JPH03255685A - レーザーダイオード - Google Patents
レーザーダイオードInfo
- Publication number
- JPH03255685A JPH03255685A JP5408990A JP5408990A JPH03255685A JP H03255685 A JPH03255685 A JP H03255685A JP 5408990 A JP5408990 A JP 5408990A JP 5408990 A JP5408990 A JP 5408990A JP H03255685 A JPH03255685 A JP H03255685A
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- JP
- Japan
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- laser diode
- circuit
- voltage
- photodiode
- decreases
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信用あるいは光ビーム応用に用いられる光
デバイスに関し、特に発光素子としてのレーザーダイオ
ードに関するものである。
デバイスに関し、特に発光素子としてのレーザーダイオ
ードに関するものである。
従来のレーザーダイオードは単に１つのレーザーダイオ
ードチップがパッケージにマウントされているか、ある
いは１つのレーザーダイオードチップと１つのモニター
用のＰＩＮホトダイオードがパッケージにマウントされ
ているものであった。
ードチップがパッケージにマウントされているか、ある
いは１つのレーザーダイオードチップと１つのモニター
用のＰＩＮホトダイオードがパッケージにマウントされ
ているものであった。
第２図にその端子図の一例を示し、第３図には構造の一
例を示す。
例を示す。
上述した従来のレーザーダイオードは単にレーザーダイ
オードチップ１が１つ、あるいはモニター用のＰＩＮホ
トダイオード３と共にマウントされているのみで、実際
にシステム内に組み込み稼働させた時、何らかの外部か
らの電気的ストレス（サージ等）、あるいはレーザーダ
イオードチップそれ自身の寿命により光出力の低下が発
生する可能性があり、その場合にはレーザーダイオード
の取り換えが必要であった。そのため、マウントされた
１つのレーザーダイオードチップの耐力により寿命が制
限されてしまうという欠点がある。
オードチップ１が１つ、あるいはモニター用のＰＩＮホ
トダイオード３と共にマウントされているのみで、実際
にシステム内に組み込み稼働させた時、何らかの外部か
らの電気的ストレス（サージ等）、あるいはレーザーダ
イオードチップそれ自身の寿命により光出力の低下が発
生する可能性があり、その場合にはレーザーダイオード
の取り換えが必要であった。そのため、マウントされた
１つのレーザーダイオードチップの耐力により寿命が制
限されてしまうという欠点がある。
本発明のレーザーダイオードは、通常用いるレーザーダ
イオードチップ（ＬＤＩ）とＬＤＩに異常が発生（光出
力低下）した時に駆動するための、他のレーザーダイオ
ードチップ（ＬＤ２）、計２つのレーザーダイオードチ
ップと、その光出力をモニター信号として検出するため
のモニター用ホトダイオードと、そのモニター信号を検
出し、あらかじめ設定されている基準電圧と比較するた
めの差動増幅回路（比較器として使用）と、ＬＤ２を駆
動させるためのスイッチング回路とが１つのステムある
いはパッケージにマウントされている。
イオードチップ（ＬＤＩ）とＬＤＩに異常が発生（光出
力低下）した時に駆動するための、他のレーザーダイオ
ードチップ（ＬＤ２）、計２つのレーザーダイオードチ
ップと、その光出力をモニター信号として検出するため
のモニター用ホトダイオードと、そのモニター信号を検
出し、あらかじめ設定されている基準電圧と比較するた
めの差動増幅回路（比較器として使用）と、ＬＤ２を駆
動させるためのスイッチング回路とが１つのステムある
いはパッケージにマウントされている。
本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の回路図（ブロック図）である。
ｌは通常駆動するためのレーザーダイオードチップ（Ｌ
Ｄｌ）であり、２はＬＤ、が異常時すなわち光出力の低
下が発生した時に駆動するためのレーザーダイオードチ
ップ（ＬＩｈ）である。又３のＰＩＮホトダイオードは
ＬＤｓ、ＬＤｘ両者のモニター用ホトダイオードとして
働き、また後段のＦＥＴ入力型差動増幅器７への入力電
圧を作るべく動作する。
Ｄｌ）であり、２はＬＤ、が異常時すなわち光出力の低
下が発生した時に駆動するためのレーザーダイオードチ
ップ（ＬＩｈ）である。又３のＰＩＮホトダイオードは
ＬＤｓ、ＬＤｘ両者のモニター用ホトダイオードとして
働き、また後段のＦＥＴ入力型差動増幅器７への入力電
圧を作るべく動作する。
まず、通常にＡＰＣ動作している状態では、モニター電
流（３０ＰＤのホト電流）は適当ｎ：（４：１〜２ｍＡ
）流れており、４の負荷抵抗により電位降下が生じある
適当な電圧がＦＥＴ人力型差動増幅器７のＩＮＶＥＲＴ
ＩＮＧ 入力端子に加わる、このときあらかじめ抵抗５
，６により設定された電圧との比較を行うわけであるが
、Ｎ０Ｎ−ＩＮＶＥＲＴＩＮＧ入力１１子にはＩＮＶＥ
ＲＴＩＮＧ端子よりも小さくかつＬＤｌの光出力が低下
した時の劣化判定の最小限値でのモニター電流により決
まるモニター電圧値がかかる様に設定しておく。
流（３０ＰＤのホト電流）は適当ｎ：（４：１〜２ｍＡ
）流れており、４の負荷抵抗により電位降下が生じある
適当な電圧がＦＥＴ人力型差動増幅器７のＩＮＶＥＲＴ
ＩＮＧ 入力端子に加わる、このときあらかじめ抵抗５
，６により設定された電圧との比較を行うわけであるが
、Ｎ０Ｎ−ＩＮＶＥＲＴＩＮＧ入力１１子にはＩＮＶＥ
ＲＴＩＮＧ端子よりも小さくかつＬＤｌの光出力が低下
した時の劣化判定の最小限値でのモニター電流により決
まるモニター電圧値がかかる様に設定しておく。
この様な状態において、もし何らかのストレスにより、
ＬＤｌに光出力の低下が生じた時、それと同時にモニタ
ー電圧の低下（ＩＮＶＥＲＴＩＮＧ入力端子の低下）も
生じる。その低下が基準電圧（ＮＯＮ−ＩＮＶＥＲＴＩ
ＮＧ入力端子電圧）を下まわろうとする時差動増幅回路
出力がＨＩＧＨレベルに変化し、ＭＯＳ ＦＥＴ８をＯ
Ｎ状態にかえる。その時、自動的にＬＤ鵞の回路が閉じ
駆動可能状態となる。
ＬＤｌに光出力の低下が生じた時、それと同時にモニタ
ー電圧の低下（ＩＮＶＥＲＴＩＮＧ入力端子の低下）も
生じる。その低下が基準電圧（ＮＯＮ−ＩＮＶＥＲＴＩ
ＮＧ入力端子電圧）を下まわろうとする時差動増幅回路
出力がＨＩＧＨレベルに変化し、ＭＯＳ ＦＥＴ８をＯ
Ｎ状態にかえる。その時、自動的にＬＤ鵞の回路が閉じ
駆動可能状態となる。
結局ＬＤＩの後にＬＩｈを駆動することにより従来は１
つのレーザーダイオードチップによりデバイスとしての
寿命が制限されていたが、この方法を用いることにより
、ＬＤｓ 、ＬＤｓ両者のチップの寿命かほば同じであ
れば従来の約２倍のデバイスとしての寿命が得られるこ
とになる。もちろん、装量〜 セットに組み込む場合は
少なくとも光デバイスの寿命がその装置あるいはセット
の寿命を制限していた場合には装量、セットとしての長
寿命化がＮられることになる。
つのレーザーダイオードチップによりデバイスとしての
寿命が制限されていたが、この方法を用いることにより
、ＬＤｓ 、ＬＤｓ両者のチップの寿命かほば同じであ
れば従来の約２倍のデバイスとしての寿命が得られるこ
とになる。もちろん、装量〜 セットに組み込む場合は
少なくとも光デバイスの寿命がその装置あるいはセット
の寿命を制限していた場合には装量、セットとしての長
寿命化がＮられることになる。
以上説明したように本発明は２つのレーザーダイオード
チップと１つのモニタｍｍＰＩＮホトダイオードと、Ｆ
ＥＴ入力型差動増幅回路及びスイッチング用ＭＯ８ＦＥ
Ｔを集積した集積回路とを１つのパッケージ内にマウン
トすることにより、デバイス全体として長寿命化、高信
頼性にできる効果がある。
チップと１つのモニタｍｍＰＩＮホトダイオードと、Ｆ
ＥＴ入力型差動増幅回路及びスイッチング用ＭＯ８ＦＥ
Ｔを集積した集積回路とを１つのパッケージ内にマウン
トすることにより、デバイス全体として長寿命化、高信
頼性にできる効果がある。
第１図は本発明のブロック図を示す。第２図及び第３図
は従来のレーザダイオードを示す図である。 １・・・・・・レーザーダイオードチップ、２・・・・
・・レーザーダイオードチップ、３・・・・・・モニタ
ｍｍＰＩＮホトダイオード、４・・・・・・負荷抵抗、
５．６・・・・・・基準電圧設定用抵抗、７・・・・・
・ＦＥＴ入力型差動増幅回路、８・・・・・・スイッチ
ング用ＭＯ８ＦＥＴ。
は従来のレーザダイオードを示す図である。 １・・・・・・レーザーダイオードチップ、２・・・・
・・レーザーダイオードチップ、３・・・・・・モニタ
ｍｍＰＩＮホトダイオード、４・・・・・・負荷抵抗、
５．６・・・・・・基準電圧設定用抵抗、７・・・・・
・ＦＥＴ入力型差動増幅回路、８・・・・・・スイッチ
ング用ＭＯ８ＦＥＴ。
Claims (1)
- ２つのレーザーダイオードチップと、１つのモニター
用ホトダイオーダと、ホトダイオードからのモニター電
流を電圧変換し、その電圧を基準電圧と比較するために
設けた差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力電圧に
より前記２つのレーザーダイオードチップのうちの一方
のレーザーダイオードチップに流れる電流をＯＮ／ＯＦ
Ｆするスイッチング回路とを具備したことを特徴とする
レーザーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5408990A JPH03255685A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | レーザーダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5408990A JPH03255685A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | レーザーダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255685A true JPH03255685A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12960894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5408990A Pending JPH03255685A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | レーザーダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255685A (ja) |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5408990A patent/JPH03255685A/ja active Pending
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