JPH02126714A - Static magnetic wave device - Google Patents
Static magnetic wave deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばＭＳＷフィ
ルタなどとして用いられる静磁波装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magnetostatic wave device, and particularly to a magnetostatic wave device used as, for example, an MSW filter.
（従来技術）
第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。(Prior Art) FIGS. 8 and 9 are illustrative views showing conventional examples of magnetostatic wave devices, respectively.
第８図に示す静磁波装置１では、ＹＩＧ （イツトリウ
ム、アイアン、ガーネット）薄膜２がＧＧＧ（ガドリニ
ウム、ガリウム、ガーネット）基板３上に形成され、Ｙ
ＩＧＦＩ膜２上には、たとえば蒸着、エツチングなどの
方法によって、短冊状のアンテナ４および５が形成され
ている。In the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 8, a YIG (yttrium, iron, garnet) thin film 2 is formed on a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate 3;
On the IGFI film 2, rectangular antennas 4 and 5 are formed by, for example, vapor deposition or etching.
また、第９図に示す静磁波装置ｌでは、ＧＧＧ基板３上
のＹＩＧ薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成
されている。Furthermore, in the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 9, antennas 4 and 5 are formed using conducting wires on the YIG thin film 2 on the GGG substrate 3.
そして、これらの静磁波装置ｌでは、それぞれ、ＧＧＧ
基板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成さ
れている。In each of these magnetostatic wave devices, GGG
A ground conductor 6 made of metal, for example, is formed under the substrate 3.
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このような従来の静磁波装置では、アンテナ
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in such a conventional magnetostatic wave device, the electromagnetic waves radiated upward from the antenna become a loss, resulting in a large insertion loss.
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失が小さ
い、静磁波装置を提供することである。Therefore, the main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device with low insertion loss.
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜の一方主面上に
形成されるアンテナと、アンテナを覆うようにＹＩＧ薄
膜の一方主面上に形成される別のＹＩＧ薄膜とを含む、
静磁波装置である。(Means for Solving the Problems) The present invention includes a YIG thin film, an antenna formed on one main surface of the YIG thin film, and another YIG thin film formed on one main surface of the YIG thin film so as to cover the antenna. including a thin film;
It is a magnetostatic wave device.
（作用）
アンテナの両側にＹＩＧ″ａ膜が存在するので、アンテ
ナから放射される電磁波の損失が小さくなる。(Function) Since the YIG''a film is present on both sides of the antenna, the loss of electromagnetic waves radiated from the antenna is reduced.
（発明の効果）
この発明によれば、アンテナから放射される電磁波の損
失が小さくなるので、挿入損失を小さくすることができ
る。(Effects of the Invention) According to the present invention, the loss of electromagnetic waves radiated from the antenna is reduced, so insertion loss can be reduced.
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。(Example) FIG. 1 is an illustrative diagram showing an embodiment of the present invention.
この静磁波装置１０は、薄い矩形状のＹＩＧ（イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット） Ｆｌ膜１２ａを含み、
このＹＩＧ薄膜１２ａは、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガ
リウム、ガーネット）基板１４ａの一方主面上に形成さ
れる。This magnetostatic wave device 10 includes a thin rectangular YIG (yttrium, iron, garnet) Fl film 12a,
This YIG thin film 12a is formed on one main surface of a GGG (gadolinium, gallium, garnet) substrate 14a.
さらに、ＹＩＧ薄膜１２ａ上には、たとえば蒸着、エツ
チングなどの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ
１６ａおよび１６ｂが間隔を隔てて形成される。Further, on the YIG thin film 12a, for example, rectangular antennas 16a and 16b are formed at intervals by a method such as vapor deposition or etching.
また、ＹＩＧ薄膜１２ａ上には、それらのアンテナ１６
ａおよび１６ｂを覆うようにして、別のＹＩＧ薄膜１２
ｂが形成される。この実施例では、別のＹｌ（Ｊｌ膜１
２ｂは、ＹＩＧ薄膜１２ａと同じ飽和磁化（４πＭＳ）
を有する材料で形成され、しかも、それに励起される静
磁波とＹＩＧ薄膜１２に励起される静磁波との位相が合
うように形成されている。また、この別のＹＩＧ薄膜１
２ｂは、別のＧＧＧ基板１４ｂの一方主面上に形成され
ている。Moreover, those antennas 16 are placed on the YIG thin film 12a.
Another YIG thin film 12 is applied to cover a and 16b.
b is formed. In this example, another Yl (Jl film 1
2b has the same saturation magnetization (4πMS) as the YIG thin film 12a.
Moreover, the YIG thin film 12 is formed of a material such that the magnetostatic waves excited therein and the magnetostatic waves excited in the YIG thin film 12 are in phase. In addition, this other YIG thin film 1
2b is formed on one main surface of another GGG substrate 14b.
さらに、ＧＧＧ基板１４ａおよび別のＧＧＧ基板１４ｂ
の他方主面上には、それぞれ、たとえば金属からなる接
地電極１８ａおよび１８ｂが形成される。Furthermore, a GGG substrate 14a and another GGG substrate 14b
Ground electrodes 18a and 18b made of metal, for example, are formed on the other main surface of the ground electrodes 18a and 18b, respectively.
この静磁波装置１０では、たとえば、ＹｒＧ薄膜１２ａ
および１２ｂの主面に直交する方向に、直流磁界が印加
されて使用される。そして、たとえばアンテナ１６ａに
信号を入力すれば、アンテナ１６ａの両側に発生する電
磁波などによって体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。また、この体積前進静磁波は、２つのＹＩＧ薄
膜１２ａおよび１２ｂ上にアンテナ１６ａからアンテナ
ｌＧｂ側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進
静磁波は、アンテナ１６ｂで受信される。したがって、
この静磁波装置１０では、第８図および第９図に示す従
来例に比べて、アンテナの両側に発生する電磁波を有効
的に用いることができるため、挿入損失が小さくなると
ともにＱ値が大きくなる。In this magnetostatic wave device 10, for example, the YrG thin film 12a
A direct current magnetic field is applied in a direction perpendicular to the main surfaces of 12b and 12b. For example, when a signal is input to the antenna 16a, a volume forward magnetostatic wave (MSFVW) is excited by electromagnetic waves generated on both sides of the antenna 16a. Further, this volumetric forward magnetostatic wave is propagated from the antenna 16a to the antenna IGb side on the two YIG thin films 12a and 12b. The propagated volumetric forward magnetostatic wave is then received by the antenna 16b. therefore,
In this magnetostatic wave device 10, compared to the conventional examples shown in FIGS. 8 and 9, the electromagnetic waves generated on both sides of the antenna can be used effectively, so the insertion loss is reduced and the Q value is increased. .
さらに、この実施例の静磁波装置１０は、その構造が対
称型であるため、入出力のインピーダンスマツチングが
とりやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい
構造なので動作の解析が容易である。Furthermore, since the magnetostatic wave device 10 of this embodiment has a symmetrical structure, input/output impedance matching is easy to achieve and design is easy, and since the structure is easy to theorize, analysis of operation is easy. .
また、この静磁波装置１０では、２つのＹｒＧ薄膜をそ
れぞれたとえば幅２ｍ、長さ５１の寸法に形成すればＹ
ＩＧ！４ＩＩ！の実効的な幅が約４１鳳となるので、す
なわら、ＹＩＧ薄膜の実効的な幅が１つのＹＩＧ薄膜の
幅の約２倍となるので、従来例に比べて小型になる。In addition, in this magnetostatic wave device 10, if two YrG thin films are each formed to have dimensions of, for example, 2 m in width and 51 in length, YrG
IG! 4II! Since the effective width of the YIG thin film is about 41 mm, that is, the effective width of the YIG thin film is about twice the width of one YIG thin film, so it is smaller than the conventional example.
なお、静磁波装置ＩＯには、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１
２ｂに対して平行でがっ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向に磁界を印加してもよい。Note that the magnetostatic wave device IO includes YIG thin films 12a and 1.
A magnetic field may be applied in a direction parallel to 2b and perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic wave.
この場合、２つのＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂ上には
、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。In this case, a surface magnetostatic wave (MSSW) is propagated on the two YIG thin films 12a and 12b.
あるいは、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂに対して平行
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２
ｂ上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬される
。このように、静磁波装置１０に印加する磁界の方向を
任意に変更してもよい。Alternatively, a magnetic field may be applied in a direction parallel to the YIG thin films 12a and 12b and parallel to the propagation direction of the magnetostatic waves. In this case, YIG thin films 12a and 12
A volume-backward magnetostatic wave (MSBVW) is propagated on b. In this way, the direction of the magnetic field applied to the magnetostatic wave device 10 may be arbitrarily changed.
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ（１
２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ）の幅方向の中央
部分に形成されている。このように、ＹＩＧ薄膜は、Ｇ
ＧＧ基板の幅方向の中央部分にのみ形成されてもよい。FIG. 2 is a plan view of essential parts showing a modification of the embodiment shown in FIG. 1. In this embodiment, in particular, the YIG thin film 12a (1
2b) is formed at the center portion in the width direction of the GGG substrate 14a (14b). In this way, the YIG thin film
It may be formed only in the central portion of the GG substrate in the width direction.
第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ
（１２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ＞の幅方向の
中央部分でその長手方向の中央部分に形成されている。FIG. 3 is a plan view of main parts showing another modification of the embodiment shown in FIG. 1. In this embodiment, in particular, the YIG thin film 12a
(12b) is formed at the center portion of the GGG substrate 14a (14b> in the width direction and the center portion thereof in the longitudinal direction).
さらに、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、ＧＧＧ基板１
４ａ （１４ｂ）の長手方向の端部にまで延びて形成さ
れている。Furthermore, the antennas 16a and 16b are connected to the GGG substrate 1.
4a (14b) and is formed to extend to the end in the longitudinal direction.
第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ１６ａ
および１６ｂがそれぞれ１層の材料で形成されているが
、この実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、そ
れぞれ、ＹＩＧ薄膜１２ａ上に形成された１層の材料と
ＹＩＧＩ膜１２膜上２ｂ上された１層の材料との２Ｎの
材料で形成されている。FIG. 4 is an illustrative view showing still another modification of the embodiment shown in FIG. 1. In the embodiment shown in FIG.
and 16b are each formed of one layer of material, but in this embodiment, antennas 16a and 16b are formed of one layer of material formed on YIG thin film 12a and one layer of material formed on YIGI film 12, respectively. It is made of 2N material with one layer of material.
第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、それぞ
れ、金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形
で形成されている。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the invention. In this embodiment, each of the antennas 16a and 16b is formed of a piece of metal that protrudes outward in the overall width direction.
なお、上述の各実施例では、ＹＩＧ薄膜１２ａと別のＹ
ＩＧ薄膜１２ｂとが同じ飽和磁化（４層Ｍｍ）を有する
材料で形成されているが、この発明では、ＹＩＧ薄膜１
２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとを飽和磁化（４層Ｍ、）
の異なった材料で形成してもよい。このようにＹＩＧ薄
膜１２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとの飽和磁化（４層Ｍ
ｓ）を異ならせれば、ＹＩＧ薄膜１２ａによる周波数特
性および別のＹ［Ｇ薄膜１２ｂによる周波数特性は、た
とえば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の
周波数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第
７図に示すように広帯域となる。Note that in each of the above embodiments, the YIG thin film 12a and another Y
Although the IG thin film 12b is formed of a material having the same saturation magnetization (4 layers Mm), in this invention, the YIG thin film 1
2a and another YIG thin film 12b (4 layers M,)
It may be made of different materials. In this way, the saturation magnetization of the YIG thin film 12a and another YIG thin film 12b (4-layer M
s), the frequency characteristics of the YIG thin film 12a and the frequency characteristics of the other Y[G thin film 12b will have different frequencies in the passband, for example as shown by the solid and dotted lines in FIG. As a whole, the device has a wide band as shown in FIG.
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。
第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。
第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。
第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。
第６図は飽和磁化（４層Ｍ３ ）の異なったＹＩＧ薄膜
および別のＹＩＧ薄膜によるそれぞれの周波数特性を示
すグラフである。
第７図は飽和磁化（４層Ｍｓ）の異なったＹＩＧ薄膜お
よび別のＹＩＧＩ膜による周波数特性を示すグラフであ
る。
第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。
図において、１０は静磁波装置、１２ａは゛ＹＩＧ薄膜
、１２ｂは別のＹＩＧ薄膜、１６ａおよび１６ｂはアン
テナを示す。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
第
図
ｔ４ａ（ｔ４ｂ）FIG. 1 is an illustrative view showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of essential parts showing a modification of the embodiment shown in FIG. 1. FIG. 3 is a plan view of main parts showing another modification of the embodiment shown in FIG. 1. FIG. 4 is an illustrative view showing still another modification of the embodiment shown in FIG. 1. FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the invention. FIG. 6 is a graph showing the frequency characteristics of YIG thin films with different saturation magnetizations (four layers M3) and another YIG thin film. FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of YIG thin films and other YIGI films with different saturation magnetizations (4 layers Ms). FIGS. 8 and 9 are illustrative views showing conventional examples of magnetostatic wave devices, respectively. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12a is a YIG thin film, 12b is another YIG thin film, and 16a and 16b are antennas. Patent Applicant Murata Manufacturing Co., Ltd. Representative Patent Attorney Oka 1) Zenkei Diagram t4a (t4b)
Claims (1)
よび 前記アンテナを覆うように前記ＹＩＧ薄膜の一方主面上
に形成される別のＹＩＧ薄膜を含む、静磁波装置。[Scope of Claims] A static YIG thin film comprising a YIG thin film, an antenna formed on one main surface of the YIG thin film, and another YIG thin film formed on one main surface of the YIG thin film so as to cover the antenna. Magnetic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126714A true JPH02126714A (en) | 1990-05-15 |
| JPH0760965B2 JPH0760965B2 (en) | 1995-06-28 |
Family
ID=17642639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281691A Expired - Fee Related JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760965B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426156B2 (en) * | 1998-05-22 | 2002-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetostatic wave device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (en) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | Method of controlling suppression of static electromagnetic wave in garnet thin film in microwave circuit application device |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63281691A patent/JPH0760965B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (en) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | Method of controlling suppression of static electromagnetic wave in garnet thin film in microwave circuit application device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426156B2 (en) * | 1998-05-22 | 2002-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetostatic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760965B2 (en) | 1995-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |