JPH0325817B2 - - Google Patents

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JPH0325817B2
JPH0325817B2 JP59078826A JP7882684A JPH0325817B2 JP H0325817 B2 JPH0325817 B2 JP H0325817B2 JP 59078826 A JP59078826 A JP 59078826A JP 7882684 A JP7882684 A JP 7882684A JP H0325817 B2 JPH0325817 B2 JP H0325817B2
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circuit
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transistors
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Baanzu Kirei Donarudo
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Publication of JPH0325817B2 publication Critical patent/JPH0325817B2/ja
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/3185Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
    • G01R31/318533Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning using scanning techniques, e.g. LSSD, Boundary Scan, JTAG
    • G01R31/318552Clock circuits details
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits
    • H03K3/0375Bistable circuits provided with means for increasing reliability; for protection; for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; for storing the actual state when the supply voltage fails
    • HELECTRICITY
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    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356017Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K3/356052Bistable circuits using additional transistors in the input circuit using pass gates
    • H03K3/35606Bistable circuits using additional transistors in the input circuit using pass gates with synchronous operation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、一般的には、シフト・レジスタを用
いた論理回路に係り、更に具体的には、回路がテ
ストされているときは2重クロツク・ラツチを必
要とし、回路が非テスト・モード即ち機能モード
で動作しているときは単一クロツク・ラツチしか
必要としない論理回路に係る。
[従来技術] 多数のラツチ回路を用いたマイクロプロセツサ
は、シフト・レジスタがテスト・モード中はラツ
チングされ、通常の動作モード即ち機能動作モー
ド中は非ラツチ型レジスタとして動作するよう
に、複数のクロツクが配置されている、マスタ及
びスレーブ・ラツチ回路の両方を必要とする。従
来技術に於ては、これは、直列に結合されたマス
タ及びスレーブ回路を用いることにより達成され
ている。そのような複雑な回路は、スタツク故障
テストと共通のテストを用いることができない。
局所記憶装置に於いて16個の高速度レジスタの
出力を必要とするものもある一部のマイクロプロ
セツサにとつては、レジスタ・スタツクは、極め
て重要である。それらのレジスタは各々、少くと
も32ビツトの長さを有する必要があり、その32ビ
ツトのプロセツサにパリテイが必要であれば、よ
り長く形成される必要がある。動作モード中に必
要とされそして内部論理を与えるそのようなレジ
スタはテストされねばならない。しかしながら、
テスト・モード中は、それらはあたかもシフト・
レジスタ・ラツチであるかの如く取扱われねばな
らない。周知の如く、シフト・レジスタ・ラツチ
は、シフト・レジスタのスキヤン・リングのレー
シングが防がれるようにデータをスキヤン・リン
グ中にそしてスキヤン・リングからスキヤンする
ために、2つのクロツクを必要とする。しかしな
がら、動作モード中は、2つのクロツクは必要で
なく、レジスタの電力又は速度特性に有害となる
場合がある。動作モード中に出力データを捕獲及
び保持するためには、単一のクロツクしか必要で
ない。
米国特許第4004170号明細書は、一方の側がエ
ンハンスメント・モード素子を駆動し、他方の側
がプツシユ・プル配置に接続されたデイプリーシ
ヨン・モード素子を駆動するように配置されてい
る双安定ラツチを用いたMOSFETラツチ回路に
ついて記載している。
米国特許第3993919号明細書は、3つの異なる
ラツチを設けるために3つの異なる金属パターン
を用いている論理配列体のためのプログラム可能
なラツチについて記載している。素子を付加しそ
して選択された相互接続体を変える事により、J
−Kフリツプ・フロツプをAND極性保持及びゲ
ート極性保持回路に変換する事ができる。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、より高い密度及びより小さい
寸法を有する改良されたレジスタ・ラツチを提供
することである。
本発明の他の目的は、テスト中は2重クロツ
ク・ラツチとして働くが、機能動作モード中は単
一クロツク・ラツチとして働いて、より良好な電
力の性能を与える、シフト・レジスタ・ラツチを
提供することである。
本発明の更に他の目的は、スタツク故障テスト
の如きDCテストを用いて容易にテストすること
ができる簡単なレジスタ回路を提供することであ
る。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、入力及び出力を有する交差結合され
た回路を含み、上記交差結合された回路は第1、
第2及び第3の経路を有し、上記第1経路は上記
第3経路に交差結合され、上記第2経路は上記第
3経路にスイツチング可能に交差結合されてい
る、ラツチ回路を提供する。
本発明によるラツチ回路は、動作モード中は、
安定なデータ入力を用いて出力データを捕獲及び
保持するように動作することができ、テスト・モ
ード中は、スキヤン・リングに於けるレーシング
が生じないように2重クロツク・シフト・レジス
タ・ラツチとして動作することができる、単一又
は2重クロツク・ラツチとして働く。
本発明によるラツチ回路は、第1の経路を或る
選択された入力信号によりそして第2の経路を上
記の選択された入力信号の補数によりプログラム
することによつて、更に修正することができる。
本発明によれば、動作中は、安定なデータ入力
を有し、従つて出力データを捕獲又は保持するた
めに単一のクロツクしか必要としないが、テスト
中は、シフト・レジスタ・ラツチとして働かねば
ならない、レジスタ回路が得られる。そのような
シフト・レジスタ・ラツチに於けるレーシング状
態を防ぐためには、上記回路は、それらのレジス
タより成るスキヤン・リングへ又は該スキヤン・
リングからデータをスキヤンするために、2重の
クロツクを必要とする。
具体的に云えば、本発明によれば、或る1組の
選択された条件の下では単一クロツク回路を用い
て動作し、異なる1組の選択された条件の下で
は、各組で異なるクロツクによつて、動的なマス
タ・ラツチ及びそれに続く静的なスレーブ・ラツ
チとして動作する、ラツチ回路が得られる。所望
ならば、内部テスト点をセツトしそして回路上の
内部論理点を読取るためのスキヤン特性を設ける
ために、第3のクロツクを選択的に用いることが
できる。
従つて、本発明によれば、論理遅延を減少させ
る簡単な回路を与えるとともに、スタツク故障テ
ストを自動的に生ぜしめるためのレベル・センシ
テイブ・スキヤン設計(LSSD)を可能にする、
簡単な回路が得られる。
[実施例] 図面を参照して、本発明に従つて形成されたレ
ジスタ回路を、その構造及び動作について、詳細
に説明する。第1図は、本発明の論理を示す装置
のブロツク図である。その装置は、NAND回路
10、NOR回路11、一対の直列のNOT回路1
2及び13、マルチプレクサ14、AND/OR反
転回路15、及び該回路と直列のNOTプツシ
ユ・プル回路16を含む。第1クロツク・パルス
が、ノード17を経てNAND回路10に供給さ
れる。このNAND回路10には又、ノード18
を経て入力が供給され、該入力は、NOR回路1
1にも供給される。NOR回路11には又、ノー
ド19を経て第2クロツク・パルスが供給され、
該クロツク・パルスは、ノード20上のデータ入
力信号及びノード21上のスキヤン入力信号とと
もに、マルチプレクサ14にも供給される。ノー
ド18上の入力パルスが低レベルであるときは常
に、示されている回路全体が単一クロツク・モー
ドで動作し、ノード17上に現われる信号は無効
のままである。なぜなら、直列のNOT回路12
及び13、従つてAND/OR反転回路15に供給
される出力を生ぜしめるためにはノード18上の
高レベル入力と組合されねばならないからであ
る。従つて、ノード18上の入力パルスが低レベ
ルであるときに有効である唯一のクロツク・パル
スは、NOR回路11及びマルチプレクサ14に
供給される、ノード19上に現わらるクロツク・
パルスである。このノード19上のクロツク・パ
ルスが上昇すると、NOR回路11が付勢されて、
線22を経てマルチプレクサ14に信号が転送さ
れる。これが生じると、マルチプレクサ14は、
ノード20を経てデータ線上に又はノード21を
経てスキヤン線上に情報を受取る。このようにし
てマルチプレクサに供給された情報は、線23を
経てAND/OR反転回路15に供給されて、
NOTプツシユ・プル回路16を付勢し、出力線
24上に適当な出力を供給する。
逆に、ノード18が高レベルであるときは、回
路は2重クロツク・モードで動作する。この場
合、回路の動作は、ノード17上の第1クロツ
ク、ノード18上の入力、及びノード19上の第
2クロツクからの正の信号の一致に依存する。ノ
ード18が高レベルであるときは、ノード17上
に生じる負のクロツク・パルスが有効になつて
NAND回路10を付勢させ、NAND回路10は
直列のNOT回路12及び13に出力を供給する。
この付勢は、適当なパルス線25及び26上に生
ぜしめて、AND/OR反転回路15に供給し、
NOTプツシユ・プル回路16が適当なデータ出
力を線24上に供給するようにする。
それと同時に、NOR回路11が付勢されてお
り、線22が低レベルであるので、マルチプレク
サ14は付勢されず、ノード20からのデータ・
パル又はノード21からのスキヤン・パルスのい
ずれもマルチプレクサ14を経て転送されない。
第2図は、第1図の回路の素子及び配置をより
詳細に示している回路図である。
この回路に於ては、トランジスタ30,31及
び32がNAND回路10を構成し、トランジス
タ33,34,35及び36がNOR回路11を
構成し、トランジスタ37及び38がNOT回路
13を構成し、トランジスタ39及び40が
NOT回路12を構成し、トランジスタ41,4
2及び43がマルチプレクサ14を構成し、トラ
ンジスタ44,45,46,47及び48が
AND/OR反転回路15を構成し、トランジスタ
49,50,51及び52がNOTプツシユ・プ
ル回路16を構成している。
NAND回路10は、直接に配置された負荷ト
ランジスタ30と入力トランジスタ31及び32
より成る。負荷トランジスタ30のソースは電源
53に結合され、そのドレインは入力トランジス
タ31及び32を経て接地され、又それ自身のゲ
ート即ち制御電極は、負荷トランジスタ37のゲ
ート及びソース・フオロワ・トランジスタ40の
ゲートに結合されている。トランジスタ31のゲ
ートはノード18及びOR回路11のトランジス
タ34のゲートに結合され、トランジスタ32の
ゲートはノード17に結合されている。トランジ
スタ33,34,35及び36より成るNOR回
路11に於て、負荷トランジスタ33のソースは
電源53に結合され、そのドレインはそれ自身の
ゲート、線22、並びにドレインが全て接地され
ている並列のデコード・トランジスタ34,35
及び36のソースに各々結合されている。スキヤ
ン・パルス又はデータ・パルスだけが本発明によ
るラツチ中に供給されるようにすることが望まし
いので、もう1つのクロツク・ノード27が設け
られている。このノード27はスキヤン入力トラ
ンジスタ42を制御し、ノード19はデータ入力
トランジスタ41を制御する。トランジスタ35
のゲートはノード19に結合され、トランジスタ
36のゲートはノード27に結合されている。
NOT回路12及び13は、負荷トランジスタ3
7及び39並びにソース・フオロワ・トランジス
タ38及び40より成る。
NOT回路12に於て、負荷トランジスタ39
のソースは電源53に結合され、そのドレインは
それ自身のゲート、トランジスタ38のゲート、
及び線26に結合され、又トランジスタ40を経
て接地されており、トランジスタ40のゲートは
トランジスタ30及び37のゲートに結合されて
いる。NOT回路13において、負荷トランジス
タ37のソースは電源53に結合され、そのドレ
インはトランジスタ38を経て接地され、又線2
5に結合されている。
マルチプレクサ14は、トランジスタ41,4
2及び43より成る。トランジスタ41のソース
はデータ・ノード20に結合され、そのドレイン
はトランジスタ43のソース、キヤパシタ54、
及びトランジスタ42のドレインに結合され、ト
ランジスタ42のソースはスキヤン・ノード21
に結合されている。スイツチング・トランジスタ
43のゲートは線22に結合されている。
AND/OR反転回路15は、プログラム・トラ
ンジスタ44及び47、負荷トランジスタ46並
びにゲート・トランジスタ45及び48より成
る。負荷トランジスタ46のソースは電源53に
結合され、そのドレインはプログラム・トランジ
スタ44及び47並びにそれらのトランジスタと
直列のゲート・トランジスタ45及び48を経て
接地されている。トランジスタ44のゲートは線
25に結合され、トランジスタ47のゲートは線
26に結合されている。トランジスタ45のゲー
トは、キヤパシタ54、トランジスタ41及び4
2のドレイン、そしてスイツチング・トランジス
タ43を経てトランジスタ48のゲートに結合さ
れている。キヤパシタ54は、示されている如く
別個の物理的キヤパシタであつてもよく、又はト
ランジスタ45のゲート・キヤパシタ即ち寄生キ
ヤパシタンスであつてもよい。
NOTプツシユ・プル回路16は、負荷トラン
ジスタ49、反転ソース・フオロワ・トランジス
タ50、プツシユ・トランジスタ51、及びプ
ル・トランジスタ52より成る。トランジスタ4
9及び51のソースは両方とも電源53に結合さ
れている。トランジスタ49のドレインは、スイ
ツチング・トランジスタ43のドレインおよびゲ
ート・トランジスタ48のゲートに結合され、又
反転ソース・フオロワ・トランジスタ50を経て
接地されている。トランジスタ50のゲートは、
負荷トランジスタ46のドレイン並びにプログラ
ム・トランジスタ44及び47のソースに結合さ
れている。プツシユ・トランジスタ51のソース
は電源53に結合され、そのドレインは出力線2
4に結合され、又プル・トランジスタ52を経て
接地されている。プル・トランジスタ52のゲー
トはトランジスタ50のゲートに結合され、トラ
ンジスタ51のゲートは負荷トランジスタ49の
ドレインに結合されている。
トランジスタ43乃至52及びキヤパシタ54
は、第1及び第2のプログラム可能な経路及び第
3のプログラム不可能な経路を有し、上記第1経
路は上記第3経路に交差結合され、上記第2経路
は回路から選択的に除去され得るようにスイツチ
ング可能に上記第3経路に交差結合されている両
終端型交差結合回路を含むプログラム可能なラツ
チ回路を形成している。すなわち、プログラム・
トランジスタ47、ゲート・トランジスタ48及
びプツシユ・トランジスタ51を含む第1のプロ
グラム可能な経路、同じく、プログラム・トラン
ジスタ44、ゲート・トランジスタ45及びプ
ル・トランジスタ52、スイツチング・トランジ
スタ43及びキヤパシタ54を含む第2のプログ
ラム可能な経路、さらに、反転ソース・フオロ
ワ・トランジスタ50を含む第3のプログラム不
可能な経路を形成している。そして、第1の経路
のトランジスタ47,48、第3の経路のトラン
ジスタ50を含む交差結合回路と、第2の経路の
トランジスタ44,45、スイツチング・トラン
ジスタ43、第3の経路のトランジスタ50を含
む交差結合回路が形成され、トランジスタ50の
ゲートは、第1プログラム・トランジスタ47及
び第2プログラム・トランジスタ44に各々(す
なわち第1の接続点に)接続されている。第1、
第2の経路は、線25,26に与えられる信号、
換言するとプログラム可能な信号の制御によつて
選択した状態にセツトできるトランジスタ44,
47を含んでいる。
上記論理回路は次のように動作する。
A 単一クロツク・モード ノード17が通常オンであり、ノード18が
低レベルにあるものと仮定する。ノード17が
オンのため、トランジスタ32がオンであり、
ノード18がオフである場合には、トランジス
タ31がオフになり、従つてトランジスタ31
又は32のいずれにも電流が流れず、即ち
NAND回路10は付勢されず、トランジスタ
30,37及び40が全てオンになる。ノード
18がオフであるときは、トランジスタ34も
オフである。トランジスタ40がオンである
と、線26は低レベルに保持され、トランジス
タ38もオフになる。その結果、線25が高レ
ベルになり、トランジスタ44がオンになる。
トランジスタ44がオンであるとき、ノード1
9又は27のいずれかが高レベルになると、ど
ちらのノードが高レベルになつたかに応じて、
データがノード20を経てキヤパシタ54に書
込まれ、又はスキヤン情報がノード21を経て
書込まれる。ノード19又は27のいずれかが
上昇すると、トランジスタ35又は36のいず
れかがオンになり、線22が低レベルになつ
て、トランジスタ43がターン・オフされる。
従つて、データ又はスキヤン情報がノード20
又は21からトランジスタ41又は42を経て
キヤパシタ54に加えられ、トランジスタ45
をターン・オンさせるように正にチヤージされ
る。トランジスタ45がオンになると、線25
も高レベルなので、ノード56即ちトランジス
タ47のソースを低レベルにするので、トラン
ジスタ44及び45を経て電流が流れる。ノー
ド56が低レベルになると、トランジスタ50
及び52がオフに保たれ、トランジスタ51の
ゲートが上昇して、トランジスタ51がオンに
なり、出力線24が電源53の電圧に向つて上
昇される。ノード18,19及び27の全てが
低レベルであるとき、3つのトランジスタ3
4,35及び36の全てがオフになり、線22
が高レベルになつて、トランジスタ43がター
ン・オンされ、トランジスタ48及び51のベ
ースゲートがキヤパシタ54のレベルにセツト
される。キヤパシタ54が低レベルである場合
には、トランジスタ45,48及び51がター
ン・オフされ、トランジスタ50及び52がオ
ンになつて、出力線24が下降し、キヤパシタ
54が高レベルである場合には、トランジスタ
48及び51がターン・オンされ、トランジス
タ50及び52がターン・オフされて、出力線
24の電圧が上昇する。
B 2重クロツク・モード 回路が2重クロツク・モードで用いられるべ
き場合には、ノード18が高レベルにされる。
ノード17は通常高レベルであるので、トラン
ジスタ31及び32に電流が流れて、トランジ
スタ30,37及び40のゲートが低レベルに
なり、それらのトランジスタがターン・オフさ
れる。トランジスタ40がオフになると、トラ
ンジスタ40のソースに結合されている線26
が上昇して、トランジスタ38がオンになり、
線25が低レベルになる。線26が上昇する
と、トランジスタ47がターン・オンされる。
トランジスタ48のゲートに生じている正の信
号はノード56を低レベルにして、トランジス
タ50及び52をシヤツト・オフし、線24の
電圧を上昇させる。同様に、トランジスタ45
のゲートがキヤパシタ54により低レベルに保
たれている場合には、トランジスタ49及び5
1がオフになり、ノード56は高レベルに保た
れて、トランジスタ50及び52がオンに保た
れ、線24が接地電位に向つて降下する。
トランジスタ43乃至52は、2つのプログ
ラム可能な経路及び1つのプログラム不可能な
経路を有し、第1のプログラム可能な経路が或
る信号により選択され、第2のプログラム可能
な経路が上記信号の補数により選択される。プ
ログラム可能なラツチ回路を構成していること
に特に留意されたい。
以上に於て、動作中は、選択されたデータ入力
を有することができ、該データを捕獲及び保持す
るために単一のクロツクしか必要としないが、テ
スト中は、レーシング状態を防ぐためにシフト・
レジスタ・ラツチとして働かねばならず、それら
のレジスタにより形成されたスキヤン・リングへ
そしてスキヤン・リングからデータをスキヤンす
るために2つのクロツクを必要とする回路につい
て述べた。
[本発明の効果] 本発明によれば、より高い密度及びより小さい
寸法を有する改良されたレジスタ・ラツチが得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を用いた完全なレジスタを示す
ブロツク図、第2図は第1図のレジスタを示す回
路図である。 10……NAND回路(トランジスタ30,3
1及び32)、11……NOR回路(トランジスタ
33,34,35及び36)、12……NOT回路
(トランジスタ39及び40)、13……NOT回
路(トランジスタ37及び38)、14……マル
チプレクサ(トランジスタ41,42及び43)、
15……AND/OR反転回路(トランジスタ4
4,45,46,47及び48)、16……NOT
プツシユ・プル回路(トランジスタ49,50,
51及び52)、17……ノード(第1クロツ
ク・パルス)、18……ノード(入力パルス)、1
9……ノード(第2クロツク・パルス)、20…
…ノード(データ入力信号)、21……ノード
(スキヤン入力信号)、22,23,25,26…
…線、24……出力線、27……もう1つのクロ
ツク・ノード、53……電源、54……キヤパシ
タ、56……ノード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 入力手段と出力手段、 第1の経路、第2の経路、第3の経路及び、 電源と第1接続点の間に接続された第1の負荷
    トランジスタ及び上記電源と第2接続点の間に接
    続された第2の負荷トランジスタを備え、 上記第1の経路は、上記第1接続点と接地の間
    に接続され、かつ第1のトランジスタ及び第2の
    トランジスタを有し、上記第1の経路はさらに、
    上記出力手段に接続されており、 上記第2の経路は、上記第1の接続点と接地の
    間に接続され、第3、第4の直列接続されたトラ
    ンジスタを有し、 該第2の経路はさらに、上記入力手段に接続さ
    れており、 上記第1、第2、第3、第4の各トランジスタ
    は、各々制御電極を有し、 上記第3の経路は上記第2の接続点と接地の間
    に接続され、かつ制御電極を有する第5のトラン
    ジスタを有し、該5トランジスタの制御電極は上
    記第1の接続点に接続され、 上記第2の接続点は、第6のトランジスタを介
    して上記第4トランジスタの制御電極に接続さ
    れ、かつ上記第2トランジスタの制御電極に接続
    されていることを特徴とするラツチ回路。
JP59078826A 1983-08-01 1984-04-20 ラッチ回路 Granted JPS6049443A (ja)

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JPS6049443A JPS6049443A (ja) 1985-03-18
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JP59078826A Granted JPS6049443A (ja) 1983-08-01 1984-04-20 ラッチ回路

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US3993919A (en) * 1975-06-27 1976-11-23 Ibm Corporation Programmable latch and other circuits for logic arrays

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JPS6049443A (ja) 1985-03-18
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EP0137165A1 (en) 1985-04-17

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