JPH042201A - Magnetostatic wave filter - Google Patents
Magnetostatic wave filterInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波無線装置に用いる静磁波フィルタ
に関し、特に入出カドランスジューサの取付は方が改良
された静磁波フィルタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magnetostatic wave filter used in microwave radio equipment, and more particularly to a magnetostatic wave filter with improved mounting of an input/output transducer.
（従来の技術）
強磁性体単結晶薄膜を単結晶基板の片面上に形成されて
いる静磁波フィルタの例を第４図（ａ）、 （ｂ）。(Prior Art) FIGS. 4(a) and 4(b) show an example of a magnetostatic wave filter in which a ferromagnetic single crystal thin film is formed on one side of a single crystal substrate.
（Ｃ）に示す、１は誘電体基板、２は強磁性体単結晶薄
膜を片面に形成した単結晶基板（以下試料と略称）、３
．４はスペーサ、５は誘電体基板１に形成された金属薄
膜パターン、６は接地導体、７は入力側トランスジュー
サ、８は出力側トランスジューサである。試料２として
例えばガドリニュウム・ガリュウム・ガーネッｌ−（Ｇ
、Ｇ、Ｇ）Ｍ板上にイットリュウム・鉄・ガーネット（
Ｙ、Ｉ。As shown in (C), 1 is a dielectric substrate, 2 is a single crystal substrate with a ferromagnetic single crystal thin film formed on one side (hereinafter referred to as sample), and 3
．． 4 is a spacer, 5 is a metal thin film pattern formed on the dielectric substrate 1, 6 is a ground conductor, 7 is an input side transducer, and 8 is an output side transducer. As sample 2, for example, gadolinium gallium garnet (G
, G, G) Yttrium, iron, garnet (
Y.I.
Ｇ）薄膜を形成したものであり、薄膜側を誘電体基板１
に対向するように配置される。誘電体基板１は例えばア
ルミナセラミックスである。金属薄膜パターン５、入力
側トランスジューサ７及び出力側トランスジューサ８は
例えば誘電体基板１上にフォトエツチング法を用いて形
成されたものであり、金属薄膜パターン５、誘電体基板
ｌ及び接地導体６によりマイクロストリップ線路を構成
している。スペーサ３，４は低透磁率かつ低誘電率の材
料を用いる。G) A thin film is formed on the dielectric substrate 1 on the thin film side.
is placed so as to face the The dielectric substrate 1 is made of, for example, alumina ceramics. The metal thin film pattern 5, the input side transducer 7, and the output side transducer 8 are formed, for example, on the dielectric substrate 1 using a photoetching method. It consists of a strip line. The spacers 3 and 4 are made of a material with low magnetic permeability and low dielectric constant.
このような構成において、Ａ点から入力された高周波信
号はマイクロストリップ線路に沿って試料２の下部に設
置された入力側トランスジューサ７に伝送される。ここ
で試料２は直流磁界を印加して磁化させておく。入力側
トランスジューサ７から生じる高周波磁界により試料２
の強磁性体薄膜上に静磁波が励振され、出力側トランス
ジューサ８の方向へ静磁波は伝搬する。つぎに出力側ト
ランスジューサ８で静磁波のエネルギーは高周波磁界に
変換され、マイクロストリップ線路に沿ってＢ点に伝送
される。したがって、Ａ点からＢ点への伝送特性は印加
した直流磁界の大きさ、強磁性体薄膜の飽和磁化の大き
さ及び入出カドランスジューサの形状により決まり、そ
れらによって選択された周波数帯域のみが通過する。In such a configuration, the high frequency signal input from point A is transmitted along the microstrip line to the input side transducer 7 installed below the sample 2. Here, sample 2 is magnetized by applying a DC magnetic field. The high frequency magnetic field generated from the input transducer 7 causes the sample 2 to
A static magnetic wave is excited on the ferromagnetic thin film, and the static magnetic wave propagates in the direction of the output transducer 8. Next, the output-side transducer 8 converts the static magnetic wave energy into a high-frequency magnetic field, which is transmitted to point B along the microstrip line. Therefore, the transmission characteristics from point A to point B are determined by the magnitude of the applied DC magnetic field, the magnitude of the saturation magnetization of the ferromagnetic thin film, and the shape of the input and output quadrature transducers, and only the frequency band selected by these is passed. do.
（発明が解決しようとする課Ｂ）
上記構成のフィルタにおいては、高周波信号と静磁波と
の結合量をスペーサの厚さにより制御している。これは
、高周波信号と静磁波との結合量を適当に選ぶことによ
り、所望の周波数帯域のみを励振し、不用なスプリアス
応答を抑圧するためである。しかし、このような構成の
静磁波フィルタを量産化する場合、組立部品数が多く非
能率的であり、製造コストの増大を余儀なくされるとい
う欠点を有していた。(Problem B to be Solved by the Invention) In the filter having the above configuration, the amount of coupling between the high frequency signal and the static magnetic wave is controlled by the thickness of the spacer. This is because by appropriately selecting the amount of coupling between the high frequency signal and the magnetostatic wave, only the desired frequency band can be excited and unnecessary spurious responses can be suppressed. However, when mass-producing a magnetostatic wave filter having such a configuration, the number of assembled parts is large, resulting in inefficiency, and the manufacturing cost inevitably increases.
そこで、本発明の目的は、構成部品数を減少さセ組み立
てを容易にした静磁波フィルタを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetostatic wave filter that has a reduced number of component parts and is easy to assemble.
（課題を解決するための手段）
本発明は、この目的を達成するために、強磁性体単結晶
薄膜が面上に形成された単結晶基板を用いる静磁波フィ
ルタであって、入力側、出力側トランスジューサの少な
くとも一個以上が該単結晶基板の該強磁性体単結晶薄膜
の形成されていない面上に作成されている点に特徴があ
る。(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, the present invention provides a magnetostatic wave filter using a single crystal substrate on which a ferromagnetic single crystal thin film is formed. The present invention is characterized in that at least one side transducer is formed on the surface of the single crystal substrate on which the ferromagnetic single crystal thin film is not formed.
（作用）
本発明による静磁波フィルタは、強磁性体単結晶薄膜を
成長させるための単結晶基板が静磁波の伝搬特性にはな
んら影響を及ぼすものではなく、単に強磁性体単結晶薄
膜をエピタキシャル成長させるための基板として用いら
れていたものを、高周波信号と静磁波との結合量を調整
するためのスペーサとして、積極的に利用したものであ
る。該単結晶基板は一般に非磁性の誘電体結晶例えばＧ
、Ｇ、Ｇが使われており、スペーサとして十分に用いる
ことができる。したがって該単結晶基板の厚さを適当に
選び、該単結晶基板上の強磁性体単結晶薄膜例えばＹ、
１．Ｇの形成されていない面上に入出カドランスジュー
サを形成することで、特別にスペーサを用意せずに高周
波信号と静磁波との結合量を制御することができる。(Function) In the magnetostatic wave filter according to the present invention, the single crystal substrate for growing the ferromagnetic single crystal thin film does not have any effect on the propagation characteristics of the magnetostatic wave, but simply epitaxially grows the ferromagnetic single crystal thin film. The substrate that had been used as a substrate for this purpose was now actively used as a spacer for adjusting the amount of coupling between high-frequency signals and static magnetic waves. The single crystal substrate is generally made of a non-magnetic dielectric crystal such as G
, G, and G are used, and can be sufficiently used as a spacer. Therefore, by appropriately selecting the thickness of the single crystal substrate, a ferromagnetic single crystal thin film such as Y,
1. By forming the input/output quadrant transducer on the surface where G is not formed, the amount of coupling between the high frequency signal and the static magnetic wave can be controlled without preparing a special spacer.
該単結晶基板の厚さを決める方法としては、静磁波フィ
ルタとして使用するマイクロ波周波数に合わせて調整す
れば良く、通常３００〜５００μ慣である。The thickness of the single crystal substrate can be determined by adjusting it according to the microwave frequency used as the magnetostatic wave filter, and is usually 300 to 500 μm.
（実施例） 次に、図面を参照して本発明を説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例に係わる静磁波フィルタの斜
視図である。第２図は、第１図の平面図である。第３図
は、第２図の線■−■に沿った断面図である。FIG. 1 is a perspective view of a magnetostatic wave filter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 2.
本発明の第１図−第３図の実施例は、主要の構成要素、
すなわち、入力側トランスジューサ７、出力側トランス
ジューサ８、単結晶基板上に強磁性体単結晶薄膜を形成
した試料２よりなっている。The embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 3 has main components:
That is, it consists of an input side transducer 7, an output side transducer 8, and a sample 2 in which a ferromagnetic single crystal thin film is formed on a single crystal substrate.
ここで試料２に用いる単結晶基板としてはＧ、Ｇ、Ｇを
選び入力周波数３．８ ＧＨｚマイクロストリ・ンブ線
が３本、及びこのマイクロストリップ線の間隔が６００
μｍであるとき、スプリアス応答を無くする通常のスペ
ーサーの厚さは４５０μｍであるので、この試料２に用
いる基Ｆｉ、Ｇ、 Ｇ、 Ｇの厚さを４５０μｍとした
。さらに、該Ｇ、 Ｇ、 Ｇ基板上に液相成長法により
Ｙ、１．Ｇ単結晶を形成した。Here, G, G, G are selected as the single crystal substrate used for sample 2, and three microstrip lines with an input frequency of 3.8 GHz are used, and the interval between these microstrip lines is 600.
μm, the thickness of a normal spacer that eliminates spurious response is 450 μm, so the thickness of the groups Fi, G, G, G used in this sample 2 was set to 450 μm. Further, on the G, G, G substrates, Y, 1. A G single crystal was formed.
このＣ，Ｇ、Ｇ基板のＹ、１．Ｇ単結晶薄膜を形成して
ない側の面上に入力側、出力側トランスジューサ７．８
を真空蒸着によりアルミニュウム薄膜を形成後、フォト
エツチング法によりパターン形成した。Y of this C, G, G substrate, 1. G Input side and output side transducers 7.8 are placed on the side on which the single crystal thin film is not formed.
After forming an aluminum thin film by vacuum evaporation, a pattern was formed by photoetching.
（発明の効果）
本発明により、構成部品数を減少させ、組み立てを容易
にした静磁波フィルタを得ることができるので、その効
果は大である。(Effects of the Invention) According to the present invention, it is possible to obtain a magnetostatic wave filter that has a reduced number of component parts and is easy to assemble, and therefore has great effects.
第１図は本発明の一実施例に係わる静磁波フィルタの斜
視図である。
第２図は第１図の平面図である。
第３図は第２図の線■−■に沿った断面図である。
第４（ａ）図は従来の静磁波フィルタの斜視図である。
第４（ｂ）図は第４図の平面図である。
第４（Ｃ）図は第４図の線■−■に沿った断面図である
。
１・・・アルミナ基板、２・・・単結晶基板上に強磁性
体単結晶薄膜を形成した試料、３〜４・・・スペーサ、
５・・・マイクロストリップ線路、６・・・接地導体、
７・・・入力側トランスジューサ、８・・・出力側トラ
ンスジューサ。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
第３FIG. 1 is a perspective view of a magnetostatic wave filter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 2. FIG. 4(a) is a perspective view of a conventional magnetostatic wave filter. FIG. 4(b) is a plan view of FIG. FIG. 4(C) is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 1... Alumina substrate, 2... Sample in which a ferromagnetic single crystal thin film was formed on a single crystal substrate, 3-4... Spacer,
5... Microstrip line, 6... Ground conductor,
7... Input side transducer, 8... Output side transducer. Patent applicant: Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. No. 3
Claims (1)
用いる静磁波フィルタであって、入力側、出力側トラン
スジューサの少なくとも一個以上が該単結晶基板の該強
磁性体単結晶薄膜の形成されていない面上に作成されて
いることを特徴とする静磁波フィルタ。A magnetostatic wave filter using a single crystal substrate on which a ferromagnetic single crystal thin film is formed, wherein at least one of the input side and output side transducers is formed of the ferromagnetic single crystal thin film on the single crystal substrate. A magnetostatic wave filter characterized in that it is created on a surface that is not
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178490A JPH042201A (en) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | Magnetostatic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178490A JPH042201A (en) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | Magnetostatic wave filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042201A true JPH042201A (en) | 1992-01-07 |
Family
ID=14309813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178490A Pending JPH042201A (en) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | Magnetostatic wave filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042201A (en) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10178490A patent/JPH042201A/en active Pending
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