JPS63151700A - ２−６族化合物半導体の成長法 - Google Patents
２−６族化合物半導体の成長法Info
- Publication number
- JPS63151700A JPS63151700A JP29702586A JP29702586A JPS63151700A JP S63151700 A JPS63151700 A JP S63151700A JP 29702586 A JP29702586 A JP 29702586A JP 29702586 A JP29702586 A JP 29702586A JP S63151700 A JPS63151700 A JP S63151700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- substrate
- growth
- epitaxial growth
- zns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000006163 transport media Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 53
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000010800 chemical transportation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NJYFRQQXXXRJHK-UHFFFAOYSA-N (4-aminophenyl) thiocyanate Chemical compound NC1=CC=C(SC#N)C=C1 NJYFRQQXXXRJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、「−ｎ族化合物半導体例えばＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅあるいはこれらよりなる固溶体もし
くは超構造結晶のエピタキシャル成長法に関するもので
ある。
くは超構造結晶のエピタキシャル成長法に関するもので
ある。
〈従来技術上その問題点〉
直接遷移型のワイドギヤラグを有するＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅ、ｚｎＴｅ等のＨ−ｎ族化合物半導体は紫外光
から青色、緑色光に至る高効率の発光が可能である。し
かしながら現在までにｐ型、ｎ型の両電導型とも制御す
ることのできる結晶成長技術が開発されていないため、
産業上実用化が可能な半導体素子としての応用の範囲は
極めて限られている。
から青色、緑色光に至る高効率の発光が可能である。し
かしながら現在までにｐ型、ｎ型の両電導型とも制御す
ることのできる結晶成長技術が開発されていないため、
産業上実用化が可能な半導体素子としての応用の範囲は
極めて限られている。
すなわち、これらの化合物のうちではＺｎＳのみが主と
して螢光体として実用化されているにとどまっている。
して螢光体として実用化されているにとどまっている。
近年、他の化合物では不可能である可視短波長〜紫外光
領域での注入型高効率発光素子を実現するための研究が
、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆積）法、ＭＢＥ（分子線
エピタキシー）法等の新薄膜単結晶底長技術により行な
われつつある。ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等の新成長技術
は、純度の高い結晶を制御性良く得ることができる方法
として一−ｖ族化合物半導体についてほぼ確立されつつ
あり、■−■族化合物半導体においてもこれら技術の確
立が急がれている。しかしながら、従来のＭＯＣＶＤ法
やＭＢＥ法等を用いた■−■族化合物半導体のエピタキ
シャル成長においては、成長用基板として結晶格子定数
等が比較的近いＩ−Ｖ族化合物半導体が用いられてきた
ため、上記新成長技術の利点を減殺する多くの問題点が
残されたままになっている。すなわち、ＧａＡｓ等の異
質基板を用いるヘテロエピタキシャル成長においては、
（１）格子定数が一致しないため、成長時にミスフィ７
）による欠陥が必然的に発生する。
領域での注入型高効率発光素子を実現するための研究が
、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学堆積）法、ＭＢＥ（分子線
エピタキシー）法等の新薄膜単結晶底長技術により行な
われつつある。ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法等の新成長技術
は、純度の高い結晶を制御性良く得ることができる方法
として一−ｖ族化合物半導体についてほぼ確立されつつ
あり、■−■族化合物半導体においてもこれら技術の確
立が急がれている。しかしながら、従来のＭＯＣＶＤ法
やＭＢＥ法等を用いた■−■族化合物半導体のエピタキ
シャル成長においては、成長用基板として結晶格子定数
等が比較的近いＩ−Ｖ族化合物半導体が用いられてきた
ため、上記新成長技術の利点を減殺する多くの問題点が
残されたままになっている。すなわち、ＧａＡｓ等の異
質基板を用いるヘテロエピタキシャル成長においては、
（１）格子定数が一致しないため、成長時にミスフィ７
）による欠陥が必然的に発生する。
（２）格子定数を一致させるために新たな元素を付加し
て基板化合物を混晶化あるいは逆に成長結晶全混晶化す
る試みは可能であるが、厳密に再現性良く制御すること
は極めて困難である。従って（１）と同様の問題の解決
は極めて難しい。
て基板化合物を混晶化あるいは逆に成長結晶全混晶化す
る試みは可能であるが、厳密に再現性良く制御すること
は極めて困難である。従って（１）と同様の問題の解決
は極めて難しい。
（３） 基板結晶と成長結晶は異質の結晶であるため
、熱膨張係数が異なり、成長結晶には必然的に引張り応
力あるいは圧縮応力が働き、成長後の温度変化時（降温
時、熱プロセス時）に欠陥の生成が誘起される。
、熱膨張係数が異なり、成長結晶には必然的に引張り応
力あるいは圧縮応力が働き、成長後の温度変化時（降温
時、熱プロセス時）に欠陥の生成が誘起される。
（４）Ｉ−Ｖ族化合物半導体、Ｉｖ族元素半導体等は全
てが材料的に見て■−■族化合物半導体の不純物として
働き、成長過程で必然的に結晶中に混入するため成長結
晶の純度を低下させる。
てが材料的に見て■−■族化合物半導体の不純物として
働き、成長過程で必然的に結晶中に混入するため成長結
晶の純度を低下させる。
これらの点は、Ｉ−ＶＩ族化合物半導体の物性制御（ｐ
＋ｎ電導型制御）に必要である高品質結晶すなわち純度
が従来以上に高くしかも欠陥密度の低い良質結晶を得る
上で、極めて大きな障害となっている。
＋ｎ電導型制御）に必要である高品質結晶すなわち純度
が従来以上に高くしかも欠陥密度の低い良質結晶を得る
上で、極めて大きな障害となっている。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、Ｚ
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ＋ＺｎＴｅ等の…−■族化合物半導体の
エピタキシャル成長用基板としてノ・ロダン輸送法によ
り成長させたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のノ（ルク単結晶を用
いることにより、純度が高くしかも欠陥の少ない高品質
の…−■族化合物半導体エピタキシャル単結晶膜を得る
成長法を提供するものである。
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ＋ＺｎＴｅ等の…−■族化合物半導体の
エピタキシャル成長用基板としてノ・ロダン輸送法によ
り成長させたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のノ（ルク単結晶を用
いることにより、純度が高くしかも欠陥の少ない高品質
の…−■族化合物半導体エピタキシャル単結晶膜を得る
成長法を提供するものである。
〈発明の概要〉
本発明のエピタキシャル単結晶膜成長方法の特徴は、Ｚ
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺＨＴｅ等のＩ−％’Ｉ族化合物半導
体のエピタキシャル成長に際して、ハロゲンを輸送媒体
とする化学輸送成長法により成長させたバルク単結晶を
成長用基板として用いることである。ハロゲン化学輸送
法により高品質のＺｎＳ。
ｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺＨＴｅ等のＩ−％’Ｉ族化合物半導
体のエピタキシャル成長に際して、ハロゲンを輸送媒体
とする化学輸送成長法により成長させたバルク単結晶を
成長用基板として用いることである。ハロゲン化学輸送
法により高品質のＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅ等のバルク単結晶を成長させることが可能とな
り、基板用単結晶の作製技術として確立させることがで
きた。
り、基板用単結晶の作製技術として確立させることがで
きた。
例えば、沃素を輸送媒体として、寸法２ａｎ程度の単結
晶が容易に成長され、Ｉ Ｘ Ｉ Ｘ Ｏ，０５ｃｒｎ
３程ぞ 度の基板ウェーハネ作製することができる。これらの基
板結晶はＥＰＤが約Ｉ Ｑ、’ｃｒｎ２であり、現在実
用化されているＩ−Ｖ族化合物半導体基板と同程度であ
る。本発明に係る成長用基板は、熱処理等を付与するこ
とにより安定な高抵抗基板あるいは低抵抗基板とするこ
とも可能であり、エピタキシャル成長用として必要な各
種の物性、および基板方位等の結晶仕様を指定すること
もできる。これらのことは、沃素以外の臭素、塩素、弗
素等を輸送媒体とするハロゲン輸送法により得られたバ
ルク単結晶°でも同様である。）・ロゲンを輸送媒体と
して得られたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のバルク単結晶中には
不純物として小量のハロゲンが混入しているが、他の不
純物や欠陥密度が低く、ハロゲン以外の不純物は結晶の
性質に影響を与えない。一方、ハロゲンはその大部分を
高温での熱処理により、結晶外へ拡散させて濃度を低減
させることができるため、十分に安定な基板結晶を得る
ことが可能となる。ただし沃素に関しては、熱処理によ
って結晶中濃度があまり変化しないが、結晶中で比較的
安定であり、そのため、通常のエピタキシャル成長にお
いては沃素の混入した基板はそのまま十分に安定かつ高
品質な基板として使用することができる。ハロゲン輸送
法により成長させて得たバルク単結晶から作製した基板
は半導体に必要な通常の表面化学処理を容易に行うこと
が可能であり、エピタキシャル成長用高品質基板が得ら
れる。これらのＩ−Ｍ族化合物半導体基板上にＺｎＳや
Ｚｎ５ｅ等のＨ−■族化合物半導体をエピタキシャル成
長させることによりホモエピタキシャル成長が実現でき
高品質単結晶が得られる。
晶が容易に成長され、Ｉ Ｘ Ｉ Ｘ Ｏ，０５ｃｒｎ
３程ぞ 度の基板ウェーハネ作製することができる。これらの基
板結晶はＥＰＤが約Ｉ Ｑ、’ｃｒｎ２であり、現在実
用化されているＩ−Ｖ族化合物半導体基板と同程度であ
る。本発明に係る成長用基板は、熱処理等を付与するこ
とにより安定な高抵抗基板あるいは低抵抗基板とするこ
とも可能であり、エピタキシャル成長用として必要な各
種の物性、および基板方位等の結晶仕様を指定すること
もできる。これらのことは、沃素以外の臭素、塩素、弗
素等を輸送媒体とするハロゲン輸送法により得られたバ
ルク単結晶°でも同様である。）・ロゲンを輸送媒体と
して得られたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のバルク単結晶中には
不純物として小量のハロゲンが混入しているが、他の不
純物や欠陥密度が低く、ハロゲン以外の不純物は結晶の
性質に影響を与えない。一方、ハロゲンはその大部分を
高温での熱処理により、結晶外へ拡散させて濃度を低減
させることができるため、十分に安定な基板結晶を得る
ことが可能となる。ただし沃素に関しては、熱処理によ
って結晶中濃度があまり変化しないが、結晶中で比較的
安定であり、そのため、通常のエピタキシャル成長にお
いては沃素の混入した基板はそのまま十分に安定かつ高
品質な基板として使用することができる。ハロゲン輸送
法により成長させて得たバルク単結晶から作製した基板
は半導体に必要な通常の表面化学処理を容易に行うこと
が可能であり、エピタキシャル成長用高品質基板が得ら
れる。これらのＩ−Ｍ族化合物半導体基板上にＺｎＳや
Ｚｎ５ｅ等のＨ−■族化合物半導体をエピタキシャル成
長させることによりホモエピタキシャル成長が実現でき
高品質単結晶が得られる。
尚、作製される成長層は単結晶に限定されず、多結晶、
微結晶あるいは非晶質であっても良い。
微結晶あるいは非晶質であっても良い。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例（１）
ハロゲン元素である沃素を輸送媒体として得たＺｎＳバ
ルク単結晶から作製したＺｎＳ基板（（＋００）。
ルク単結晶から作製したＺｎＳ基板（（＋００）。
（＋１０）、（＋＋＋）） 上にＭＢＥ法により、Ｚ
ｎＳホモエピタキシャル単結晶を成長させた。従来のＧ
ａＡＳやＳｉを用いた基板上にヘテロエピタキシャル成
長させたＺｎＳ単結晶と比較するとＰＬ（フォトルミネ
センス）において深い準位からの発光が極めて弱く高品
質ＺｎＳエピタキシャル単結晶薄膜が得られていること
が明らかとなった。
ｎＳホモエピタキシャル単結晶を成長させた。従来のＧ
ａＡＳやＳｉを用いた基板上にヘテロエピタキシャル成
長させたＺｎＳ単結晶と比較するとＰＬ（フォトルミネ
センス）において深い準位からの発光が極めて弱く高品
質ＺｎＳエピタキシャル単結晶薄膜が得られていること
が明らかとなった。
実施例（２）
ハロゲン輸送法により成長させて得たＺｎ５ｅバルク単
結晶から作製した各種面方位を有するＺｎ５ｅ基板上に
、ＭＯＣｖＤ法によりＺｎ５ｅホモエピタキシヤル単結
晶の成長を行なった。ＰＬによる評価では、アンドープ
において深い単位からの発光は全く観測されず、また弱
励起下ではパ／ド端からの発光も弱く高抵抗高純度結晶
が得られていることが判明した。ＰＬ励起強度を増すと
バンドギャップエネルギー（波長）での発光のみが著し
く強く観測された。
結晶から作製した各種面方位を有するＺｎ５ｅ基板上に
、ＭＯＣｖＤ法によりＺｎ５ｅホモエピタキシヤル単結
晶の成長を行なった。ＰＬによる評価では、アンドープ
において深い単位からの発光は全く観測されず、また弱
励起下ではパ／ド端からの発光も弱く高抵抗高純度結晶
が得られていることが判明した。ＰＬ励起強度を増すと
バンドギャップエネルギー（波長）での発光のみが著し
く強く観測された。
上記ＭＯＣＶＤ法を用いた成長過程でＡｔを添加するこ
とによりｎ型電導体層を制御性良く成長させることがで
きた。これらの結晶の表面平坦性は高く、またＲＨＥＥ
Ｄ（反射電子線回折）により観察した結果高品質単結晶
膜であることが明らかとなった。
とによりｎ型電導体層を制御性良く成長させることがで
きた。これらの結晶の表面平坦性は高く、またＲＨＥＥ
Ｄ（反射電子線回折）により観察した結果高品質単結晶
膜であることが明らかとなった。
実施例（３）
ＭＢＥ成長装置を用いた超高真空中において、原料が収
容されているルツボ上のシャッターヲ開閉制御すること
によりＺｎＳ’ｚ単原子層ずつ積み上げる原子層エピタ
キシャル成長法による単結晶放炎を行なった。基板温度
を適宜制御設定することにより（ＩＩＩ）Ｚｎ、（ＩＩ
Ｉ）Ｓ基板上にＺｎＳのホモ原子層エピタキシャル成長
膜を得ることができた。この成長膜は平坦性が高く不純
物の少ない高品質単結晶膜であυ、膜厚制御性も良好で
ある。尚、ＧａＡｓ等の異種基板上へ同様の成長を行な
うと制御性良く単結晶を得ることは不可能であった。
容されているルツボ上のシャッターヲ開閉制御すること
によりＺｎＳ’ｚ単原子層ずつ積み上げる原子層エピタ
キシャル成長法による単結晶放炎を行なった。基板温度
を適宜制御設定することにより（ＩＩＩ）Ｚｎ、（ＩＩ
Ｉ）Ｓ基板上にＺｎＳのホモ原子層エピタキシャル成長
膜を得ることができた。この成長膜は平坦性が高く不純
物の少ない高品質単結晶膜であυ、膜厚制御性も良好で
ある。尚、ＧａＡｓ等の異種基板上へ同様の成長を行な
うと制御性良く単結晶を得ることは不可能であった。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、ハロゲン輸送法
により得られたバルク単結晶から作製したＺｎＳ、Ｚｎ
５ｅ、ＺｎＴｅ等のエピタキシャル成長用基板を用いて
高純度かつ欠陥の少ないＨ−■族化合物半導体のエピタ
キシャル単結晶を成長させることが可能となり、■−■
族化合物半導体の電導型制御のために必要な高品質エピ
タキシャル単結晶を成長させる基礎的技術が確立される
ことになる。本発明は、従来厘−ｖ族化合物あるいはＩ
Ｖ族元素半導体を基板として用いてきた成長法に比し、
■−■族化合物半導体例えばＺ ｎＳ 、Ｚ ｎ Ｓ
ｅ ＋ＺｎＴｅまたはこれらの化合物固溶体結晶もしく
は超格子構造結晶等の高純度成長方法として新規基礎技
術を提供することは明らかである。
により得られたバルク単結晶から作製したＺｎＳ、Ｚｎ
５ｅ、ＺｎＴｅ等のエピタキシャル成長用基板を用いて
高純度かつ欠陥の少ないＨ−■族化合物半導体のエピタ
キシャル単結晶を成長させることが可能となり、■−■
族化合物半導体の電導型制御のために必要な高品質エピ
タキシャル単結晶を成長させる基礎的技術が確立される
ことになる。本発明は、従来厘−ｖ族化合物あるいはＩ
Ｖ族元素半導体を基板として用いてきた成長法に比し、
■−■族化合物半導体例えばＺ ｎＳ 、Ｚ ｎ Ｓ
ｅ ＋ＺｎＴｅまたはこれらの化合物固溶体結晶もしく
は超格子構造結晶等の高純度成長方法として新規基礎技
術を提供することは明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハロゲンを輸送媒体とする化学輸送法で作製された
II−VI族化合物半導体の基板上にII−VI族化合物半導体
のエピタキシャル成長層を成長させることを特徴とする
II−VI族化合物半導体の成長法。 ２、エピタキシャル成長層の成長法としてＭＯ−ＣＶＤ
法、ＭＢＥ法または原子層エピタキシャル成長法を用い
る特許請求の範囲第１項記載のII−VI族化合物半導体の
成長法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29702586A JPS63151700A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | ２−６族化合物半導体の成長法 |
| US07/750,432 US5204283A (en) | 1986-12-12 | 1991-08-20 | Method of growth II-VI semiconducting compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29702586A JPS63151700A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | ２−６族化合物半導体の成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151700A true JPS63151700A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17841249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29702586A Pending JPS63151700A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | ２−６族化合物半導体の成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980018445A (ko) * | 1996-08-12 | 1998-06-05 | 구라우치 노리타카 | ＺｎＳｅ 결정의 열처리 방법 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29702586A patent/JPS63151700A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980018445A (ko) * | 1996-08-12 | 1998-06-05 | 구라우치 노리타카 | ＺｎＳｅ 결정의 열처리 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kucharski et al. | Growth of bulk GaN crystals | |
| Akasaki et al. | Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1− xAlxN (0< x≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE | |
| US5530267A (en) | Article comprising heteroepitaxial III-V nitride semiconductor material on a substrate | |
| Keller et al. | Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
| Ponce et al. | Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition | |
| Motoki et al. | Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a starting substrate | |
| US6943095B2 (en) | Low defect density (Ga, A1, In) N and HVPE process for making same | |
| US7221037B2 (en) | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device | |
| US7125801B2 (en) | Method of manufacturing Group III nitride crystal substrate, etchant used in the method, Group III nitride crystal substrate, and semiconductor device including the same | |
| US20070138505A1 (en) | Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same | |
| Kling et al. | Analysis of ZnO and ZnMgO nanopillars grown by self-organization | |
| WO2008088320A1 (en) | Zno nanostructure-based light emitting device | |
| JPH04199752A (ja) | 化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
| Triboulet et al. | Substrate issues for the growth of mercury cadmium telluride | |
| Kehagias | Nanoscale indium variation along InGaN nanopillars grown on (1 1 1) Si substrates | |
| Mahajan et al. | The characterization of highly‐zinc‐doped InP crystals | |
| Hellman et al. | ScAlMgO4: an oxide substrate for GaN epitaxy | |
| US5100832A (en) | Process for preparing epitaxial compound semiconductor | |
| Ohno et al. | Growth of high-quality cubic ZnS crystals and their application to MIS blue light-emitting diodes | |
| Gao et al. | High quality InAs grown by liquid phase epitaxy using gadolinium gettering | |
| US5204283A (en) | Method of growth II-VI semiconducting compounds | |
| JPS63151700A (ja) | ２−６族化合物半導体の成長法 | |
| Wang et al. | Crystal growth and defect characterization of heteroepitaxial III–V semiconductor films | |
| US8216926B2 (en) | Method of producing a partly or completely semi-insulating or p-type doped ZnO substrate, substrates obtained, and electronic, electro-optic or optoelectronic devices comprising them | |
| Tavernier et al. | Progress Toward Making Gallium Nitride Seed Crystals Using Hydride Vapor‐Phase Epitaxy |