JPH03261205A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JPH03261205A JPH03261205A JP5916090A JP5916090A JPH03261205A JP H03261205 A JPH03261205 A JP H03261205A JP 5916090 A JP5916090 A JP 5916090A JP 5916090 A JP5916090 A JP 5916090A JP H03261205 A JPH03261205 A JP H03261205A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は三端子高周波増幅用半導体素子を用いた高周波
増幅回路に関する。
増幅回路に関する。
第２藺は従来の高周波増幅回路の構成例を示す接続図で
、７は三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇはそのゲート
電極、Ｄはドレイン電極、Ｓはソース電極である。三端
子高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りには直流
電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９と
、高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１が
接続され、同しく三端子高周波増幅用半導体素子７のゲ
ート電極Ｇにはゲート電圧供給回路４に接続された高周
波阻止回路３と、高周波入力線路ｌに接続された高周波
人力接合回路２が接続されており、同じく三端子高周波
増幅用半導体素子７のソース電極Ｓとアース（接地電極
）１３の間には高周波用バイパスコンデンサ５と自己バ
イアス用抵抗６の並列回路が接続されている。
、７は三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇはそのゲート
電極、Ｄはドレイン電極、Ｓはソース電極である。三端
子高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りには直流
電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９と
、高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１が
接続され、同しく三端子高周波増幅用半導体素子７のゲ
ート電極Ｇにはゲート電圧供給回路４に接続された高周
波阻止回路３と、高周波入力線路ｌに接続された高周波
人力接合回路２が接続されており、同じく三端子高周波
増幅用半導体素子７のソース電極Ｓとアース（接地電極
）１３の間には高周波用バイパスコンデンサ５と自己バ
イアス用抵抗６の並列回路が接続されている。
しかしながら上記従来例にあっては、三端子高周波増幅
用半導体素子７に直流電源電圧を印加せずに増幅機能を
停止させた場合でも、高周波入力線路１より入力接合回
路２を介して入力された高周波信号は非動作状態の三端
子高周波増幅用半導体素子７固有の減衰量だけ減衰する
だけで出力整合回路１１を介して高周波出力線路１２に
高周波が漏洩してしまい、しばしば送信遮断時のキャリ
アが漏洩して大きな問題を誘起している。
用半導体素子７に直流電源電圧を印加せずに増幅機能を
停止させた場合でも、高周波入力線路１より入力接合回
路２を介して入力された高周波信号は非動作状態の三端
子高周波増幅用半導体素子７固有の減衰量だけ減衰する
だけで出力整合回路１１を介して高周波出力線路１２に
高周波が漏洩してしまい、しばしば送信遮断時のキャリ
アが漏洩して大きな問題を誘起している。
このため、高周波スイッチ回路を構成する直流給電回路
や高周波阻止回路を余分に必要とし、回路構成規模を膨
張させ、コスト上昇と余分なスペースをさくことを余儀
なくさせられている。
や高周波阻止回路を余分に必要とし、回路構成規模を膨
張させ、コスト上昇と余分なスペースをさくことを余儀
なくさせられている。
本発明回路は上記の課題を解決するため、第１図示のよ
うに三端子高周波増幅用半導体素子７を用いた高周波増
幅回路において、三端子高周波増幅用半導体素子７の出
力電極りにＰＩＮダイオード８のカソードＫを接続し、
このＰＩＮダイオード８のアノードＡは直流電源電圧給
電回路１０に接続された高周波阻止回路９及び高周波出
力線路１２に接続された出力整合回路１１に接続せしめ
てなる構成としたものである。
うに三端子高周波増幅用半導体素子７を用いた高周波増
幅回路において、三端子高周波増幅用半導体素子７の出
力電極りにＰＩＮダイオード８のカソードＫを接続し、
このＰＩＮダイオード８のアノードＡは直流電源電圧給
電回路１０に接続された高周波阻止回路９及び高周波出
力線路１２に接続された出力整合回路１１に接続せしめ
てなる構成としたものである。
このような構成とすることにより三端子高周波増幅用半
導体素子７に直流電圧を印加しない場合、三端子高周波
増幅用半導体素子７の入力電極Ｃに高周波入力線路１よ
り高周波信号が入力しても、三端子高周波増幅用半導体
素子７固有の遮断量に加えてＰＩＮダイオード８がオフ
になっているため、高周波の遮断量が大きくなり高周波
出力線路１２に高周波が漏洩することはない。
導体素子７に直流電圧を印加しない場合、三端子高周波
増幅用半導体素子７の入力電極Ｃに高周波入力線路１よ
り高周波信号が入力しても、三端子高周波増幅用半導体
素子７固有の遮断量に加えてＰＩＮダイオード８がオフ
になっているため、高周波の遮断量が大きくなり高周波
出力線路１２に高周波が漏洩することはない。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明回路の一実施例の構成を示す接続図で、
７は三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇはそのゲート電
極、Ｄはドレイン電極、Ｓはソース電極である。三端子
高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りには、直流
電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９と
高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１が接
続されている。
７は三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇはそのゲート電
極、Ｄはドレイン電極、Ｓはソース電極である。三端子
高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りには、直流
電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９と
高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１が接
続されている。
同じく高周波増幅用半導体素子７のゲート電極Ｇにはゲ
ート電圧供給回路４に接続された高周波阻止回路３と、
高周波入力線路１に接続された入力整合回路２が接続さ
れており、同しく三端子高周波増幅用半導体素子７のソ
ース電極Ｓとアース（接地電極）１３の間には高周波用
バイパスコンデンサ５と自己バイアス用抵抗６の並列回
路が接続されている。
ート電圧供給回路４に接続された高周波阻止回路３と、
高周波入力線路１に接続された入力整合回路２が接続さ
れており、同しく三端子高周波増幅用半導体素子７のソ
ース電極Ｓとアース（接地電極）１３の間には高周波用
バイパスコンデンサ５と自己バイアス用抵抗６の並列回
路が接続されている。
本実施例はこのような構成の高周波増幅回路において、
三端子高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りと直
流電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９
及び高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１
との間に、ＰＩＮダイオード８を、カソードＫをドレイ
ン電極り側にして接続してなる。
三端子高周波増幅用半導体素子７のドレイン電極りと直
流電源電圧給電回路１０に接続された高周波阻止回路９
及び高周波出力線路１２に接続された出力整合回路１１
との間に、ＰＩＮダイオード８を、カソードＫをドレイ
ン電極り側にして接続してなる。
ここでＰＩＮダイオード８はよく知られているとおり、
直流電流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつダ
イオードである。
直流電流値により高周波抵抗値が変化する特性をもつダ
イオードである。
本実施例は上記のような構成であるから三端子高周波増
幅用半導体素子７に直流電源を印加した場合には自動的
にＰＩＮダイオード８はオン状態となり、通常の高周波
増幅回路と同じ働きをする。
幅用半導体素子７に直流電源を印加した場合には自動的
にＰＩＮダイオード８はオン状態となり、通常の高周波
増幅回路と同じ働きをする。
三端子高周波増幅用半導体素子７に直流電源を印加しな
い場合、三端子高周波増幅用半導体素子７のゲート電極
Ｇに高周波信号が入力しても、ＰＩＮダイオード８がオ
フになっているため、高周波出力線８１２に高周波が漏
洩することはない。
い場合、三端子高周波増幅用半導体素子７のゲート電極
Ｇに高周波信号が入力しても、ＰＩＮダイオード８がオ
フになっているため、高周波出力線８１２に高周波が漏
洩することはない。
上述のように本発明によれば、三端子高周波増幅用半導
体素子７を用いた高周波増幅回路において、三端子高周
波増幅用半導体素子７の出力電極りと出力整合回路１１
及び高周波阻止回路９との間にＰＩＮダイオード８を、
カソードＫを出力電極り側にして接続してなるので、三
端子高周波増幅用半導体素子７に直流電源を印加しない
場合、三端子高周波増幅用半導体素子７の入力電極Ｇに
高周波入力線路１より高周波信号が入力しても、ＰＩＮ
ダイオード８がオフになっているため、高周波出力線路
１２への高周波漏洩を防止することができる。
体素子７を用いた高周波増幅回路において、三端子高周
波増幅用半導体素子７の出力電極りと出力整合回路１１
及び高周波阻止回路９との間にＰＩＮダイオード８を、
カソードＫを出力電極り側にして接続してなるので、三
端子高周波増幅用半導体素子７に直流電源を印加しない
場合、三端子高周波増幅用半導体素子７の入力電極Ｇに
高周波入力線路１より高周波信号が入力しても、ＰＩＮ
ダイオード８がオフになっているため、高周波出力線路
１２への高周波漏洩を防止することができる。
第１図は本発明回路の一実施例の構成を示す接続図、第
２図は従来の高周波増幅回路の一例の構成を示す接続図
である。 １・・・・・・高周波入力線路、２・・・・・・高周波
入力整合回路、３・・・・・・高周波阻止回路、４・・
・・・・ゲート電圧供給回路、５・・・・・・高周波用
バイパスコンデンサ、６・・・・・・自己バイアス用抵
抗、７・・・・・・三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇ
・・・・・・入力電極（ゲート電極）、Ｄ・・・・・・
出力電極（ドレイン電極）、Ｓ・・・・・・ソース電極
、８・・・・・・ＰＩＮダイオード、９・・・・・・高
周波阻止回路、１０・・・・・・直流電源電圧給電回路
、１１・・・・・・出力整合回路、１２・・・・・・高
周波出力線路、１３・・・・・・アース（接地電極）。
２図は従来の高周波増幅回路の一例の構成を示す接続図
である。 １・・・・・・高周波入力線路、２・・・・・・高周波
入力整合回路、３・・・・・・高周波阻止回路、４・・
・・・・ゲート電圧供給回路、５・・・・・・高周波用
バイパスコンデンサ、６・・・・・・自己バイアス用抵
抗、７・・・・・・三端子高周波増幅用半導体素子、Ｇ
・・・・・・入力電極（ゲート電極）、Ｄ・・・・・・
出力電極（ドレイン電極）、Ｓ・・・・・・ソース電極
、８・・・・・・ＰＩＮダイオード、９・・・・・・高
周波阻止回路、１０・・・・・・直流電源電圧給電回路
、１１・・・・・・出力整合回路、１２・・・・・・高
周波出力線路、１３・・・・・・アース（接地電極）。
Claims (1)
- 三端子高周波増幅用半導体素子７を用いた高周波増幅回
路において、三端子高周波増幅用半導体素子７の出力電
極ＤにＰＩＮダイオード８のカソードＫを接続し、この
ＰＩＮダイオード８のアノードＡは直流電源電圧給電回
路１０に接続された高周波阻止回路９及び高周波出力線
路１２に接続された出力接合回路１１に接続せしめてな
る高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5916090A JPH03261205A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5916090A JPH03261205A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261205A true JPH03261205A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13105341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5916090A Pending JPH03261205A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006174A1 (fr) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP5916090A patent/JPH03261205A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006174A1 (fr) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence |
| GB2331879A (en) * | 1996-08-05 | 1999-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency intergrated circuit for high-frequency radio transmitter-receiver suppressed in influence of high-frequency power leakage |
| GB2331879B (en) * | 1996-08-05 | 2001-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
| US6308047B1 (en) | 1996-08-05 | 2001-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
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