JPH03247757A - スパッタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被成膜基板を移動させながらこの基板面に成
膜するスパッタ装置に関するものである。

〔従来の技術〕

ガラス基板等の基板面にＩＴＯ等の透明導電膜やクロム
等の金属膜をスパッタリング法により成膜するスパッタ
装置として、前記ガラス基板等の被成膜基板を移動させ
ながらこの基板面に成膜する移動成膜式のものがある。

第４図は従来の移動成膜式スパッタ装置を示したもので
、ここではマグネトロン型のものを示している。

第４図において、１は真空なスパッタ室であり、被成膜
基板Ａは、基板装入室２において図示しない基板キャリ
アにセットされた後、この基板キャリアにより基板装入
室２からスパッタ室１に搬入され、スパッタリング室１
内を搬送移動されながらスパッタリングにより成膜され
た後に、スパッタ室１から基板取出室３に搬出されて基
板キャリアから取出される。なお、スパッタ室１と基板
装入室２との間、およびスパッタ室１と基板取出室３と
の間にはそれぞれ気密扉が設けられており、スパッタ室
１への被成膜基板Ａの搬入は、基板装入室２内を真空と
した後に気密扉を開いて行なわれ、またスパッタ室１か
らの成膜後の基板Ａの搬出は、基板取出室３内を真空と
した後に気密扉を開いて行なわれる。

一方、上記スパッタ室１内には、このスパッタ室１内に
搬入された被成膜基板Ａを加熱するヒータ部４と、この
ヒータ部４で加熱された被成膜基板Ａへの成膜を行なう
成膜部５とが設けられている。この成膜部５は、プラズ
マを封じ込めるための磁界を発生する磁石（永久磁石）
６面にターゲット７を配置するとともに、基板キャリア
によりスパッタ室１内を搬送移動される被成膜基板Ａと
前記ターゲラｌ−７との間に枠状のアノード８を配置し
た構造となっている。

そして、スパッタ室１内に搬入された被成膜基板Ａは、
基板キャリアで搬送移動されながら、まずヒータ部４を
通過する過程で所定温度（スパッタリングによる成膜が
可能な温度）に加熱され、この後成膜部５を通過しなが
ら、スパッタリングにより成膜される。このスパッタリ
ングは、ターゲット７側をカソード電極とし、このター
ゲット７側のカソード電極とアノード８との間に放電電
流を流して行なわれるもので、放電電流を流すことによ
って発生したプラズマは、磁石６の磁界中に封じ込めら
れ、この磁界中に封じ込められているプラズマによって
スパッタされたスパッタ粒子は、アノード８とカソード
電極との間に印加された電圧で生ずる電界によって被成
膜基板Ａ方向へ飛び、この基板Ａ面に被着堆積する。

なお、第４図に示したスパッタ装置は、基板キャリアに
２枚の被成膜基板Ａを背中合わせに保持させて、この２
枚の基板Ａに同時に成膜するもので、前記ヒータ部４と
成膜部５は、スパッタ室１の中央を搬送移動される２枚
の基板Ａにそれぞれ対向させてスパッタ室１内の両側に
配置されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来のスパッタ装置では、スパッタ
室１内に搬入された被成膜基板Ａが、ヒータ部４を通過
した後に成膜部５を通過するため、基板Ａ面に成膜され
る被膜の品質が悪くなってしまうという問題をもってい
た。

これは、ヒータ部４において加熱された被成膜基板Ａか
、成膜部５に達するまでの移動時間中に放熱により温度
降下し、さらに成膜部５を通過する間の成膜中にも温度
降下するためであり、スパッタリングにより基板Ａ面に
成膜される被膜の特性は、成膜中の基板温度すなイ）ち
スパッタ粒子が基板に被着する際の温度と密接な関係か
あるから、被成膜基板Ａの温度が上記のように降下した
のでは、基板Ａ面に成膜される被膜の品質が悪くなって
しまう。

本発明は上記のような実情にかんがみてなされたちので
あって、その目的とするところは、成膜中の基板温度を
スパッタ粒子が良好に被着する温度に維持して、良好な
品質の被膜を成膜することができるスパッタ装置を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のスパッタ装置は、被成膜基板を移動させながら
この基板面に成膜するスパッタ装置において、成膜中の
被成膜基板を加熱する基板ヒータを設けたことを特徴と
するものである。

〔作　用〕

すなわち、本発明のスパッタ装置は、成膜中の被成膜基
板を基板ヒータによって加熱しておくようにしたもので
あり、このスパッタ装置によれば、前記基板ヒータの温
度を制御することによって、成膜中の基板温度をスパッ
タ粒子が良好に被着する温度に維持して、良好な品質の
被膜を成膜することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図および第２図は本発明の第１の実施例を示したも
ので、第１図はスパッタ装置の全体構成を示し、第２図
はその成膜部の構成を示している。

なお、第１図において、第４図に示した従来のスパッタ
装置の構成部品と同じものについては図に同符号を付し
てその説明を省略する。

この実施例は、スパッタ室１内の成膜部５のアノード８
に、成膜部５を通過しながら成膜される被成膜基板Ａを
加熱する基板ヒーター０を設けたものであり、この基板
ヒーター０は、アノード８の被成膜基板Ａと対向する面
に、このアノード８のスパッタ粒子通過開口を囲んで設
けられている。

なお、この基板ヒーター０は例えば赤外線ヒータであり
、この基板ヒーター０は図示しないヒータ制御部に接続
されている。

このスパッタ装置は、図示しない基板キャリアによって
スパッタ室１内を搬送移動される被成膜基板Ａを、まず
ヒータ部４を通過する過程で所定温度に加熱し、さらに
この基板Ａを、成膜部５を通過する際にも所定温度に加
熱するようにしたもので、成膜部５を通過する基板Ａは
、この成膜部５のアノード８に設けた基板ヒータ１０か
らの放射熱により加熱されながらスパッタリングにより
成膜される。

したがって、このスパッタ装置によれば、ヒータ部４に
おいて加熱された被成膜基板Ａか成膜部５に達するまで
の移動時間中に放熱により温度降下しても、この基板Ａ
を成膜部５において基板ヒータ１０により加熱して基板
温度を昇温させることかできるから、前記基板ヒータ１
０の温度を制御することによって、成膜部５を通過する
間の成膜中における基板温度を、スパッタ粒子が良好に
被着する温度に維持して、良好な品質の被膜を成膜する
ことができる。

なお、上記実施例では、成膜部５の基板ヒータ１０をア
ノード８の基板対向面に設けているが、この基板ヒータ
１０は、アノード８と被成膜基板Ａとの間に設置しても
よい。

また、上記実施例では、成膜中の被成膜基板Ａを加熱す
る基板ヒータ１０を成膜部５に設けているが、この基板
ヒータ］０は、被成膜基板Ａとともに移動させるように
してもよい。

第３図は本発明の第２の実施例を示したもので、この実
施例は、成膜中の被成膜基板Ａを加熱する基板ヒータ１
０を、被成膜基板Ａを搬送する基板キャリア２０に設け
たものである。この基板キャリア２０は、図示しないレ
ール上を走行する車輪２２を備えたキャリア本体２１に
被成膜基板Ａを収容保持する基板保持四部２３を形成し
たもので、基板ヒータ１０は、基板保持四部２３の内奥
面に設けられている。なお、この実施例は、基板キャリ
ア２０に２枚の被成膜基板Ａを背中合わせに保持させて
この２枚の基板Ａに同時に成膜するスパッタ装置に適用
されるもので、基板キャリア２０は、キャリア本体２１
の両面に基板保持凹部２３を形成したものとされ、基板
ヒーター０は、両基板保持凹部２３の内奥面にそれぞれ
設けられるか、あるいは、基板保持凹部２３の内奥壁（
両基板保持凹部２３を仕切る仕切壁）に埋設されて両基
板保持凹部２３に保持される２枚の基板Ａの加熱に共用
するようにしである。また、基板ヒーター０は、例えば
、基板キャリア２０の走行にともなって繰出しまたは巻
取られるリール巻きケーブル（図示せず）を介してヒー
タ制御部に接続されている。

すなわち、この実施例は、被成膜基板Ａを搬送する基板
キャリア２０に基板ヒーター０を設けて成膜中の基板Ａ
を加熱するようにしたものであり、この実施例によれば
、基板キャリア２０により搬送移動される被成膜基板Ａ
を搬送中常時所定温度に加熱しておくことができるから
、成膜中における基板温度をスパッタ粒子が良好に被着
する温度に維持して良好な品質の被膜を成膜することか
できるだけでなく、前記第１の実施例および従来のスパ
ッタ装置においてスパッタ室１内に設けられているヒー
タ部４を不要とすることができる。

〔発明の効果〕

本発明のスパッタ装置は、成膜中の被成膜基板を基板ヒ
ータによって加熱しておくようにしたものであるから、
成膜中の基板温度をスパッタ粒子が良好に被着する温度
に維持して、良好な品質の被膜を成膜することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の第１の実施例を示すスパ
ッタ装置の斜視図およびその成膜部の拡大図、第３図は
本発明の第２の実施例を示すスパッタ装置の基板キャリ
アの斜視図、第４図は従来のバッタ装置の斜視図である
。 １・・・スパッタ室、２・・・基板装入室、３・・・基
板取出室、４・・・ヒータ部、５・・・成膜部、６・・
・磁石、７・・・ターゲット、８・・・アノード、１０
・・・基板ヒータ、２０・・・基板キャリア、Ａ・・・
被成膜基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被成膜基板を移動させながらこの基板面に成膜するスパ
   ッタ装置において、成膜中の被成膜基板を加熱する基板
   ヒータを設けたことを特徴とするスパッタ装置。