JPH03250646A - セラミックスパッケージ - Google Patents
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- JPH03250646A JPH03250646A JP1336970A JP33697089A JPH03250646A JP H03250646 A JPH03250646 A JP H03250646A JP 1336970 A JP1336970 A JP 1336970A JP 33697089 A JP33697089 A JP 33697089A JP H03250646 A JPH03250646 A JP H03250646A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ素子等の半導体素子から形成される半
導体集積回路を封止するのに用いられるセラミックスパ
ッケージに関するものである。
導体集積回路を封止するのに用いられるセラミックスパ
ッケージに関するものである。
従来、この種のセラミックスパッケージは、例えば添付
図面の第１図に示されるように、ボンディングワイヤ２
を介して導体部３と結合している半導体素子４を、前記
導体部３を絶縁層５で挟む形で、チタン酸バリウムのよ
うな誘電体セラミックス１により気密に保持するか（（
ａ）図）、あるいはボンディングワイヤ２を介して、予
め誘電体セラミックス基板６上に固定されている導体部
３と結合している半導体素子４を、前記導体部３の上に
配置された絶縁層５を挾んで誘電体セラミックス１によ
り前記基板６上に封止する（（ｂ）図）構造を有するも
のであるが、上記の誘電体セラミックスは半導体素子か
ら放射される不要の電磁波を吸収しないで、これをパッ
ケージ外部に漏らすので、この漏洩した電磁波が、前記
パッケージが組み込まれている機器の誤作動を招くとい
う問題があった。
図面の第１図に示されるように、ボンディングワイヤ２
を介して導体部３と結合している半導体素子４を、前記
導体部３を絶縁層５で挟む形で、チタン酸バリウムのよ
うな誘電体セラミックス１により気密に保持するか（（
ａ）図）、あるいはボンディングワイヤ２を介して、予
め誘電体セラミックス基板６上に固定されている導体部
３と結合している半導体素子４を、前記導体部３の上に
配置された絶縁層５を挾んで誘電体セラミックス１によ
り前記基板６上に封止する（（ｂ）図）構造を有するも
のであるが、上記の誘電体セラミックスは半導体素子か
ら放射される不要の電磁波を吸収しないで、これをパッ
ケージ外部に漏らすので、この漏洩した電磁波が、前記
パッケージが組み込まれている機器の誤作動を招くとい
う問題があった。
そこで本発明者等は、上述のような状況に鑑みて種々研
究を重ねた結果、 （１）例えば、チタン酸バリウムとニッケルー亜鉛フェ
ライト（（Ｎｉｏ、ｚ −Ｚｎｏ、＋） ＦｅｚＯ＜
）とを様々な割合で混合した混合物を焼結することによ
って得られたセラミックスの複素比誘電率（εｒ）およ
び複素比透磁率（μｒ）をそれぞれε １−ｊｅｒ”お
よびμ ＋ −ｊμｒ“で表したときに、これらのセラ
ミックスの周波数（ｆ）分散に対する複素比誘電率の実
数部（εｒ’）の値と虚数部（εｒ″）の値および複素
比透磁率の実数部（μｒ’）と虚数部（μｒ′”）の値
が前記混合割合（第２図中、Ｘ：重量％で示す）に応じ
てどのように変化するかを実験によって調べた結果をそ
れぞれ示す第２図中のグラフ（ａ）、（ｂ）および（Ｃ
）によれば、 εｒ’ ＞２０． εｒ”＞０． μｒ ＞１お
よびμｒ′′〉Ｏ を満足させる前記セラミックスが、電磁界の電界成分に
対して有効な誘電損失と、電磁界の磁界成分に対して有
効な磁性損失とを共に有し、それによってこのセラミッ
クスが、あらゆる周波数およびあらゆるモードの電磁波
を吸収できる、セラミックスパッケージ用のセラミック
ス材料となり得ること、 （２）前記の条件を満たすことによって前述のような特
性を発揮するセラミックスは、前記のニッケルー亜鉛フ
ェライトとチタン酸バリウムとを混ぜ合わせて焼結した
場合ばかりでなく、チタン酸バリウム、チタン酸ストロ
ンチウムおよびチタン酸鉛からなる群から選ばれる１種
または２種以上の誘電体化合物と、下記の組成式で表さ
れるフェライト： ＭＦｅ、Ｏ。
究を重ねた結果、 （１）例えば、チタン酸バリウムとニッケルー亜鉛フェ
ライト（（Ｎｉｏ、ｚ −Ｚｎｏ、＋） ＦｅｚＯ＜
）とを様々な割合で混合した混合物を焼結することによ
って得られたセラミックスの複素比誘電率（εｒ）およ
び複素比透磁率（μｒ）をそれぞれε １−ｊｅｒ”お
よびμ ＋ −ｊμｒ“で表したときに、これらのセラ
ミックスの周波数（ｆ）分散に対する複素比誘電率の実
数部（εｒ’）の値と虚数部（εｒ″）の値および複素
比透磁率の実数部（μｒ’）と虚数部（μｒ′”）の値
が前記混合割合（第２図中、Ｘ：重量％で示す）に応じ
てどのように変化するかを実験によって調べた結果をそ
れぞれ示す第２図中のグラフ（ａ）、（ｂ）および（Ｃ
）によれば、 εｒ’ ＞２０． εｒ”＞０． μｒ ＞１お
よびμｒ′′〉Ｏ を満足させる前記セラミックスが、電磁界の電界成分に
対して有効な誘電損失と、電磁界の磁界成分に対して有
効な磁性損失とを共に有し、それによってこのセラミッ
クスが、あらゆる周波数およびあらゆるモードの電磁波
を吸収できる、セラミックスパッケージ用のセラミック
ス材料となり得ること、 （２）前記の条件を満たすことによって前述のような特
性を発揮するセラミックスは、前記のニッケルー亜鉛フ
ェライトとチタン酸バリウムとを混ぜ合わせて焼結した
場合ばかりでなく、チタン酸バリウム、チタン酸ストロ
ンチウムおよびチタン酸鉛からなる群から選ばれる１種
または２種以上の誘電体化合物と、下記の組成式で表さ
れるフェライト： ＭＦｅ、Ｏ。
［式中、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｃｕ。
ＺｎおよびＦｅからなる群から選ばれる１種または２種
以上の元素を表す〕 とを混ぜ合わせて焼結した場合にも得られること、を見
出した。
以上の元素を表す〕 とを混ぜ合わせて焼結した場合にも得られること、を見
出した。
本発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、セラ
ミックスパッケージが組み込まれる各種の機器において
、そのセラミックスパッケージ内の半導体素子から放射
される不要電磁波に起因する誤作動を生じないセラミッ
クスパッケージを提供することを目的とし、 （１）セラミックスパッケージのセラミックス部分の一
部または全部が、 複素比誘電率をεｒ＝εｒ −ｊεｒ複素比透磁率を
μｒ＝μ ｌ−ｊμｒ で表したときに（ただし、ｊ＝ｆ：ゴ）、εｒ’ ＞２
０． εｒ”〉０．μｒ”〉１およびμｒ°”〉０ を満足するセラミックスで構成されていることを特徴と
するセラミックスパッケージ、および（２）セラミック
スパッケージのセラミックス部分の一部または全部が、 チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタ
ン酸鉛からなる群から選ばれる１種または２種以上の誘
電体化合物と、下記の組成式で表されるフェライト： ＦｅｚＯ４ 〔式中、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｏ、ＣｕＺｎおよび
Ｆｅからなる群から選ばれる１種または２種以上の元素
を表す〕 との混合焼結体からなるセラミックスで構成されている
ことを特徴とするセラミックスパッケージ、に係わるも
のである。
ミックスパッケージが組み込まれる各種の機器において
、そのセラミックスパッケージ内の半導体素子から放射
される不要電磁波に起因する誤作動を生じないセラミッ
クスパッケージを提供することを目的とし、 （１）セラミックスパッケージのセラミックス部分の一
部または全部が、 複素比誘電率をεｒ＝εｒ −ｊεｒ複素比透磁率を
μｒ＝μ ｌ−ｊμｒ で表したときに（ただし、ｊ＝ｆ：ゴ）、εｒ’ ＞２
０． εｒ”〉０．μｒ”〉１およびμｒ°”〉０ を満足するセラミックスで構成されていることを特徴と
するセラミックスパッケージ、および（２）セラミック
スパッケージのセラミックス部分の一部または全部が、 チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタ
ン酸鉛からなる群から選ばれる１種または２種以上の誘
電体化合物と、下記の組成式で表されるフェライト： ＦｅｚＯ４ 〔式中、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｏ、ＣｕＺｎおよび
Ｆｅからなる群から選ばれる１種または２種以上の元素
を表す〕 との混合焼結体からなるセラミックスで構成されている
ことを特徴とするセラミックスパッケージ、に係わるも
のである。
本発明においては、セラミックスパッケージで用いられ
るセラミックスの、それぞれ前記式で表される複素比誘
電率（εｒ）の実数部（εｒ“）と虚数部（εｒ゛）お
よび複素比透磁率（μｒ）の実数部（μｒ’）と虚数部
（μｒ”）をそれぞれ前記のように特定することによっ
て、あらゆる周波数およびあらゆるモードの電磁波を吸
収できるセラミックスが構成され、そしてこのような特
性は前記の誘電体化合物とフェライトとの混合焼結体に
よって発現される。
るセラミックスの、それぞれ前記式で表される複素比誘
電率（εｒ）の実数部（εｒ“）と虚数部（εｒ゛）お
よび複素比透磁率（μｒ）の実数部（μｒ’）と虚数部
（μｒ”）をそれぞれ前記のように特定することによっ
て、あらゆる周波数およびあらゆるモードの電磁波を吸
収できるセラミックスが構成され、そしてこのような特
性は前記の誘電体化合物とフェライトとの混合焼結体に
よって発現される。
ついで、実施例を参照して本発明を説明するが、本発明
は勿論この実施例によって限定されない。
は勿論この実施例によって限定されない。
市販のチタン酸バリウムに（Ｎｉｏ、ｚ Ｚｎｏ、７
）・Ｐｅｚ０４の組成式で表されるニッケルー亜鉛フェ
ライトを、これらの両成分の合計量を基にして、それぞ
れ１０％、３０％、５０％、６０％、７０％および８０
％混合して（この混合割合は、第２図中にＸで示されて
いる）焼結することによって、本発明セラミックス１．
２．３．４．５および６を製造する一方、比較のため、
チタン酸バリウムのみからなる比較セラミックス（χ＝
０）を用意した。
）・Ｐｅｚ０４の組成式で表されるニッケルー亜鉛フェ
ライトを、これらの両成分の合計量を基にして、それぞ
れ１０％、３０％、５０％、６０％、７０％および８０
％混合して（この混合割合は、第２図中にＸで示されて
いる）焼結することによって、本発明セラミックス１．
２．３．４．５および６を製造する一方、比較のため、
チタン酸バリウムのみからなる比較セラミックス（χ＝
０）を用意した。
ついで、これらのセラミックスの複素比誘電率：εｒを
εｒ’−ｊｔｒ”で表したときの実数部：εｒ゛および
虚数部；εｒ”の各種を電磁波の周波数に対してそてぞ
れプロットすることによって第２図の（ａ）および（ｂ
）に示されるようなグラフが得られた。
εｒ’−ｊｔｒ”で表したときの実数部：εｒ゛および
虚数部；εｒ”の各種を電磁波の周波数に対してそてぞ
れプロットすることによって第２図の（ａ）および（ｂ
）に示されるようなグラフが得られた。
また、上記セラミックスのうち、本発明セラミックス２
および３、並びに比較セラミックスの複素比透磁率：μ
ｒをμｒ’−ｊμｒ”で表したときの実数部−μｒ゛お
よび虚数部：μｒ”の各種を電磁波の周波数に対してそ
れぞれ共にプロットすることにより、第２図の（Ｃ）に
示されるようなグラフが得られた。
および３、並びに比較セラミックスの複素比透磁率：μ
ｒをμｒ’−ｊμｒ”で表したときの実数部−μｒ゛お
よび虚数部：μｒ”の各種を電磁波の周波数に対してそ
れぞれ共にプロットすることにより、第２図の（Ｃ）に
示されるようなグラフが得られた。
以上のグラフから、本発明セラミックスはいずれも、ε
ｒ’＞２０ εｒ”＞０．μｒ′〉１およびμｒ”＞
Ｑ、という条件を満足して、あらゆる周波数およびあら
ゆるモードの電磁波を吸収できるのに対して、比較セラ
ミックスは上記の条件を満足しないで、あらゆる周波数
およびあらゆるモードの電磁波を吸収できないことがわ
かる。
ｒ’＞２０ εｒ”＞０．μｒ′〉１およびμｒ”＞
Ｑ、という条件を満足して、あらゆる周波数およびあら
ゆるモードの電磁波を吸収できるのに対して、比較セラ
ミックスは上記の条件を満足しないで、あらゆる周波数
およびあらゆるモードの電磁波を吸収できないことがわ
かる。
〔発明の効果］
以上述べた説明から明らかなように、本発明のセラミ・
ンクスバ・ノケージは、そのパ・ンケージ内の半導体素
子から放射される不要電磁波を、この電磁波の周波数お
よびモードの如何に係わらず吸収して、これが外部に漏
れるのを阻止できるので、このセラミックスパッケージ
が組み込まれる各種機器において、上記不要電磁波によ
って起こる誤作動を防止できるという効果を奏する。
ンクスバ・ノケージは、そのパ・ンケージ内の半導体素
子から放射される不要電磁波を、この電磁波の周波数お
よびモードの如何に係わらず吸収して、これが外部に漏
れるのを阻止できるので、このセラミックスパッケージ
が組み込まれる各種機器において、上記不要電磁波によ
って起こる誤作動を防止できるという効果を奏する。
第１図の（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示される図は、
いずれも本発明および従来技術によるセラミックスパッ
ケージの構造を２つの例で示す断面図であり、そして第
２図の（ａ）、（ｂ）および（Ｃ）は、フェライトと誘
電体化合物との混合焼結体からなるセラミックスおよび
誘電体化合物のみからなるセラミックスの、複素比誘電
率における実数部（εｒ”）、虚数部（εｒ″゛）およ
び複素比透磁率における実数部（μｒ’）並びに虚数部
（μｒ”）の各種が、上記混合焼結体におけるフェライ
トと誘電体化合物の混合割合および１！Ｌ磁波の周波数
分散に対してどのように変化するかをそれぞれ３つのグ
ラフに分けて示す図である。図において、 １・・・・・・パッケージ部、 ２・・・・・・ポンディングワイヤ、３・・・・・・導
体部、４・・・・・・半導体素子、５・・・・・・絶縁
層、６・・・・・・基板。
いずれも本発明および従来技術によるセラミックスパッ
ケージの構造を２つの例で示す断面図であり、そして第
２図の（ａ）、（ｂ）および（Ｃ）は、フェライトと誘
電体化合物との混合焼結体からなるセラミックスおよび
誘電体化合物のみからなるセラミックスの、複素比誘電
率における実数部（εｒ”）、虚数部（εｒ″゛）およ
び複素比透磁率における実数部（μｒ’）並びに虚数部
（μｒ”）の各種が、上記混合焼結体におけるフェライ
トと誘電体化合物の混合割合および１！Ｌ磁波の周波数
分散に対してどのように変化するかをそれぞれ３つのグ
ラフに分けて示す図である。図において、 １・・・・・・パッケージ部、 ２・・・・・・ポンディングワイヤ、３・・・・・・導
体部、４・・・・・・半導体素子、５・・・・・・絶縁
層、６・・・・・・基板。
Claims (2)
- （１）セラミックスパッケージのセラミックス部分の一
部または全部が、 複素比誘電率をεｒ＝εｒ’−ｊεｒ”、 複素比透磁率をμｒ＝μｒ’−ｊμｒ” で表したときに（ただし、ｊ＝√｛−１｝）、εｒ’＞
２０、εｒ”＞０、μｒ’＞１ およびμｒ”＞０ を満足するセラミックスで構成されていることを特徴と
するセラミックスパッケージ。 - （２）セラミックスパッケージのセラミックス部分の一
部または全部が、 チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタ
ン酸鉛からなる群から選ばれる１種または２種以上の誘
電体化合物と、下記の組成式で表されるフェライト： ＭＦｅ＿２Ｏ＿４ 〔式中、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎおよ
びＦｅからなる群から選ばれる１種または２種以上の元
素を表す〕 との混合焼結体からなるセラミックスで構成されている
ことを特徴とするセラミックスパッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1336970A JPH0797612B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | セラミックスパッケージ |
| EP19900125075 EP0436200A3 (en) | 1989-12-26 | 1990-12-21 | Ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1336970A JPH0797612B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | セラミックスパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250646A true JPH03250646A (ja) | 1991-11-08 |
| JPH0797612B2 JPH0797612B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=18304285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1336970A Expired - Lifetime JPH0797612B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | セラミックスパッケージ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0436200A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0797612B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006026751A1 (de) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Hochdruckentladungslampe mit verbesserter Zündfähigkeit sowie Hochspannungspulsgenerator |
| DE102007024890A1 (de) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Hochspannungsgenerator und Hochdruckentladungslampe mit derartigem Generator |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317750A (en) * | 1976-08-03 | 1978-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display cell |
| JPS59110199A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-26 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 電波吸収体の形成方法 |
| JPS6165499A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-04 | イビデン株式会社 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01291406A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 高誘電率磁性材料およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1336970A patent/JPH0797612B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-12-21 EP EP19900125075 patent/EP0436200A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317750A (en) * | 1976-08-03 | 1978-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display cell |
| JPS59110199A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-26 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 電波吸収体の形成方法 |
| JPS6165499A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-04 | イビデン株式会社 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0436200A2 (en) | 1991-07-10 |
| EP0436200A3 (en) | 1992-10-21 |
| JPH0797612B2 (ja) | 1995-10-18 |
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