JPH0760965B2 - Magnetostatic wave device - Google Patents
Magnetostatic wave deviceInfo
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- JPH0760965B2 JPH0760965B2 JP63281691A JP28169188A JPH0760965B2 JP H0760965 B2 JPH0760965 B2 JP H0760965B2 JP 63281691 A JP63281691 A JP 63281691A JP 28169188 A JP28169188 A JP 28169188A JP H0760965 B2 JPH0760965 B2 JP H0760965B2
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- thin film
- yig thin
- magnetostatic wave
- wave device
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばMSWフィル
タなどとして用いられる静磁波装置に関する。The present invention relates to a magnetostatic wave device, and more particularly to a magnetostatic wave device used as, for example, an MSW filter.
（従来技術） 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。(Prior Art) FIGS. 8 and 9 are illustrative views showing a conventional example of a magnetostatic wave device.
第８図に示す静磁波装置１では、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜２がGGG（ガドリニウム，
ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YIG薄膜
２上には、たとえば蒸着，エッチングなどの方法によっ
て、短冊状のアンテナ４および５が形成されている。In the magnetostatic wave device 1 shown in FIG. 8, YIG (yttrium,
Iron, garnet thin film 2 is GGG (gadolinium,
(Gallium, garnet) substrate 3, and strip-shaped antennas 4 and 5 are formed on the YIG thin film 2 by a method such as vapor deposition and etching.
また、第９図に示す静磁波装置１では、GGG基板３上のY
IG薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成されて
いる。Further, in the magnetostatic wave device 1 shown in FIG.
Antennas 4 and 5 are formed on the IG thin film 2 by conducting wires.
そして、これらの静磁波装置１では、それぞれ、GGG基
板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成され
ている。In each of these magnetostatic wave devices 1, a ground conductor 6 made of metal, for example, is formed under the GGG substrate 3.
（発明が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、アンテナ
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in such a conventional magnetostatic wave device, since the electromagnetic wave radiated upward from the antenna causes a loss, the insertion loss is large.
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失が小さ
い、静磁波装置を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device having a small insertion loss.
（課題を解決するための手段） この発明は、YIG薄膜と、YIG薄膜の一方主面上に間隔を
隔てて形成される２つのアンテナと、２つのアンテナを
覆うようにYIG薄膜の一方主面上に形成される別のYIG薄
膜を含む、静磁波装置である。(Means for Solving the Problem) The present invention relates to a YIG thin film, two antennas formed on one main surface of the YIG thin film with a space, and one main surface of the YIG thin film so as to cover the two antennas. A magnetostatic wave device including another YIG thin film formed thereon.
（作用） ２つのアンテナの両側にYIG薄膜が存在するので、一方
のアンテナから他方のアンテナに放射される電磁波の損
失が小さくなる。(Operation) Since the YIG thin films are present on both sides of the two antennas, the loss of electromagnetic waves radiated from one antenna to the other antenna becomes small.
（発明の効果） この発明によれば、一方のアンテナから他方のアンテナ
に放射される電磁波の損失が小さくなるので、挿入損失
を小さくすることができる。(Effect of the Invention) According to the present invention, since the loss of electromagnetic waves radiated from one antenna to the other antenna is reduced, the insertion loss can be reduced.
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。(Embodiment) FIG. 1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention.
この静磁波装置10は、薄い矩形状のYIG（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜12aを含み、このYIG薄
膜12aは、GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）
基板14aを一方主面上に形成される。The magnetostatic wave device 10 includes a thin rectangular YIG (yttrium, iron, garnet) thin film 12a, and the YIG thin film 12a is GGG (gadolinium, gallium, garnet).
The substrate 14a is formed on one main surface.
さらに、YIG薄膜12a上には、たとえば蒸着，エッチング
などの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ16aお
よび16bが間隔を隔てて形成される。Further, for example, strip-shaped antennas 16a and 16b are formed at intervals on the YIG thin film 12a by a method such as vapor deposition or etching.
また、YIG薄膜12a上には、それらのアンテナ16aおよび1
6bを覆うようにして、別のYIG薄膜12bが形成される。こ
の実施例では、別のYIG薄膜12bは、YIG薄膜12aと同じ飽
和磁化（４πMs）を有する材料で形成され、しかも、そ
れに励起される静磁波とYIG薄膜12に励起される静磁波
との位相が合うように形成されている。また、この別の
YIG薄膜12bは、別のGGG基板14bの一方主面上に形成され
ている。Also, on the YIG thin film 12a, those antennas 16a and 1a
Another YIG thin film 12b is formed so as to cover 6b. In this embodiment, another YIG thin film 12b is made of a material having the same saturation magnetization (4πM s ) as that of the YIG thin film 12a, and the magnetostatic wave excited by the YIG thin film 12a and the magnetostatic wave excited by the YIG thin film 12 are different from each other. They are formed so that they are in phase with each other. Also this another
The YIG thin film 12b is formed on one main surface of another GGG substrate 14b.
さらに、GGG基板14aおよび別のGGG基板14bの他方主面上
には、それぞれ、たとえば金属からなる接地電極18aお
よび18bが形成される。Further, ground electrodes 18a and 18b made of, for example, metal are formed on the other main surfaces of the GGG substrate 14a and the other GGG substrate 14b, respectively.
この静磁波装置10では、たとえば、YIG薄膜12aおよび12
bの主面に直交する方向に、直流磁界が印加されて使用
される。そして、たとえばアンテナ16aに信号を入力す
れば、アンテナ16aの両側に発生する電磁波などによっ
て体積前進静磁波（MSFVW）が励起される。また、この
体積前進静磁波は、２つのYIG薄膜12aおよび12b上にア
ンテナ16aからアンテナ16b側に伝搬される。それから、
伝搬された体積前進静磁波は、アンテナ16bで受信され
る。したがって、この静磁波装置10では、第８図および
第９図に示す従来例に比べて、アンテナの両側に発生す
る電磁波を有効的に用いることができるため、挿入損失
が小さくなるとともにＱ値が大きくなる。In this magnetostatic wave device 10, for example, YIG thin films 12a and 12
A DC magnetic field is applied in a direction orthogonal to the main surface of b for use. Then, for example, when a signal is input to the antenna 16a, a volume forward magnetostatic wave (MSFVW) is excited by electromagnetic waves generated on both sides of the antenna 16a. The volume forward magnetostatic wave is propagated from the antenna 16a to the antenna 16b side on the two YIG thin films 12a and 12b. then,
The propagating volume forward magnetostatic wave is received by the antenna 16b. Therefore, in this magnetostatic wave device 10, compared with the conventional example shown in FIGS. 8 and 9, the electromagnetic waves generated on both sides of the antenna can be used more effectively, so that the insertion loss becomes smaller and the Q value becomes smaller. growing.
さらに、この実施例の静磁波装置10は、その構造が対称
型であるため、入出力のインピーダンスマッチングがと
りやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい構
造なので動作の解析が容易である。Further, since the magnetostatic wave device 10 of this embodiment has a symmetrical structure, the impedance matching between input and output is easy to take, the design is easy, and the structure is easy to theoretically analyze.
また、この静磁波装置10では、２つのYIG薄膜をそれぞ
れたとえば幅2mm,長さ5mmの寸法に形成すればYIG薄膜の
実効的な幅が約4mmとなるので、すなわち、YIG薄膜の実
効的な幅が１つのYIG薄膜の幅の約２倍となるので、従
来例に比べて小型になる。Further, in this magnetostatic wave device 10, if the two YIG thin films are formed to have a width of 2 mm and a length of 5 mm, respectively, the effective width of the YIG thin film is about 4 mm. Since the width is about twice the width of one YIG thin film, it is smaller than the conventional example.
なお、静磁波装置10には、YIG薄膜12aおよび12bに対し
て平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、２つのYIG薄膜12aおよ
び12b上には、表面静磁波（MSSW）が伝搬される。ある
いは、YIG薄膜12aおよび12bに対して平行でかつ静磁波
の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印加してもよ
い。この場合、YIG薄膜12aおよび12b上には、体積後退
静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁波装
置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよい。The magnetostatic wave device 10 may apply a magnetic field in a direction parallel to the YIG thin films 12a and 12b and perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic wave. In this case, the surface magnetostatic wave (MSSW) is propagated on the two YIG thin films 12a and 12b. Alternatively, the magnetic field may be applied in a direction parallel to the YIG thin films 12a and 12b and parallel to the magnetostatic wave propagation direction. In this case, the volume receding magnetostatic wave (MSBVW) is propagated on the YIG thin films 12a and 12b. In this way, the direction of the magnetic field applied to the magnetostatic wave device 10 may be arbitrarily changed.
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。この実施例では、、特に、YIG薄膜12a（12b）
が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分に形成され
ている。このように、YIG薄膜は、GGG基板の幅方向の中
央部分にのみ形成されてもよい。FIG. 2 is a plan view of an essential part showing a modified example of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, in particular, the YIG thin film 12a (12b)
Are formed in the central portion in the width direction of the GGG substrate 14a (14b). Thus, the YIG thin film may be formed only on the central portion in the width direction of the GGG substrate.
第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。この実施例では、特に、YIG薄膜12a（12
b）が、GGG基板14a（14b）の幅方向の中央部分でその長
手方向の中央部分に形成されている。さらに、アンテナ
16aおよび16bが、GGG基板14a（14b）の長手方向の端部
にまで延びて形成されている。FIG. 3 is a plan view of an essential part showing another modification of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, in particular, the YIG thin film 12a (12
b) is formed in the center portion in the width direction of the GGG substrate 14a (14b) in the width direction. In addition, the antenna
16a and 16b are formed so as to extend to the ends in the longitudinal direction of the GGG substrate 14a (14b).
第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ16aお
よび16bがそれぞれ１層の材料で形成されているが、こ
の実施例では、アンテナ16aおよび16bが、それぞれ、YI
G薄膜12a上に形成された１層の材料とYIG薄膜12b上に形
成された１層の材料との２層の材料で形成されている。FIG. 4 is an illustrative view showing still another modification of the embodiment shown in FIG. In the embodiment shown in FIG. 1, the antennas 16a and 16b are each made of one layer of material, but in this embodiment, the antennas 16a and 16b are each made of YI.
It is formed of two layers of material, one layer material formed on the G thin film 12a and one layer material formed on the YIG thin film 12b.
第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では、アンテナ16baおよび16bが、それぞれ、
金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形で形
成されている。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the present invention. In this example, antennas 16ba and 16b are respectively
It is a piece made of metal and is formed so as to protrude outward in the width direction of the whole.
なお、上述の各実施例では、YIG薄膜12aと別のYIG薄膜1
2bとが同じ飽和磁化（４πMs）を有する材料で形成され
ているが、この発明では、YIG薄膜12aと別のYIG薄膜12b
とを飽和磁化（４πMs）の異なった材料で形成してもよ
い。このようにYIG薄膜12aと別のYIG薄膜12bとの飽和磁
化（４πMs）を異ならせれば、YIG薄膜12aによる周波数
特性および別のYIG薄膜12bによる周波数特性は、たとえ
ば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の周波
数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第７図
に示すように広帯域となる。In each of the above-described embodiments, the YIG thin film 12a and another YIG thin film 1
2b is formed of a material having the same saturation magnetization (4πM s ), but in the present invention, the YIG thin film 12a and another YIG thin film 12b are formed.
And may be formed of materials having different saturation magnetizations (4πM s ). If the saturation magnetization (4πM s ) of the YIG thin film 12a is different from that of the other YIG thin film 12b as described above, the frequency characteristics of the YIG thin film 12a and the frequency characteristics of the other YIG thin film 12b are, for example, the solid line and the dotted line in FIG. As shown in, the frequency of the pass band is shifted, and the magnetostatic wave device as a whole has a wide band as shown in FIG.
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。 第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。 第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。 第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。 第６図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜によるそれぞれの周波数特性を示すグラフ
である。 第７図は飽和磁化（４πMs）の異なったYIG薄膜および
別のYIG薄膜による周波数特性を示すグラフである。 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。 図において、10は静磁波装置、12aはYIG薄膜、12bは別
のYIG薄膜、16aおよび16bはアンテナを示す。FIG. 1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of an essential part showing a modified example of the embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a plan view of an essential part showing another modification of the embodiment shown in FIG. FIG. 4 is an illustrative view showing still another modification of the embodiment shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a graph showing the frequency characteristics of a YIG thin film having different saturation magnetization (4πM s ) and another YIG thin film. FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of a YIG thin film having different saturation magnetization (4πM s ) and another YIG thin film. FIG. 8 and FIG. 9 are schematic views showing a conventional example of a magnetostatic wave device. In the figure, 10 is a magnetostatic wave device, 12a is a YIG thin film, 12b is another YIG thin film, and 16a and 16b are antennas.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−190001（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−12610（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−66025（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-60-190001 (JP, A) JP-A-47-12610 (JP, A) Jitsukaihei 2-66025 (JP, U)
Claims (1)
つのアンテナ、および 前記２つのアンテナを覆うように前記YIG薄膜の一方主
面上に形成される別のYIG薄膜を含む、静磁波装置。1. A YIG thin film, which is formed on one main surface of the YIG thin film at intervals.
A magnetostatic wave device including one antenna and another YIG thin film formed on one main surface of the YIG thin film so as to cover the two antennas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126714A JPH02126714A (en) | 1990-05-15 |
| JPH0760965B2 true JPH0760965B2 (en) | 1995-06-28 |
Family
ID=17642639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281691A Expired - Fee Related JPH0760965B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Magnetostatic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760965B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340038A (en) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetic garnet single crystal film, manufacture thereof, and magnetostatic wave device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1213266B (en) * | 1984-02-21 | 1989-12-14 | Selenia Ind Elettroniche | METHOD FOR THE SUPPRESSION OF MAGNETOSTATIC WAVES IN MAGNETIC GARNET FILM FOR MICROWAVE CIRCUITS |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63281691A patent/JPH0760965B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02126714A (en) | 1990-05-15 |
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