JP2012184490A - 被膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プレート状のワークWの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、所定間隔で配列した複数の真空チャンバー1A〜1Pと、これらの真空チャンバーを移動させるターンテーブル4と、ワークWを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空ポンプ3を備え、各真空チャンバー1A〜1Pが、ワークWを保持するワーク治具4と、スパッタリング用のターゲット5と、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段14と、ターゲット5に高電圧を印加する電圧印加手段16を備えた構成とし、製造コストの低減やタクトタイムの短縮化を実現した。
【選択図】図1
Description
図1(A)に示す被膜形成装置は、プレート状のワークWの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置である。ワークWは、その平面形状や材料がとくに限定されるものではないが、例えば金属製の矩形のプレートであって、その表面にスパッタリングにより導電性被膜を形成することで、導電部材として用いられる。この場合、ワークWは導電部材の基材である。
図示の被膜形成装置は、複数の真空チャンバー1A〜1Lを直線的に配列したものである。この被膜形成装置は、リニア駆動式のチャンバー移送手段15により、真空チャンバー1A〜1Lをその配列方向(図中において右方向)に一斉に移動させる。そして、搬送経路上に、ワークWの収容領域A11、真空引き領域A12、加熱領域A13、ボンバード領域A14、成膜領域A15及びワークWの取り出し領域A16を順に設定している。
2 ロータリテーブル(チャンバー移送手段)
3 真空ポンプ(真空排気手段)
4 ワーク治具
4A 第1の治具
4B 第2の治具
5 ターゲット
6 磁気回路
13 (バイアス電圧の)電源
14 不活性ガス導入手段
15 チャンバー移送手段
16 電圧印加手段
A1 準備領域
A2 A12 真空引き領域
A3 A13 加熱領域
A4 A14 ボンバード領域
A5 A15 第1成膜領域
A5a 第1成膜領域
A5b 第2成膜領域
A11 収容領域
A16 取り出し領域
E 導電部材
L1 中間層
L2 導電性炭素層
S1 S2 処理ステージ
W ワーク(基材)
Claims (12)
- プレート状のワークの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、
所定間隔で配列した複数の真空チャンバーと、
これらの真空チャンバーをその配列方向に移動させるチャンバー移送手段と、
ワークを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空排気手段を備え、
各真空チャンバーが、その内部でワークを保持するワーク治具と、スパッタリング用のターゲットと、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、ターゲットに高電圧を印加する電圧印加手段を備えていることを特徴とする被膜形成装置。 - 前記ワーク治具が、ターゲットの表面とワークの表面とが平行となる状態に前記ワークを保持することを特徴とする請求項1に記載の被膜形成装置。
- 前記真空チャンバーの内部に、ターゲット及びこのターゲットの裏面に磁場を形成する磁気回路で構成した処理ステージを一方向に複数配列し、
前記ワーク治具が、個々の処理ステージに対してワークを順次搬送する可動式のワーク治具であることを特徴とする請求項1又は2に記載の被膜形成装置。 - 前記処理ステージが、ワーク治具に保持されたワークを間にして、一対のターゲット及び磁気回路を対称的に備えていることを特徴とする請求項3に記載の被膜形成装置。
- 前記真空チャンバーが、ワークにバイアス電圧を印加する電源を備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の被膜形成装置。
- 前記ワーク治具が、二枚のワークを重ねて保持するものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の被膜形成装置。
- 前記ワーク治具が、一枚のワークを夫々保持する第1及び第2の治具から成り、第1及び第2の治具が、個々の処理ステージに対してワークを順次搬送する可動式のワーク治具であることを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の被膜形成装置。
- 複数の真空チャンバーが、周回経路に沿って配列してあることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の被膜形成装置。
- 前記周回経路上に、真空チャンバーに対してワークを出し入れする準備領域と、ワークを収容した真空チャンバー内を真空引きして不純物を除去する真空引き領域と、真空チャンバー内を加熱して水分を除去する加熱領域と、真空チャンバー内に不活性ガスを供給してワーク表面の酸化被膜を除去するボンバード領域と、最初の処理ステージにおいてワークの表面に被膜を形成する成膜領域を順に備え、
チャンバー移送手段により、各真空チャンバーを配列方向に移動させて、夫々の領域に順次移動させることを特徴とする請求項8に記載の被膜形成装置。 - 前記真空チャンバー内に二つの処理ステージを備え、
前記周回経路上に、真空チャンバーに対してワークを出し入れする準備領域と、ワークを収容した真空チャンバー内を真空引きして不純物を除去する真空引き領域と、真空チャンバー内を加熱して水分を除去する加熱領域と、真空チャンバー内に不活性ガスを供給してワーク表面の酸化被膜を除去するボンバード領域と、最初の処理ステージにおいてワークの表面に被膜を形成する第1成膜領域と、次のステージに移動させたワークの表面に被膜を形成する第2成膜領域を順に備え、
チャンバー移送手段により、各真空チャンバーを配列方向に移動させて、夫々の領域に順次移動させることを特徴とする請求項8に記載の被膜形成装置。 - 請求項10に記載の被膜形成装置によって製造した導電部材であって、
基材としてのワークがステンレス製であり、
第1成膜領域で形成した被膜が、クロムの中間層であり、
第2成膜領域で形成した被膜が、導電性炭素を含む導電性炭素層であることを特徴とする導電部材。 - 前記導電性炭素層において、ラマン散乱分光分析により測定されたDバンドピーク強度(ID)と、Gバンドピーク強度(IG)との強度比R(ID/IG)が1.3以上であり、
前記中間層は、柱状構造を有しており、さらに前記中間層の表面上に、前記導電性炭素層を構成する突起状粒子が存在していることを特徴とする請求項11に記載の導電部材。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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