JPS6165499A - 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 - Google Patents
炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材Info
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- JPS6165499A JPS6165499A JP59186966A JP18696684A JPS6165499A JP S6165499 A JPS6165499 A JP S6165499A JP 59186966 A JP59186966 A JP 59186966A JP 18696684 A JP18696684 A JP 18696684A JP S6165499 A JPS6165499 A JP S6165499A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてフンビニ−ター機器から発生する低周
波ノイズの吸収特性を有する炭化珪累焼結体から構成さ
れる筐体形態の電磁波シールド材に関する。
波ノイズの吸収特性を有する炭化珪累焼結体から構成さ
れる筐体形態の電磁波シールド材に関する。
Ｃ−ＭＯＳなどのＩＣ半導体を搭載したコンピューター
機器から発生するノイズは、１〜５００ ＭＨｚ程度と
いわれており、なかでもパーソナルコンピューターは３
０〜２００ＭＨｚの低周波領域のノイズを多く発生する
ことが知られているが、本発明はこれらの電子部品等の
シールド効果を有する炭化珪素質焼結体から構成される
筐体の電磁波シーＩレド材を提供するものである。
機器から発生するノイズは、１〜５００ ＭＨｚ程度と
いわれており、なかでもパーソナルコンピューターは３
０〜２００ＭＨｚの低周波領域のノイズを多く発生する
ことが知られているが、本発明はこれらの電子部品等の
シールド効果を有する炭化珪素質焼結体から構成される
筐体の電磁波シーＩレド材を提供するものである。
従来、電磁波シールド材としては、例えば（イ）特開昭
５８−６６３９９号公報、（ロ）特開昭５８−６６４０
０号公報及び（ハ）特開昭５８−４ （１６６Ｓ号公報
及びに）特開昭５９−２７５９６号公報に開示されてい
る。
５８−６６３９９号公報、（ロ）特開昭５８−６６４０
０号公報及び（ハ）特開昭５８−４ （１６６Ｓ号公報
及びに）特開昭５９−２７５９６号公報に開示されてい
る。
前記（イ）は、炭化珪素を主成分とする中間ノー又は炭
化珪素と炭素とを主成分とする中間、りを有し、表層及
び裏層が合成樹脂層であることを特徴とするシールド用
シート材に関するものである。
化珪素と炭素とを主成分とする中間、りを有し、表層及
び裏層が合成樹脂層であることを特徴とするシールド用
シート材に関するものである。
前記（ロ）は、炭化珪素粉末を主成分とするシールド層
又は炭化珪素粉末と炭素粉末とが主として混在するシー
ルド層を有する筐体に関するものである。
又は炭化珪素粉末と炭素粉末とが主として混在するシー
ルド層を有する筐体に関するものである。
また前記ｅ引；、７０重量％以上の炭化珪素を含有して
なる誘電加熱用セラミック体に関するものである。
なる誘電加熱用セラミック体に関するものである。
そして前記に）は、比抵抗１オーム・α以上を有する緻
密實炭化珪素よりなることを特徴とするマイクロ波吸収
体に関するものである。
密實炭化珪素よりなることを特徴とするマイクロ波吸収
体に関するものである。
前記（イ）及び（Ｃ？）の従来技術は、炭化珪素の半導
体としての性質、また機械的には高強度でかつ硬質であ
り、電気的Ｉζは電磁波吸収特性のある特徴を利用して
いるが、前記シート材又は筐体には合成樹脂が多量に使
用さｎているため熱伝導性が低（半導体等の電子部品に
蓄熱する熱を容易に放散することができず半導体などの
故障の原因となり、またｔｆ４ｓ耗性や機械的強度もセ
ラミックや金属に比べて劣るため耐久性に乏しい欠点が
ある。
体としての性質、また機械的には高強度でかつ硬質であ
り、電気的Ｉζは電磁波吸収特性のある特徴を利用して
いるが、前記シート材又は筐体には合成樹脂が多量に使
用さｎているため熱伝導性が低（半導体等の電子部品に
蓄熱する熱を容易に放散することができず半導体などの
故障の原因となり、またｔｆ４ｓ耗性や機械的強度もセ
ラミックや金属に比べて劣るため耐久性に乏しい欠点が
ある。
一方前記？埼及びに）の従来技術は、炭化珪素焼結体か
ら成ろ誘９加熱用セラミック体であるため熱伝導率、曲
げ強度が大きく、さらには熱膨張係数が小さいので、耐
ｉ！１１衝撃性がきわめて大きく急加熱、急冷却に対し
てもクラックが発生するおそれがない特徴を利用してい
るが、使用目的が誘電加熱用又は高周波の吸収体に関す
るものであり、例えば家庭等で使用される調理用電子レ
ンジで発振周波数が２４５０ＭＨｚ以上の高周波領域で
主として使用されろ炭化珪素質焼結体、すなわち炭化珪
素を主成分とするセラミック焼結体であって、炭化珪素
の含有率を種々員にして誘導加熱されろ場合の発熱効率
（熱変換効率）を変化させろことを特徴とするものであ
る。
ら成ろ誘９加熱用セラミック体であるため熱伝導率、曲
げ強度が大きく、さらには熱膨張係数が小さいので、耐
ｉ！１１衝撃性がきわめて大きく急加熱、急冷却に対し
てもクラックが発生するおそれがない特徴を利用してい
るが、使用目的が誘電加熱用又は高周波の吸収体に関す
るものであり、例えば家庭等で使用される調理用電子レ
ンジで発振周波数が２４５０ＭＨｚ以上の高周波領域で
主として使用されろ炭化珪素質焼結体、すなわち炭化珪
素を主成分とするセラミック焼結体であって、炭化珪素
の含有率を種々員にして誘導加熱されろ場合の発熱効率
（熱変換効率）を変化させろことを特徴とするものであ
る。
本発明は前記従来技術（イ）及びＣ口）の欠点を解消し
、さら＄こ従来技術Ｈ及びに）では解決されていない低
周波領域における電磁波吸収特性を高め、特に１〜５０
０ ＭＨｚのフンビューターＩＣから発生するノイズの
シールド効果を向上させることを主目的とし、前記特許
請求の範囲記社の電磁波シールド材を提供することによ
って、前記目的を達成するものである。
、さら＄こ従来技術Ｈ及びに）では解決されていない低
周波領域における電磁波吸収特性を高め、特に１〜５０
０ ＭＨｚのフンビューターＩＣから発生するノイズの
シールド効果を向上させることを主目的とし、前記特許
請求の範囲記社の電磁波シールド材を提供することによ
って、前記目的を達成するものである。
〔問題点を解決するための手段およびその作用〕以下、
本発明の電磁波シールド材を炭化珪素質焼結体の特性並
びにその特性を表示するグラフ図面に基づいて具体的シ
ζ説明する。
本発明の電磁波シールド材を炭化珪素質焼結体の特性並
びにその特性を表示するグラフ図面に基づいて具体的シ
ζ説明する。
第１図は、炭化珪素質焼結体からなる本発明の電磁波シ
ールド材（イ）の周波特性と比較例である導１！ｆｆｍ
１１＋（ロ）又はプラスチック成形品ｆ埼から成る電磁
波シールド材の周波特性を示すグラフである。
ールド材（イ）の周波特性と比較例である導１！ｆｆｍ
１１＋（ロ）又はプラスチック成形品ｆ埼から成る電磁
波シールド材の周波特性を示すグラフである。
第１図から明らかなように本発明の電磁波シールド材（
イ）は特に低周波領域である１〜５００ＭＨｚにおいて
吸収特性がよく、特に１０〜１００Ｍ［七では４０ｄＢ
以上の電磁波吸収特性を示していることが判る。その理
由としては、本発明のシールド材はにβ型結晶を主体と
して構成されており、特にβ型結晶が６５”ｉｉｉ％以
上含有されていることから、従来技術ｆ埼及びに）の炭
化珪素焼結体とは異なり、例えば結晶の短軸と長袖との
比であろアスペクト比が′ｍ密度との関連で任意に変斐
し得るからであると考えられる。このこと（；、第２図
番ζ示す本発明の炭化珪素質焼結体のシールドにおいて
、比較的高密度である理論ｖＩ！度９５％ＴＤの焼結体
囚と比較的低密度である理論密度８６％ＴＤの焼結体■
との周波特性が相違することとも関連する。それは。
イ）は特に低周波領域である１〜５００ＭＨｚにおいて
吸収特性がよく、特に１０〜１００Ｍ［七では４０ｄＢ
以上の電磁波吸収特性を示していることが判る。その理
由としては、本発明のシールド材はにβ型結晶を主体と
して構成されており、特にβ型結晶が６５”ｉｉｉ％以
上含有されていることから、従来技術ｆ埼及びに）の炭
化珪素焼結体とは異なり、例えば結晶の短軸と長袖との
比であろアスペクト比が′ｍ密度との関連で任意に変斐
し得るからであると考えられる。このこと（；、第２図
番ζ示す本発明の炭化珪素質焼結体のシールドにおいて
、比較的高密度である理論ｖＩ！度９５％ＴＤの焼結体
囚と比較的低密度である理論密度８６％ＴＤの焼結体■
との周波特性が相違することとも関連する。それは。
β型結晶が６５重鴛％以上含有さｎろ炭化珪素１ｓ焼結
体ｊζあっては、嵩密度が小さくなれば７スベクト比は
大きくなる性質を有するからであると考えられる。
体ｊζあっては、嵩密度が小さくなれば７スベクト比は
大きくなる性質を有するからであると考えられる。
し１こがって、本発明によれば炭化珪素質焼結体は少く
ともβ型結晶を少なくとも６５ＭＱ％以上。
ともβ型結晶を少なくとも６５ＭＱ％以上。
９１ｍ好ましくは８０］Ｊｔ％以上含有していることが
好適である。そして５本発明のシールド材は、理論密度
が２０〜９５％ＴＤであって多孔質のものから高密度の
緻密Ｈのものまで広範囲の嵩比度の炭化理素買焼結体で
あって、熱伝導率が高いものである。その理由は、本発
明のシールド材は第１図で示したような低周波領域にお
いて特に優れた電磁波吸収特性を有する炭化珪素を主成
分とするセラミックス焼結体により嘴成された筐体であ
るため、ノイズの発生源であろＣ−ＭＯＳなどのＩＣ半
導体を２体で被覆しておくことにより、半導体から発生
する熱を効率よく放散することができろと共に電磁波吸
収特性によって電磁波のシールド効果をより完全なもの
とすることができるからである。
好適である。そして５本発明のシールド材は、理論密度
が２０〜９５％ＴＤであって多孔質のものから高密度の
緻密Ｈのものまで広範囲の嵩比度の炭化理素買焼結体で
あって、熱伝導率が高いものである。その理由は、本発
明のシールド材は第１図で示したような低周波領域にお
いて特に優れた電磁波吸収特性を有する炭化珪素を主成
分とするセラミックス焼結体により嘴成された筐体であ
るため、ノイズの発生源であろＣ−ＭＯＳなどのＩＣ半
導体を２体で被覆しておくことにより、半導体から発生
する熱を効率よく放散することができろと共に電磁波吸
収特性によって電磁波のシールド効果をより完全なもの
とすることができるからである。
なお、本発明のシーＡ／ド材は特に１０〜１００■七の
如き低周波領域において便れた１を磁波吸収特注を有す
るものであるが、第１囚に示した比較例としての導電性
塗料（ロ）又は導電性プラスチック成形品ρ→の如き２
００ ＭＨｚ以上の比較的高い周波数の領域１こおいて
もＴ！ｉ磁波吸収特性を有するシールド材との組み合せ
によるＶ体を形成することにより比較的高周波領域にお
けろ電磁波シールド材としてもその応用範囲を拡大する
ことができろ、また、罰記導′ｊＩ！、塗料（ロ）又は
導電性プラスチック成形品ｅ９１８開昭６１−千関桝に
３） の中にｌｉ電磁波吸収特性優れた炭化珪素微粉末を充填
材として混入した電磁波シールド材と本発明の炭化珪素
質焼結体のシールド材との組み合せからなる筐体を形成
するこきもできる。
如き低周波領域において便れた１を磁波吸収特注を有す
るものであるが、第１囚に示した比較例としての導電性
塗料（ロ）又は導電性プラスチック成形品ρ→の如き２
００ ＭＨｚ以上の比較的高い周波数の領域１こおいて
もＴ！ｉ磁波吸収特性を有するシールド材との組み合せ
によるＶ体を形成することにより比較的高周波領域にお
けろ電磁波シールド材としてもその応用範囲を拡大する
ことができろ、また、罰記導′ｊＩ！、塗料（ロ）又は
導電性プラスチック成形品ｅ９１８開昭６１−千関桝に
３） の中にｌｉ電磁波吸収特性優れた炭化珪素微粉末を充填
材として混入した電磁波シールド材と本発明の炭化珪素
質焼結体のシールド材との組み合せからなる筐体を形成
するこきもできる。
次に本発明の最も代表的な実施例１ζついて説明する。
出発原料として特開昭５２−１４２６９７号に開示され
た主としてβ型結晶よりなる炭化珪素微粉を９４Ｍｋｋ
％含有する生成形体を焼成し、理論密度９７９６ＴＤの
炭化珪素質焼結体を得た。この焼結体の平均アスペクト
比は短Ｍｌに対し長袖がｔ４のものであった。そしてこ
の焼結体を板厚４ｆｆの板状物に加工し、ｔｓｏ顛×４
５鰭と４５ＭＸ８０鱈の板状物をそれぞれ使用して筐体
を形成し、Ｃ−ＭＯＳのＩＣのシールド材に供した。そ
の周波特性の！果は、第２図のに）ｌζ示す通りの６の
であった。
た主としてβ型結晶よりなる炭化珪素微粉を９４Ｍｋｋ
％含有する生成形体を焼成し、理論密度９７９６ＴＤの
炭化珪素質焼結体を得た。この焼結体の平均アスペクト
比は短Ｍｌに対し長袖がｔ４のものであった。そしてこ
の焼結体を板厚４ｆｆの板状物に加工し、ｔｓｏ顛×４
５鰭と４５ＭＸ８０鱈の板状物をそれぞれ使用して筐体
を形成し、Ｃ−ＭＯＳのＩＣのシールド材に供した。そ
の周波特性の！果は、第２図のに）ｌζ示す通りの６の
であった。
〔実施例２〕
出発原料は実施例１と同様のβ型結晶よりなろ炭化珪素
微粉末を８５重量％含有する生成形体を焼成し、理論密
度８６％ＴＤの炭化珪素質焼結体を得た。
微粉末を８５重量％含有する生成形体を焼成し、理論密
度８６％ＴＤの炭化珪素質焼結体を得た。
この焼結体の平均アスペクト比は短軸１に対し長・
軸が２９のものであった。
軸が２９のものであった。
そしてこの焼結体を実施例１と同様に加工して筐体全形
成し、Ｃ−ＭＯＳのＩＣのシールド材に供した。そ■ の周波特性の結果は、第２因の０に示す通りのものであ
った。
成し、Ｃ−ＭＯＳのＩＣのシールド材に供した。そ■ の周波特性の結果は、第２因の０に示す通りのものであ
った。
以上のように、本発明によれば特に１〜５Ｑ ＯＭＨｚ
の如き低周波領域において優れた電磁波吸収特性と熱放
散性を有するシールド材を提供することができ、さらに
は一定の密度範囲の炭化珪素質焼結体とすることにより
′ＲＬ磁波の反射特性も付与し、さらにまた比較的高周
波領域においても優れた電磁波吸収特注を有する導電性
プラスチック又は金属などを多孔笛の炭化珪素質焼結体
に含浸させろことなどにより、低周波に限定されること
なく広範囲のノイズのシールド効果を向上させろことが
できろ。
の如き低周波領域において優れた電磁波吸収特性と熱放
散性を有するシールド材を提供することができ、さらに
は一定の密度範囲の炭化珪素質焼結体とすることにより
′ＲＬ磁波の反射特性も付与し、さらにまた比較的高周
波領域においても優れた電磁波吸収特注を有する導電性
プラスチック又は金属などを多孔笛の炭化珪素質焼結体
に含浸させろことなどにより、低周波に限定されること
なく広範囲のノイズのシールド効果を向上させろことが
できろ。
第１図は本発明のシールド材（イ）と比較例の導電性塗
料（ロ）又はプラスチック成形品（ハ）のシールド材の
周波特性を示すグラフ、第２因は本発明の高密度炭化珪
素焼結体（５）と低密度炭化珪素焼結体のとの周波特性
を示すグラフである。
料（ロ）又はプラスチック成形品（ハ）のシールド材の
周波特性を示すグラフ、第２因は本発明の高密度炭化珪
素焼結体（５）と低密度炭化珪素焼結体のとの周波特性
を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、低周波領域における電磁波吸収特性を有する炭化珪
素を主成分とするセラミックス焼結体により構成された
筐体の炭化珪素質焼結体の電磁波シールド材。 ２、前記低周波領域は主として１〜５００ＭＨｚの周波
領域であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のシールド材。 ３、前記炭化珪素質焼結体は理論密度が２０〜９５％Ｔ
Ｄであって多孔質ないし澱密質のものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のシールド材。 ４、前記炭化珪素質焼結体はβ型結晶が少なくとも６５
重量％以上含有されたものであって、アスペクト比が２
〜５０であることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜
第３項記載のシールド材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186966A JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186966A JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165499A true JPS6165499A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0337880B2 JPH0337880B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=16197841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186966A Granted JPS6165499A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 炭化珪素質焼結体の電磁波シ−ルド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165499A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163994A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Yoshiyuki Naito | 線路用妨害波吸収体 |
| JPH03250646A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | セラミックスパッケージ |
| WO1993025495A1 (en) * | 1992-06-12 | 1993-12-23 | The Carborundum Company | Porous silicon carbide |
| US5610110A (en) * | 1990-10-17 | 1997-03-11 | Ceramiques & Composites S.A. | Sintered SiC shaped articles and mechanical packings comprised thereof |
| CN112266252A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-01-26 | 黑龙江冠瓷科技有限公司 | 一种无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864706A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-18 | パイオニア株式会社 | 配線被覆材 |
| JPS60260197A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 島田理化工業株式会社 | マイクロ波吸収体 |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186966A patent/JPS6165499A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864706A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-18 | パイオニア株式会社 | 配線被覆材 |
| JPS60260197A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 島田理化工業株式会社 | マイクロ波吸収体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163994A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Yoshiyuki Naito | 線路用妨害波吸収体 |
| JPH03250646A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | セラミックスパッケージ |
| US5610110A (en) * | 1990-10-17 | 1997-03-11 | Ceramiques & Composites S.A. | Sintered SiC shaped articles and mechanical packings comprised thereof |
| WO1993025495A1 (en) * | 1992-06-12 | 1993-12-23 | The Carborundum Company | Porous silicon carbide |
| CN112266252A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-01-26 | 黑龙江冠瓷科技有限公司 | 一种无压烧结微纳混合碳化硅造粒粉的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337880B2 (ja) | 1991-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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