JPH089925Y2 - Magnetostatic wave device - Google Patents
Magnetostatic wave deviceInfo
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- JPH089925Y2 JPH089925Y2 JP1989144752U JP14475289U JPH089925Y2 JP H089925 Y2 JPH089925 Y2 JP H089925Y2 JP 1989144752 U JP1989144752 U JP 1989144752U JP 14475289 U JP14475289 U JP 14475289U JP H089925 Y2 JPH089925 Y2 JP H089925Y2
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- magnetostatic wave
- wave device
- thin film
- transducer
- yig thin
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特に、たとえばYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体と、そのフェリ磁性基体上に設けられ静磁
波を励起しあるいは受信するためのトランスデューサと
を有する、静磁波装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial field of application) The present invention relates to a magnetostatic wave device, and in particular, for example, a YIG
The present invention relates to a magnetostatic wave device having a ferrimagnetic substrate such as (yttrium, iron, garnet) thin film and a transducer provided on the ferrimagnetic substrate for exciting or receiving a magnetostatic wave.
（従来の技術） 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図であ
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。(Prior Art) FIG. 4 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device. In this magnetostatic wave device 1, a YIG thin film 2 is formed on a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate 3 and
An input antenna 4 and an output antenna 5 are formed in parallel on the G thin film 2 with a space therebetween.
この静磁波装置１では、たとえばYIG薄膜２の主面に
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁
波（MSFVW）として励起され、その体積前進静磁波は、Y
IG薄膜２上に伝搬され出力アンテナ５で受信される。In this magnetostatic wave device 1, for example, a DC magnetic field is applied in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 2. When a signal is input to the input antenna 4, the signal is excited as a volume forward magnetostatic wave (MSFVW), and the volume forward magnetostatic wave is Y
It is propagated on the IG thin film 2 and received by the output antenna 5.
（考案が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、入力ア
ンテナおよび出力アンテナとYIG薄膜とのそれぞれの結
合が弱いので、挿入損失が大きい。また、それらの結合
を強めるために、入力アンテナおよび出力アンテナをYI
G薄膜に密着させると、その部分での静磁波の反射が大
きくなり、通過帯域内の振幅，位相偏差が大きくなって
しまう。(Problems to be solved by the invention) However, in such a conventional magnetostatic wave device, since the coupling between the input antenna and the output antenna and the YIG thin film is weak, the insertion loss is large. In addition, the input and output antennas are YI
If it is closely attached to the G thin film, the reflection of the magnetostatic wave at that portion will increase, and the amplitude and phase deviation within the pass band will increase.
それゆえに、この考案の主たる目的は、挿入損失が小
さく、しかも通過帯域内の振幅，位相偏差が小さい、静
磁波装置を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device having a small insertion loss and a small amplitude and phase deviation in the pass band.
（課題を解決するための手段） この考案は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体
上に設けられるトランスデューサとを含む静磁波装置で
あって、トランスデューサはフェリ磁性基体を横切る金
属部材と、この金属部材を被覆する誘電体層とを含む、
静磁波装置である。(Means for Solving the Problems) The present invention is a magnetostatic wave device including a ferrimagnetic base and a transducer provided on the ferrimagnetic base, wherein the transducer is a metal member that traverses the ferrimagnetic base and the metal. A dielectric layer covering the member,
It is a magnetostatic wave device.
（作用） 金属部材は、アンテナとして働く。(Operation) The metal member functions as an antenna.
また、誘電体層は、金属部材とフェリ磁性基体との結
合を強める働きをする。したがって、挿入損失が小さく
なる。Further, the dielectric layer functions to strengthen the coupling between the metal member and the ferrimagnetic substrate. Therefore, the insertion loss becomes small.
さらに、誘電体層は、金属部材をフェリ磁性基体から
離す働きをする。そのため、金属部材による静磁波の反
射が抑制される。したがって、通過帯域内の振幅，位相
偏差が小さくなる。Furthermore, the dielectric layer serves to separate the metal member from the ferrimagnetic substrate. Therefore, the reflection of magnetostatic waves by the metal member is suppressed. Therefore, the amplitude and phase deviation in the pass band are reduced.
（考案の効果） この考案によれば、挿入損失が小さく、しかも通過帯
域内の振幅，位相偏差が小さい、静磁波装置が得られ
る。(Effect of the Invention) According to this invention, a magnetostatic wave device having a small insertion loss and a small amplitude and phase deviation in the pass band can be obtained.
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description of the embodiments below with reference to the drawings.
（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す断面図である。こ
の静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば矩形
のYIG薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台としてたとえ
ばGGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板14
の一方主面上に、たとえば液相法などの方法でYIG単結
晶をエピタキシャル成長させることによって形成され
る。(Embodiment) FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention. The magnetostatic wave device 10 includes, for example, a rectangular YIG thin film 12 as a ferrimagnetic substrate. This YIG thin film 12 is, for example, a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate 14 as a base.
It is formed by epitaxially growing a YIG single crystal on one main surface by a method such as a liquid phase method.
さらに、YIG薄膜12上には、その長手方向の両端に、
トランスデューサ16aおよび16bが、それぞれ設けられ
る。一方のトランスデューサ16aは、たとえば断面円形
の金属線材からなる金属部材18aを含み、その金属部材1
8aの側面は、たとえばセラミックスからなる誘電体層20
aで覆われている。そして、そのトランスデューサ16a
は、金属部材18aがYIG薄膜12を横切りかつその誘電体層
20aがYIG薄膜12に接するようにして、設けられている。
同様に、他方のトランスデューサ16bも、断面円形の金
属線材からなる金属部材18bと、金属部材18bの側面を覆
う誘電体層20bとを含み、その金属部材18bがYIG薄膜12
を横切りかつその誘電体層20bがYIG薄膜12に接するよう
に設けられる。Furthermore, on the YIG thin film 12, at both ends in the longitudinal direction,
Transducers 16a and 16b are provided respectively. One transducer 16a includes a metal member 18a made of, for example, a metal wire rod having a circular cross section.
The side surface of 8a has a dielectric layer 20 made of, for example, ceramics.
covered with a. And that transducer 16a
Indicates that the metal member 18a crosses the YIG thin film 12 and its dielectric layer
20a is provided so as to be in contact with the YIG thin film 12.
Similarly, the other transducer 16b also includes a metal member 18b made of a metal wire having a circular cross section, and a dielectric layer 20b covering the side surface of the metal member 18b, and the metal member 18b is the YIG thin film 12b.
And the dielectric layer 20b is provided so as to contact the YIG thin film 12.
この静磁波装置10には、たとえばYIG薄膜12の主面に
直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、たと
えば一方のトランスデューサ16aの金属部材18aに信号を
入力すれば、YIG薄膜12に所定の帯域の体積前進静磁波
（MSFVW）が励起される。この体積前進静磁波は、YIG薄
膜12上で他方のトランスデューサ16b側に伝搬される。
伝搬された体積前進静磁波は、他方のトランスデューサ
16bで受信され、そのトランスデューサ16bの金属部材18
bから所定の信号として出力される。A DC magnetic field is applied to the magnetostatic wave device 10 in a direction orthogonal to the main surface of the YIG thin film 12, for example. Then, for example, when a signal is input to the metal member 18a of one transducer 16a, a volume forward magnetostatic wave (MSFVW) in a predetermined band is excited in the YIG thin film 12. The volume forward magnetostatic wave is propagated on the YIG thin film 12 to the other transducer 16b side.
The propagating volumetric magnetostatic wave is transmitted to the other transducer.
The metal member 18 of the transducer 16b received by 16b
It is output from b as a predetermined signal.
この静磁波装置10では、トランスデューサ16aおよび1
6bの金属部材18aおよび18bを覆うように誘電体層20aお
よび20bがそれぞれ形成されているので、金属部材18aお
よび18bとYIG薄膜12との結合が大きくなり、その結果、
挿入損失が小さくなる。In this magnetostatic wave device 10, the transducers 16a and 1
Since the dielectric layers 20a and 20b are formed so as to cover the metal members 18a and 18b of 6b, respectively, the coupling between the metal members 18a and 18b and the YIG thin film 12 becomes large, and as a result,
Insertion loss is reduced.
さらに、この静磁波装置10では、金属部材18aおよび1
8bがYIG薄膜12に密着しないので、トランスデューサ16a
および16bによる静磁波の反射が小さくなり、その結
果、通過帯域内の振幅，位相偏差が小さくなるととも
に、群遅延特性が平坦になる。Further, in this magnetostatic wave device 10, the metal members 18a and 1a
Since 8b does not adhere to YIG thin film 12, transducer 16a
The reflection of magnetostatic waves by 16b and 16b is reduced, and as a result, the amplitude and phase deviations in the pass band are reduced, and the group delay characteristics are flattened.
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す断面図で
ある。この実施例では、特に、トランスデューサ16aお
よび16bの金属部材18aおよび18bが、帯状の金属板材で
形成されている。また、この実施例でも、金属部材18a
および18bの側面を覆うようにして、誘電体層20aおよび
20bがそれぞれ形成されている。そのため、この実施例
でも、挿入損失が小さく、通過帯域内の振幅，位相偏差
が小さく、しかも群遅延特性が平坦になる。FIG. 2 is a sectional view showing a modification of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, in particular, the metal members 18a and 18b of the transducers 16a and 16b are formed of strip-shaped metal plate materials. Also in this embodiment, the metal member 18a
And 18b so as to cover the side surfaces of the dielectric layer 20a and
20b are formed respectively. Therefore, also in this embodiment, the insertion loss is small, the amplitude and phase deviation in the pass band are small, and the group delay characteristic is flat.
第3A図はこの考案の他の実施例を示す平面図であり、
第3B図は第3A図の線IIIB-IIIBにおける断面図である。
この実施例では、特に、トランスデューサ16aおよび16b
の金属部材18aおよび18bが、それぞれ、たとえば互いに
平行する３つのラインを有するストリップラインで形成
されている。さらに、これらの金属部材18aおよび18bに
は、平面的にみてYIG薄膜12と重なる部分の周囲に、そ
れぞれ、誘電体層20aおよび20bが形成されている。FIG. 3A is a plan view showing another embodiment of the present invention,
FIG. 3B is a sectional view taken along line IIIB-IIIB in FIG. 3A.
In this embodiment, in particular, transducers 16a and 16b
The metal members 18a and 18b are each formed of, for example, a strip line having three lines parallel to each other. Further, on these metal members 18a and 18b, dielectric layers 20a and 20b are formed around the portions that overlap the YIG thin film 12 when seen in a plan view, respectively.
この実施例でも、トランスデューサ16aおよび16bの金
属部材18aおよび18bが誘電体層20aおよび20bで覆われて
いるので、挿入損失が小さく、通過帯域内の振幅，位相
偏差が小さく、しかも群遅延特性が平坦になる。Also in this embodiment, since the metal members 18a and 18b of the transducers 16a and 16b are covered with the dielectric layers 20a and 20b, the insertion loss is small, the amplitude and phase deviation in the pass band are small, and the group delay characteristic is small. It becomes flat.
なお、静磁波装置10には、YIG薄膜12に対して平行で
かつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印加し
てもよい。この場合、YIG薄膜12上には、表面静磁波（M
SSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12に対して平行
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、体積後退
静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁波装
置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよい。A magnetic field may be applied to the magnetostatic wave device 10 in parallel with the YIG thin film 12 and in a direction perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic wave. In this case, the surface magnetostatic wave (M
SSW) is propagated. Alternatively, the magnetic field may be applied in a direction parallel to the YIG thin film 12 and parallel to the magnetostatic wave propagation direction. In this case, the volume receding magnetostatic wave (MSBVW) is propagated on the YIG thin film 12. As described above, the direction of the magnetic field applied to the magnetostatic wave device 10 may be arbitrarily changed.
第１図はこの考案の一実施例を示す断面図である。 第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す断面図であ
る。 第3A図はこの考案の他の実施例を示す平面図であり、第
3B図は第3A図の線IIIB-IIIBにおける断面図である。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、16aおよび
16bはトランスデューサ、18aおよび18bは金属部材、20a
および20bは誘電体層を示す。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a modification of the embodiment shown in FIG. FIG. 3A is a plan view showing another embodiment of the present invention.
FIG. 3B is a sectional view taken along line IIIB-IIIB in FIG. 3A. FIG. 4 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave device. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12 is a YIG thin film, 16a and
16b is a transducer, 18a and 18b are metallic members, 20a
And 20b are dielectric layers.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−215203（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−233822（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−64802（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−153732（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-2-215203 (JP, A) JP-A-1-233822 (JP, A) JP-A-58-64802 (JP, A) Actual Kaihei 1- 153732 (JP, U)
Claims (1)
含む静磁波装置であって、 前記トランスデューサは 前記フェリ磁性基体を横切る金属部材、および 前記金属部材を被覆する誘電体層を含む、静磁波装置。1. A magnetostatic wave device including a ferrimagnetic substrate and a transducer provided on the ferrimagnetic substrate, wherein the transducer crosses the ferrimagnetic substrate, and a dielectric layer covering the metal member. Including a magnetostatic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989144752U JPH089925Y2 (en) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989144752U JPH089925Y2 (en) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | Magnetostatic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382906U JPH0382906U (en) | 1991-08-23 |
| JPH089925Y2 true JPH089925Y2 (en) | 1996-03-21 |
Family
ID=31691431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989144752U Expired - Lifetime JPH089925Y2 (en) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089925Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2638181B2 (en) * | 1989-02-16 | 1997-08-06 | 富士通株式会社 | Magnetostatic device |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1989144752U patent/JPH089925Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0382906U (en) | 1991-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |