JPH03268415A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野Ｊ この発明はマスクの微小ずれをより小さくし、加工精度
の高い半導体装置の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図、第５図は従来の半導体装置製造の写真製版工程
で用いられるマスク合わせの際に用いられるアフハメン
トマークの上面図で、第４図はマスク上のアラハメント
マークとウェハ上のアラハメントマークにずれがある場
合、第５図は前述すれを補正した場合である。図におい
て、（３）はマスク上のアラハメントマーク、（４）は
ウェハ上のアフハメントマークである。

次に従来の半導体ウェハ（以下ウェハと呼ぶ）の写真製
版工程のマスク合わせについて説明する。

あるマスク合わせの工程は前工程の写真製版工程で形成
されているウェハ上のアラハメントマーク（４）にマス
ク上のアラハメントマーク（３）を重ね合ワせることに
よって行なう。通常、第１段階として第４図のようにウ
ェハ上のアフへメントマーク（４）をマスク上のアラハ
メントマーク（３）の領域に入るようにマスク合わせを
手動もしくは自動で行なうが、この段階ではウェハ上の
７フハメントマーク（４）がマスク上のアブハメントマ
ーク（３）の中央部に位置していないので、ずれがある
ことは容易に認められる。第２段階として第５図のよう
に前段階でのずれを手動もしくは自動で補正し、マスク
合わせは完了する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置の製造方法では以上のように写真製版
工程のマスク合わせが行なわれていたので、目視の限界
によるずれや測定機の精度によるずれを常に被っていた
が、最近の半導体装置の微細化、集積化に伴い前述のず
れは可能な限り小さくする必要があるという問題点があ
った。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マスク合わせの微小ずれを検出し易くし、よ
り精度の高い半導体装置の製造方法を得ることを目的と
する。

【課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ
と写真製版工程で用いるマスクに円環群からなるアフハ
メントマークを設け、その重ね合わせＫよりマスク合わ
せを行なうようにしたものである。

Ｅｆｔｒ用Ｊ この発明における半導体装置の製造方法は、半導体ウェ
ハとマスクの円環群のマスクが微小にずれていても、双
方の円環群で干渉によるモアレ模様を発生させることか
ら、そのずれが検出でき、また同郡を用いていることで
、ウェハの被加工平面に対していかなる方向のずれも検
出できる。よって、このモアレ模様が無くなるようにマ
スク合わせすることでより精度の高いマスク合わせが可
能となる。

〔実施例］ 以下、この発明の一５Ｉｊ！施例を図について説明する
。第１図はこの発明の一実施例であるマスク上の円環群
アラハメントマークとウェハ上の円環群アラへメントマ
ークが独立に並んだ図、第２図はマスク上の円環群アフ
ハメントマークとウェハ上の円環群アラハメントマーク
（２）が重なっているが微小なずれのためにモアレ模様
が発生している図、　第３　図ハｆスク上の円環群アフ
ハメントマーク（１）とウェハ上の円環群アフハメント
マークが完全に重なってマスク合わせが完了した図を示
す。第１図、第２図、第３図において、（１）はマスク
上に形成されたマスク上の円環群アラへメントマーク、
（２）はウェハ上に前工程で形成されているウェハ上の
円環群アラハメントマークである。

次に動作について説明する。

初めに第１図に示すように、まずウニへ上に写真製版工
程にて、同心円環、からなるウェハ上の円環群アフハメ
ントマーク（２）を形成して置く。次の写真製版工程の
マスクは、前工程のウニへ上の円環群アラハメントマー
ク（２）と同等のマスク上の円環群プラハメントマーク
（１）を形成して置く、次に、ウェハのパターン形成面
上をマスクで覆い、マスク上の円環群プラハメントマー
ク（１）とウニへ上の円環群アラハメントマーク（２）
を目視と手動により、もしくは、自動計測器によ抄マス
ク合わせを行なう。しかし、目視の限界、計測器の精度
から、ずれは必ず生じる。第２図ではマスク上の円環群
アフハメントマーク（１）とマスク上円環群アブハメン
トマーク（２）くずれがある場合で、双方アフハメント
マークのずれにより、双方の円環群が干渉してモアレ模
様を生じている。そのため、従来では検出不可能だった
微小なずれが目視もしくは、自動計測器により容易に検
出できる。また同郡を用いたことからウェハの被加工平
面に対して、縦方向、横方向のいかなる方位　ずれをも
検出できる。第３図はマスク合わせが完全に行なわれた
場合で、マスク上の円環群アラハメントマーク（１）が
ウェハ上の円環群アフハメントマーク（２）に重なって
いる。

なお、上記実施例ではマスク上の円環群アラハメントマ
ーク（１）とウェハ上円環群アラハメントマーク（２）
に、同心円群を用いた場合を示したが、偏心円群を用い
てもよい。そうすることによって、同心円群では検出不
可能だった回転方向のずれをも容易に検出できる。また
、円環のピッチは等間隔でなくてもよい。また、実際の
製造工程でこれら円環群よりなるアラハメントマークを
単一もしくは、複数組み合わせて用いても良い。

〔発明の効果〕

以上のようＫこの発明によれば、円環群の重ね合わせに
よるモアレ模様によりマスク合わせの微小ずれを検出し
、それを補正することにより精度の高いマスク合わせを
可能としたので、従来のものより微細かつ、集積度の高
い半導体装置を製造することが可能となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は、本発明の半導体装置の製造
方法を示す平面図で、第１図は非マスク合わせ時の図、
第２図はマスク合わせ時にずれを有している図、第３図
は完全にマスク合わせが行なえた状態の図、第４図、第
５図は、従来のマスク合わせを示す図で、第４図はマス
ク合わせが不充分な状態の図、第５図はマスク合わせが
完全に行なえた状態の図である。 図において、（１）はマスク上の円環群アラハメントマ
ーク、（２）はウェハ上の円環群アラハメントマークを
示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図 第８ｒＭ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 円環群とこの円環群の重ね合わせによって生ずるモアレ
   模様により、微小ずれを検出し、このずれを補正するこ
   とによって、精度の高いマスク合わせを可能とすること
   を特徴とした半導体装置の製造方法。