JPH03246901A - 厚膜抵抗組成物、該組成物を用いたハイブリッドicおよびその製法 - Google Patents
厚膜抵抗組成物、該組成物を用いたハイブリッドicおよびその製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、厚膜ハイブリッドIC等のCu導体に好適な
還元性雰囲気中で焼成できる厚膜抵抗組成物、該組成物
を用いた厚膜ハイブリッドICおよびその製法に関する
。
還元性雰囲気中で焼成できる厚膜抵抗組成物、該組成物
を用いた厚膜ハイブリッドICおよびその製法に関する
。
[従来の技術]
厚膜ハイブリッドICは、一般に、導体回路にAg−P
d系材料、抵抗体にはRub2−ガラス系材料が使用さ
れている。しかし、Ag−Pd系材料はインピーダンス
が高く、エレクトロマイグレーションを起こし易いと云
う欠点があり、厚膜ハイブリッドICに用いる上で問題
となっていた。
d系材料、抵抗体にはRub2−ガラス系材料が使用さ
れている。しかし、Ag−Pd系材料はインピーダンス
が高く、エレクトロマイグレーションを起こし易いと云
う欠点があり、厚膜ハイブリッドICに用いる上で問題
となっていた。
Ag−Pd系材料に比べてインピーダンスが低くエレク
トロマイグレーションを起こさないCu系材料が導体回
路用材料として注目されているが、Cuは酸化され易い
ので還元性雰囲気例えば窒素ガス中でないと焼成できな
い。
トロマイグレーションを起こさないCu系材料が導体回
路用材料として注目されているが、Cuは酸化され易い
ので還元性雰囲気例えば窒素ガス中でないと焼成できな
い。
一方、抵抗体として前記Ru O2−ガラス系材料を用
いると、窒素ガス中ではRuO□が還元されてしまうと
云う問題がある。そこで、導体回路にCu系材料を用い
た厚膜ハイブリッドICにおいては、還元性雰囲気中で
も用いることができる抵抗材料としてLaBGが知られ
ている(特公昭59−51721号)。しかし、これは
抵抗値で10にΩ/口までしかカバーできないのが実状
である。
いると、窒素ガス中ではRuO□が還元されてしまうと
云う問題がある。そこで、導体回路にCu系材料を用い
た厚膜ハイブリッドICにおいては、還元性雰囲気中で
も用いることができる抵抗材料としてLaBGが知られ
ている(特公昭59−51721号)。しかし、これは
抵抗値で10にΩ/口までしかカバーできないのが実状
である。
厚膜ハイブリッドIC用としての抵抗材料に要求される
抵抗値範囲は、10Ω/口〜IMΩ/口である。従って
、還元性雰囲気中で焼成する厚膜ハイブリッドICの上
記抵抗値範囲をカバーするためには、10Ω/口〜1に
07口付近までをLaB、−ガラス系材料で、また、1
0にΩ/口〜IMkΩ/口を S n 02−ガラス系
材料を用いて対応されている。
抵抗値範囲は、10Ω/口〜IMΩ/口である。従って
、還元性雰囲気中で焼成する厚膜ハイブリッドICの上
記抵抗値範囲をカバーするためには、10Ω/口〜1に
07口付近までをLaB、−ガラス系材料で、また、1
0にΩ/口〜IMkΩ/口を S n 02−ガラス系
材料を用いて対応されている。
また、 Rub、−ガラス系に匹敵する高性能な抵抗材
料はいまだ見出されておらず、そのためにAg−Pdの
導体回路にRub、−ガラス系の抵抗体を組合せて用い
られている。
料はいまだ見出されておらず、そのためにAg−Pdの
導体回路にRub、−ガラス系の抵抗体を組合せて用い
られている。
[発明が解決しようとする課題]
Cu系導体回路と組合せる抵抗体の導電性成分としでは
、金属ほう化物が考えられる。
、金属ほう化物が考えられる。
金属ほう化物としては、前記LaB、−ガラス系が用い
られているが、これは、TCR(抵抗温度係数)が不安
定であり、ハイブリッドIC等の抵抗材料としては問題
である。
られているが、これは、TCR(抵抗温度係数)が不安
定であり、ハイブリッドIC等の抵抗材料としては問題
である。
上記LaB、−ガラス系抵抗材料のTCRを改善する方
法として、LaB、と非反応性であるT I O,T
I 30st T x20.、 N b O+ Ct
S l rGe、SiC等の物質をTCR調節剤として
配合することが提案されている(特開昭55−2919
9号)。
法として、LaB、と非反応性であるT I O,T
I 30st T x20.、 N b O+ Ct
S l rGe、SiC等の物質をTCR調節剤として
配合することが提案されている(特開昭55−2919
9号)。
しかし、これは本発明者らの検討によれば、厚膜ハイブ
リッドICの抵抗材料に要求される前記抵抗値範囲(1
0Ω/口〜IMΩ/口)、特に低抵抗領域(10Ω/口
〜1にΩ/口)の抵抗体のTCRを所定の範囲内に抑え
るには十分とは云えない。
リッドICの抵抗材料に要求される前記抵抗値範囲(1
0Ω/口〜IMΩ/口)、特に低抵抗領域(10Ω/口
〜1にΩ/口)の抵抗体のTCRを所定の範囲内に抑え
るには十分とは云えない。
本発明の目的は、 LaB、などの金属ほう化物を含む
厚膜抵抗組成物からなる抵抗体が、通常高精度抵抗体に
要求されるTCR±1100pp/℃以内の特性と、厚
膜ハイブリッドICの抵抗材料に要求される前記抵抗範
囲を与える厚膜抵抗組成物および該組成物を用いた厚膜
ハイブリッドICを提供することにある。
厚膜抵抗組成物からなる抵抗体が、通常高精度抵抗体に
要求されるTCR±1100pp/℃以内の特性と、厚
膜ハイブリッドICの抵抗材料に要求される前記抵抗範
囲を与える厚膜抵抗組成物および該組成物を用いた厚膜
ハイブリッドICを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するための本発明の要旨は下記のとおり
である。
である。
(1)金属ほう化物、ガラスおよび有機ビヒクルを含む
厚膜抵抗組成物において、 前記金属ほう化物とガラスの混合物100重量部に対し
Coまたは結晶性Co酸化物をCo量で0.1〜10重
量部含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。
厚膜抵抗組成物において、 前記金属ほう化物とガラスの混合物100重量部に対し
Coまたは結晶性Co酸化物をCo量で0.1〜10重
量部含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。
(2)無機質基板上にCu導体回路と、該導体回路に接
して形成された厚膜抵抗体とを有するハイブリットIC
において、 前記厚膜抵抗体が金属ほう化物とガラス、およびCoま
たは結晶性のCo酸化物を含む組成物の焼結体からなり
、 該焼結体は、その抵抗温度係数(TCR)が±100
p p m / ’C以内となるに必要な量の結晶性の
GoまたはCo酸化物を含む組成物の焼結体であること
を特徴とするハイブリッドIC。
して形成された厚膜抵抗体とを有するハイブリットIC
において、 前記厚膜抵抗体が金属ほう化物とガラス、およびCoま
たは結晶性のCo酸化物を含む組成物の焼結体からなり
、 該焼結体は、その抵抗温度係数(TCR)が±100
p p m / ’C以内となるに必要な量の結晶性の
GoまたはCo酸化物を含む組成物の焼結体であること
を特徴とするハイブリッドIC。
本発明において、金属ほう化物としては希土類元素、
mV、 V、 VI、■族から選ばれる金属のほう化物
がある。その具体例としては、L a B6゜TiB2
.ZrB2.TaB2.MoB、WB。
mV、 V、 VI、■族から選ばれる金属のほう化物
がある。その具体例としては、L a B6゜TiB2
.ZrB2.TaB2.MoB、WB。
FeB、NiB、HfB2.NbB、等が用いられる。
ガラスとしては、非還元性のガラスであれば特に限定さ
れないがほうけい酸ガラスが好ましい。
れないがほうけい酸ガラスが好ましい。
前記金属ほう化物と前記ガラスとの配合比は、目的とす
る抵抗体の抵抗値範囲等によって決定される。
る抵抗体の抵抗値範囲等によって決定される。
Coまたは結晶性のCo酸化物は、前記金属ほう化物と
前記ガラスの混合物100重量部に対し、Co量に換算
して0.1〜10重量部の範囲が好ましい。
前記ガラスの混合物100重量部に対し、Co量に換算
して0.1〜10重量部の範囲が好ましい。
なお、ガラスにはCoまたはCo酸化物を含むものもあ
るが、後述するように本発明者らの検討によれば、こう
したガラス中に含まれるGoまたはCo酸化物では、本
発明の目的を達成することができない。
るが、後述するように本発明者らの検討によれば、こう
したガラス中に含まれるGoまたはCo酸化物では、本
発明の目的を達成することができない。
本発明の抵抗組成物を用いれば、還元性雰囲気中で焼成
することができるので、導体回路にCu系材料を用いる
ことができ、低インピーダンスでTCRの小さなハイブ
リッドICを提供することができる。
することができるので、導体回路にCu系材料を用いる
ことができ、低インピーダンスでTCRの小さなハイブ
リッドICを提供することができる。
また、本発明において、ハイブリッドIC等の電子回路
を形成する基板には無機質基板が用いられるが、前記C
u回路および抵抗体と、還元性雰囲気中で一体に焼成で
きるグリーンシート等のグリーンボディを用いるのがよ
い。その−例として、アルミナ、アルミナ・ほうけい酸
ガラス等のグリンボデイがある。これらは1周知の方法
により作成することができる。
を形成する基板には無機質基板が用いられるが、前記C
u回路および抵抗体と、還元性雰囲気中で一体に焼成で
きるグリーンシート等のグリーンボディを用いるのがよ
い。その−例として、アルミナ、アルミナ・ほうけい酸
ガラス等のグリンボデイがある。これらは1周知の方法
により作成することができる。
[作用コ
本発明の抵抗組成物がCu導体と好適で高精度な抵抗体
を得ることができるのは、金属ほう化物とガラスを含む
組成物に、Coまたは結晶性のCo化合物を含ませたこ
とにある。これにより、還元性雰囲気中で焼成されると
、金属ほう化物粒子の粒界にCoほう化物が形成される
。
を得ることができるのは、金属ほう化物とガラスを含む
組成物に、Coまたは結晶性のCo化合物を含ませたこ
とにある。これにより、還元性雰囲気中で焼成されると
、金属ほう化物粒子の粒界にCoほう化物が形成される
。
上記Coほう化物が金属ほう化物の焼結をより促進し、
強固で安定な抵抗体を形成する。これによって、金属ほ
う化物間の電気的接触も良好になり、抵抗値のばらつき
を低減する。また、金属ほう化物粒子近傍のガラスに半
導体的性質を付与し、抵抗値の変化を抑制して、TCR
を正から負に変えるために、抵抗体のTCRを実質的に
減少できるものと考える。
強固で安定な抵抗体を形成する。これによって、金属ほ
う化物間の電気的接触も良好になり、抵抗値のばらつき
を低減する。また、金属ほう化物粒子近傍のガラスに半
導体的性質を付与し、抵抗値の変化を抑制して、TCR
を正から負に変えるために、抵抗体のTCRを実質的に
減少できるものと考える。
[実施例1]
金属ほう化物としてLaB、(平均粒径1μm)粉末、
第1表組成のほうけい酸ガラス1(平均粒径5μm)粉
末およびCoo (平均粒径5μm)粉末をよく混合す
る。該混合物に、アクリル樹脂をブチルカルピトールに
溶解した有機ビヒクルを所定量添加し、均一に混合して
抵抗組成物のペーストを作成した。なお、該ペーストは
、 LaB。
第1表組成のほうけい酸ガラス1(平均粒径5μm)粉
末およびCoo (平均粒径5μm)粉末をよく混合す
る。該混合物に、アクリル樹脂をブチルカルピトールに
溶解した有機ビヒクルを所定量添加し、均一に混合して
抵抗組成物のペーストを作成した。なお、該ペーストは
、 LaB。
とガラス1の配合量を一定(体積比で1=1)にし、C
o Oの添加量を変えたもの(No、1〜No、6)と
、LaBいガラス1の配合量およびCo Oの添加量を
ある範囲内で変えたもの(No、7〜No、9)を調製
した。
o Oの添加量を変えたもの(No、1〜No、6)と
、LaBいガラス1の配合量およびCo Oの添加量を
ある範囲内で変えたもの(No、7〜No、9)を調製
した。
第 1 表
(No、5はガラス化せず)
上記ペーストを、予めCu導体回路が形成されたアルミ
ナ基板上に325メツシユのスクリーンマスクを用いて
抵抗パターンを印刷した。これを酸素濃度10ppmの
窒素ガス雰囲気中のベルト炉中で900℃に加熱して焼
成した。
ナ基板上に325メツシユのスクリーンマスクを用いて
抵抗パターンを印刷した。これを酸素濃度10ppmの
窒素ガス雰囲気中のベルト炉中で900℃に加熱して焼
成した。
上記焼成後の抵抗体の特性を第2表に示す。
表から明らかなように、8.7Ω/口〜29.6にΩ/
口の抵抗値を有する厚膜抵抗体のTCRをCooの僅か
な添加により極めて小さくすることができる。
口の抵抗値を有する厚膜抵抗体のTCRをCooの僅か
な添加により極めて小さくすることができる。
[比較例1]
第1表に示すように、Co Oを含有させたガラス2〜
4を用いた抵抗組成物について比較を行った。該ガラス
は、各酸化物を混合して1500℃。
4を用いた抵抗組成物について比較を行った。該ガラス
は、各酸化物を混合して1500℃。
1時間保持後、水中に投入して急冷し、カレントを得た
。これをらいかい機1次いでボールミルにより粉砕して
、平均粒径5μmの粉末とした。
。これをらいかい機1次いでボールミルにより粉砕して
、平均粒径5μmの粉末とした。
これを第3表に示す比率でLaB、と組合せ実施例1と
同様にして抵抗体を作成した。該抵抗体の抵抗特性を第
3表に示す。
同様にして抵抗体を作成した。該抵抗体の抵抗特性を第
3表に示す。
第3表から明らかなように、Co Oをガラスに含ませ
て添加した場合はTCRを低下させることはできない。
て添加した場合はTCRを低下させることはできない。
[実施例2]
第4表に示す金属ほう化物およびCo、Co酸化物を用
いて抵抗組成物を調製した。また、ガラスは前記第1表
のガラス1を用いた。
いて抵抗組成物を調製した。また、ガラスは前記第1表
のガラス1を用いた。
なお、金属ほう化物とガラスは、体積比ではメ゛1:1
となるように配合した。
となるように配合した。
上記の抵抗組成物を用いて実施例1と同様に抵抗体を作
成し、抵抗特性を測定した。結果を第4表に示す。
成し、抵抗特性を測定した。結果を第4表に示す。
第4表から明らかなように、CoまたはCo酸化物を添
加したものは、抵抗体のTCRを著しく低下することが
できる。
加したものは、抵抗体のTCRを著しく低下することが
できる。
[実施例3]
ステレオの音声分離、ビデオの色再現に必要な抵抗マト
リックス回路の抵抗体は、高精度なものが要求される。
リックス回路の抵抗体は、高精度なものが要求される。
例えば、ステレオ音声の分離度と抵抗値精度との関係は
次式(1)で示される。
次式(1)で示される。
ここで、Sは分離度、αは抵抗値精度を表す。
ステレオ音声の左右の分離度は、一般に40dB以上が
要求される。抵抗値精度が一1%の場合、α=0.99
となり、Sは46dBとなる。従って、分離度を40d
B以上とするには、抵抗値精度は、±1%以内が要求さ
れ、TCRも必然的に±1100pp/℃以内とする必
要がある。
要求される。抵抗値精度が一1%の場合、α=0.99
となり、Sは46dBとなる。従って、分離度を40d
B以上とするには、抵抗値精度は、±1%以内が要求さ
れ、TCRも必然的に±1100pp/℃以内とする必
要がある。
第2図は、ステレオ音声を処理する抵抗マトリックス回
路の回路図である。前記の音声分離度を達成するために
は、R1−R8およびR,□〜R44の各抵抗体の抵抗
値精度が±1%以内である必要がある。
路の回路図である。前記の音声分離度を達成するために
は、R1−R8およびR,□〜R44の各抵抗体の抵抗
値精度が±1%以内である必要がある。
そこでこれらの抵抗体を第2表に示す抵抗組成物を用い
て作成した。その結果、優れた音声分離度のものが得ら
れた。
て作成した。その結果、優れた音声分離度のものが得ら
れた。
第1図は、上記マトリックス回路をハイブリッドIC化
した回路パターンの一部を示すものである。なお、本発
明によりCu導体を用いることができる。
した回路パターンの一部を示すものである。なお、本発
明によりCu導体を用いることができる。
[実施例4コ
本実施例は、Cuを導体回路とする低温焼成の3次元多
層ハイブリッドICの内層用抵抗体に、本発明の抵抗組
成物を適用した例である。
層ハイブリッドICの内層用抵抗体に、本発明の抵抗組
成物を適用した例である。
第4図は抵抗およびコンデンサを用いたアクテイブフィ
ルタの一例である。11個の抵抗体と2個のコンデンサ
から構成され、これらの各受動素子は多層板に内臓する
ことにより実装密度を高めることができる。
ルタの一例である。11個の抵抗体と2個のコンデンサ
から構成され、これらの各受動素子は多層板に内臓する
ことにより実装密度を高めることができる。
第3図は上記アクティブフィルタの部分断面図である。
アルミナ・ほうけい酸ガラスから成るグリーンシートに
スルーホールを穿け、Cu導体回路を印刷する。その上
に抵抗体を印刷形成する。本実施例では、該抵抗体とし
て焼成後の抵抗値が30Ω/口〜10にΩ/口となるよ
うに、第2表のN04 、 N o 、 7 r N
o −8およびNo、9の抵抗組成物を用いた。該実装
多層板は、実施例1と同様にして900℃で焼成した。
スルーホールを穿け、Cu導体回路を印刷する。その上
に抵抗体を印刷形成する。本実施例では、該抵抗体とし
て焼成後の抵抗値が30Ω/口〜10にΩ/口となるよ
うに、第2表のN04 、 N o 、 7 r N
o −8およびNo、9の抵抗組成物を用いた。該実装
多層板は、実施例1と同様にして900℃で焼成した。
各抵抗体のTCRは±1100pp/℃以内の高精度な
アクティブフィルタを得ることができた[発明の効果] 本発明の抵抗組成物は、Cuを導体回路とする集積回路
の抵抗体として還元性雰囲気中で、Cu導体と一体焼成
することができ、かつ、得られた抵抗体のTCRを±1
100pp/℃以内にできる効果がある。従って、高精
度のハイブリッドIC用を提供することができる。
アクティブフィルタを得ることができた[発明の効果] 本発明の抵抗組成物は、Cuを導体回路とする集積回路
の抵抗体として還元性雰囲気中で、Cu導体と一体焼成
することができ、かつ、得られた抵抗体のTCRを±1
100pp/℃以内にできる効果がある。従って、高精
度のハイブリッドIC用を提供することができる。
第1図は抵抗マトリックス回路をハイブリッドIC化し
た回路パターンの部分図、第2図は抵抗マトリックス回
路図、第3図は3次元多層ハイブリッドICの部分断面
図、第4図はアクティブフィルタの回路図である。 1・・・抵抗体、2・・Cu導体、3・・基板、4・・
・多層基板内抵抗体、5・・コンデンサ。
た回路パターンの部分図、第2図は抵抗マトリックス回
路図、第3図は3次元多層ハイブリッドICの部分断面
図、第4図はアクティブフィルタの回路図である。 1・・・抵抗体、2・・Cu導体、3・・基板、4・・
・多層基板内抵抗体、5・・コンデンサ。
Claims (6)
- 1.金属ほう化物、ガラスおよび有機ビヒクルを含む厚
膜抵抗組成物において、 前記金属ほう化物とガラスの混合物100重量部に対し
Coまたは結晶性Co酸化物をCo量で0.1〜10重
量部含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 2.金属ほう化物、ガラスおよび有機ビヒクルを含む厚
膜抵抗組成物において、 希土類元素、IV、V、VI、VIII族から選ばれる金属のほ
う化物とガラスの混合物100重量部に対しCoまたは
結晶性のCo酸化物をCo量で0.1〜10重量部含む
ことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 3.無機質基板上にCu導体回路と、該導体回路に接し
て形成された厚膜抵抗体とを有するハイブリッドICに
おいて、 前記厚膜抵抗体が金属ほう化物とガラスの混合物100
重量部に対しCoまたは結晶性のCo酸化物をCo量で
0.1〜10重量部含む組成物の焼結体であることを特
徴とするハイブリッドIC。 - 4.無機質基板上にCu導体回路と、該導体回路に接し
て形成された厚膜抵抗体とを有するハイブリッドICに
おいて、 前記厚膜抵抗体が希土類元素、IV、V、VI、VIII族から
選ばれる金属のほう化物とガラスの混合物100重量部
に対しCoまたは結晶性のCo酸化物をCo量で0.1
〜10重量部含む組成物の焼結体であることを特徴とす
るハイブリッドIC。 - 5.無機質基板上にCu導体回路と、該導体回路に接し
て形成された厚膜抵抗体とを有するハイブリッドICに
おいて、 前記厚膜抵抗体が希土類元素、IV、V、VI、VIII族から
選ばれる金属のほう化物とガラス、およびCoまたは結
晶性のCo酸化物を含む組成物の焼結体からなり、 該焼結体は、その抵抗温度係数(TCR)が±100p
pm/℃以内となるに必要な量のCoまたは結晶性のC
o酸化物を含む組成物の焼結体であることを特徴とする
ハイブリッドIC。 - 6.無機質材料からなるグリーンボディ上にCu導体回
路を形成する工程、 希土類元素、IV、V、VI、VIII族から選ばれる金属のほ
う化物とガラスの混合物100重量部に対しCoまたは
結晶性のCo酸化物をCo量で0.1〜10重量部と、
ビヒクルを含む抵抗組成物を、前記導体回路に接して所
定の抵抗体パターンに形成する工程、 還元性雰囲気中で、前記グリーンボディ、 Cu導体回路および抵抗体パターンを1体に加熱焼成す
る工程を含むことを特徴とするハイブリッドICの製法
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043688A JPH03246901A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 厚膜抵抗組成物、該組成物を用いたハイブリッドicおよびその製法 |
US07/659,682 US5204166A (en) | 1990-02-23 | 1991-02-25 | Thick film resistor composition, hybrid IC using the composition, and process for producing the hybrid IC |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043688A JPH03246901A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 厚膜抵抗組成物、該組成物を用いたハイブリッドicおよびその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03246901A true JPH03246901A (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12670781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2043688A Pending JPH03246901A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 厚膜抵抗組成物、該組成物を用いたハイブリッドicおよびその製法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5204166A (ja) |
JP (1) | JPH03246901A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3559090B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2004-08-25 | 株式会社デンソー | 厚膜回路基板 |
JP3927250B2 (ja) * | 1995-08-16 | 2007-06-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 窒化アルミニウム基板用厚膜導体ペースト組成物 |
US6399230B1 (en) | 1997-03-06 | 2002-06-04 | Sarnoff Corporation | Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors |
EP1434750B1 (en) * | 2001-10-09 | 2006-08-02 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Thick film conductor compositions for use on aluminum nitride substrates |
CN100386829C (zh) * | 2004-07-28 | 2008-05-07 | 王克政 | Ptc厚膜电路可控电热元件 |
JP4935294B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-05-23 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路 |
JP5119894B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2013-01-16 | 富士電機株式会社 | ドライバ回路 |
CN103650648B (zh) * | 2011-06-29 | 2017-06-09 | 株式会社村田制作所 | 多层陶瓷基板及其制造方法 |
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JPH02312201A (ja) * | 1989-05-29 | 1990-12-27 | Hitachi Ltd | 抵抗組成物、これを用いた回路基板及び電子装置 |
JPH03116801A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Asahi Glass Co Ltd | 抵抗体ペースト |
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---|---|---|---|---|
US4168344A (en) * | 1975-11-19 | 1979-09-18 | Trw Inc. | Vitreous enamel material for electrical resistors and method of making such resistors |
US4695504A (en) * | 1985-06-21 | 1987-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thick film resistor composition |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043688A patent/JPH03246901A/ja active Pending
-
1991
- 1991-02-25 US US07/659,682 patent/US5204166A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5204166A (en) | 1993-04-20 |
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