JPH03259602A - Magnetostatic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にトランスデユーサの
一端を接地するための接地導体が形成された静磁波装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magnetostatic wave device, and more particularly to a magnetostatic wave device in which a grounding conductor for grounding one end of a transducer is formed.
（従来技術）
第５図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。静磁波装置１は接地導体２を含む
。接地導体２上には、誘電体としてのアルミナ基板３が
形成される。このアルミナ基板３上には、間隔を隔てて
２つのトランスデユーサ４ａおよび４ｂが形成される。(Prior Art) FIG. 5 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device, which is the background of the present invention. The magnetostatic wave device 1 includes a ground conductor 2 . An alumina substrate 3 as a dielectric is formed on the ground conductor 2. Two transducers 4a and 4b are formed on this alumina substrate 3 at a distance.
これらのトランスデユーサ４ａ、４ｂは、たとえばアル
ミナ基板３に印刷、エツチングまたは蒸着などの方法に
よって形成される。These transducers 4a, 4b are formed, for example, on the alumina substrate 3 by a method such as printing, etching, or vapor deposition.
トランスデユーサ４ａ、４ｂ上には、フェリ磁性基体と
してのＹＩＧ （イツトリウム、アイアン、ガーネット
）薄膜５が形成される。さらに、ＹＩＧ′ｆｉｉ膜５上
には、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガーネット
）層６が形成される。この場合、ＧＧＧ層６上にＹＩＧ
薄膜５を成長させ、ＹＩＧ薄膜５側がトランスデユーサ
４ａ、４ｂ上に配置される。A YIG (yttrium, iron, garnet) thin film 5 as a ferrimagnetic substrate is formed on the transducers 4a, 4b. Furthermore, a GGG (gadolinium, gallium, garnet) layer 6 is formed on the YIG'fii film 5. In this case, YIG on the GGG layer 6
A thin film 5 is grown, and the YIG thin film 5 side is placed on the transducers 4a and 4b.
Ｙ Ｉ Ｇｉ膜５には、たとえばその主面に直交する方
向に直流磁界が印加される。そして、一方のトランスデ
ユーサ４ａに入力信号が入力される。For example, a DC magnetic field is applied to the Y I Gi film 5 in a direction perpendicular to its main surface. Then, an input signal is input to one transducer 4a.
それによって、Ｙ Ｉ Ｇ薄膜５上に静磁波が励起され
、他方のトランスデユーサ４ｂに向かって伝搬する。伝
搬してきた静磁波はトランスデユーサ４ｂで受信され、
出力信号として出力される。Thereby, a magnetostatic wave is excited on the Y I G thin film 5 and propagates toward the other transducer 4b. The propagated static magnetic waves are received by the transducer 4b,
Output as an output signal.
また、第６図に示すように、接地導体２上に０００層６
およびＹＩＧ薄膜５を順次形威し、ＹＩＧ薄膜５上に２
つのトランスデユーサ４ａ、４ｂを形成した静磁波装置
もある。これらのトランスデユーサ４ａ、４ｂは、たと
えば金属板や導線などで形成される。In addition, as shown in FIG.
and YIG thin film 5 are formed one after another, and 2
There is also a magnetostatic wave device in which two transducers 4a and 4b are formed. These transducers 4a, 4b are formed of, for example, metal plates or conductive wires.
（発明が解決しようとする課題）
第７図は、第５図に示す静磁波装置に入力信号を入力し
たときの磁界の分布を示す図解図である。(Problems to be Solved by the Invention) FIG. 7 is an illustrative diagram showing the distribution of a magnetic field when an input signal is input to the magnetostatic wave device shown in FIG. 5.
このような従来の静磁波装置では、高周波磁界が密であ
る位置にＹＩＧ薄膜が配置されていない。In such a conventional magnetostatic wave device, a YIG thin film is not placed in a position where a high frequency magnetic field is dense.
そのため、人力信号による高周波磁界とＹ Ｉ Ｇｉｌ
膜との結合を密にすることができず、人力信号のエネル
ギを効率よく静磁波に変換することができない。Therefore, the high-frequency magnetic field generated by the human signal and Y I Gil
It is not possible to make a tight bond with the membrane, and it is not possible to efficiently convert the energy of human input signals into magnetostatic waves.
また、第６図に示す静磁波装置では、トランスデユーサ
が接地導体から浮いた状態となっているため、ｙｒｃｍ
膜やトランスデユーサなどの位置決めが困難であり、生
産が難しかった。In addition, in the magnetostatic wave device shown in Fig. 6, since the transducer is floating from the ground conductor, the yrcm
It was difficult to position the membrane, transducer, etc., making production difficult.
それゆえに、この発明の主たる目的は、高周波磁界とフ
ェリ磁性基体との結合を密にすることができ、かつ生産
が容易な静磁波装置を提供することである。Therefore, the main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device that can tightly couple a high frequency magnetic field to a ferrimagnetic substrate and is easy to produce.
（課題を解決するための手段）
この発明は、接地導体と、接地導体上に形成される台と
、台上に形成されるフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体
上に形成される誘電体層と、誘電体層上に形成されるト
ランスデユーサとを含む、静磁波装置である。(Means for Solving the Problems) The present invention includes a grounding conductor, a pedestal formed on the grounding conductor, a ferrimagnetic substrate formed on the pedestal, and a dielectric layer formed on the ferrimagnetic substrate. , and a transducer formed on a dielectric layer.
（作用）
トランスデユーサと接地導体との間にフェリ磁性基体が
形成されるため、従来の接地導体とフェリ磁性基体との
間にトランスデユーサを形成した静磁波装置に比べて、
高周波磁界の密な位置にＹＩＧ薄膜を配置することがで
きる。(Function) Since a ferrimagnetic substrate is formed between the transducer and the ground conductor, compared to the conventional magnetostatic wave device in which the transducer is formed between the ground conductor and the ferrimagnetic substrate,
The YIG thin film can be placed in a location where the high frequency magnetic field is dense.
トランスデユーサは誘電体層上に形成されるため、印刷
、エツチングまたは蒸着などの方法によって形成するこ
とができる。Since the transducer is formed on the dielectric layer, it can be formed by methods such as printing, etching or vapor deposition.
（発明の効果）
この発明によれば、高周波磁界の密な位置にＹＩＧ薄膜
を配置することができるため、第５図に示す従来の静磁
波装置に比べて、ｙｘＧｆ３１１膜と高周波磁界の結合
が密にできる。したがって、トランスデユーサに入力信
号を入力したとき、信号のエネルギを効率よく静磁波に
変換することができる。同様に、静磁波を出力信号に変
換する場合も、効率よく変換することができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, since the YIG thin film can be placed in a position where the high frequency magnetic field is dense, the coupling between the yxGf311 film and the high frequency magnetic field is improved compared to the conventional magnetostatic wave device shown in FIG. It can be done secretly. Therefore, when an input signal is input to the transducer, the energy of the signal can be efficiently converted into a magnetostatic wave. Similarly, when converting a static magnetic wave into an output signal, the conversion can be performed efficiently.
また、トランスデユーサは誘電体層上に印刷。Additionally, the transducer is printed on the dielectric layer.
エツチングまたは蒸着などの方法によって形成すること
ができるため、ＹＩＧ薄膜やトランスデユーサなどを位
置決めするには、トランスデユーサを形成した誘電体層
をＹＩＧ薄膜上に置くだけで可能になる。そのため、金
属板や導線などを使ってトランスデユーサを形成する場
合に比べて、静磁波装置の製造が簡単である。したがっ
て、静磁波装置の生産時間を短縮することが可能である
。Since it can be formed by etching or vapor deposition, the YIG thin film, transducer, etc. can be positioned simply by placing the dielectric layer on which the transducer is formed on the YIG thin film. Therefore, the magnetostatic wave device is easier to manufacture than when a transducer is formed using a metal plate, conductive wire, or the like. Therefore, it is possible to shorten the production time of the magnetostatic wave device.
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
（実施例〉
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図はその平面図である。静磁波装置１０は接地導体１２
を含む。接地導体１２には、たとえば断面矩形の溝１４
が形成される。この場合、接地導体１２を切削すること
によって溝１４を形成してもよいし、複数の導体材料を
組み合わせて溝１４を有する接地導体１２を形成しても
よい。(Embodiment) FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a plan view thereof. The magnetostatic wave device 10 has a ground conductor 12
including. The ground conductor 12 has, for example, a groove 14 having a rectangular cross section.
is formed. In this case, the groove 14 may be formed by cutting the ground conductor 12, or the ground conductor 12 having the groove 14 may be formed by combining a plurality of conductor materials.
接地導体１２上には、０００層１６が形成される。A 000 layer 16 is formed on the ground conductor 12.
０００層１６は、溝１４内に形成される。さらに、００
０層１６上には、ＹＩＧ薄膜１８が形成される。000 layer 16 is formed within trench 14 . Furthermore, 00
A YIG thin film 18 is formed on the 0 layer 16.
ＹＩＧ薄膜１８上には、誘電体層としてのアルミナ基板
２０が形成される。このアルミナ基板２０上には、間隔
を隔てて２つのトランスデユーサ２２ａおよび２２ｂが
形成される。このとき、トランスデユーサ２２ａ、２２
ｂとＹＩＧ薄膜１８との間のアルごす基板２０の厚みは
、たとえば０１〜１．０１ｎとなるように形成される。An alumina substrate 20 as a dielectric layer is formed on the YIG thin film 18. Two transducers 22a and 22b are formed on this alumina substrate 20 at a distance. At this time, the transducers 22a, 22
The thickness of the aluminum substrate 20 between YIG thin film 18 and YIG thin film 18 is, for example, 01 to 1.01 nm.
これらのトランスデユーサ２２ａ、２２ｂは、印刷、工
ッチングまたは蒸着などの方法によって、ＹＩＧ薄膜１
８の幅方向に延びるように形成され、その一端が接地導
体１２に接続される。また、トランスデユーサ２２ａ、
２２ｂは、たとえばアルミナ基板２０にスルーホールな
どを形成し、スルーホールを通して導電材料を用いて接
地導体１２に接続してもよい。These transducers 22a, 22b are formed by forming a YIG thin film 1 by a method such as printing, etching or vapor deposition.
8, and one end thereof is connected to the ground conductor 12. Moreover, the transducer 22a,
22b may be connected to the ground conductor 12 by forming, for example, a through hole in the alumina substrate 20 and using a conductive material through the through hole.
ＹＩＧ薄膜１８には、たとえばその主面に直交する方向
に直流磁界が印加される。そして、一方のトランスデユ
ーサ２２ａに入力信号が人力される。それによって、Ｙ
ＩＧ薄膜１８上に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。この体積前進静磁波が、他方のトランスデユー
サ２２ｂに向かって伝搬し、トランスデユーサ２２ｂで
受信されて出力信号として出力される。A DC magnetic field is applied to the YIG thin film 18, for example, in a direction perpendicular to its main surface. Then, an input signal is input manually to one transducer 22a. By doing so, Y
A volumetric forward magnetostatic wave (MSFVW) is excited on the IG thin film 18 . This volumetric forward magnetostatic wave propagates toward the other transducer 22b, is received by the transducer 22b, and is output as an output signal.
トランスデユーサ２２ａに入力信号を入力したときの磁
界の分布を第３図に示す。第３図かられかるように、こ
の静磁波装置１０では、従来のようなＹ Ｉ ＧＦｉ１
膜と接地導体との間にトランスデユーサを形成した静磁
波装置に比べて、高周波磁界が密な位置にＹ Ｉ Ｇｌ
膜を配置することができる。FIG. 3 shows the distribution of the magnetic field when an input signal is input to the transducer 22a. As can be seen from FIG. 3, in this magnetostatic wave device 10, the conventional Y I GFi1
Compared to a magnetostatic wave device in which a transducer is formed between a membrane and a ground conductor, the Y I Gl
A membrane can be placed.
そのため、入力信号による高周波磁界とＹＩＣＢＩ膜１
８との結合が密となり、入力信号のエネルギが効率よく
静磁波に変換される。さらに、静磁波を出力信号に変換
するときにも、効率よく変換することができる。Therefore, the high frequency magnetic field due to the input signal and the YICBI film 1
8 becomes tight, and the energy of the input signal is efficiently converted into a magnetostatic wave. Furthermore, it is possible to efficiently convert static magnetic waves into output signals.
また、この静磁波装置１０では、トランスデユーサ２２
ａ、２２ｂをアルミナ基板２０上に印刷、エツチングま
たは蒸着などの方法によって形成することができる。し
たがって、静磁波装’ｔ １０を組み立てるには、ＹＩ
Ｇ薄膜１８上にトランスデユーサ２２ａ、２２ｂを形成
したアルミナ基板２０を置くだけでよく、ＹＩＧ薄膜１
８やトランスデユーサなどの位置決めが簡単である。そ
のため、静磁波装置１０の生産時間の短縮を実現するこ
とができる。Further, in this magnetostatic wave device 10, the transducer 22
a, 22b can be formed on the alumina substrate 20 by printing, etching, vapor deposition, or other methods. Therefore, to assemble the magnetostatic wave device 't 10, YI
It is only necessary to place the alumina substrate 20 on which the transducers 22a and 22b are formed on the G thin film 18, and the YIG thin film 1
8 and transducer etc. is easy to position. Therefore, the production time of the magnetostatic wave device 10 can be shortened.
なお、上述の実施例では、接地導体１２に溝１４を形成
したが、第４図に示すように、アルくす基板２０に溝１
４を形成してもよい。この場合も、アルミナ基板２０を
切削することによって溝１４を形成してもよいし、複数
のアルミナ材料を組み合わせて溝１４を有するアルミナ
基板２０を形成してもよい。また、トランスデユーサ２
２ａ、２２ｂとしては、上述の実施例に限らず、平行ス
トリップトランスデユーサなど他の形状に形成してもよ
い。In the above embodiment, the groove 14 was formed in the ground conductor 12, but as shown in FIG.
4 may be formed. In this case as well, the grooves 14 may be formed by cutting the alumina substrate 20, or the alumina substrate 20 having the grooves 14 may be formed by combining a plurality of alumina materials. Also, transducer 2
2a and 22b are not limited to the above embodiments, but may be formed in other shapes such as parallel strip transducers.
さらに、ＹＩＧ薄膜１８に印加する直流磁界の方向は、
任意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１８の主
面に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に
磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１８上に
は、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、
ＹＩＧ薄膜１８の主面に平行でかつ静磁波の伝搬方向と
平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ
薄膜１８上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬
される。Furthermore, the direction of the DC magnetic field applied to the YIG thin film 18 is
It may be changed arbitrarily. For example, a magnetic field may be applied in a direction parallel to the main surface of the YIG thin film 18 and perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic waves. In this case, a surface magnetostatic wave (MSSW) is propagated on the YIG thin film 18. or,
A magnetic field may be applied in a direction parallel to the main surface of the YIG thin film 18 and parallel to the propagation direction of the magnetostatic waves. In this case, YIG
A volume-backward magnetostatic wave (MSBVW) is propagated on the thin film 18 .
なお、上述の各実施例および従来例を示す図では、ＹＩ
Ｇ薄膜１８に印加する直流磁界を与えるための磁気回路
は省略されている。In addition, in the diagrams showing each of the above-mentioned embodiments and conventional examples, YI
A magnetic circuit for applying a DC magnetic field to the G thin film 18 is omitted.
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例の平面図である。
第３図は第１図に示す静磁波装置に人力信号を入力した
ときの磁界の分布を示す図解図である。
第４図は第１図に示す静磁波装置の変形例を示す平面図
である。
第５図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。
第６図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の他の
例を示す斜視図である。
第７図は第５図に示す従来の静磁波装置に人力信号を入
力したときの磁界の分布を示す図解図である。
図において、１０は静磁波装置、１２は接地導体、１６
は０００層、１８はＹＩＧ薄膜、２０はアルミナ基板、
２２ａおよび２２ｂはトランスデユーサを示す。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the embodiment shown in FIG. FIG. 3 is an illustrative diagram showing the distribution of the magnetic field when a human input signal is input to the magnetostatic wave device shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing a modification of the magnetostatic wave device shown in FIG. 1. FIG. 5 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device, which is the background of the present invention. FIG. 6 is a perspective view showing another example of the conventional magnetostatic wave device which is the background of the present invention. FIG. 7 is an illustrative diagram showing the distribution of a magnetic field when a human input signal is input to the conventional magnetostatic wave device shown in FIG. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12 is a grounding conductor, and 16
000 layer, 18 is YIG thin film, 20 is alumina substrate,
22a and 22b indicate transducers.
Claims (1)
静磁波装置。[Scope of Claims] A grounding conductor, a pedestal formed on the grounding conductor, a ferrimagnetic substrate formed on the pedestal, a dielectric layer formed on the ferrimagnetic substrate, and a ferrimagnetic substrate formed on the dielectric layer. including a transducer formed;
Static magnetic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882190A JPH03259602A (en) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882190A JPH03259602A (en) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | Magnetostatic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259602A true JPH03259602A (en) | 1991-11-19 |
Family
ID=13095296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5882190A Pending JPH03259602A (en) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259602A (en) |
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