JPH03265595A - ＩｎＰエピタキシャルウェハ - Google Patents
ＩｎＰエピタキシャルウェハInfo
- Publication number
- JPH03265595A JPH03265595A JP6793290A JP6793290A JPH03265595A JP H03265595 A JPH03265595 A JP H03265595A JP 6793290 A JP6793290 A JP 6793290A JP 6793290 A JP6793290 A JP 6793290A JP H03265595 A JPH03265595 A JP H03265595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- inp
- single crystal
- film layer
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 33
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は発光素子や受光素子などに用いることのでき
るＩｎＰエピタキシャルウェハに関するものである。
るＩｎＰエピタキシャルウェハに関するものである。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］従来
のＩｎＰエピタキシャルウェハは、ＩｎＰ単結晶基板の
上に直接気相エピタキシャル成長法により、Ｉ ｎＰ、
Ｉ ｎＧａＡｓ、およびＩ ｎＧａＡｓＰなどの半導体
薄膜を形成させることにより製造されている。このよう
なエピタキシャル成長用基板としてのＩｎＰ単結晶は古
くから開発されており、直径２インチや３インチ等の単
結晶ＩｎＰウェハが入手できるようになってきている。
のＩｎＰエピタキシャルウェハは、ＩｎＰ単結晶基板の
上に直接気相エピタキシャル成長法により、Ｉ ｎＰ、
Ｉ ｎＧａＡｓ、およびＩ ｎＧａＡｓＰなどの半導体
薄膜を形成させることにより製造されている。このよう
なエピタキシャル成長用基板としてのＩｎＰ単結晶は古
くから開発されており、直径２インチや３インチ等の単
結晶ＩｎＰウェハが入手できるようになってきている。
このような単結晶においては、歩留りを高める意味から
も結晶欠陥の少ないものが望ましい。単結晶基板の結晶
欠陥を少なくするための方法の１つとして、Ｓ（硫黄）
１．Ｓｎ（錫）、およびＺｎ（亜鉛）等の不純物を高濃
度にドーピングする方法が知られている。しかしながら
、これらの不純物は、単結晶基板上にエピタキシャル成
長させる際に、エピタキシャル成長される半導体薄膜中
に熱拡散し、受光素子や発光素子等の特性に悪影響を及
ぼすという問題があった。このため、ドーピングする濃
度に制約を受けていた。したがって、転位やスリップ等
の結晶欠陥の全くない単結晶基板を得ることは難しく、
多くの場合単結晶基板の外周部に結晶欠陥が残存してい
た。
も結晶欠陥の少ないものが望ましい。単結晶基板の結晶
欠陥を少なくするための方法の１つとして、Ｓ（硫黄）
１．Ｓｎ（錫）、およびＺｎ（亜鉛）等の不純物を高濃
度にドーピングする方法が知られている。しかしながら
、これらの不純物は、単結晶基板上にエピタキシャル成
長させる際に、エピタキシャル成長される半導体薄膜中
に熱拡散し、受光素子や発光素子等の特性に悪影響を及
ぼすという問題があった。このため、ドーピングする濃
度に制約を受けていた。したがって、転位やスリップ等
の結晶欠陥の全くない単結晶基板を得ることは難しく、
多くの場合単結晶基板の外周部に結晶欠陥が残存してい
た。
このような単結晶基板の上には、ＶＰＥ （気相エピタ
キシャル成長法） 、ＭＯＣＶＤ （有機金属気相成長
法）、およびＭＢＥ（分子線気相成長法）などの気相エ
ピタキシャル成長法により、半導体薄膜が形成される。
キシャル成長法） 、ＭＯＣＶＤ （有機金属気相成長
法）、およびＭＢＥ（分子線気相成長法）などの気相エ
ピタキシャル成長法により、半導体薄膜が形成される。
これらの方法により半導体薄膜を形成した場合、半導体
薄膜は基板結晶の結晶欠陥を引継ぎ、結晶欠陥の存在す
る薄膜となることが知られている。このように半導体薄
膜に結晶欠陥が存在する部分を用いて素子を作製した場
合、信頼性等が著しく損なわれる。たとえば、受光素子
の暗電流が増加し、半導体レーザの発光効率が低下する
。したがって、従来のエピタキシャルウェハを用いた場
合には、特に外周周辺部近傍に結晶欠陥が多く存在する
ことから、この部分で良好な素子を得ることができず、
歩留りが低くなるという問題があった。
薄膜は基板結晶の結晶欠陥を引継ぎ、結晶欠陥の存在す
る薄膜となることが知られている。このように半導体薄
膜に結晶欠陥が存在する部分を用いて素子を作製した場
合、信頼性等が著しく損なわれる。たとえば、受光素子
の暗電流が増加し、半導体レーザの発光効率が低下する
。したがって、従来のエピタキシャルウェハを用いた場
合には、特に外周周辺部近傍に結晶欠陥が多く存在する
ことから、この部分で良好な素子を得ることができず、
歩留りが低くなるという問題があった。
この発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、
単結晶基板の結晶欠陥および不純物濃度の影響を受けず
に、結晶欠陥の少ない気相エピタキシャル成長法による
ＩｎＰエピタキシャルウェハを提供することにある。
単結晶基板の結晶欠陥および不純物濃度の影響を受けず
に、結晶欠陥の少ない気相エピタキシャル成長法による
ＩｎＰエピタキシャルウェハを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明の１ｎＰエピタキシヤルウエハは、ＩｎＰ単結
晶基板の上方に気相法により半導体薄膜をエピタキシャ
ル成長させたＩｎＰエピタキシャルウェハであり、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長法により少
なくとも１層の中間薄膜層を形成し、この中間薄膜層の
上に半導体薄膜を形成したことを特徴としている。
晶基板の上方に気相法により半導体薄膜をエピタキシャ
ル成長させたＩｎＰエピタキシャルウェハであり、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長法により少
なくとも１層の中間薄膜層を形成し、この中間薄膜層の
上に半導体薄膜を形成したことを特徴としている。
［作用］
本発明者は、ＩｎＰ単結晶基板の上に液相エピタキシャ
ル成長法により、ＩｎＰおよびＩ ｎＧａＡｓ等の半導
体薄膜を形成した場合、それらがノンドープに近い低不
純物濃度の半導体薄膜であっても、それらのエッチピッ
ト密度（ＥＰＤ）はＩｎＰ単結晶基板のそれよりも２桁
以上小さな値であることを見出だしている。このため、
ＩｎＰ単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長法によ
り結晶欠陥の少ない半導体薄膜を中間薄膜層として形成
し、この結晶欠陥の少ない中間薄膜層の上に半導体薄膜
を形成させることにより、結晶欠陥の非常に少ない半導
体薄膜を形成させることができる。
ル成長法により、ＩｎＰおよびＩ ｎＧａＡｓ等の半導
体薄膜を形成した場合、それらがノンドープに近い低不
純物濃度の半導体薄膜であっても、それらのエッチピッ
ト密度（ＥＰＤ）はＩｎＰ単結晶基板のそれよりも２桁
以上小さな値であることを見出だしている。このため、
ＩｎＰ単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長法によ
り結晶欠陥の少ない半導体薄膜を中間薄膜層として形成
し、この結晶欠陥の少ない中間薄膜層の上に半導体薄膜
を形成させることにより、結晶欠陥の非常に少ない半導
体薄膜を形成させることができる。
第５図は従来のウェハの一例を模式的に示す断面図であ
る。第５図に示すように、従来のウェハは、ＩｎＰ単結
晶基板１１の上に直接半導体薄膜１３が気相エピタキシ
ャル成長法により形成されている。
る。第５図に示すように、従来のウェハは、ＩｎＰ単結
晶基板１１の上に直接半導体薄膜１３が気相エピタキシ
ャル成長法により形成されている。
第６図は、ＩｎＰ単結晶基板の結晶欠陥を模式的に示す
平面図である。第６図に示すように、ＩｎＰ単結晶基板
１１の外周近傍には、転位１４やスリップ１５が多く存
在している。このようなＩｎＰ単結晶基板１１の上に直
接半導体薄膜１３を形成するとこの半導体薄膜１３にも
このような結晶欠陥が引き継がれることが知られている
。
平面図である。第６図に示すように、ＩｎＰ単結晶基板
１１の外周近傍には、転位１４やスリップ１５が多く存
在している。このようなＩｎＰ単結晶基板１１の上に直
接半導体薄膜１３を形成するとこの半導体薄膜１３にも
このような結晶欠陥が引き継がれることが知られている
。
第７図は、第６図の１ｎＰ単結晶基板の上に直接形成さ
れた半導体薄膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である
。第７図に示すように、第６図に示すＩｎＰ単結晶基板
の結晶欠陥をそのまま引継ぎ、半導体薄膜１３の外周近
傍に、転位１８およびスリップ１９が存在している。
れた半導体薄膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である
。第７図に示すように、第６図に示すＩｎＰ単結晶基板
の結晶欠陥をそのまま引継ぎ、半導体薄膜１３の外周近
傍に、転位１８およびスリップ１９が存在している。
第１図は、この発明のウェハを模式的に示す断面図であ
る。第１図に示すように、ＩｎＰ単結晶基板１の上に中
間薄膜層２を形成し、この中間薄膜層２の上に半導体薄
膜３を形成している。
る。第１図に示すように、ＩｎＰ単結晶基板１の上に中
間薄膜層２を形成し、この中間薄膜層２の上に半導体薄
膜３を形成している。
第２図は、第６図と同様にＩｎＰ単結晶基板の結晶欠陥
を模式的に示した平面図である。第６図と同様に、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板１の外周近傍には転位４およびスリップ５
が多く存在している。
を模式的に示した平面図である。第６図と同様に、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板１の外周近傍には転位４およびスリップ５
が多く存在している。
第３図は、第２図に示すＩｎＰ単結晶基板の上に形成し
た中間薄膜層の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。
た中間薄膜層の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。
第３図に示すように、中間薄膜層２の外周近傍にも若干
の転位６やスリップ７などの結晶欠陥は存在するが、そ
の数はＩｎＰ単結晶基板１に比べると著しく少ない。
の転位６やスリップ７などの結晶欠陥は存在するが、そ
の数はＩｎＰ単結晶基板１に比べると著しく少ない。
第４図は、第３図の中間薄膜層の上に形成した半導体薄
膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。第４図に示
すように、結晶欠陥の少ない中間薄膜層２の上に形成し
た半導体薄膜３は、中間薄膜層２の結晶欠陥をそのまま
引継ぎ、転位８およびスリップ９が存在するが、その数
はＩｎＰ単結晶基板１に比べると著しく少なくなってい
る。
膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。第４図に示
すように、結晶欠陥の少ない中間薄膜層２の上に形成し
た半導体薄膜３は、中間薄膜層２の結晶欠陥をそのまま
引継ぎ、転位８およびスリップ９が存在するが、その数
はＩｎＰ単結晶基板１に比べると著しく少なくなってい
る。
このように、この発明に従えば、半導体薄膜における結
晶欠陥が著しく少ないＩｎＰエピタキシャルウェハとす
ることができる。
晶欠陥が著しく少ないＩｎＰエピタキシャルウェハとす
ることができる。
この発明において、ＩｎＰ単結晶基板の上に形成する中
間薄膜層の組成は特に限定されるものではなく、ＩｎＰ
やＩｎＧａＡｓ等の組成の薄膜を少なくとも１層以上形
成させることができる。また中間薄膜層には、Ｓ（硫黄
）、Ｓｎ（錫）、およびＺｎ（亜鉛）等の不純物元素の
うちの少なくとも１つをドーピングすることもできる。
間薄膜層の組成は特に限定されるものではなく、ＩｎＰ
やＩｎＧａＡｓ等の組成の薄膜を少なくとも１層以上形
成させることができる。また中間薄膜層には、Ｓ（硫黄
）、Ｓｎ（錫）、およびＺｎ（亜鉛）等の不純物元素の
うちの少なくとも１つをドーピングすることもできる。
この際ドーピング量は３ Ｘ １０１８ｍ−’以下であ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
この発明において中間薄膜層の厚みは特に限定されるも
のではないが、気相エピタキシャル成長の過程において
、ＩｎＰ単結晶基板の結晶欠陥が成長して液相エピタキ
シャル成長法で形成した中間薄膜層にまで到達し得ない
ような十分な厚みであることが望ましい。また！ｎＰ単
結晶基板が不純物を高濃度にドーピングしたものである
場合には、気相エピタキシャル成長過程において、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板中の不純物が液相エピタキシャル成長法で
形成した中間薄膜層にまで熱拡散しないような十分な厚
みであることが好ましい。具体的には、１μｍ以上であ
ることが好ましい。
のではないが、気相エピタキシャル成長の過程において
、ＩｎＰ単結晶基板の結晶欠陥が成長して液相エピタキ
シャル成長法で形成した中間薄膜層にまで到達し得ない
ような十分な厚みであることが望ましい。また！ｎＰ単
結晶基板が不純物を高濃度にドーピングしたものである
場合には、気相エピタキシャル成長過程において、Ｉｎ
Ｐ単結晶基板中の不純物が液相エピタキシャル成長法で
形成した中間薄膜層にまで熱拡散しないような十分な厚
みであることが好ましい。具体的には、１μｍ以上であ
ることが好ましい。
［実施例コ
直径２インチ、厚み３５０μｍのＳをドープした単結晶
１ｎＰウエハ（ドープ量は８Ｘ１０１８ｃｍ−りの上に
、スライド・ボート式液相エピタキシャル成長法により
、ＳｎをドープしたＩｎＰ（ドープ量は１〜２ Ｘ １
０１８ｃ ｍ−’）の中間薄膜層を１０μｍの厚みで形
成した。この上に、ＶＰＥ法により、ＩｎＰ（ノンドー
プ）を２μｍ、 １ｎＧａＡｓ （ノンドープ）を
４μｍＳ ＩｎＰ （ノンドープ）を２μｍの厚みで
順次連続的に形成させた。
１ｎＰウエハ（ドープ量は８Ｘ１０１８ｃｍ−りの上に
、スライド・ボート式液相エピタキシャル成長法により
、ＳｎをドープしたＩｎＰ（ドープ量は１〜２ Ｘ １
０１８ｃ ｍ−’）の中間薄膜層を１０μｍの厚みで形
成した。この上に、ＶＰＥ法により、ＩｎＰ（ノンドー
プ）を２μｍ、 １ｎＧａＡｓ （ノンドープ）を
４μｍＳ ＩｎＰ （ノンドープ）を２μｍの厚みで
順次連続的に形成させた。
また、比較のために、中間薄膜層を形成せずに、Ｓをド
ープした単結晶ＩｎＰ基板の上に上記と同じＶＰＥ法に
より同じ構造の半導体薄膜を直接形成してＩｎＰエピタ
キシャルウェハを作製した。
ープした単結晶ＩｎＰ基板の上に上記と同じＶＰＥ法に
より同じ構造の半導体薄膜を直接形成してＩｎＰエピタ
キシャルウェハを作製した。
以上のようにして得られたＩｎＰエピタキシャルウェハ
を用いて受光素子を作製し、暗電流の測定を行なった。
を用いて受光素子を作製し、暗電流の測定を行なった。
その結果、この発明に従い中間薄膜層を形成しその上に
半導体薄膜を形成したＩｎＰウェハを用いたものでは、
ウェハ全面にわたって良好な低い暗電流値が観測された
。これに対し、比較の中間薄膜層を形成していないＩｎ
Ｐウェハでは、ウェハの外周周辺部で大きな暗電流値が
観測された。
半導体薄膜を形成したＩｎＰウェハを用いたものでは、
ウェハ全面にわたって良好な低い暗電流値が観測された
。これに対し、比較の中間薄膜層を形成していないＩｎ
Ｐウェハでは、ウェハの外周周辺部で大きな暗電流値が
観測された。
また、中間薄膜層としてＩｎＰのドープ量をノンドープ
に近い１０ ”ｃ ｍ−’のオーダにさげたＩｎＰウェ
ハについても上記と同様に作製し、これを用いて受光素
子を作製したところ、ウェハ全面にわたって良好な低い
暗電流値が観測された。
に近い１０ ”ｃ ｍ−’のオーダにさげたＩｎＰウェ
ハについても上記と同様に作製し、これを用いて受光素
子を作製したところ、ウェハ全面にわたって良好な低い
暗電流値が観測された。
［発明の効果コ
以上説明したように、この発明に従えば、半導体薄膜の
内部に結晶欠陥の少ないＩｎＰエピタキシャルウェハと
することができる。このため、直径２インチあるいは３
インチ等の大型のＩｎＰエピタキシャルウェハとした場
合にも、歩留りよく受光素子や発光素子等の素子を製造
することのできるエピタキシャルウェハとすることがで
きる。
内部に結晶欠陥の少ないＩｎＰエピタキシャルウェハと
することができる。このため、直径２インチあるいは３
インチ等の大型のＩｎＰエピタキシャルウェハとした場
合にも、歩留りよく受光素子や発光素子等の素子を製造
することのできるエピタキシャルウェハとすることがで
きる。
第１図は、この発明のウニｌ＼の一例を模式的に示す断
面図である。 第２図は、ＩｎＰ単結晶の結晶欠陥を模式的に示す平面
図である。 第３図は、第２図のＩｎＰ単結晶上に形成した中間薄膜
層の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 第４図は、第３図の中間薄膜層の上に形成した半導体薄
膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 第５図は、従来のウェハの一例を模式的に示す断面図で
ある。 第６図は、１ｎＰ単結晶の結晶欠陥を模式的に示す平面
図である。 第７図は、第６図のＩｎＰ単結晶基板の上に直接形成し
た半導体薄膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 図において、１はＩｎＰ単結晶基板、２は中間薄膜層、
３は半導体薄膜、４は転位、５はスリ・ツブ、６は転位
、７はスリップ、８は転位、９はスリップを示す。 （ほか２名） 第２図 第３図 第４図
面図である。 第２図は、ＩｎＰ単結晶の結晶欠陥を模式的に示す平面
図である。 第３図は、第２図のＩｎＰ単結晶上に形成した中間薄膜
層の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 第４図は、第３図の中間薄膜層の上に形成した半導体薄
膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 第５図は、従来のウェハの一例を模式的に示す断面図で
ある。 第６図は、１ｎＰ単結晶の結晶欠陥を模式的に示す平面
図である。 第７図は、第６図のＩｎＰ単結晶基板の上に直接形成し
た半導体薄膜の結晶欠陥を模式的に示す平面図である。 図において、１はＩｎＰ単結晶基板、２は中間薄膜層、
３は半導体薄膜、４は転位、５はスリ・ツブ、６は転位
、７はスリップ、８は転位、９はスリップを示す。 （ほか２名） 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）ＩｎＰ単結晶基板の上方に気相法により半導体薄
膜をエピタキシャル成長させたＩｎＰエピタキシャルウ
ェハであって、 前記１ｎＰ単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長法
により少なくとも１層の中間薄膜層を形成し、この中間
薄膜層の上に前記半導体薄膜を形成した、ＩｎＰエピタ
キシャルウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6793290A JPH03265595A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | ＩｎＰエピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6793290A JPH03265595A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | ＩｎＰエピタキシャルウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03265595A true JPH03265595A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13359194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6793290A Pending JPH03265595A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | ＩｎＰエピタキシャルウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03265595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098297A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6793290A patent/JPH03265595A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098297A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4960728A (en) | Homogenization anneal of II-VI compounds | |
| JPH03236218A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 | |
| US5686350A (en) | Method for fabricating defect-free compound semiconductor thin film on dielectric thin film | |
| KR100433039B1 (ko) | 에피택셜웨이퍼및그제조방법 | |
| Ji et al. | InGaN quantum dot photodetectors | |
| JP3288741B2 (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPH03265595A (ja) | ＩｎＰエピタキシャルウェハ | |
| US6815792B2 (en) | Epitaxially grown compound semiconductor film and compound semiconductor multi-layer structure | |
| JPS5928392A (ja) | ヘテロ構造を持つプレ−ナ形フオト・ダイオ−ドの製造方法 | |
| EP1791171B1 (en) | Epitaxial crystal growing method | |
| GB2278725A (en) | Production method of cadmium mercury telluride crystal for use in an infrared detector | |
| JP3109567B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハの製造方法 | |
| JP2705016B2 (ja) | ＩｎＰ系化合物半導体装置 | |
| JPH01296673A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体装置 | |
| US6890781B2 (en) | Transparent layer of a LED device and the method for growing the same | |
| JPH0371620A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS59195881A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Fan | High efficiency, low cost thin GaAs solar cells | |
| Manninen | Improving Group IV Photonics: Examining Material Properties of Epitaxially Grown, Low-Temperature Silicon and Gallium-Doped Silicon Thin Films | |
| JPH09232603A (ja) | 赤外線検出器の製造方法 | |
| JP2992757B2 (ja) | ドーピング方法 | |
| JP2543791B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法 | |
| JPS59126683A (ja) | 光電子素子 | |
| JPS63151700A (ja) | ２−６族化合物半導体の成長法 | |
| JPH07193331A (ja) | 発光素子用ＧａＡｓ基板 |