JPH03250902A

JPH03250902A - 電力分配／合成器

Info

Publication number: JPH03250902A
Application number: JP2048562A
Authority: JP
Inventors: Masato Asa; 正人阿佐; Masayuki Nakajima; 政幸中嶋
Original assignee: Tokimec Inc
Current assignee: Tokyo Keiki Inc
Priority date: 1990-02-28
Filing date: 1990-02-28
Publication date: 1991-11-08
Anticipated expiration: 2012-12-10
Also published as: US5150084A; JP2688531B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、マイクロ波帯において好適に用いられる電力
分配／合成器に関し、特に、フィルタ機能を備えた分布
定数型の電力分配／合成器に関する。

［従来の技術］マイクロ波送信機、受信機等のマイクロ波回路において
用いられる回路素子として、電力分配／合成器や、フィ
ルタがある。

従来、この種の電力分配／合成器としては、第１０図に
示すように、１／４波長変成器３１゜３２を、共通ポー
ト１と各分配ポート２，３との間に設けて構成されるも
のがある。このような構成において、共通ポート１から
入力されるマイクロ波電力は、分配ポート２，３に等分
配される。

また、分配ポート２，３から入力されるマイクロ波電力
は、合成されて共通ポート１から出力される。

また、フィルタとしては１例えば、ローパスフィルタで
あれば、第１１図に示すような、ハイインピーダンス線
路３３にオープンスタブ３４を設けて構成されるものが
ある。

なお、この種の電力分配／合成器については、例えば、
　（Ｓ、Ｂ、Ｃｏｈｎ”Ａ　Ｃ１ａｓｓ　ｏｆ　Ｂｌｏ
ａｄｂａｎｄ　Ｔｈｒｅｅ−Ｐａｒｔ　ＴＥＭ−Ｍｏｄ
ｅ　）ｌｙｂｒｉｄ”ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、　　Ｍｉ
ｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒｙ　Ｔｅｃｈ、ＭＴＴ−１６
，Ｎｏ、２（Ｆｅｂ、１９６８）ｐｐ、１１０−１１６
）等に記載されている。また、この種のフィルタについ
ては、（Ｇ、Ｌ、Ｍａｔｉｈａａｉ、Ｌ、Ｔｏｕｎｇ　
ａｎｄ　Ｅ、Ｍ、Ｔ。

Ｊｏｎｅｓ　　”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　　　　Ｆｉｌｔ
ｅｒｓ、Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　　−ＭａｔｃｈｉｎｇＮ
ｅｔｗｏｒｋｓ、ａｎｄ　　　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　　　
５ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”　ＭｃＧＲＡＶ−ＨＩＬＬ　Ｂ
ＯＯＫ　ＣＯＭＰＡＮＹ　１９８４）等に記載されてい
る。

［発明が解決しようとする課題］ところで、マイクロ波回路では、電力分配器に、フィル
タを縦列接続して用いることが多く行なわれている。し
かし、従来は、それぞれ独立の回路素子として設けられ
ている。そのため、使用部品数が多くなると共に、回路
が大きくならざるを得なかった。特に、マイクロ波回路
を集積回路化する場合には、回路部品の占める面積を少
なくして、できる限り小型化するため、部品数の減少が
望まれている。

また、従来の電力分配／合成器は、上述したように、１
／４波長変成器を用いるため、その形状が大きいという
問題があった。例えば、第１０図に示すものでは、共通
ポート１から分配ポート２．３の両端の長さＬ２が、約
６０ｍｍとなる。そのため、小型化の障害となっている
ため、この点についても、解決すべき課題となっていた
。

本発明の目的は、素子を小型化すると共に、電力分配／
合成機能に、フィルタ機能を併せて持たせて、回路素子
の複合化を図り、部品数の減少を可能とする電力分配／
合成器を提供することにある。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するため、本発明は、フィルタ機能を有
するインピーダンス変成器を、共通ポートと各分配ポー
トとの間に設けて構成され、マイクロ波電力の分配／合
成を行なう電力分配／合成器を提供する。

また、本発明は、共通ポートとＮ個の分配ポートとの間
に、インピーダンス変成機能を有するフィルタをそれぞ
れ備えて構成される電力分配／合成器を提供する。ここ
で、フィルタは、例えば、分配ポート側の特性インピー
ダンスより大きいインピーダンスを有するインピーダン
ス線路に共振素子を設けて構成することができる。

［作用］本発明は、共通ポートと各分配ポートとの間に設けられ
るインピーダンス変成機能により、共通ポートに入力さ
、れるマイクロ波電力が、各分配ポートに分配される。

ここで、インピーダンス変成比をｎ：１と設定すれば（
ｎは分配数）、電力は等分配される。

また、本発明は、インピーダンス変成器と共に、共通ポ
ートと各分配ポートとの間にフィルタ機能が設けられて
いる。このフィルタ機能により、共通ポートに入力され
るマイクロ波電力が、そのフィルタ特性に応じて周波数
が選択されて各分配ポートに分配出力される。

以上は電力の分配の場合である。合成の場合は、分配ポ
ートからマイクロ波電力を入力すると、共通ポートから
合成されたマイクロ波電力が得られる。この場合、フィ
ルタ機能も同様に作用し、フィルタ特性に応じて選択さ
れた周波数のマイクロ波電力が合成される。

このように、本発明によれば、マイクロ波の電力分配／
合成器と共に、フィルタ機能を併せて備えているので、
回路素子の複合化が図れて１部品数の減少が可能となる
。また、二つの機能が、分配／合成器またはフィルタの
一方の素子と同等の大きさで実現される。従って、ある
程度の面積を必要とする分布定数型の電力分配／合成器
およびフィルタを、小さな面積で実現することができ、
素子の小型化が可能となる。

［実施例］以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。

第１図および第２図に、トリプレート構造のストリップ
ラインを用いて構成した、ローパスフィルタ特性を有す
る、本発明の分配／合成器の一実施例の構成を示す。な
お、第１図は、ストリップ線路パターンを、また、第２
図は本実施例断面構造を、それぞれ模式的に示す。

本実施例は、共通ポート１と、２個の分配ポート２，３
との間に、フィルタ機能を有するインピーダンス変成器
６をそれぞれ設け、これらとアイソレーション抵抗７と
を、接地導体８，９間に、誘電体１０を介して配置する
ことにより構成される。

インピーダンス変成器６は、共通ポート１と２個の分配
ポート２，３とを接続するハイインピーダンス線路５に
、オープンスタブ４を設けて構成される。

本実施例では、このインピーダンス変成器６は、は、２
本が並行に配置される。従って、インピーダンス変成器
６は、変成比が２：１となるように設定する。もっとも
、２本に限らず、さらに多数のインピーダンス変成Ｉ６
を用いて、多数（ｎ本）の分配を行なうことも可能であ
る。この場合、分配数ｎに応じて、インピーダンス変成
器６を変成比がｎ：１となるように設定する。

オープンスタブ４の突出長さ、幅１個数は、フィルタ特
性および変成比ｎ：１によって適宜設定することができ
る。本実施例では、オープンスタブ４は、２０Ｇ）ｌｚ
をカットオフ周波数とするローパスフィルタを構成する
ように設定される。この設定は、例えば、シミュレーシ
ョンにより行なうことができる。

共通ポート１および２個の分配ポート２，３と、インピ
ーダンス変成器６，６とは、例えば、誘電体１０ａ上に
設けられた導体層を、予め設定したパターンに従ってフ
ォトエツチングすることにより形成される。

アイソレーション抵抗７は、第１図において斜線により
示すように、並行して配置される２本のインピーダンス
線路５間に、それらの線路間を渡って配置される。なお
、アイソレーション抵抗７は、その長手方向の２辺の周
辺部が、２本のインピーダンス線路５の対向辺およびそ
の近傍部分と重なって、これを覆うように配置される。

もつとも、インピーダンス線路５との直流的な接触の如
何は問わない。

本実施例の分配／合成器は、共通ポート１．２個の分配
ポート２，３．インピーダンス変成器６およびアイソレ
ーション抵抗７をそれぞれ設けである誘電体１０ａと、
誘電体１０ｂとを順次積層したものを、ケースを構成す
る接地導体８，９間に挾んで構成される。なお、上記各
誘電体１０ａおよび１０ｂとしては、例えば、テフロン
等の樹脂を用いることができる。

このような構成において、共通ポート１からマイクロ波
電力を入射させると、入射電力が等分配されて、分配ポ
ート２，３から出力される。この際、オープンスタブ４
がローパスフィルタの共振素子として作用し、２０Ｇ）
Ｉｚ以上の周波数のマイクロ波電力が遮断され、分配ポ
ート２，３には、それより低い周波数のマイクロ波電力
が選択的に出力される。

これらの様子を、第３図に示す。第３図では、横軸に周
波数として０．０４５〜２６．５ＧＨｚをとり、縦軸の
上側に通過特性および下側に反射特性について、それぞ
れの減衰量をＯｄＢから１０ｄＢ単位でとっである。

同図によれば、共通ポート１から分配ポート２への通過
特性Ｓ２１と、共通ポート１から分配ポート３への通過
特性Ｓ３１は、同図中に付した符号ａの位置における周
波数（２ＧＨｚ）では、−３，３１ｄＢの減衰となって
１等分配されていることが分かる。また、これらは、同
図中に付した符号すの位置における周波数（１８ＧＨｚ
）では、−５ｄＢの減衰となり、２〜１８ＧＨｚの範囲
で、はぼ均等な出力でマイクロ波電力が分配出力され、
符号ｃ　（２０ＧＨｚ）の付近から急激に減衰し、２６
．５ＧＨｚの位置で一６０ｄＢ以上の減衰となることを
示す。なお、通過特性Ｓ２１と通過特性Ｓ３１とは、高
周波数域において、若干の差を生じることを除き、同一
の特性を有している。

また、共通ポート１からマイクロ波電力を入力させた場
合における該ポートにおける反射特性Ｓｌｌは、同図に
示す符号ｄおよび０間において、−１２ｄＢを超える値
となり、符号ｆ　（２０ＧＨｚ）の位置を超えると、Ｏ
ｄＢに近づく。従って、２〜１８ＧＨｚの範囲で、共通
ポート１からの入力について、反射が少なくなることが
分かる。

第４図にアイソレーション特性および分配ポートにおけ
る出力反射特性を示す。第４図では、横軸に周波数とし
て０．０４５〜２６．５ＧＨｚをとり、縦軸の上側にア
イソレーション特性および下側に分配ポートにおける反
射特性をそれぞれＯｄＢから１０ｄＢ単位でとっである
。

同図によれば、分配ポート３から入力されたマイクロ波
電力が分配ポート２にどの程度漏れるかを調べるアイソ
レーション特性Ｓ２３は、同図中に付した符号すの位置
における周波数（１８ＧＨｚ）では、−２３，７９ｄＢ
の値となって、大きなアイソレーション効果があること
が分かる。

また、各分配ポート２．３からそれぞれマイクロ波を入
力させた場合の、それぞれのポートにおける反射特性Ｓ
２２．Ｓ３３は、同図において、符号ｄの位置において
、−１６，３０ｄＢより大きな値となり、符号ｅ　（２
０ＧＨｚ）の位置を超えると、Ｏｄｅに近づく。従って
、２〜１８ＧＨｚの範囲で、各分配ポート２，３からの
それぞれの入力について、反射が少なくなることが分か
る。従って、電力の合成に際しても、この範囲で行なう
ことができる。

このように、本実施例では、２０ＧＨｚ以下では電力分
配／合成器の特性を示し、２０ＧＨｚ以上では、ローパ
スフィルタの遮断特性を示している。

また、本実施例の電力分配／合成器は、共通ポート１か
ら分配ポート２．３の両端の長さＬｌが、約３０＋ｍと
なる。従って、上述した第１１図に示す従来の１／４波
長変成器を用いたものより、小型化されている。

なお、上記実施例では、トリプレート構造のストリップ
ラインを用いて構成した例を示したが、本発明は、マイ
クロストリップ線路により構成することができる。この
場合は、例えば、上記実施例におけるアイソレーション
抵抗を誘電体基板に薄膜技術等により設け、この上に、
共通ポート１．２個の分配ポート２，３およびインピー
ダンス変成器６をそれぞれ設けて構成することができる
。

次に、本発明の他の実施例について、第５図および第６
図を参照して説明する。

第５図および第６図に、トリプレート構造のストリップ
ラインを用いて構成した、ハイパスフィルタ特性を有す
る、本発明の分配／合成器の他の一実施例の構成を示す
。なお、第５図はストリップ線路パターンを、また、第
６図は本実施例の断面構造を、それぞれ模式的に示す・
。

本実施例は、共通ポート１と、２個の分配ポート２，３
との間に、ハイパスフィルタ機能を有するインピーダン
ス変成器１１とをそれぞれ設け、これらとアイソレーシ
ョン抵抗７とを、接地導体８．９間に、誘電体１３を介
して配置することにより構成される。なお、ここで、上
記実施例と共通するものについては、同一の符号を付し
である。

インピーダンス変成器１１は、共通ポート１と２個の分
配ポート２，３とを接続するキャパシタ１２に、オープ
ンスタブ４を設けて構成される。

本実施例では、インピーダンス変成器１１は、２本が並
行に配置される。従って、このインピーダンス変成器１
１は、変成比が２：１となるように設定される。もっと
も、２本に限らず、さらに多数のインピーダンス変成器
１１を用いて、多数（ｎ本）の分配を行なうことも可能
である。この場合、分配数ｎに応じて、インピーダンス
変成器１１を変成比がｎ：１となるように設定する。

キャパシタ１２は、第５図および第６図に示すように、
誘電体１３ａの両面に、交互に導体１４を設けて構成さ
れる。これらのキャパシタ１２とオープンスタブ４とに
よって、任意にカットオフ周波数を選ぶことができる。

キャパシタ１２の構造、接続段数および、オープンスタ
ブ４の突出長さ、幅、個数は、フィルタ特性および変成
比ｎ：１によって適宜設定することができる。この設定
は、例えば、シミュレーションにより行なうことができ
る。

共通ポート１および２個の分配ポート２，３と、インピ
ーダンス変成器１１．１１とは、例えば、誘電体１３ａ
の両面に設けられた導体層を、予め設定したパターンに
従って、フォトエツチング技術を用いて形成される。

アイソレーション抵抗７は、第５図において斜線により
示すように、並行して配置される２本のインピーダンス
変成器１１間に、それらの線路間を渡って配置される。

なお、アイソレーション抵抗７は、その長平方向の２辺
の周辺部が、２本のインピーダンス変成器１１の対向辺
およびその近傍部分と重なって、これを覆うように配置
される。

もっとも、インピーダンス変成器１１との直流的な接触
の如何は問わない。すなわち、両者が接触していなくと
もよい。このアイソレーション抵抗７は、誘電体１３ａ
の両面側にそれぞれ配置されるが、一方のみとしてもよ
い。

アイソレーション抵抗７は、誘電体１３ｂおよび１３ｃ
上に、設けることができる。

本実施例の分配／合成器は、共通ポー１−１．２個の分
配ポート２，３およびインピーダンス変成器１１をそれ
ぞれ設けである誘電体１３ａと、アイソレーション抵抗
７が設けである誘電体１３ｂと、同じく誘電体１３ｃと
を順次積層したものを、ケースを構成する接地導体８，
９間に挾んで構成される。

なお、上記各誘電体１３ａ、１３ｂおよび１３ｃとして
は、上記した誘電体１０と同様に、例えば、テフロン等
の樹脂を用いることができる。

このような構成において、共通ポー１−１からマイクロ
波電力を入射させると、入射電力が等分配されて、分配
ポート２，３から出力される。この際、キャパシタ１２
およびオープンスタブ４がハイパスフィルタの共振素子
として作用し、カットオフ周波数より下のマイクロ波電
力が遮断され、分配ポート２，３には、それより高い周
波数のマイクロ波電力が選択的に出力される。これは、
分配ポート２，３からマイクロ波電力を入力して共通ポ
ート１から出力する電力合成の場合も同様である。

次に、本発明のさらに他の実施例について、第７図およ
び第８図を参照して説明する。

第７図および第８図に、マイクロストリップラインを用
いて構成した、ハイパスフィルタ特性を有する、本発明
の分配／合成器の他の一実施例の構成を示す。なお、第
７図はマイクロストリップ線路パターンを、また、第８
図は本実施例の断面構造を、それぞれ模式的に示す。

本実施例は、共通ポート１および２個の分配ポート２．
３と、それらを接続する、ハイパスフィルタ機能を有す
るインピーダンス変成器１６と、アイソレーション抵抗
２３とを、誘電体基板１５上にそれぞれ設けることによ
り構成される。なお、ここで、上記実施例と共通するも
のについては、同一の符号を付しである。

インピーダンス変成器１６は、共通ポート１と２個の分
配ポート２，３とを接続するキャパシタ１７に、オープ
ンスタブ４を設けて構成される。

本実施例では、このインピーダンス変成器１６は、２本
が並行に配置される。従って、インピーダンス変成器１
６は、変成比が２：１となるように設定する。もっとも
、２本に限らず、さらに多数のインピーダンス変成器１
６を用いて、多数（ｎ本）の分配を行なうことも可能で
ある。この場合、分配数ｎに応じて、インピーダンス変
成器１６を変成比がｎ：１となるように設定する。

キャパシタ１７は、第７図および第８図に示すように、
誘電体基板１５の上面に、下部導体層１８を不連続に複
数段設け、各下部導体層１８の一部に、誘電体１９を搭
載し、この上に、上部導体層２ｏを配置して構成される
。この上部導体層２ｏの一端は、後段の下部導体層１８
に接続される。これにより、複数段のキャパシタ１７が
直列に接続される。上部導体層２０は、例えば、金箔、
アルミニウム箔、等の金属リボンを用いることができる
。もちろんこれに限定されない。

下部導体層１８には、オープンスタブ４が設けである。

また、誘電体基板１５の下面側には、接地導体２１が配
置される。

これらの下部導体層１８、誘電体１９および上部導体層
２０からなるキャパシタ１７と、オープンスタブ４とは
、任意の周波数をカットオフ周波数とするハイパスフィ
ルタを構成するように設定される。キャパシタ１７の素
子構造、接続段数および、オープンスタブ４の突出長さ
、輻、個数は、フィルタ特性および変成比ｎ：１によっ
て適宜設定することができる。この設定は、例えば、シ
ミュレーションにより行なうことができる。

アイソレーション抵抗２３は、第７図において斜線によ
り示すように、並行して配置される２本のインピーダン
ス変成器１６間に、下部導体層１８に対応して不連続に
、かつ、それらの線路間を渡って配置される。なお、ア
イソレーション抵抗２３は、その線路方向の２辺の周辺
部が、２本のインピーダンス変成器１６の対向辺および
その近傍部分と重なるように配置される。もっとも、イ
ンピーダンス変成器１６との直流的な接触の如何は問わ
ない。

アイソレーション抵抗２３は、誘電体基板１５上に、薄
膜技術等により設けることができる。このアイソレーシ
ョン抵抗２３上に、下部導体層１８が設けられ、さらに
、共通ポート１および２個の分配ポート２，３と、イン
ピーダンス変成器１６．１６とが、上述した構造で順次
設けられる。

なお、上記各誘電体基板１５としては、上記した誘電体
１０と同様に、例えば、テフロン等の樹脂を用いること
ができる。

このような構成において、共通ポート１からマイクロ波
電力を入射させると、入射電力が等分配されて、分配ポ
ート２，３から出力される。この際、インピーダンス変
成＄１６の各キャパシタ１７およびオープンスタブ４が
ハイパスフィルタの共振素子として作用し、任意の周波
数以下の周波数のマイクロ波電力が遮断されて、分配ポ
ート２．３には、それより高い周波数のマイクロ波電力
が選択的に出力される。これは、分配ポート２゜３から
マイクロ波電力を入力して共通ポート１から出力する電
力合成の場合も同様である。

以上の実施例では、ローパスフィルタおよびハイパスフ
ィルタのフィルタ特性機能を備えた電力分配／合成器の
例を示したが、本発明は、これに限らず、バンドパスフ
ィルタ特性を備えたものも可能である。第９図にその一
例を示す。

同図に示す実施例では、通過帯域の中心周波数の１７２
波長の長さを有する線路２６を、１７４波長ずつずらせ
て順次配列して構成される。このようにして、バンドパ
スフィルタ機能を有すると共に、インピーダンス変成機
能を有するインピーダンス線ｗｔ２７を、分配ポート数
分設ける。また、インピーダンス線路２７には、対抗す
る線路２６間に、上記した各実施例と同様に、アイソレ
ーション抵抗２８が設けられる。

本実施例によれば、フィルタ特性で設定される範囲の周
波数のマイクロ波電力が分配ポート２゜３に選択的に出
力される。これは１分配ポート２゜３からマイクロ波電
力を入力して共通ポート１から出力する電力合成の場合
も同様である。

上記各実施例では、等分配の例を示したが、分配の比率
を分配ポートにより異ならせるようにしてもよい。また
、フィルタ特性についても１分配ホードにより異ならせ
てもよい。

［発明の効果］以上説明したように１本発明によれば、マイクロ波用電
力分配／合成器の素子を小型化することができる。また
、本発明によれば、電力分配／合成機能にフィルタ機能
を併せて持つことができ、回路素子の複合化を図り、部
品数の減少を可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電力分配／合成器の一実施例の構成に
用いるストリップ線路パターンを模式的に示す平面図、
第２図は上記実施例の電力分配／合成器の断面構造を模
式的に示すＡ−Ａ断面図、第３図は上記実施例の電力分
配／合成器の通過特性および反射特性を示すグラフ、第
４図は上記実施例の電力分配／合成器のアイソレーショ
ン特性および分配ポートにおける反射特性を示すグラフ
、第５図は本発明の分配／合成器の他の一実施例の構成
に用いるストリップ線路パターンを模式的に示す平面図
、第６図は上記実施例の電力分配／合成器の断面構造を
模式的に示すＢ−Ｂ断面図、第７図は本発明の分配／合
成器のさらに他の一実施例の構成に用いるストリップ線
路パターンを模式的に示す平面図、第８図は上記実施例
の電力分配／合成器の断面構造を模式的に示すＣ−Ｃ断
面図、第９図は本発明の分配／合成器のさらに他の一実
施例の構成に用いるストリップ線路パターンを模式的に
示す平面図、第１０図は１／４波長変成器を用いた従来
の電力分配／合成器を示す平面図、第１１図は従来のロ
ーパスフィルタを示す平面図である。１・・・共通ポート、２，３・・・分配ポート、４・・
・オープンスタブ、５・・・ハイインピーダンス線路、
６・・・インピーダンス変成器、７・・・アイソレージ
目ン抵抗、８．９・・・接地導体、１０，１０ａ、１０
ｂ・・・誘電体、１１・・・インピーダンス変成器、１
２・・・キャパシタ、１３　、１３　ａ　、　１３　ｂ
　、　１３　ｃ　−・誘電体、１５・・・誘電体基板、
１６・・・インピーダンス変成器、１７・・・キャパシ
タ、１８・・・下部導体層。１９・・・誘電体、２０・・・上部導体層、２１・・接
地導体。畠願人　株式会社　東京計器

Claims

【特許請求の範囲】

１．フィルタ機能を有するインピーダンス変成器を、共
通ポートと各分岐ポートとの間に設けて構成され、マイ
クロ波電力の分配／合成を行なうことを特徴とする電力
分配／合成器。
２．共通ポートとＮ個の分配ポートとの間に、インピー
ダンス変成機能を有するフィルタをそれぞれ備え、該フ
ィルタは、分配ポート側の特性インピーダンスより大き
いインピーダンスを有するインピーダンス線路に共振素
子を設けて構成されることを特徴とする電力分配／合成
器。
３．共通ポートとＮ個の分配ポートとの間に、インピー
ダンス変成機能を有するローパスフィルタをそれぞれ備
え、該フィルタは、分配ポート側の特性インピーダンス
より大きいインピーダンスを有するインピーダンス線路
と、該インピーダンス線路にオープンスタブを設けて構
成されることを特徴とする電力分配／合成器。
４．共通ポートとＮ個の分配ポートとの間に、インピー
ダンス変成機能を有するハイパスフィルタをそれぞれ備
え、該フィルタは、キャパシタにオープンスタブを設け
て構成されることを特徴とする電力分配／合成器。