JPH03258005A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
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- JPH03258005A JPH03258005A JP5753090A JP5753090A JPH03258005A JP H03258005 A JPH03258005 A JP H03258005A JP 5753090 A JP5753090 A JP 5753090A JP 5753090 A JP5753090 A JP 5753090A JP H03258005 A JPH03258005 A JP H03258005A
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- Japan
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- frequency semiconductor
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Links
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 11
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、高周波半導体装置に関し、特にＸ〜Ｋｕ帯
以上のマイクロ波帯での内部整合ＦＥＴ用容器の構造に
関するものである。
以上のマイクロ波帯での内部整合ＦＥＴ用容器の構造に
関するものである。
第３図は例えは特開昭６３−２０４８０７号公報に示さ
れた従来の高周波半導体装置を示す平面図である。
れた従来の高周波半導体装置を示す平面図である。
図において、１はＣｕなどの放熱効果及び導電性の良い
金属種体製の放熱板、２は放熱板ｌ上に設けられた側壁
、３ａ、３ｂは高周波半導体素子、４ａ、４ｂは誘電体
基板上に形成された入力側整合回路、５ａ、５ｂは誘電
体基板上に形成された出力側整合回路、５ａ、５ｂは誘
電体基板上に形成され入出力電力を分配・合成するリー
ド引き出し電極、７ａ、７ｂはリード電極、８は高周波
半導体素子３ａ、３ｂを隔てる隔壁、９はボンディング
用金ワイヤである。
金属種体製の放熱板、２は放熱板ｌ上に設けられた側壁
、３ａ、３ｂは高周波半導体素子、４ａ、４ｂは誘電体
基板上に形成された入力側整合回路、５ａ、５ｂは誘電
体基板上に形成された出力側整合回路、５ａ、５ｂは誘
電体基板上に形成され入出力電力を分配・合成するリー
ド引き出し電極、７ａ、７ｂはリード電極、８は高周波
半導体素子３ａ、３ｂを隔てる隔壁、９はボンディング
用金ワイヤである。
次に動作について説明する。入力側リード電極７ａから
入力されたマイクロ波電力は、入力側リード引き出しｔ
極６ａによって分配され、インピーダンス的に整合され
た入力端整合回路４ａ１４ｂを通り高周波半導体素子３
ａ、３ｂで増幅される。高周波半導体素子３ａ、３ｂで
増幅されたマイクロ波電力は出力側整合回路５ａ、５ｂ
を通り、出力側リード引き出し電極６ｂで合成され、出
力側リード電極７ｂへ出力される。高周波半導体素子３
ａ、３ｂは隔壁８でｔ磁気的に隔てられた空胴内に存在
することになり高周波半導体素子の使用可能な周波数は
この空胴の大きさに依存しているので、使用可能な周波
数を引き上げている。
入力されたマイクロ波電力は、入力側リード引き出しｔ
極６ａによって分配され、インピーダンス的に整合され
た入力端整合回路４ａ１４ｂを通り高周波半導体素子３
ａ、３ｂで増幅される。高周波半導体素子３ａ、３ｂで
増幅されたマイクロ波電力は出力側整合回路５ａ、５ｂ
を通り、出力側リード引き出し電極６ｂで合成され、出
力側リード電極７ｂへ出力される。高周波半導体素子３
ａ、３ｂは隔壁８でｔ磁気的に隔てられた空胴内に存在
することになり高周波半導体素子の使用可能な周波数は
この空胴の大きさに依存しているので、使用可能な周波
数を引き上げている。
従来の高周波半導体装置は、以上のように構成されてい
るので、高周波半導体素子同士のアイソレーションがと
れないという問題点があった。
るので、高周波半導体素子同士のアイソレーションがと
れないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、高周波半導体素子の使用可能な周波数を高
めるとともに、高周波半導体素子間のアイソレーション
を取り、ループ発振を防ぎ、安定してマイクロ波電力を
増幅できる高周波半導体装置を得ることを目的とする。
れたもので、高周波半導体素子の使用可能な周波数を高
めるとともに、高周波半導体素子間のアイソレーション
を取り、ループ発振を防ぎ、安定してマイクロ波電力を
増幅できる高周波半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波半導体装置は、隔壁を高周波半導
体装置容器内に設け、より高い周波数まで使用可能にす
るとともに、隔壁の一部を除去し、その部分にアイソレ
ーション用抵抗を設け、高周波半導体素子間のループ発
振を防いだものである。
体装置容器内に設け、より高い周波数まで使用可能にす
るとともに、隔壁の一部を除去し、その部分にアイソレ
ーション用抵抗を設け、高周波半導体素子間のループ発
振を防いだものである。
この発明における隔壁は、使用可能な周波数を高めると
ともに、その一部を除去することによりアイソレーショ
ン抵抗を設ける場所を確保する。
ともに、その一部を除去することによりアイソレーショ
ン抵抗を設ける場所を確保する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例による高周波半導体装置を示し、
図において、ｌはＣｕなどの放熱効果および導電性の高
い金属源体製の放熱板、２は放熱板１上に取りつけられ
た側壁、３ａ、３ｂは高周波半導体素子、４ａ、４ｂお
よび５ａ、５ｂは誘電体基板上に形成された入力および
出力整合回路、６ａ、６ｂは入力、出力側リード引き出
し電極、７ａ、７ｂは入力、出力側リード電極、８は隔
壁、９はボンディング用金ワイヤ、１０は誘電体基板上
に形成されたアイソレーション抵抗である。
図は本発明の一実施例による高周波半導体装置を示し、
図において、ｌはＣｕなどの放熱効果および導電性の高
い金属源体製の放熱板、２は放熱板１上に取りつけられ
た側壁、３ａ、３ｂは高周波半導体素子、４ａ、４ｂお
よび５ａ、５ｂは誘電体基板上に形成された入力および
出力整合回路、６ａ、６ｂは入力、出力側リード引き出
し電極、７ａ、７ｂは入力、出力側リード電極、８は隔
壁、９はボンディング用金ワイヤ、１０は誘電体基板上
に形成されたアイソレーション抵抗である。
次に動作について説明する。入力側リード電極７ａから
人力されたマイクロ波電力は入力端リード引き出し電極
６ａで分配されてインピーダンス的↓こ整合された入力
側整合回路４ａ、４ｂを通り、高周波半導体素子３ａ、
３ｂに供給される。高周波半導体素子３ａ、３ｂで増幅
されたマイクロ波電力は、出力が整合回路５ａ、５ｂを
通り、出力側リード引き出し電極６ｂで合成され、出力
側リード電極７ｂに出力される。
人力されたマイクロ波電力は入力端リード引き出し電極
６ａで分配されてインピーダンス的↓こ整合された入力
側整合回路４ａ、４ｂを通り、高周波半導体素子３ａ、
３ｂに供給される。高周波半導体素子３ａ、３ｂで増幅
されたマイクロ波電力は、出力が整合回路５ａ、５ｂを
通り、出力側リード引き出し電極６ｂで合成され、出力
側リード電極７ｂに出力される。
各高周波半導体素子の入出力に整合回路が接続された高
周波半導体増幅部は、大部分において隔壁８で２つに分
離されているため、使用可能な周波数が高められている
。また、高周波半導体素子３ａ、３ｂは隔壁８の除去部
に設けられたアイソレーション抵抗１０に金ワイヤ９で
ポンディングすることにより接続されており、ループ発
振を防ぎ、マイクロ波電力の安定した増幅が実現されて
いる。
周波半導体増幅部は、大部分において隔壁８で２つに分
離されているため、使用可能な周波数が高められている
。また、高周波半導体素子３ａ、３ｂは隔壁８の除去部
に設けられたアイソレーション抵抗１０に金ワイヤ９で
ポンディングすることにより接続されており、ループ発
振を防ぎ、マイクロ波電力の安定した増幅が実現されて
いる。
なお、上記実施例では高周波半導体素子が２個のものを
示したが、その個数については任意である。
示したが、その個数については任意である。
また、上記実施例ではマイクロ波電力の分配・合成をリ
ード引き出し電極で、側壁外側で行っている場合につい
て説明したが、マイクロ波電力の分配・合或は、側壁内
側で、整合回路で行ってもよい。
ード引き出し電極で、側壁外側で行っている場合につい
て説明したが、マイクロ波電力の分配・合或は、側壁内
側で、整合回路で行ってもよい。
第２図にこれらの実施例をまとめて示す。この実施例で
は高周波半導体素子は４個で、マイクロ波電力の分配・
合成を側壁部内側で整合回路１１ａ、ｌｌｂで行ってい
る。
は高周波半導体素子は４個で、マイクロ波電力の分配・
合成を側壁部内側で整合回路１１ａ、ｌｌｂで行ってい
る。
（発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、隔壁の一部を除去し
その部分にアイソレーション抵抗を設けたので、使用可
能な周波数を高めるとともに、各高周波半導体素子間の
アイソレーションが取れ、安定に動作する高周波半導体
装置が得られる効果がある。
その部分にアイソレーション抵抗を設けたので、使用可
能な周波数を高めるとともに、各高周波半導体素子間の
アイソレーションが取れ、安定に動作する高周波半導体
装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高周波半導体装置を
示す平面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す高周
波半導体装置を示す平面図、第３図は従来の高周波半導
体装置を示す平面図である。 図において、１は放熱板、２は側壁、３ａ、３ｂは高周
波半導体素子、４ａ、４ｂは入力側整合回路、５ａ、５
ｂは出力側整合回路、６ａ、６ｂは人力、出力側リード
引き出し電極、７ａ、７ｂは入力、出力側リード電極、
８は隔壁、９はボンディング用金ワイヤ、１０はアイソ
レーション抵抗である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す平面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す高周
波半導体装置を示す平面図、第３図は従来の高周波半導
体装置を示す平面図である。 図において、１は放熱板、２は側壁、３ａ、３ｂは高周
波半導体素子、４ａ、４ｂは入力側整合回路、５ａ、５
ｂは出力側整合回路、６ａ、６ｂは人力、出力側リード
引き出し電極、７ａ、７ｂは入力、出力側リード電極、
８は隔壁、９はボンディング用金ワイヤ、１０はアイソ
レーション抵抗である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）各入出力端にそれぞれ整合回路を配置した複数の
高周波半導体素子が並列接続してなる増幅部を１つの容
器に収納した高周波半導体装置において、 前記増幅部が容器内に設けられた部分的な隔壁によって
電磁的に分離され、 前記高周波半導体素子が隔壁中央部に設けたアイソレー
ション抵抗によって結ばれ、 入出力電力が容器内で分配・合成されることを特徴とす
る高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753090A JPH03258005A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753090A JPH03258005A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258005A true JPH03258005A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13058302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5753090A Pending JPH03258005A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03258005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140014969A1 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6386904A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Toshiba Corp | 内部整合型高出力電界効果トランジスタ |
| JPS63204807A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nec Corp | 高周波半導体装置 |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5753090A patent/JPH03258005A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6386904A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | Toshiba Corp | 内部整合型高出力電界効果トランジスタ |
| JPS63204807A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nec Corp | 高周波半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140014969A1 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US8796697B2 (en) * | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
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