RU1803947C

RU1803947C - Multichannel band-pass microwave filter

Info

Publication number: RU1803947C
Application number: SU904822649A
Authority: RU
Inventors: Сергей Львович Высоцкий; Алексей Григорьевич Сухарев; Юрий Александрович Филимонов; Александр Георгиевич Веселов; Владимир Иванович Елманов; Сергей Николаевич Иванов
Original assignee: Саратовский филиал Института радиотехники и электроники АН СССР
Priority date: 1990-02-21
Filing date: 1990-02-21
Publication date: 1993-03-23

Abstract

Фильтр используетс дл анализа спектра сложных сигналов СВЧ-техники. Суть изобретени состоит в том, что с целью повышени разрешающей способности фильтра на МСВ, его структура диэлектрическа подложка - ферритова пленка выполнена полированной и переменной толщины, а сверху ферритовой пленки между входным и выходными преобразовател ми нанесен слой металлизации, под которым волна МСВ распростран етс в виде магнитоупру- гих волн на частотах магнитоупругого резонанса с малыми потер ми. Ч ил.The filter is used to analyze the spectrum of complex microwave signals. The essence of the invention is that in order to increase the resolution of the filter on the MSW, its structure, the dielectric substrate - ferrite film is made of polished and variable thickness, and a metallization layer is applied on top of the ferrite film between the input and output converters, under which the MSW wave propagates into in the form of magnetoelastic waves at frequencies of magnetoelastic resonance with low losses. H ill

Description

Изобретение относитс к СВЧ технике и может быть использовано дл анализа спектра сложных сигналов.The invention relates to microwave technology and can be used to analyze the spectrum of complex signals.

Целью изобретени вл етс повышение разрешающей способности.The aim of the invention is to increase the resolution.

На фиг. 1-4 изображены варианты выполнени устройства.In FIG. 1-4 illustrate embodiments of a device.

Устройство содержит пр моугольную диэлектрическую подложку 1, например, из гадолиний-галлиевого граната (ГГГ), на которой с одной стороны расположена ферритова пленка 2, например, из железо-иттриевого граната (ЖИГ). Структура диэлектрическа подложка 1-ферритова пленка 2 выполнена полированной. Одна из ее поверхностей плоска , а друга имеет ступенчатую форму. Поверхности ступенек параллельны одна другой и противоположной поверхности структуры. Непосредственно на ферритовую пленку 2 нанесен провод щий слой (слой металлизации) 3. На ферритовой пленке 2 по обе стороны сло The device contains a rectangular dielectric substrate 1, for example, of gadolinium-gallium garnet (GGG), on which ferrite film 2, for example, of yttrium iron garnet (YIG), is located on one side. The structure of the dielectric substrate 1-ferrite film 2 is polished. One of its surfaces is flat, and the other has a stepped shape. The surfaces of the steps are parallel to one another and to the opposite surface of the structure. A conductive layer (metallization layer) 3 is applied directly to the ferrite film 2. On the ferrite film 2, on both sides of the layer

металлизации 3 расположены входной 4 и выходные 5 преобразователи, которые представл ют собой закороченные отрезки микрополосковой линии. Входной преобразователь 4 перекрывает всю ширину структуры , а выходные преобразователи 5 расположены на соответствующих участках структуры равной толщины - в пределах одной ступеньки каждый. Ступенчата форма структуры может быть образована нанесением материала 6.metallization 3 are located input 4 and output 5 converters, which are shorted segments of the microstrip line. The input transducer 4 overlaps the entire width of the structure, and the output transducers 5 are located on the corresponding sections of the structure of equal thickness - within one step each. The step shape of the structure can be formed by applying the material 6.

Устройство работает следующим образом .The device operates as follows.

Ферритовую пленку намагничивают во внешнем магнитном поле требуемой величины . На входной преобразователь 4 поступает сложный сигнал, который, преобразу сь в структуре, принимаетс выходными преобразовател ми 5.The ferrite film is magnetized in an external magnetic field of the desired size. A complex signal is supplied to the input converter 4, which, being transformed in the structure, is received by the output converters 5.

Дл структуры ЖИГ-ГГГ на частоте 3 ГГц при толщине сло ГГГ, равном 500 мкм, число каналов фильтрации по частоте можетFor the YIG-GGG structure at a frequency of 3 GHz with a GGG layer thickness of 500 μm, the number of filtering channels in frequency can

елate

сwith

0000

оabout

СА)CA)

ОABOUT

1 1

составл ть , а плотность каналов на 1 МГц равна 10. Таким образом, плотность каналов фильтрации (число каналов в единичном частотном интервале) в данном устройстве на два пор дка превышает аналогичную величину в известных устройствах , что приводит к значительному повышению разрешающей способности устройства.constitute, and the channel density at 1 MHz is 10. Thus, the density of the filtering channels (the number of channels in a single frequency interval) in this device is two orders of magnitude higher than that in known devices, which leads to a significant increase in the resolution of the device.

Claims

SUMMARY OF THE INVENTION A multi-channel microwave pass-band filter containing a layered structure of a dielectric substrate and a ferrite film on which a metallization layer is applied, water and output transducers located on the ferrite film on different sides of the metallization layer perpendicular to the longitudinal axis of the complex structure, characterized in that that, in order to increase the resolution, the layered structure is polished, while one of the surfaces of the structure is flat and the other has a stepped shape , the surface of the steps are parallel to one another and the opposite surface of the structure, the height of the step Ln satisfies the condition

Ln

10

v TO TTGG

where v is the speed of sound in the substrate material;

Fn is the center frequency of the bandwidth of the nth channel;

K is an integer 0,1,2, ..., and the output transducers are located on the corresponding sections of equal thickness of the layered structure, and the metallization layer is made in the form of a conductive film.

FIG. 1