JPH03241543A - 相変化型光ディスクの製造方法 - Google Patents
相変化型光ディスクの製造方法Info
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- JPH03241543A JPH03241543A JP3786490A JP3786490A JPH03241543A JP H03241543 A JPH03241543 A JP H03241543A JP 3786490 A JP3786490 A JP 3786490A JP 3786490 A JP3786490 A JP 3786490A JP H03241543 A JPH03241543 A JP H03241543A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、相変化型光ディスクの製造方法に関する。
背景技術
相変化型光ディスクは、例えば、ポリカーボネート（以
下ＰＣという）からなる基板上において、スパッタリン
グ注等によって、保護層、相変化記録層、保護層、反射
層という順番に成膜をして、さらに接着剤層を介して裏
板を貼って、製造されていた。この場合、スパッタリン
グ法等によって得られる相変化記録層は非晶質状態とな
る。
下ＰＣという）からなる基板上において、スパッタリン
グ注等によって、保護層、相変化記録層、保護層、反射
層という順番に成膜をして、さらに接着剤層を介して裏
板を貼って、製造されていた。この場合、スパッタリン
グ法等によって得られる相変化記録層は非晶質状態とな
る。
かかる相変化型光ディスクについて、繰り返しオーバラ
イドを行うと相変化記録層中に空瀕いわゆるボイドが発
生しやすい。これは、相変化記録層の体積についてその
結晶状態より非晶質状態の時の方が大きいため生じる。
イドを行うと相変化記録層中に空瀕いわゆるボイドが発
生しやすい。これは、相変化記録層の体積についてその
結晶状態より非晶質状態の時の方が大きいため生じる。
これらのボイドは、相変化型光デイスク完成後の記録再
生時において、読取りレーザビームの反射光を乱しＣＮ
比を低くするとともにデータエラーの原因となる。
生時において、読取りレーザビームの反射光を乱しＣＮ
比を低くするとともにデータエラーの原因となる。
発明の概要
［発明の目的〕
本発明はデータエラー発生の少ない相変化型光ディスク
を得るための製造方法を提供することにある。
を得るための製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
本発明の相変化型光デイスク製造方法は、透明基板と前
記透明基板上に形成されかつ保護層に挾持された相変化
記録層とを有する相変化型光ディスクを製造する方法で
あって、 透明基板上に形成された保護層上に非晶質状態と結晶質
状態とで反射率が異なる相変化記録材を成膜して相変化
記録層を形成する工程と、前記相変化記録層に対して剥
離容易性を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、 前記相変化記録層をこれを少なくとも部分的に励起した
後、結晶化させる結晶化工程と、前記樹脂層を前記相変
化記録層から除去する工程と、 更なる保護層を前記相変化記録層上に形成する工程とを
含むことを特徴とする。
記透明基板上に形成されかつ保護層に挾持された相変化
記録層とを有する相変化型光ディスクを製造する方法で
あって、 透明基板上に形成された保護層上に非晶質状態と結晶質
状態とで反射率が異なる相変化記録材を成膜して相変化
記録層を形成する工程と、前記相変化記録層に対して剥
離容易性を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、 前記相変化記録層をこれを少なくとも部分的に励起した
後、結晶化させる結晶化工程と、前記樹脂層を前記相変
化記録層から除去する工程と、 更なる保護層を前記相変化記録層上に形成する工程とを
含むことを特徴とする。
［発明の作用］
かかる構成によれば、予め相変化記録層を結晶化してい
るので、相変化に伴う記録層のボイドの発生が減少する
。
るので、相変化に伴う記録層のボイドの発生が減少する
。
実施例
以下に、本発明による実施例を図面に基づいて説明する
。
。
本実施例においては、透明基板、保護層に挾持された相
変化記録層及び反射層を有する相変化型光ディスクを作
成する。
変化記録層及び反射層を有する相変化型光ディスクを作
成する。
第１図（ａ）は円形のＰＣ基板１上に保護層２及び非晶
質状態と結晶質状態とで反射率が異なる相変化記録層３
を担持したものを示す。これら保護層及び相変化記録層
はスパッタリング法等によって従来と同様に形成される
。
質状態と結晶質状態とで反射率が異なる相変化記録層３
を担持したものを示す。これら保護層及び相変化記録層
はスパッタリング法等によって従来と同様に形成される
。
第１図（ｂ）に示すように、ＰＣ基板１に保護層２及び
相変化記録層３と成膜した後、−度真空チャンバーから
ＰＣ基板等を取り出し、相変化記録層と密着性の良くな
い特殊な紫外線硬化性樹脂（以下、２Ｐという）を相変
化記録層上にオーバーコートをし、すなわち相変化記録
層に対して剥離容易性を有する未硬化液状の透明樹脂を
前記相変化記録層上に成膜し、これを紫外線の照射によ
り硬化させて透明樹脂層１０を形成する。
相変化記録層３と成膜した後、−度真空チャンバーから
ＰＣ基板等を取り出し、相変化記録層と密着性の良くな
い特殊な紫外線硬化性樹脂（以下、２Ｐという）を相変
化記録層上にオーバーコートをし、すなわち相変化記録
層に対して剥離容易性を有する未硬化液状の透明樹脂を
前記相変化記録層上に成膜し、これを紫外線の照射によ
り硬化させて透明樹脂層１０を形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、ＰＣ基板１を回転さ
せながら２０μｍ〜５０μｍ径のＡｒレーザビームＬａ
をＰＣ基板１側から相変化記録層３へ照射する。これは
、照射レーザビームによる加熱昇温部分（結晶化する温
度；２００℃〜６００℃）を除冷させるために、Ａｒレ
ーザビームを透明基板に対して相対移動させつつ行うの
である。記録再生のレーザビーム径は結晶化に用いるレ
ーザビームとは異なり、結晶化に用いるＡｒレーザビー
ム径が２０μｍ〜５０μｍと大きいのはディスク結晶化
に執拗な時間を短縮するためである。
せながら２０μｍ〜５０μｍ径のＡｒレーザビームＬａ
をＰＣ基板１側から相変化記録層３へ照射する。これは
、照射レーザビームによる加熱昇温部分（結晶化する温
度；２００℃〜６００℃）を除冷させるために、Ａｒレ
ーザビームを透明基板に対して相対移動させつつ行うの
である。記録再生のレーザビーム径は結晶化に用いるレ
ーザビームとは異なり、結晶化に用いるＡｒレーザビー
ム径が２０μｍ〜５０μｍと大きいのはディスク結晶化
に執拗な時間を短縮するためである。
次に、第１図（ｄ）に示すように、Ａｒレーザビームに
より相変化記録層の全面に亘って結晶化を行った後、２
Ｐからなる透明樹脂層１０を機械的に剥がし相変化記録
層３から除去する。
より相変化記録層の全面に亘って結晶化を行った後、２
Ｐからなる透明樹脂層１０を機械的に剥がし相変化記録
層３から除去する。
次に、第１図（ｅ）に示すように、更なる保護層４を相
変化記録層３上に形成する。
変化記録層３上に形成する。
次に、第１図（ｆ）に示すように、アルミニウム反射層
５を更なる保護層４上に形成する。
５を更なる保護層４上に形成する。
このようにして得られた基板等は、反射層側にさらに接
着剤層を介して裏板が貼られ、従来方性と同様にして相
変化型光ディスクが製造される。
着剤層を介して裏板が貼られ、従来方性と同様にして相
変化型光ディスクが製造される。
ここで金属に対して剥離容易性を有する紫外線硬化性樹
脂２Ｐとしては、日立化成工業■製「０ｖ−１０２２Ｊ
が用いられる。さらに、かかる２Ｐは硬化後の適度の硬
度をも有するので好ましい。
脂２Ｐとしては、日立化成工業■製「０ｖ−１０２２Ｊ
が用いられる。さらに、かかる２Ｐは硬化後の適度の硬
度をも有するので好ましい。
相変化記録層をかかる透明樹脂層にて被覆しつつレーザ
ビームで結晶化を行うと、樹脂層がヒートシンクの役割
をなすので加熱による急激な温度上昇を抑え溶融による
穿孔を防止できる。また、相変化記録層の表面の平滑性
を維持できるので樹脂層の剥離時においての粗面形成を
防止できる。
ビームで結晶化を行うと、樹脂層がヒートシンクの役割
をなすので加熱による急激な温度上昇を抑え溶融による
穿孔を防止できる。また、相変化記録層の表面の平滑性
を維持できるので樹脂層の剥離時においての粗面形成を
防止できる。
このようにして、ＰＣ基板上にＺｎＳ−８ｉ０２保護層
（１５００人） 、Ｔｅ−３ｂ−Ｇｅ−３ｅ相変化記録
層（３００人）、ＺｎＳ−５ｉ０２保護層（２１００人
）及び、１反射層（５００Å）を有した相変化型光ディ
スクが形成される。
（１５００人） 、Ｔｅ−３ｂ−Ｇｅ−３ｅ相変化記録
層（３００人）、ＺｎＳ−５ｉ０２保護層（２１００人
）及び、１反射層（５００Å）を有した相変化型光ディ
スクが形成される。
得られた相変化型光ディスクについて繰り返しオーバラ
イド試験を行うと、従来のものより本実施例の方がＣＮ
比が高くなりデータエラー率か低くなる。これは、相変
化記録層の予め結晶化された記録トラック中におけるボ
イド発生か減少して、トラック中の相変化記録層の体積
変化が小さくなるためである。
イド試験を行うと、従来のものより本実施例の方がＣＮ
比が高くなりデータエラー率か低くなる。これは、相変
化記録層の予め結晶化された記録トラック中におけるボ
イド発生か減少して、トラック中の相変化記録層の体積
変化が小さくなるためである。
上記の相変化記録層の結晶化工程において、レーザビー
ムの照射による加熱により行っているが、電子ビーム、
電磁エネルギービーム等の照射によるものでもよい。ま
た、これらビームは基板側からの照射たけでなく樹脂層
側からの照射でもよい。
ムの照射による加熱により行っているが、電子ビーム、
電磁エネルギービーム等の照射によるものでもよい。ま
た、これらビームは基板側からの照射たけでなく樹脂層
側からの照射でもよい。
上記実施例では透明樹脂層を紫外線硬化性樹脂によって
形成したが、樹脂層を熱硬化性樹脂とし、これを未硬化
庇状として相変化記録層上に成膜した後、これをヒータ
等の公知の加熱方法により硬化させてもよい。更に、樹
脂層を熱可塑性樹脂とし、これを未硬化庇状として相変
化記録層上に成膜した後、これを放置又は除冷等の冷却
により硬化させてもよい。
形成したが、樹脂層を熱硬化性樹脂とし、これを未硬化
庇状として相変化記録層上に成膜した後、これをヒータ
等の公知の加熱方法により硬化させてもよい。更に、樹
脂層を熱可塑性樹脂とし、これを未硬化庇状として相変
化記録層上に成膜した後、これを放置又は除冷等の冷却
により硬化させてもよい。
さらに、本実施例においては、透明基板、保護層に挾持
された相変化記録層及び反射層を有するｔ目変化型先デ
ィスクを作成したが、反射層を除いた透明基板と保護層
に挾持された相変化記録層とを有する相変化型光ディス
クを形成できる。
された相変化記録層及び反射層を有するｔ目変化型先デ
ィスクを作成したが、反射層を除いた透明基板と保護層
に挾持された相変化記録層とを有する相変化型光ディス
クを形成できる。
発明の効果
以上のように、本発明の相変化型光デイスク製造方法に
よれば、相変化記録層を樹脂層にて被覆しつつレーザビ
ームで結晶化を行うことによって相変化の時の体積が縮
小しにくい相変化記録層を有する光ディスクが得られる
。得られた光ディスクは、その相変化記録層のボイドが
発生しにくくボイドによる劣化が生じにくいため、繰り
返しオーバライド回数におけるデータエラー率特性が長
期間に亘って低く維持され、ＣＮ比も高くなる。
よれば、相変化記録層を樹脂層にて被覆しつつレーザビ
ームで結晶化を行うことによって相変化の時の体積が縮
小しにくい相変化記録層を有する光ディスクが得られる
。得られた光ディスクは、その相変化記録層のボイドが
発生しにくくボイドによる劣化が生じにくいため、繰り
返しオーバライド回数におけるデータエラー率特性が長
期間に亘って低く維持され、ＣＮ比も高くなる。
図は本発明による相変化型光デイスク製造方法における
基板等の部材の部分断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ＰＣ基板 ２，４・・・・・・保
護層３・・・・・・相変化記録層 ５・・・・・・アルミニウム反射層 １０・・・・・・透明樹脂層
基板等の部材の部分断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ＰＣ基板 ２，４・・・・・・保
護層３・・・・・・相変化記録層 ５・・・・・・アルミニウム反射層 １０・・・・・・透明樹脂層
Claims (7)
- （１）透明基板と前記透明基板上に形成されかつ保護層
に挾持された相変化記録層とを有する相変化型光ディス
クの製造方法であって、 透明基板上に形成された保護層上に非晶質状態と結晶質
状態とで反射率が異なる相変化記録材を成膜して相変化
記録層を形成する工程と、 前記相変化記録層に対して剥離容易性を有する樹脂層を
形成する樹脂層形成工程と、 前記相変化記録層をこれを少なくとも部分的に励起した
後、結晶化させる結晶化工程と、前記樹脂層を前記相変
化記録層から除去する工程と、 更なる保護層を前記相変化記録層上に形成する工程とを
含むことを特徴とする方法。 - （２）前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層を紫外
線硬化性樹脂とし、これを未硬化液状として前記相変化
記録層上に成膜した後、これを紫外線の照射により硬化
させることを特徴とする請求項１記載の方法。 - （３）前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層を熱硬
化性樹脂とし、これを未硬化液状として前記相変化記録
層上に成膜した後、これを加熱により硬化させることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - （４）前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層を熱可
塑性樹脂とし、これを未硬化液状として前記相変化記録
層上に成膜した後、これを冷却により硬化させることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - （５）前記結晶化工程において、前記相変化記録層の励
起は、レーザビーム若しくは他の電磁エネルギービーム
の照射による加熱によりなすことを特徴とする請求項１
ないし４のいずれか１記載の方法。 - （６）前記ビームを前記透明基板に対して相対移動させ
つつ前記相変化記録層へ照射して、前記相変化記録層に
おいて結晶領域トラックを形成することを特徴とする請
求項５記載の方法。 - （７）前記更なる保護層を前記相変化記録層上に形成す
る工程の後に、前記更なる保護層上に反射層を形成する
工程とを含むことを特徴とする請求項１ないし６のいず
れか１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3786490A JPH03241543A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 相変化型光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3786490A JPH03241543A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 相変化型光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241543A true JPH03241543A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12509408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3786490A Pending JPH03241543A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 相変化型光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241543A (ja) |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3786490A patent/JPH03241543A/ja active Pending
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