JPH03252315A - 高純度酸化チタンの製造方法 - Google Patents

高純度酸化チタンの製造方法

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JPH03252315A
JPH03252315A JP4642290A JP4642290A JPH03252315A JP H03252315 A JPH03252315 A JP H03252315A JP 4642290 A JP4642290 A JP 4642290A JP 4642290 A JP4642290 A JP 4642290A JP H03252315 A JPH03252315 A JP H03252315A
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JP
Japan
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titanium oxide
rutile
hydrogen
oxygen
titanium
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JP4642290A
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Shuichi Yo
揚 修一
Noboru Okamoto
昇 岡本
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Osaka Titanium Co Ltd
Original Assignee
Osaka Titanium Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、四塩化チタン(Tic j! a)と酸素(
02)と水素(L)とを反応させてルチル型およびルチ
ル型とアナターゼ型の混在した高純度の酸化チタン(T
iO□)を製造する方法に関する。
(従来の技術) 酸化チタンの結晶型には正方晶のルチル(安定相)とア
ナターゼ(準安定相)および斜方晶のブルツカイト(準
安定相)の3種があり、用途によってそれに適した結晶
型を有するものが使用されている。
すなわち、酸化チタンを顔料や製紙用に使用する場合は
アナターゼ型のものが適しており、コンデンサ、圧電体
、サーミスタ等の電子材料の原料として使用する場合は
ルチル含有比率の高い高ルチル型が好ましく、しかも純
度の高いことが必要であるとされている。
酸化チタンの製造方法としては、イルメナイト絋(Fe
Ti0s)などの原料鉱石に濃硫酸を作用させて生成し
た硫酸チタニル(TiO5Os)を加水分解し、生成し
たメタチタン酸(T io (OH) *)を焼成する
硫酸法と、ルチル鉱などTjO,品位の高い原料鉱石を
塩素化し、生成した四塩化チタンに酸素を反応させる塩
素法とがあるが、高ルチル型の酸化チタンは塩化アルミ
ニウム(Afi、)の存在のもとて四塩化チタンと酸素
を反応させる塩素法により製造されている。さらに、特
公昭64−9245号公報には、:塩化りん(pc j
2z)を塩化アルミニウムの添加後で、しかも四塩化チ
タンの少なくとも80%が酸化チタンに転化した時点で
添加することによりルチル化率の高い酸化チタンを製造
する方法が開示されている。
また、特開昭56−41832号公報では不活性ガスで
希釈した水蒸気および四ハロゲン化チタンとハロゲン化
第二錫あるいは四ハロゲン化けい素を気相で反応させ種
々のルチル化率を有する酸化チタンを製造する方法が提
案されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら前記の塩化アルミニウムの存在のもとで、
四塩化チタンと酸素を反応させる方法においては、ルチ
ル含有比率の高い酸化チタンを得るために塩化アルミニ
ウムを加えているので、この塩化アルミニウムが酸化さ
れ、酸化アルミニウム(A l gos)として酸化チ
タン中に残留し、酸化チタンの純度を低下させる(98
%程度になる)、そのため、高ルチル化していても電子
材料の原料としては使用できなかった。ただし、酸化チ
タンが顔料(白色)として使用される場合は、酸化アル
ミニウムも白色であり、顔料としての特性を損なうこと
もないので問題はないとされている。
また、特開昭56−41832号公報に記載された方法
においても、ハロゲン化第二錫あるいは四ハロゲン化け
い素が酸化されて酸化チタン中に不純物として混入する
他、ルチル化率が十分高いとはいえない欠点があった。
本発明の目的は、電子材料の原料として使用できる高純
度でしかもルチル化率の高い酸化チタンの製造方法、お
よび用途面からの必要性に応し、種々のルチル/アナタ
ーゼ比率を有する高純度の酸化チタンを製造する方法を
提供することにある。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するため、本発明者らは四塩化チタン
と酸素との気相反応について研究を重ね、反応系に水素
を添加することにより、得られる酸化チタンのルチル含
有比率が増大することを確認した。すなわち、気相反応
時の水素の濃度を調整することにより生成する酸化チタ
ンのルチル/アナターゼ比率をコントロールすることが
でき、かつルチル含有比率が99%以上の酸化チタンを
得ることも可能であることを見いだした。
本発明は上記の知見に基づいてなされたもので、その要
旨は下記の、■および■の高純度酸化チタンの製造方法
にある。
■ 四塩化チタンと酸素と水素の混合気体を気相反応さ
せてチタン酸化物を製造する方法であって、上記混合気
体中の水素の比率を変えてチタン酸化物中のルチルの含
有比率を調整することを特徴とする高純度酸化チタンの
製造方法。
■ 四塩化チタンと酸素と濃度を15〜17vol.%
に調整した水素とを気相反応させることを特徴とするル
チル含有比率が99%以上の高純度酸化チタンの製造方
法。
■ 四塩化チタンと酸素と濃度を15vol.%未満も
しくは17シo1.%を趙え30vol 、%以下に調
整した水素とを気相反応させることを特徴とするアナタ
ーゼを含む高純度酸化チタンの製造方法。
前記の四塩化チタンは鉄(Fe)その他の不純物を含有
しない高純度の四塩化チタンを用いる。
酸素は純酸素あるいは窒素(N2)、アルゴン(Ar)
、ヘリウム(He)等不活性ガスで希釈された酸素(希
釈酸素)を使用する。
水素は純水素を使用する。また、前記の水素濃度は反応
容器に供給する四塩化チタン、酸素および水素の量(希
釈用のN2、Ar、 Heを含まないガス量)に対する
水素の容量%である。
この水素の濃度は、生成する酸化チタンの結晶型に大き
な影響を及ぼす。
第1図は、後述する実施例の試験結果で、水素濃度と酸
化チタン中のルチル含有比率との関係を示すグラフであ
る。同図から、水素濃度を15〜17vol.%にすれ
ばルチル化率99%以上で、実質的にルチル型の酸化チ
タン粉末が得られ、また、水素濃度を15vol.%未
満もしくは17vol.%を鰯え30vol.%以下に
すると、水素濃度・に応じてルチル化率を任意に定め、
ルチルとアナターゼの混在した酸化チタン粉末が得られ
ることがわかる。
第2図は本発明方法を実施するための装置の一例の構成
を示す概略図である。同図において、1は常温で液体の
四塩化チタンを気化させる蒸発器、21および22はそ
れぞれ四塩化チタンと水素および酸素(あるいは希釈酸
素)を所定温度に加熱する石英製の予熱管、3は予熱ヒ
ーター、4はこれらのガスを混合し、反応させる十字流
混合部、5は反応管、6は反応管5を出た酸化チタン粉
末を含む排ガスに室温の塩素ガス(Cfオ)を混合して
冷却する冷却管である。
反応管5は耐熱合金を基材とし、その内部にガス遮断用
の石英管が取りつけられている0反応管5の外側にはジ
ャケットが設けられ、この中に冷却用の流体を送通して
空冷、水冷、あるいは温水冷却ができるようになってい
る。
(作用) 上記の装置により酸化チタンを製造するには、まず、常
温で液体の四塩化チタンを蒸発器1で気化し、予熱管2
1に導入する。所定濃度になるように予め定めた量の水
素も同時に導入する。一方、純酸素あるいは不活性ガス
で希釈した酸素は予熱管22に導入する。
予熱温度は、750℃以下の低温では未反応の四塩化チ
タンが多量に排出されるので、800°C以上とするこ
とが必要である。
これらの予熱された四塩化チタン、水素および酸素(あ
るいは希釈酸素)は十字流混合部3で混合される。混合
と同時にこれらのガスは下記(1)、(2)の反応式に
基づいて反応し、微粉状の酸化チタンを生成する。
TiCff1.十〇□十I□→Ti(h + 2 IC
l  ・ ・・(1)TiCj!4+01→Ti0z+
2C1t    ・・・(2)生成した酸化チタン粉末
は反応管5を経て、排ガスと共に冷却管6に導かれ、塩
素、窒素などと混合され冷却される。
前記(1)、(2)式において生成する塩化水素、塩素
はガス状なので酸化チタン粉末内に取り込まれ残留する
ことはなく、不純物を含まない高純度の酸化チタンを得
ることができる。
酸化チタン粉末はバグフィルタ−で捕集され、ガスと分
離されて回収される。捕集された直後の酸化チタンには
少量(0,01〜1.0%)の吸着塩化物が存在してい
るが、この吸着塩化物は200〜500°Cで1時間程
度の熱処理を行うことにより簡単に除去できる。熱処理
方法としては、真空熱処理や、空気中、窒素雰囲気中、
アルゴン雰囲気中での加熱処理や、乾燥スチーム処理な
どが適用できる。
このような熱処理を行うことにより塩素濃度が0.00
3%以下の酸化チタンを得ることができる。
(実施例) 前記第2図に示した装置により四塩化チタンと酸素と水
素を気相で反応させ、酸化チタンを製造する試験を行っ
た。第1表に試験条件を示す、A〜Iは実施例、J−N
は水素を添加しない比較例である。
なお、同表における滞留時間とは、反応管(長さ1.2
m)を通過する間の所要時間である。
試験結果を第2表に示す、ルチル含有比率とは、得られ
た酸化チタンのX線回折におけるルチル型結晶に対応す
るピークの面積とアナターゼ型結晶に対応するピークの
面積を求め、下記(2)式から算出した比率である。
R ルチル含有比率(%)=       X 100・・
(2)Sll+SA ただし、S糞 ニルチル型結晶に対応するピークの面積 S^ :アナターゼ型結晶に対応するピークの面積 第1表および第2表から明らかなように、比較例(J−
N)ではルチル比率60%が最大であるのに対し、本発
明例(A〜■)では水素濃度を変えることによりルチル
比率を広範囲にコントロールすることが可能で、水素濃
度を15〜17vol.%とするとルチル含有比率を9
9〜100%まで高めることができる。なお、酸化チタ
ンの粒径については本発明例と比較例の間に明確な差は
認められなかった。
第2表に示した試験結果を図示したのが前記の第1図で
ある。
(以下、 余白) (発明の効果) 本発明方法を適用することにより、コンデンサ、圧電体
等の電子材料の原料として好適なルチル比率99%以上
の、しかも高純度の酸化チタンを製造することができる
。さらに、反応系の水素濃度を調整することによりルチ
ル/アナターゼ比率を広範囲に変えることも可能で、用
途に応し最適の結晶型を有する酸化チタンを提供するこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法の実施例における水素濃度とルチ
ル含有比率の関係を示すグラフである。 第2図は、本発明方法を実施するための装置の一例の構
成を示す概略図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)四塩化チタンと酸素と水素の混合気体を気相反応
    させてチタン酸化物を製造する方法であって、上記混合
    気体中の水素の比率を変えてチタン酸化物中のルチルの
    含有比率を調整することを特徴とする高純度酸化チタン
    の製造方法。
  2. (2)四塩化チタンと酸素と濃度を15〜17vol.
    %に調整した水素とを気相反応させることを特徴とする
    ルチル含有比率が99%以上の高純度酸化チタンの製造
    方法。
  3. (3)四塩化チタンと酸素と濃度を15vol.%未満
    もしくは17vol.%を超え30vol.%以下に調
    整した水素とを気相反応させることを特徴とするアナタ
    ーゼを含む高純度酸化チタンの製造方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6824758B2 (en) 2000-09-15 2004-11-30 Showa Denko K.K. Particulate titanium oxide and production process therefor
JP2005126319A (ja) * 2003-10-01 2005-05-19 Toho Titanium Co Ltd 酸化チタン粉末
WO2005092797A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Toho Titanium Co., Ltd. アナターゼ型酸化チタン粉末およびその製造方法
US7215788B2 (en) 1995-03-31 2007-05-08 1 . . . Limited Digital loudspeaker
US7449166B2 (en) 1999-09-27 2008-11-11 Showa Denko K.K. Particulate titanium oxide and production process therefor
JP2009065179A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Avx Corp レーザ溶接された固体電解キャパシタ
JP2009196889A (ja) * 2009-06-08 2009-09-03 Fujikura Ltd 酸化チタン粒子
US7591991B2 (en) 2002-03-06 2009-09-22 Showa Denko K.K. Ultrafine particulate titanium oxide with low chlorine and low rutile content, and production process thereof
JP2010030129A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
WO2010044263A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 国立大学法人北海道大学 金属酸化物粒子の製造方法及び製造装置
JP2010513196A (ja) * 2006-12-20 2010-04-30 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 四塩化チタンの酸化による二酸化チタンの製造方法
JP2012154957A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Fuji Xerox Co Ltd 静電荷像現像用トナー、静電荷像現像用現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び、画像形成方法
US8354358B2 (en) 2005-02-28 2013-01-15 Showa Denko K.K. Fine particulate titanium dioxide, and production process and uses thereof
JP2013254966A (ja) * 2013-07-17 2013-12-19 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215788B2 (en) 1995-03-31 2007-05-08 1 . . . Limited Digital loudspeaker
US7449166B2 (en) 1999-09-27 2008-11-11 Showa Denko K.K. Particulate titanium oxide and production process therefor
US6824758B2 (en) 2000-09-15 2004-11-30 Showa Denko K.K. Particulate titanium oxide and production process therefor
US7591991B2 (en) 2002-03-06 2009-09-22 Showa Denko K.K. Ultrafine particulate titanium oxide with low chlorine and low rutile content, and production process thereof
JP2005126319A (ja) * 2003-10-01 2005-05-19 Toho Titanium Co Ltd 酸化チタン粉末
WO2005092797A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Toho Titanium Co., Ltd. アナターゼ型酸化チタン粉末およびその製造方法
KR100800935B1 (ko) * 2004-03-26 2008-02-04 도호 티타늄 가부시키가이샤 아나타제형 산화티탄 분말 및 그 제조 방법
US7585488B2 (en) 2004-03-26 2009-09-08 Toho Titanium Co., Ltd. Anatase-type titanium oxide powder and method for producing same
JP4739187B2 (ja) * 2004-03-26 2011-08-03 東邦チタニウム株式会社 アナターゼ型酸化チタン粉末およびその製造方法
US8354358B2 (en) 2005-02-28 2013-01-15 Showa Denko K.K. Fine particulate titanium dioxide, and production process and uses thereof
JP2010513196A (ja) * 2006-12-20 2010-04-30 クローノス インターナショナル インコーポレイテッド 四塩化チタンの酸化による二酸化チタンの製造方法
JP2009065179A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Avx Corp レーザ溶接された固体電解キャパシタ
JP2010030129A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
US8491104B2 (en) 2008-07-28 2013-07-23 Seiko Epson Corporation Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus, and piezoelectric transducer
JP2010095401A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Showa Denko Kk 金属酸化物粒子の製造方法及び製造装置
WO2010044263A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 国立大学法人北海道大学 金属酸化物粒子の製造方法及び製造装置
US8679449B2 (en) 2008-10-15 2014-03-25 National University Corporation Hokkaido University Method and apparatus for producing metal oxide particles
JP2009196889A (ja) * 2009-06-08 2009-09-03 Fujikura Ltd 酸化チタン粒子
JP2012154957A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Fuji Xerox Co Ltd 静電荷像現像用トナー、静電荷像現像用現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び、画像形成方法
JP2013254966A (ja) * 2013-07-17 2013-12-19 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子

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