JPH03266501A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
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- JPH03266501A JPH03266501A JP2064082A JP6408290A JPH03266501A JP H03266501 A JPH03266501 A JP H03266501A JP 2064082 A JP2064082 A JP 2064082A JP 6408290 A JP6408290 A JP 6408290A JP H03266501 A JPH03266501 A JP H03266501A
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- circuit
- high frequency
- conductor layer
- epoxy glass
- frequency circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
マイクロ波回路装置に関し、
装置の軽量化、小型化に適し製造が容易なマイクロ波回
路装置の提供を目的とし、 誘電体損失の少ない誘電体からなる高周波用基板とエポ
キシグラス基板とを導体層を介して積層し、該導体層を
接地面として、上記高周波用基板上には高周波回路を実
装し、上記エポキシグラス基板上には電源回路、低周波
回路を実装して構成する。
路装置の提供を目的とし、 誘電体損失の少ない誘電体からなる高周波用基板とエポ
キシグラス基板とを導体層を介して積層し、該導体層を
接地面として、上記高周波用基板上には高周波回路を実
装し、上記エポキシグラス基板上には電源回路、低周波
回路を実装して構成する。
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波回路装置に関し、さらに詳しくは、
高周波回路及び低周波回路が混在するマイクロ波回路装
置における回路の実装構造に関する。
高周波回路及び低周波回路が混在するマイクロ波回路装
置における回路の実装構造に関する。
マイクロ波回路装置、例えば、局発信号を用いてＲＦ倍
信号ＩＰ倍信号変換する周波数変換機能を有するマイク
ロ波回路装置においては、相対的に高い周波数を有する
ＲＦ倍信号ついての処理を行う高周波回路と相対的に低
い周波数を有するＩＦ倍信号ついての処理を行う低周波
回路とが同一の回路装置内に混在する。このため、この
種のマイクロ波回路装置においては、高周波回路と低周
波回路、電源回路とをセパレートしてこれらを実装する
ことが、信号劣化等を防止する上で有効である。
信号ＩＰ倍信号変換する周波数変換機能を有するマイク
ロ波回路装置においては、相対的に高い周波数を有する
ＲＦ倍信号ついての処理を行う高周波回路と相対的に低
い周波数を有するＩＦ倍信号ついての処理を行う低周波
回路とが同一の回路装置内に混在する。このため、この
種のマイクロ波回路装置においては、高周波回路と低周
波回路、電源回路とをセパレートしてこれらを実装する
ことが、信号劣化等を防止する上で有効である。
従来の技術
第３図に従来のマイクロ波回路装置の一例を示す。この
従来例では、マイクロ波無線装置における受信側の中間
周波回路が実現されている。２は金属ケース、４．６は
金属ケース２に設けられた同軸コネクタ、８．１０．１
２はマイクロ波回路又はマイクロ波回路部品が実現され
ている高周波用基板、１４はＭＩＣ（マイクロ波集積回
路）型のサーキユレータ、１６は同じ＜ＭＩＣ型のミキ
サ、１８は中間周波信号回路等の低周波回路及びＤＣｔ
ｌｉ回路が実装されるエポキシグラス基板である。高周
波回路基板８．１０上にはそれぞれ増幅回路及びフィル
タが実現されている。
従来例では、マイクロ波無線装置における受信側の中間
周波回路が実現されている。２は金属ケース、４．６は
金属ケース２に設けられた同軸コネクタ、８．１０．１
２はマイクロ波回路又はマイクロ波回路部品が実現され
ている高周波用基板、１４はＭＩＣ（マイクロ波集積回
路）型のサーキユレータ、１６は同じ＜ＭＩＣ型のミキ
サ、１８は中間周波信号回路等の低周波回路及びＤＣｔ
ｌｉ回路が実装されるエポキシグラス基板である。高周
波回路基板８．１０上にはそれぞれ増幅回路及びフィル
タが実現されている。
高周波用基板８．１０．１２、サーキユレータ１４及び
ミキサ１６は高周波信号の漏洩を防止するためにエポキ
シグラス基板１８からセパレートされている必要がある
ので、この従来例では、金属ケース２に凹部を形成し、
この凹部１こ各部品を埋め込むような形で装置を構成し
てＩＮる。そして、高周波回路と低周波回路、電源回路
との接続は・金属ケース２の凹部内に張架されたワイヤ
２０１こよりなされている。
ミキサ１６は高周波信号の漏洩を防止するためにエポキ
シグラス基板１８からセパレートされている必要がある
ので、この従来例では、金属ケース２に凹部を形成し、
この凹部１こ各部品を埋め込むような形で装置を構成し
てＩＮる。そして、高周波回路と低周波回路、電源回路
との接続は・金属ケース２の凹部内に張架されたワイヤ
２０１こよりなされている。
第４図に従来のマイクロ波回路装置の他の例を示す。同
図（ａ）、ら）、（（：）はそれぞれこの装置の上面図
、側面断面図、底面図である。この例では、金属ケース
２′の表面側に同じように高周波用基板８．１０．１２
’、サーキュレータ１４及びミキサ１６を実装し、低周
波回路、電源回路用のエポキシグラス基板１８は金属ケ
ース２′の裏面側に実装している。そして、高周波回路
と低周波回路、電源回路との接続は、金属ケース２′に
設けられた穴を貫通するワイヤ２０′によりなされてい
る。
図（ａ）、ら）、（（：）はそれぞれこの装置の上面図
、側面断面図、底面図である。この例では、金属ケース
２′の表面側に同じように高周波用基板８．１０．１２
’、サーキュレータ１４及びミキサ１６を実装し、低周
波回路、電源回路用のエポキシグラス基板１８は金属ケ
ース２′の裏面側に実装している。そして、高周波回路
と低周波回路、電源回路との接続は、金属ケース２′に
設けられた穴を貫通するワイヤ２０′によりなされてい
る。
このように、従来技術では、金属ケースに凹部を形成し
、この凹部内に高周波回路と低周波回路、電源回路とを
セパレートして設けることによって、高周波信号の漏れ
を防止している。
、この凹部内に高周波回路と低周波回路、電源回路とを
セパレートして設けることによって、高周波信号の漏れ
を防止している。
発明が解決しようとする課題
第３図及び第４図により説明した従来技術による場合、
高周波回路と低周波回路、電源回路とをセパレートする
たｔに、金属ケースに凹部を形成するという加工が必要
であるので、マイクロ波回路装置の製造が容品でなく、
その上装置の軽量化、小型化が困難であるという問題が
あった。また、複数の回路基板が必要になるので、この
点からも装置の軽量化、小型化が困難であった。
高周波回路と低周波回路、電源回路とをセパレートする
たｔに、金属ケースに凹部を形成するという加工が必要
であるので、マイクロ波回路装置の製造が容品でなく、
その上装置の軽量化、小型化が困難であるという問題が
あった。また、複数の回路基板が必要になるので、この
点からも装置の軽量化、小型化が困難であった。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、装
置の軽量化、小型化に適し製造が容品なマイクロ波回路
装置の提供を目的としている。
置の軽量化、小型化に適し製造が容品なマイクロ波回路
装置の提供を目的としている。
作 用
本発明の構成によると、高周波用基板とエポキシグラス
基板とを導体層を介して積層し、この導体層を接地面と
した実装を行っているので、従来のように金属ケースに
ついての複雑な加工を必要とせずに、高周波回路と電源
回路、低周波回路との電磁遮蔽が可能になり、装置の軽
量化、小型化及び製造の容品化が達成される。
基板とを導体層を介して積層し、この導体層を接地面と
した実装を行っているので、従来のように金属ケースに
ついての複雑な加工を必要とせずに、高周波回路と電源
回路、低周波回路との電磁遮蔽が可能になり、装置の軽
量化、小型化及び製造の容品化が達成される。
また、本発明の構成によると、高周波用基板とエポキシ
グラス基板とを積層して複合構成の回路基板としている
ので、複数の回路基板の使用が不要になり、装置の軽量
化、小型化が達成される。
グラス基板とを積層して複合構成の回路基板としている
ので、複数の回路基板の使用が不要になり、装置の軽量
化、小型化が達成される。
課題を解決するたｔの手段
上述した技術的課題は、誘電体損失の少ない誘電体から
なる高周波用基板とエポキシグラス基板とを導体層を介
して積層し、該導体層を接地面として、上記高周波用基
板上には高周波回路を実装し、上記エポキシグラス基板
上には電源回路、低周波回路を実装することにより解決
される。
なる高周波用基板とエポキシグラス基板とを導体層を介
して積層し、該導体層を接地面として、上記高周波用基
板上には高周波回路を実装し、上記エポキシグラス基板
上には電源回路、低周波回路を実装することにより解決
される。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明が適用されるマイクロ波回路装置を示す
図である。この装置は、人力したＲＦ倍信号び局発信号
からＩＦ倍信号得るためのものである。同図（ａ）、
（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれこの装置の上方、側方、下
方から見た断面図である。従来技術を示す第３図及び￥
Ｊ、４図におけるものと実質的に同一の部分には同一の
符号が付されている。
図である。この装置は、人力したＲＦ倍信号び局発信号
からＩＦ倍信号得るためのものである。同図（ａ）、
（ｂ）、 （Ｃ）はそれぞれこの装置の上方、側方、下
方から見た断面図である。従来技術を示す第３図及び￥
Ｊ、４図におけるものと実質的に同一の部分には同一の
符号が付されている。
２２は本発明に特徴的な複合基板であり、その上面側及
び下面側にはそれぞれ高周波回路（ＲＦ回路）と電源回
路、低周波回路（ＩＦ回路）とが実装されて、この複合
基板２２は板金加工により形成された金属ケース２４内
に半田付けにより固定されている。２６．２８は金属ケ
ース２４内を密閉するために金属ケース２４のそれぞれ
下端及び上端に固定された底板及び上板である。同軸コ
ネクタ４，６の中心導体４ａ、６ａは複合基板２２の上
面に接触するようにされ、この接触部を半田付けするこ
とによって、ＲＦ倍信号び局発信号の入力部が形成され
ている。
び下面側にはそれぞれ高周波回路（ＲＦ回路）と電源回
路、低周波回路（ＩＦ回路）とが実装されて、この複合
基板２２は板金加工により形成された金属ケース２４内
に半田付けにより固定されている。２６．２８は金属ケ
ース２４内を密閉するために金属ケース２４のそれぞれ
下端及び上端に固定された底板及び上板である。同軸コ
ネクタ４，６の中心導体４ａ、６ａは複合基板２２の上
面に接触するようにされ、この接触部を半田付けするこ
とによって、ＲＦ倍信号び局発信号の入力部が形成され
ている。
第２図にＲＦ倍信号入力部近傍の詳細断面図を示す。複
合基板２２は、誘ｗＬ率が小さく低損失なりＴレジン、
テフロングラス（商品名）等の誘電体からなる高周波用
基板３０とエポキシグラス基板３２ａ、３２ｂとを導体
層３４を介して積層して構成されている。３６は高周波
用基板３０上に形成された高周波回路パターン、３８は
エポキシグラス基板３２ａ、３２ｂ間に介在するように
された配線パターン、４０はエポキシグラス基板３２ｂ
上に形成された電源回路及びＩＦ回路の回路部品の実装
パターンである。導体層３４は半田４４により金属ケー
ス２４に接続されて、導体層３４は接地電位となってい
る。高周波回路パターン３６はスルーホール４２を介し
て実装パターン４０や導体層３４に接続され、これによ
り、ＲＦ回路のＩＦ回路、電源回路との接続やＲＦ回路
における接地がなされるようになっている。４６．４８
は高周波回路パターン３６に表面実装されたＲＦ回路の
チップコンデンサ、パッケージデバイスである。５０．
５２は実装パターン４０に表面実装されたＩＦ回路、電
源回路の回路部品である。
合基板２２は、誘ｗＬ率が小さく低損失なりＴレジン、
テフロングラス（商品名）等の誘電体からなる高周波用
基板３０とエポキシグラス基板３２ａ、３２ｂとを導体
層３４を介して積層して構成されている。３６は高周波
用基板３０上に形成された高周波回路パターン、３８は
エポキシグラス基板３２ａ、３２ｂ間に介在するように
された配線パターン、４０はエポキシグラス基板３２ｂ
上に形成された電源回路及びＩＦ回路の回路部品の実装
パターンである。導体層３４は半田４４により金属ケー
ス２４に接続されて、導体層３４は接地電位となってい
る。高周波回路パターン３６はスルーホール４２を介し
て実装パターン４０や導体層３４に接続され、これによ
り、ＲＦ回路のＩＦ回路、電源回路との接続やＲＦ回路
における接地がなされるようになっている。４６．４８
は高周波回路パターン３６に表面実装されたＲＦ回路の
チップコンデンサ、パッケージデバイスである。５０．
５２は実装パターン４０に表面実装されたＩＦ回路、電
源回路の回路部品である。
この実施例においてエポキシグラス基板を用いているの
は、エポキシグラス基板が強度特性に優れており低周波
信号に対して特性上全く問題がなく、これを高周波用基
板とともに複合基板としたときに、強度特性に優れた実
用的な複合基板を提供することができるからである。高
周波用基板としてテフロン基板を用いることによって、
テフロンの線熱膨張係数はエポキシグラスの線熱膨張係
数とほぼ等しいので、温度変化により複合基板が反る恐
れがなくなり、装置の使用可能温度範囲が拡大される。
は、エポキシグラス基板が強度特性に優れており低周波
信号に対して特性上全く問題がなく、これを高周波用基
板とともに複合基板としたときに、強度特性に優れた実
用的な複合基板を提供することができるからである。高
周波用基板としてテフロン基板を用いることによって、
テフロンの線熱膨張係数はエポキシグラスの線熱膨張係
数とほぼ等しいので、温度変化により複合基板が反る恐
れがなくなり、装置の使用可能温度範囲が拡大される。
この実施例では、Ｍ２Ｃ型のサーキユレータ１４は金属
ブロック５４にねじ止めされ、この金属ブロック５４は
複合基板のエポキシグラス基板３２ｂ側に、接地された
実装パターン上にねじ止め固定されている。そして、サ
ーキユレータ１４の信号入出力部は高周波回路パターン
に接続されている。このようにサーキュレータ１４を実
装することによって、高周波回路側と低周波回路側との
電磁遮蔽性が確保される。同じように、Ｍ２Ｃ型のミキ
サモジニール１６も金属ブロック５６を介して複合基板
に固定されている。ミキサモジニール１６の高周波慣号
入出力部は高周波用基板上の高周波回路パターンに接続
され、電源供給用及びＩＦ信号出力用のリード端子１６
ａはワイヤによりエポキシグラス基板側の実装パターン
に接続されている。
ブロック５４にねじ止めされ、この金属ブロック５４は
複合基板のエポキシグラス基板３２ｂ側に、接地された
実装パターン上にねじ止め固定されている。そして、サ
ーキユレータ１４の信号入出力部は高周波回路パターン
に接続されている。このようにサーキュレータ１４を実
装することによって、高周波回路側と低周波回路側との
電磁遮蔽性が確保される。同じように、Ｍ２Ｃ型のミキ
サモジニール１６も金属ブロック５６を介して複合基板
に固定されている。ミキサモジニール１６の高周波慣号
入出力部は高周波用基板上の高周波回路パターンに接続
され、電源供給用及びＩＦ信号出力用のリード端子１６
ａはワイヤによりエポキシグラス基板側の実装パターン
に接続されている。
このマイクロ波回路装置の動作を簡単に説明しておく。
同軸コネクタ４から入力したＲＦ倍信号ＲＦ増幅回路部
５８で増幅されて、サーキユレータ１４及びフィルタ部
６０を介してミキサモジニール１６に入力する。ミキサ
モジニール１６に入力したＲＦ倍信号、同軸コネクタ６
から入力した局発信号と混合される。以上がこの装置に
おける高周波信号（ＲＦ倍信号び局発信号）の流れであ
る。ミキサモジュール１６において混合により生じたＩ
Ｆ倍信号、リード端子１６８等を介して低周波回路に送
られる。尚、この明細書で「高周波信号」及び「低周波
信号」というのは、それぞれ「相対的に高い周波数の信
号」及び「相対的に低い周波数の信号」という意味で使
用されていることに留意されたい（ＩＰ倍信号例えばＩ
ＧＨｚ）。
５８で増幅されて、サーキユレータ１４及びフィルタ部
６０を介してミキサモジニール１６に入力する。ミキサ
モジニール１６に入力したＲＦ倍信号、同軸コネクタ６
から入力した局発信号と混合される。以上がこの装置に
おける高周波信号（ＲＦ倍信号び局発信号）の流れであ
る。ミキサモジュール１６において混合により生じたＩ
Ｆ倍信号、リード端子１６８等を介して低周波回路に送
られる。尚、この明細書で「高周波信号」及び「低周波
信号」というのは、それぞれ「相対的に高い周波数の信
号」及び「相対的に低い周波数の信号」という意味で使
用されていることに留意されたい（ＩＰ倍信号例えばＩ
ＧＨｚ）。
また、高周波回路部の能動素子に対するＤＣｔ＃はスル
ーホール等を介して供給される。以上が低周波信号及び
電源の流れである。
ーホール等を介して供給される。以上が低周波信号及び
電源の流れである。
高周波回路側のＲＦ倍信号が低周波回路側に漏れると、
この漏れ出したＲＦ倍信号電源線等を介して他の装置に
伝送されて、クロストーク等の問題が生じることがある
が、この実施例では、高周波用基板３０とエポキシグラ
ス基板３２ａとの間に導体層３４を介在させるとともに
この導体層３４を接地し、しかも、サーキユレータ１４
及びミキサモジュール１６の実装には接地された金属ブ
ロック５４．５６を用いているので、ＲＦ倍信号の漏れ
に起因する上述の問題が生じる恐れがない。
この漏れ出したＲＦ倍信号電源線等を介して他の装置に
伝送されて、クロストーク等の問題が生じることがある
が、この実施例では、高周波用基板３０とエポキシグラ
ス基板３２ａとの間に導体層３４を介在させるとともに
この導体層３４を接地し、しかも、サーキユレータ１４
及びミキサモジュール１６の実装には接地された金属ブ
ロック５４．５６を用いているので、ＲＦ倍信号の漏れ
に起因する上述の問題が生じる恐れがない。
また、この実施例では、金属ケース２４を板金加工によ
り製造しているので、従来技術による場合と比較して装
置の軽量化、小型化が可能になり、しかも製造が容易で
ある。また、−枚の複合基板を用いて全ての回路構成を
実現することができるので、装置の薄型化が可能になる
。
り製造しているので、従来技術による場合と比較して装
置の軽量化、小型化が可能になり、しかも製造が容易で
ある。また、−枚の複合基板を用いて全ての回路構成を
実現することができるので、装置の薄型化が可能になる
。
発明の詳細
な説明したように、本発明によると、装置の軽量化、小
型化に適し、製造が容易なマイクロ波回路装置の提供を
可能になるという効果を奏する。
型化に適し、製造が容易なマイクロ波回路装置の提供を
可能になるという効果を奏する。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は本発明の実施例を
示すマイクロ波回路装置のそれぞれ上方、側方、下方力
１ら見た断面図、 第２図は同装置のＲＦ信号人力部近傍の詳細断面図、 第３図は従来技術の説明図、 第４図は他の従来技術の説明図である。 ４．６・・・同軸コネクタ、 １４・・・サーキユレータ、 １６・・・ミキサモジュール、 ２２・・・複合基板、 ２４・・・金属ケース、 ３０・・・高周波用基板、 ３２ （３２ａ、 ３２ ｂ）・・・エポキシグラス
基板、３４・・・導体層。 ４ ３２ （３２ａ 、 ３２ ｂ １ ３４ 寿（ト層 工Ｊζキシグラス基１又 曳比１列祥細ざ１狛図 第２図 旧 イ足＃十叉４打の祝吐圓 第３図
示すマイクロ波回路装置のそれぞれ上方、側方、下方力
１ら見た断面図、 第２図は同装置のＲＦ信号人力部近傍の詳細断面図、 第３図は従来技術の説明図、 第４図は他の従来技術の説明図である。 ４．６・・・同軸コネクタ、 １４・・・サーキユレータ、 １６・・・ミキサモジュール、 ２２・・・複合基板、 ２４・・・金属ケース、 ３０・・・高周波用基板、 ３２ （３２ａ、 ３２ ｂ）・・・エポキシグラス
基板、３４・・・導体層。 ４ ３２ （３２ａ 、 ３２ ｂ １ ３４ 寿（ト層 工Ｊζキシグラス基１又 曳比１列祥細ざ１狛図 第２図 旧 イ足＃十叉４打の祝吐圓 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体損失の少ない誘電体からなる高周波用基板（３０
）とエポキシグラス基板（３２）とを導体層（３４）を
介して積層し、 該導体層（３４）を接地面として、上記高周波用基板（
３０）上には高周波回路を実装し、上記エポキシグラス
基板（３２）上には電源回路、低周波回路を実装したこ
とを特徴とするマイクロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2064082A JPH03266501A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2064082A JPH03266501A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | マイクロ波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266501A true JPH03266501A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13247807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2064082A Pending JPH03266501A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2064082A patent/JPH03266501A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
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