディス
ク１１の制御データとして持たせるようにしても良い。

一方、上記書き込み禁止回路２２は、たとえば上記反射
率検出回路２１で検出された反射率のうち、１つ以上の
反射率が初期時の反射率から外れている場合に、相変化
光ディスク１１の劣化を表示装置２３にて表示せしめる
とともに、上記半導体レーザ１３を制御して、たとえば
光ディスク１１の所定セクタに書き込み禁止情報を書き
込むようになっている。

表示装置２３は、相変化光ディスク１１に劣化が生じて
いることを、たとえばエラーコード、シグナル表示、文
字表示などにより使用者に知らしめるものである。

第２図は、相変化光ディスク１１におけるセクタフォー
マットの一例を示すものである。

通常、相変化光ディスク１１に情報を記録する場合、情
報はこの記録フォーマットにしたがって行われる。

すなわち、１セクタは、プリフォーマット部と記録再生
部とからなる。

プリフォーマット部は、光ディスク１１にあらかじめプ
リピットで記録されているパターンで、セクタ同期部と
アドレス部とに分けられる。

セクタ同期部は、セクタの切れ目を確実に識別するため
のものであり、ここにはデータの記録／再生タイミング
の基準となるセクタマークが記録されている。

アドレス部は、セクタの物理アドレスを示す部分である
。

記録再生部には、フラグ記録部、記録パワーチエツク部
、データ同期部、データ部、およびギャップ部が設けら
れている。

フラグ記録部には、たとえば当該セクタが記録済みであ
るかを示す情報、当該セクタが正常記録できたかを示す
情報など、セクタの利用状況を示す情報の他、前述した
書き込み禁止情報が記録されるようになっている。

記録パワーチエツク部は、情報の記録に先だって上記半
導体レーザ１３をテスト発光させ、その出力パワーをモ
ニタすることにより上記半導体レーザ１３への最適印加
電流を求めるためのものである。

データ同期部は、ビット同期をとるための部分とデータ
同期をとるための同期パターン部とからなっている。

データ部には、ユーザデータ以外に、セクタ管理用の制
御情報や、誤り訂正に必要な検査バイト、およびデータ
同期取り直しのための再同期バタンか付加されるように
なっている。

ギャップ部は、当該セクタと次のセクタとを確実に分離
するために必要な無記録部である。

次に、上記した構成における動作について説明する。

たとえば今、相変化光ディスク１１に対して情報の書き
換えまたはオーバライトを行おうとした場合、モータ１
２により相変化光ディスク１１が回転されるとともに、
情報の記録位置に光学ヘッドが移動される。

そして、半導体レーザ１３の光照射による記録膜からの
反射光をもとに、その記録位置において、集光レンズ１
４がサーボ回路１８およびサーボ駆動機構１９によりト
ラッキングおよびフォーカス制御される。

また、相変化光ディスク１１からの再生光は、反射率検
出回路２１によってその反射率が検出される。そして、
この検出反射率は書き込み禁止回路２２に送られ、ここ
で相変化光ディスク１１の劣化の検出に供される。すな
わち、上記反射率検出回路２１によって検出された再生
波形のレベルが、初期時の反射率の変動範囲Ａ、Ｂ、Ｃ
，Ｄとそれぞれ比較される。

そして、ここでの比較によって相変化光ディスク１１の
劣化が検出されなかった場合には、その記録位置に対し
て情報の書き換えまたはオーバライトが行われる。

一方、相変化光ディスク１１の劣化が検出された場合、
つまり少なくとも１つ以上の領域について、再生波形の
レベルが初期時の反射率の変動範囲から外れている場合
には、半導体レーザ１３によってたとえば当該セクタの
フラグ記録部に書き込み禁止情報の書き込みが行われる
。また、相変化光ディスク１１の劣化により、この光デ
ィスク１１に対する情報の書き換えまたはオーバライト
が禁止となったことが表示回路２４によって表示される
。

上記したように、使用時に再生光の反射率をモニタする
ことにより、光ディスクの劣化を検出するようにしてい
る。

すなわち、長期保存または繰り返しの記録／消去などに
よる保護膜または記録膜の劣化を、再生光の反射率の初
期時からの変動により検出し、劣化が検出された場合に
はフラグを立てて相変化光ディスクへの情報の書き換え
またはオーバライトを禁止するようにしている。これに
より、劣化の生じている光ディスクに対して、新たな情
報の記録を行うといった不具合を未然に防止することが
可能となる。したがって、情報の書き込みを繰り返して
も、情報を記録した後のリードアフタライトによって記
録信号が正確に再生できないことにより始めて光ディス
クの劣化に気が付き、別の光ディスクを用意して改めて
情報の記録をやり直さなければならないなどの不便さか
ら解消されるようになるものである。

なお、上記実施例においては、記録膜にＩｎ５ｂＴｅ化
合物半導体を用いた相変化光ディスクを例に説明したが
、これに限らず、たとえば初期結晶化によって反射率の
増加するＧｅ５ｂＴｅなどのアモルファス半導体を記録
膜として用いた光ディスクにも適用できる。

その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々
変形実施可能なことは勿論である。

［発明の効果］ 以上、詳述したようにこの発明によれば、保護膜または
記録膜が劣化された場合に変動する再生先の反射率をモ
ニタするようにしているため、長期保存または繰り返し
の記録／消去などによる相変化光ディスクの劣化を容易
に検出することができるとともに、相変化光ディスクに
劣化が生している場合には新たな情報の書き込みを禁止
することが可能な相変化光ディスク装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１図は相変
化光ディスク装置の構成を示すブロック図、第２図はセ
クタフォーマットの一例を示す図、第３図は相変化光デ
ィスクの再生波形を模式％式％ １１・・・相変化光ディスク、１３・・・半導体レーザ
、Ｏ ・・・信号検出回路、 つ ・・・反射率検出回路、 ２・・・書き込み禁止回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 情報の書き換えまたはオーバライト可能な相変化光ディ
   スクに対して、情報の記録／再生もしくは消去を行う相
   変化光ディスク装置において、記録情報を再生するとき
   の反射光の反射率を検出する検出手段と、 この検出手段で検出された反射光の反射率から前記相変
   化光ディスクの劣化を診断する診断手段と、 この診断手段で前記光ディスクの劣化が診断された場合
   に、当該光ディスクへの情報の書き換えまたはオーバラ
   イトを禁止する禁止手段と を具備したことを特徴とする相変化光ディスク装置。