JPH03243901A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03243901A JPH03243901A JP2041725A JP4172590A JPH03243901A JP H03243901 A JPH03243901 A JP H03243901A JP 2041725 A JP2041725 A JP 2041725A JP 4172590 A JP4172590 A JP 4172590A JP H03243901 A JPH03243901 A JP H03243901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- refractive index
- semiconductor laser
- lenses
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体レーザ装置、とくにレーザ光を受光素
子に集光するレンズを有する半導体レーザ装置のレンズ
の改良に関する。
子に集光するレンズを有する半導体レーザ装置のレンズ
の改良に関する。
[従来の技術]
従来から、半導体レーザチップを並列配置し、それぞれ
の半導体レーザチップから出射されるレーザ光をレンズ
により集光して、受光素子に供給する半導体レーザ装置
が知られている。
の半導体レーザチップから出射されるレーザ光をレンズ
により集光して、受光素子に供給する半導体レーザ装置
が知られている。
このような半導体レーザ装置としては、例えば実開昭6
3−15077号公報に開示されているものがあり、第
2図には、これと同様の構成を有する従来装置の例が示
されている。
3−15077号公報に開示されているものがあり、第
2図には、これと同様の構成を有する従来装置の例が示
されている。
この図においては、3個の半導体レーザチップ(以下、
単にLDという)10−1.10−2.10−3が並設
されている。これらLDIO−1,10−2,10−3
は、それぞれレーザ光のビーム100−1.100−2
.100−3を出射する。ビーム100同士の間隔は、
例えば100μm程度である。
単にLDという)10−1.10−2.10−3が並設
されている。これらLDIO−1,10−2,10−3
は、それぞれレーザ光のビーム100−1.100−2
.100−3を出射する。ビーム100同士の間隔は、
例えば100μm程度である。
また、LDloは、レンズ12を介してフォトダイオー
ド(以下、単にPDという)14に対向している。PC
l3は、例えばシリコンからなる基板16上にボロンを
拡散して3個の受光部18−1.18−2.18−3を
形成した素子である。
ド(以下、単にPDという)14に対向している。PC
l3は、例えばシリコンからなる基板16上にボロンを
拡散して3個の受光部18−1.18−2.18−3を
形成した素子である。
レンズ12は、焦点距離りの凸型光学レンズであり、L
DIOから距離りの位置に配設されている。LDlo−
1,10−2,10−3から発せられたビーム100−
1.100−2.1003は、レンズ12によってそれ
ぞれ受光部18−3.18−2.18−1上に集光され
る。
DIOから距離りの位置に配設されている。LDlo−
1,10−2,10−3から発せられたビーム100−
1.100−2.1003は、レンズ12によってそれ
ぞれ受光部18−3.18−2.18−1上に集光され
る。
このような半導体レーザ装置は、例えば先ディスク装置
において、レーザの出力制御(APC)に用いられる。
において、レーザの出力制御(APC)に用いられる。
この場合、LDIO−”1.102.10−3の光は、
例えばディスクの消去用、記録用、再生用であり、レー
ザ光のビームを図の左側(レンズ12と逆側)に出射し
て光ディスクに供給する一方で、図の右側にも出射する
。そして、PD14の検知出力に応じて、LDIOの発
振出力が制御される。さらに、この図の半導体レーザ装
置においては、レンズ12によりいわゆる迷光(異なる
受光部への光のもれこみ)か防止され、迷光に起因する
前述のAPCの誤りが防止される。
例えばディスクの消去用、記録用、再生用であり、レー
ザ光のビームを図の左側(レンズ12と逆側)に出射し
て光ディスクに供給する一方で、図の右側にも出射する
。そして、PD14の検知出力に応じて、LDIOの発
振出力が制御される。さらに、この図の半導体レーザ装
置においては、レンズ12によりいわゆる迷光(異なる
受光部への光のもれこみ)か防止され、迷光に起因する
前述のAPCの誤りが防止される。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来装置においては、単一の
レンズにより複数のビームの集光が行われるため、受光
素子の大きさやレンズの位置がレンズの焦点距離等によ
り制約される。
レンズにより複数のビームの集光が行われるため、受光
素子の大きさやレンズの位置がレンズの焦点距離等によ
り制約される。
これにつき第2図に基づき説明すると、例えば、LDI
Oと受光部18の距離が大きい場合、ビーム100を対
応する受光部18に集光するためには、この受光部18
の面積を大きくとらねばならない。結果として、PD1
4が大きなものとなってしまう。これを避けるためには
、レンズ12を通過したビーム100の拡がりを抑えれ
ばよい。
Oと受光部18の距離が大きい場合、ビーム100を対
応する受光部18に集光するためには、この受光部18
の面積を大きくとらねばならない。結果として、PD1
4が大きなものとなってしまう。これを避けるためには
、レンズ12を通過したビーム100の拡がりを抑えれ
ばよい。
しかし、このときは、レンズ12とLDIOの距MLを
レンズ12の焦点路HDとほぼ等しくする等、レンズ1
2の位置に制約が生じてしまう。
レンズ12の焦点路HDとほぼ等しくする等、レンズ1
2の位置に制約が生じてしまう。
このような制約は、半導体レーザ装置の設計の自由度を
低くする要因となり、半導体レーザ装置を搭載する装置
の大型化要因となる。
低くする要因となり、半導体レーザ装置を搭載する装置
の大型化要因となる。
さらに、LDIOと受光部18の位置関係にばらつきが
生じている場合、各ビーム100−1.100−2.1
00−3を適確に分離してそれぞれの受光部18−3.
18−2.18−1に受光させることが困難である。こ
の結果、PD14の応答速度が低下してしまう。また、
レンズ12が単一であるので、かかるばらつきを調整す
ることも困難である。
生じている場合、各ビーム100−1.100−2.1
00−3を適確に分離してそれぞれの受光部18−3.
18−2.18−1に受光させることが困難である。こ
の結果、PD14の応答速度が低下してしまう。また、
レンズ12が単一であるので、かかるばらつきを調整す
ることも困難である。
本発明は、この様な問題点を解決することを課題として
なされたものであり、装置の小型化、高速応答化、設計
自由度の向上が可能な半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。
なされたものであり、装置の小型化、高速応答化、設計
自由度の向上が可能な半導体レーザ装置を提供すること
を目的とする。
[課題を解決するための手段]
この様な目的を達成するために、本発明は、レンズが受
光素子毎に形成される分布屈折率レンズであることを特
徴とする。
光素子毎に形成される分布屈折率レンズであることを特
徴とする。
[作用]
本発明においては、LDから並列出射されるレーザ光の
ビームは、それぞれレンズを介して異なる受光素子に集
光される。このとき、レンズが分布屈折率レンズである
ため、微小化・集積化が容易である。さらに、レンズが
受光素子毎に形成されているため、各素子間の位置関係
のばらつきによる受光素子の応答速度の低下が防止され
、レンズの配置がより自由になるため設計の自由度が高
まることとなる。
ビームは、それぞれレンズを介して異なる受光素子に集
光される。このとき、レンズが分布屈折率レンズである
ため、微小化・集積化が容易である。さらに、レンズが
受光素子毎に形成されているため、各素子間の位置関係
のばらつきによる受光素子の応答速度の低下が防止され
、レンズの配置がより自由になるため設計の自由度が高
まることとなる。
[実施例]
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する
。なお、第2図に示される従来例と同様の構成には同一
の符号を付し、説明を省略する。
。なお、第2図に示される従来例と同様の構成には同一
の符号を付し、説明を省略する。
第1図には、本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置
の構成が示されている。
の構成が示されている。
この実施例においては、例えばPINフォトダイオード
であるPD14が、LDloから例えば3〜5mm程度
の位置において14−1.14−2.14〜3の3個に
分割形成されている。
であるPD14が、LDloから例えば3〜5mm程度
の位置において14−1.14−2.14〜3の3個に
分割形成されている。
さらに、レンズ20としては、平面マイクロレンズが用
いられている。この平面マイクロレンズは、分布屈折率
レンズ22−L 22−2.22−3が平板状に配列さ
れているレンズである。
いられている。この平面マイクロレンズは、分布屈折率
レンズ22−L 22−2.22−3が平板状に配列さ
れているレンズである。
ここで、分布屈折率レンズとは、一般に中心軸から周辺
に向かって連続的に減少していくような屈折率分布を持
つロッド状レンズである。
に向かって連続的に減少していくような屈折率分布を持
つロッド状レンズである。
このような構成の装置においては、LDIO−1,10
−2,10−3から発せられるビーム100−1.10
0−2.100−3は、それぞれ分布屈折率レンズ22
−1.22−2.22−3によりPCl3−1.14−
2.14−3の受光部18−1.18−2.18−3に
集光される。
−2,10−3から発せられるビーム100−1.10
0−2.100−3は、それぞれ分布屈折率レンズ22
−1.22−2.22−3によりPCl3−1.14−
2.14−3の受光部18−1.18−2.18−3に
集光される。
この実施例においては、PCl3の大きさやレンズ20
の位置の焦点距離等による制約は従来に比べ緩和されて
いる。
の位置の焦点距離等による制約は従来に比べ緩和されて
いる。
例えば、LDIOと受光部18の距離を大きく設定して
も、ビーム100は、分布屈折率レンズ22の焦点距離
の設定により受光部18に集光可能である。
も、ビーム100は、分布屈折率レンズ22の焦点距離
の設定により受光部18に集光可能である。
したがって、受光部18の面積を特に大きく設定する必
要はなく、PCl3のサイズは維持できる。また、レン
ズ20とLDIOの距離も、レンズ20の焦点距離りと
ほぼ等しくする等の設定は厳密には要求されなくなる。
要はなく、PCl3のサイズは維持できる。また、レン
ズ20とLDIOの距離も、レンズ20の焦点距離りと
ほぼ等しくする等の設定は厳密には要求されなくなる。
さらに、分布屈折率レンズ22を用いているため、微小
焦点距離を高精度で実現することができ、従って微小化
・集積化が容易である。
焦点距離を高精度で実現することができ、従って微小化
・集積化が容易である。
この結果、設計の自由度の向上、装置規模の小型化が実
現される。
現される。
さらに、LDlo−1,10−2,10−3と受光部1
8−1.18−2.18−3の位置関係にばらつきが生
じている場合、例えば焦点距離や焦点位置がばらついて
いる場合においても、レンズ20が分布屈折率レンズ2
2−1.22−2.22−3に分離構成されているため
、応答速度が維持されるよう、それぞれの分布屈折率レ
ンズ22−1.22−2.22−3毎に配置・仕様の調
整を行うことができ、各ビーム100−1.100−2
.100−3を適確に集光、分離して受光部18−1.
18−2.18−3にそれぞれ受光させることが可能と
なる。
8−1.18−2.18−3の位置関係にばらつきが生
じている場合、例えば焦点距離や焦点位置がばらついて
いる場合においても、レンズ20が分布屈折率レンズ2
2−1.22−2.22−3に分離構成されているため
、応答速度が維持されるよう、それぞれの分布屈折率レ
ンズ22−1.22−2.22−3毎に配置・仕様の調
整を行うことができ、各ビーム100−1.100−2
.100−3を適確に集光、分離して受光部18−1.
18−2.18−3にそれぞれ受光させることが可能と
なる。
また、本実施例によれば、焦点距離の異なる分布屈折率
レンズ22−1.22−2.22−3を用いれば、PD
ll−1,14−2,14−3をより2次元的に配置す
ることもできる。
レンズ22−1.22−2.22−3を用いれば、PD
ll−1,14−2,14−3をより2次元的に配置す
ることもできる。
なお、レンズ20として平板マイクロレンズに代え、レ
ンズアレイを用いても良い。この場合にも、アレイを構
成するレンズは分布屈折率レンズであり、分割形成され
ているため、同様の効果を得ることができる。
ンズアレイを用いても良い。この場合にも、アレイを構
成するレンズは分布屈折率レンズであり、分割形成され
ているため、同様の効果を得ることができる。
また、分布屈折率レンズ22−1.22−2.22−3
として曲面付きのものを用いても良い。
として曲面付きのものを用いても良い。
[発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、レンズを分布屈
折率レンズにより分割形成したため、装置の小型化、高
速応答化、設計自由度の向上が可能となる。
折率レンズにより分割形成したため、装置の小型化、高
速応答化、設計自由度の向上が可能となる。
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の
構成を示す配置図、 第2図は、従来の半導体レーザ装置の一例の構成を示す
配置図である。 10.10−1.10−2.10−3 ・・・ 半導体レーザチップ 14.14−1.14−2.14−3 ・・ フォトダイオード 0 レンズ 22.22 1.22−2.22−3 ・・・ 分布屈折率レンズ
構成を示す配置図、 第2図は、従来の半導体レーザ装置の一例の構成を示す
配置図である。 10.10−1.10−2.10−3 ・・・ 半導体レーザチップ 14.14−1.14−2.14−3 ・・ フォトダイオード 0 レンズ 22.22 1.22−2.22−3 ・・・ 分布屈折率レンズ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光のビームを所定本数だけ並列出射する半導体レ
ーザチップと、半導体レーザチップに対向してレーザ光
のビームの本数だけ並列配置される受光素子と、半導体
レーザチップと受光素子との間に配置され、前記所定本
数のビームをそれぞれ異なる受光素子に集光するレンズ
と、を有する半導体レーザ装置において、 前記レンズが、受光素子毎に形成される分布屈折率レン
ズであることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041725A JPH03243901A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041725A JPH03243901A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03243901A true JPH03243901A (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=12616399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2041725A Pending JPH03243901A (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03243901A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6315077B2 (ja) * | 1982-07-16 | 1988-04-02 | Mitsubishi Jukogyo Kk | |
JPS6397901A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Fujitsu Ltd | 光学素子アレイ |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP2041725A patent/JPH03243901A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6315077B2 (ja) * | 1982-07-16 | 1988-04-02 | Mitsubishi Jukogyo Kk | |
JPS6397901A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-28 | Fujitsu Ltd | 光学素子アレイ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4737946A (en) | Device for processing optical data with improved optical allignment means | |
JPH06309685A (ja) | 光学式情報記録再生装置のレーザ出力制御装置 | |
KR100370790B1 (ko) | 광헤드장치 | |
KR100349271B1 (ko) | 광픽업 | |
JP4196266B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
JPH03243901A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2780300B2 (ja) | 光検出装置 | |
JPS63164034A (ja) | 光導波路型光ピツクアツプ | |
US7808863B2 (en) | Laser/detector device for optical recording with adjustable detector position | |
JPH0373425A (ja) | 焦点検出装置 | |
JPS61105736A (ja) | フオ−カス制御装置 | |
JPH04155976A (ja) | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 | |
JP2541249B2 (ja) | 光集積回路装置 | |
JP2000235724A (ja) | 光導波路素子及び光ピックアップ | |
US3546469A (en) | Electro-optical displacement measurer using zone plates | |
JPH064898A (ja) | 光ピックアップ | |
KR100432660B1 (ko) | 광픽업 장치 | |
JPH08201666A (ja) | 送受信光モジュール | |
JPH05327129A (ja) | 半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピックアップ装置 | |
JPH0242642A (ja) | 光学ヘッド構造 | |
KR100434367B1 (ko) | 집적된 광학계 일체형 레이저 다이오드 유닛 | |
JPH0719376B2 (ja) | 光ヘツド | |
JP2002140830A (ja) | 光ピックアップ装置及び光ピックアップ装置の製造方法 | |
JPH01287832A (ja) | 光学式情報再生装置 | |
JP2003043256A (ja) | 偏光分離素子、およびレーザーユニット光源 |