JP2002245689A - 相変化型情報記録媒体とその製造方法 - Google Patents
相変化型情報記録媒体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂成形された基板上に真空成膜工程で誘導
体層，記録層，反射膜層等を設けると共に保護層を設
け、初期化及び検査工程を介して製造される相変化型情
報記録媒体を安価に、効率的に、高品質に、かつオーバ
ライト時のジッタが少なくなるように製造する。 【解決手段】 本発明の相変化型情報記録媒体１は樹脂
成形工程によって作られる基板２上に真空成形工程によ
り第１誘導体層３，記録相変化金属層４，第２誘導体層
５及び反射膜層６をスパッタリングで形成し、その上下
面に保護樹脂塗布硬化工程により保護層７を形成して構
成されるもので、その製造では、真空成膜工程に投入さ
れる基板２を、その温度が４０℃以上１００℃未満にな
るように、クリーンブースや冷却工程により冷却する。
体層，記録層，反射膜層等を設けると共に保護層を設
け、初期化及び検査工程を介して製造される相変化型情
報記録媒体を安価に、効率的に、高品質に、かつオーバ
ライト時のジッタが少なくなるように製造する。 【解決手段】 本発明の相変化型情報記録媒体１は樹脂
成形工程によって作られる基板２上に真空成形工程によ
り第１誘導体層３，記録相変化金属層４，第２誘導体層
５及び反射膜層６をスパッタリングで形成し、その上下
面に保護樹脂塗布硬化工程により保護層７を形成して構
成されるもので、その製造では、真空成膜工程に投入さ
れる基板２を、その温度が４０℃以上１００℃未満にな
るように、クリーンブースや冷却工程により冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の様な光
学的手段を用いて情報を記録再生する相変化型情報記録
媒体とその製造方法に関する。
学的手段を用いて情報を記録再生する相変化型情報記録
媒体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録，再生を光学的手段により行
うものとして光ディスクが実用されている。この光ディ
スクは各種の型式のものがあるが、書き換え型光ディス
クとして光磁気式のものや相変化型の光ディスクがあ
る。この相変化型の光ディスクはその記録層がレーザ光
線の照射によってアモルファスと結晶間等で可逆的に光
学状態変化を起こすことを利用するものであり、比較的
広く使用されている。
うものとして光ディスクが実用されている。この光ディ
スクは各種の型式のものがあるが、書き換え型光ディス
クとして光磁気式のものや相変化型の光ディスクがあ
る。この相変化型の光ディスクはその記録層がレーザ光
線の照射によってアモルファスと結晶間等で可逆的に光
学状態変化を起こすことを利用するものであり、比較的
広く使用されている。
【０００３】この相変化型情報記録媒体は樹脂成形によ
って成形される基板上に真空成膜によって誘電体層，記
録層，反射膜層とを積層形成し、更に保護層を形成した
後、レーザ入射時の反射等を向上させるため初期化や品
質保持のための検査工程等を介して完成されるものであ
り、その製造方法としては全工程をシリアルに接続させ
て連続的に一気に製造するインライン型と各工程を分け
て製造するバッチ式の２通りの方式がある。バッチ式は
工程が分離されるため特性のバラツキが大となるがイン
ライン方式は工程が連続のため品質，特性のバラツキが
少なく安定した特性が得られると共に製造装置もコンパ
クトにまとめられる特徴を有する。
って成形される基板上に真空成膜によって誘電体層，記
録層，反射膜層とを積層形成し、更に保護層を形成した
後、レーザ入射時の反射等を向上させるため初期化や品
質保持のための検査工程等を介して完成されるものであ
り、その製造方法としては全工程をシリアルに接続させ
て連続的に一気に製造するインライン型と各工程を分け
て製造するバッチ式の２通りの方式がある。バッチ式は
工程が分離されるため特性のバラツキが大となるがイン
ライン方式は工程が連続のため品質，特性のバラツキが
少なく安定した特性が得られると共に製造装置もコンパ
クトにまとめられる特徴を有する。
【０００４】相変化型情報記録媒体を製造する公知技術
として本発明のようなインライン式のものは従来技術で
は見当らないが、バッチ式のもので本発明に比較的近似
する技術を有するものとして特開平１０−３１２５８６
号公報が挙げられる。このものは全体構成としては後に
説明する本発明の構成とほぼ同様のものからなるが、そ
の製造方法としては、保護層をスパッタリング成膜する
場合のスパッタリングガス導入前の成膜室の到達真空度
を１×１０−２Ｐａ以下に保持したり、成膜室に設置す
る基板の温度を４５℃や５０℃以下とし、成膜室の相対
湿度を２０％や３０％以下等にすることに特徴を有する
ものである。
として本発明のようなインライン式のものは従来技術で
は見当らないが、バッチ式のもので本発明に比較的近似
する技術を有するものとして特開平１０−３１２５８６
号公報が挙げられる。このものは全体構成としては後に
説明する本発明の構成とほぼ同様のものからなるが、そ
の製造方法としては、保護層をスパッタリング成膜する
場合のスパッタリングガス導入前の成膜室の到達真空度
を１×１０−２Ｐａ以下に保持したり、成膜室に設置す
る基板の温度を４５℃や５０℃以下とし、成膜室の相対
湿度を２０％や３０％以下等にすることに特徴を有する
ものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記公知技術は前記の
ようにバッチ方式のもので本発明と製造方法の型式にお
いて基本的に異なるものであり、かつ製造方法において
も、本発明と近似する部分もあるが、全体としては相異
する。一般に、相変化型情報記録媒体を製作する場合、
層間の剥離がないことやオーバライト時のジッタが悪く
ならない事が必要である。このピットジッタの値は図６
に示すようにスパッタ投入温度によって極端に変化す
る。即ち、基板を樹脂成形した後、スパッタリング工程
に投入する時の基板の温度を所定値に保持することが重
要である。例えば、樹脂成形工程が完了した基板は１０
５℃から１２０℃と高温であり、このまま次の真空成膜
工程に基板を投入すると基板上に成膜される第１誘電体
層の膜密度が小さくなり、初期記録後の特性は特に問題
ないがオーバライト時のジッタが極端に悪くなる。ま
た、投入される基板の温度が低すぎると基板の表面に空
気中の水蒸気や酸素分子が吸着され、第１誘電体膜に不
純物が混入し、ジッタが悪くなる（図６参照）。
ようにバッチ方式のもので本発明と製造方法の型式にお
いて基本的に異なるものであり、かつ製造方法において
も、本発明と近似する部分もあるが、全体としては相異
する。一般に、相変化型情報記録媒体を製作する場合、
層間の剥離がないことやオーバライト時のジッタが悪く
ならない事が必要である。このピットジッタの値は図６
に示すようにスパッタ投入温度によって極端に変化す
る。即ち、基板を樹脂成形した後、スパッタリング工程
に投入する時の基板の温度を所定値に保持することが重
要である。例えば、樹脂成形工程が完了した基板は１０
５℃から１２０℃と高温であり、このまま次の真空成膜
工程に基板を投入すると基板上に成膜される第１誘電体
層の膜密度が小さくなり、初期記録後の特性は特に問題
ないがオーバライト時のジッタが極端に悪くなる。ま
た、投入される基板の温度が低すぎると基板の表面に空
気中の水蒸気や酸素分子が吸着され、第１誘電体膜に不
純物が混入し、ジッタが悪くなる（図６参照）。
【０００６】本発明は、以上の事情を鑑みて発明された
ものであり、品質，効率の向上と信頼性，安定性の向上
から製造方式としてインライン方式の製造方式を採用す
ると共に、投入される基板の温度条件やその冷却時にお
ける搬送部分等の温度や湿度を工夫し、特性バラツキが
なく、オーバライト時のジッタが少なく、かつ比較的安
価な相変化型情報記録媒体とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ものであり、品質，効率の向上と信頼性，安定性の向上
から製造方式としてインライン方式の製造方式を採用す
ると共に、投入される基板の温度条件やその冷却時にお
ける搬送部分等の温度や湿度を工夫し、特性バラツキが
なく、オーバライト時のジッタが少なく、かつ比較的安
価な相変化型情報記録媒体とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の目的を達
成するために請求項１の相変化型情報記録媒体は、樹脂
成形される基板と、該基板上に真空成膜によって積層形
成される第１誘導体層，記録相変化金属層，第２誘導体
層及び反射膜層と、該反射膜層の上面側に塗布硬化され
て形成される保護層とから構成され、初期化と検査工程
を介して製品化される。これにより、特性バラツキの少
ない相変化型情報記録媒体を得ることができる。
成するために請求項１の相変化型情報記録媒体は、樹脂
成形される基板と、該基板上に真空成膜によって積層形
成される第１誘導体層，記録相変化金属層，第２誘導体
層及び反射膜層と、該反射膜層の上面側に塗布硬化され
て形成される保護層とから構成され、初期化と検査工程
を介して製品化される。これにより、特性バラツキの少
ない相変化型情報記録媒体を得ることができる。
【０００８】また、本発明の請求項２の相変化型情報記
録媒体は、樹脂成形される基板と、該基板上に真空成膜
によって積層形成される第１誘導体層，記録相変化金属
層，第２誘導体層及び反射膜層と、該反射膜層の上面側
及び前記基板のレーザ光入射側に塗布硬化されて形成さ
れる保護層とから構成され、初期化と検査工程を介して
製品化される。これにより、特性バラツキの少ない相変
化型情報記録媒体を得ることができる。
録媒体は、樹脂成形される基板と、該基板上に真空成膜
によって積層形成される第１誘導体層，記録相変化金属
層，第２誘導体層及び反射膜層と、該反射膜層の上面側
及び前記基板のレーザ光入射側に塗布硬化されて形成さ
れる保護層とから構成され、初期化と検査工程を介して
製品化される。これにより、特性バラツキの少ない相変
化型情報記録媒体を得ることができる。
【０００９】また、本発明の請求項３の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、基板上に第１誘導体層，記録相変
化金属層，第２誘導体層，反射膜層及び、この反射膜層
の上面に形成される保護層を積層して形成される相変化
型情報記録媒体の製造方法であって、該製造方法は、前
記基板を成形する樹脂成形工程と、前記第１誘導体層，
記録相変化金属層，第２誘導体層及び反射膜層を順次ス
パッタリングにより成膜する真空成膜工程と、前記反射
膜層の上面側に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗
布硬化工程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に
層間剥離の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程と
を順次行うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して
前記真空成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の
温度範囲内に保持することを特徴とする。これにより、
特性の安定した相変化型情報記録媒体を効果的に製造で
き、生産性の向上が図れる。
録媒体の製造方法は、基板上に第１誘導体層，記録相変
化金属層，第２誘導体層，反射膜層及び、この反射膜層
の上面に形成される保護層を積層して形成される相変化
型情報記録媒体の製造方法であって、該製造方法は、前
記基板を成形する樹脂成形工程と、前記第１誘導体層，
記録相変化金属層，第２誘導体層及び反射膜層を順次ス
パッタリングにより成膜する真空成膜工程と、前記反射
膜層の上面側に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗
布硬化工程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に
層間剥離の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程と
を順次行うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して
前記真空成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の
温度範囲内に保持することを特徴とする。これにより、
特性の安定した相変化型情報記録媒体を効果的に製造で
き、生産性の向上が図れる。
【００１０】また、本発明の請求項４の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、請求項３において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を４０℃以上１００℃未満に保持することを特徴
とする。
録媒体の製造方法は、請求項３において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を４０℃以上１００℃未満に保持することを特徴
とする。
【００１１】また、本発明の請求項５の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、請求項３において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を３０℃以上９０℃未満に保持することを特徴と
する。
録媒体の製造方法は、請求項３において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を３０℃以上９０℃未満に保持することを特徴と
する。
【００１２】また、本発明の請求項６の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、基板上に第１誘導体層，記録相変
化金属層、第２誘導体層及び反射膜層並びに、この反射
膜層の上面及び前記基板の下面に形成される保護層を積
層して形成される相変化型情報記録媒体の製造方法であ
って、該製造方法は、前記基板を成形する樹脂成形工程
と、前記第１誘導体層，記録相変化金属層，第２誘導体
層及び反射膜層を順次スパッタリングにより成膜する真
空成膜工程と、前記反射膜層の上面側及び前記基板のレ
ーザ光入射側に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗
布硬化工程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に
層間剥離の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程と
を順次行うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して
前記真空成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の
温度範囲内に保持することを特徴とする。これにより、
特性の安定した相変化型情報記録媒体を効果的に製造で
き、生産性の向上が図れる。
録媒体の製造方法は、基板上に第１誘導体層，記録相変
化金属層、第２誘導体層及び反射膜層並びに、この反射
膜層の上面及び前記基板の下面に形成される保護層を積
層して形成される相変化型情報記録媒体の製造方法であ
って、該製造方法は、前記基板を成形する樹脂成形工程
と、前記第１誘導体層，記録相変化金属層，第２誘導体
層及び反射膜層を順次スパッタリングにより成膜する真
空成膜工程と、前記反射膜層の上面側及び前記基板のレ
ーザ光入射側に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗
布硬化工程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に
層間剥離の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程と
を順次行うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して
前記真空成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の
温度範囲内に保持することを特徴とする。これにより、
特性の安定した相変化型情報記録媒体を効果的に製造で
き、生産性の向上が図れる。
【００１３】また、本発明の請求項７の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、請求項６において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を４０℃以上１００℃未満に保持することを特徴
とする。
録媒体の製造方法は、請求項６において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を４０℃以上１００℃未満に保持することを特徴
とする。
【００１４】また、本発明の請求項８の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、請求項６において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を３０℃以上９０℃未満に保持することを特徴と
する。
録媒体の製造方法は、請求項６において、前記樹脂成形
工程を完了して前記真空成膜工程に投入される前記基板
の温度を３０℃以上９０℃未満に保持することを特徴と
する。
【００１５】また、本発明の請求項９の相変化型情報記
録媒体の製造方法は、請求項３〜８のいずれかにおい
て、前記製造工程のうち樹脂成形工程と真空成膜工程と
が少なくとも直列に接続され、製造工程が連設形態のい
わゆるインライン型式のものから形成されることを特徴
とする。この製造方法では、全工程又は少なくとも樹脂
成形工程と真空成膜工程が直列に連設されるため、工程
間の不連続性によるバラツキが生じ難く、特性が安定し
た製品を作ることができる。
録媒体の製造方法は、請求項３〜８のいずれかにおい
て、前記製造工程のうち樹脂成形工程と真空成膜工程と
が少なくとも直列に接続され、製造工程が連設形態のい
わゆるインライン型式のものから形成されることを特徴
とする。この製造方法では、全工程又は少なくとも樹脂
成形工程と真空成膜工程が直列に連設されるため、工程
間の不連続性によるバラツキが生じ難く、特性が安定し
た製品を作ることができる。
【００１６】また、本発明の請求項１０の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項３〜８のいずれかにおい
て、前記製造工程の工程間の全部又は少なくとも樹脂成
形工程と真空成膜工程との間がクリーンブースによって
接続されていることを特徴とする。これにより、基板の
温度コントロールが確実に行われる。
記録媒体の製造方法は、請求項３〜８のいずれかにおい
て、前記製造工程の工程間の全部又は少なくとも樹脂成
形工程と真空成膜工程との間がクリーンブースによって
接続されていることを特徴とする。これにより、基板の
温度コントロールが確実に行われる。
【００１７】また、本発明の請求項１１の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項１０において、前記クリ
ーンブースの温度が２０℃以上３５℃未満であり、その
相対湿度が２０％以上６０％以下であることを特徴とす
る。クリーンブースの温度，湿度を特定するため、投入
前の基板が所望の温度と湿度に保持され、安定した特性
の製品を得ることができる。
記録媒体の製造方法は、請求項１０において、前記クリ
ーンブースの温度が２０℃以上３５℃未満であり、その
相対湿度が２０％以上６０％以下であることを特徴とす
る。クリーンブースの温度，湿度を特定するため、投入
前の基板が所望の温度と湿度に保持され、安定した特性
の製品を得ることができる。
【００１８】また、本発明の請求項１２の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項４または７において、前
記樹脂成形工程を完了して前記真空成膜工程に投入され
る前記基板の温度を４０℃以上１００℃未満にするため
に、前記樹脂成形工程と前記真空成膜工程との間に直列
に冷却工程を設けることを特徴とする。また、本発明の
請求項７の相変化型情報記録媒体の製造方法は、前記冷
却工程が複数ステップ設けられることを特徴とする。こ
れ等により基板が冷却工程で確実に冷却されて所望の温
度に保持される効果が上げられる。
記録媒体の製造方法は、請求項４または７において、前
記樹脂成形工程を完了して前記真空成膜工程に投入され
る前記基板の温度を４０℃以上１００℃未満にするため
に、前記樹脂成形工程と前記真空成膜工程との間に直列
に冷却工程を設けることを特徴とする。また、本発明の
請求項７の相変化型情報記録媒体の製造方法は、前記冷
却工程が複数ステップ設けられることを特徴とする。こ
れ等により基板が冷却工程で確実に冷却されて所望の温
度に保持される効果が上げられる。
【００１９】また、本発明の請求項１３の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項５または８において、前
記樹脂成形工程を完了して前記真空成膜工程に投入され
る前記基板の温度を３０℃以上９０℃未満にするため
に、前記樹脂成形工程と前記真空成膜工程との間に直列
に冷却工程を設けることを特徴とする。
記録媒体の製造方法は、請求項５または８において、前
記樹脂成形工程を完了して前記真空成膜工程に投入され
る前記基板の温度を３０℃以上９０℃未満にするため
に、前記樹脂成形工程と前記真空成膜工程との間に直列
に冷却工程を設けることを特徴とする。
【００２０】また、本発明の請求項１４の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項１２または１３におい
て、前記冷却工程が複数ステップ設けられることを特徴
とする。これ等により基板が冷却工程で確実に冷却され
て所望の温度に保持される効果が上げられる。
記録媒体の製造方法は、請求項１２または１３におい
て、前記冷却工程が複数ステップ設けられることを特徴
とする。これ等により基板が冷却工程で確実に冷却され
て所望の温度に保持される効果が上げられる。
【００２１】また、本発明の請求項１５の相変化型情報
記録媒体の製造方法は、請求項１２，１３または１４に
おいて、前記冷却工程が冷却ファンを用いた空気対流に
よって冷却を行うことを特徴とする。冷却工程に空気対
流を用いることにより、基板が所望の温度に均一に保持
され、製品特性の一層の安定化が得られる。
記録媒体の製造方法は、請求項１２，１３または１４に
おいて、前記冷却工程が冷却ファンを用いた空気対流に
よって冷却を行うことを特徴とする。冷却工程に空気対
流を用いることにより、基板が所望の温度に均一に保持
され、製品特性の一層の安定化が得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の相変化型情報記録
媒体とその製造方法の実施の形態を図面を参照して詳述
する。相変化型情報記録媒体を高品質に形成するには、
真空成膜工程に投入される、樹脂成形された基板の温度
コントロールが必要であることが解っている。このため
には基板を投入する前に温度や湿度のコントロールされ
ているクリーンブースのような室に基板を入れた後に次
工程側に投入するか、冷却工程を設けて基板の温度コン
トロールをして真空成膜工程に投入することが必要であ
る。本発明はこれ等について具体的に工夫したものであ
り、以下にその具体例を説明する。
媒体とその製造方法の実施の形態を図面を参照して詳述
する。相変化型情報記録媒体を高品質に形成するには、
真空成膜工程に投入される、樹脂成形された基板の温度
コントロールが必要であることが解っている。このため
には基板を投入する前に温度や湿度のコントロールされ
ているクリーンブースのような室に基板を入れた後に次
工程側に投入するか、冷却工程を設けて基板の温度コン
トロールをして真空成膜工程に投入することが必要であ
る。本発明はこれ等について具体的に工夫したものであ
り、以下にその具体例を説明する。
【００２３】まず、図１により相変化型情報記録媒体１
の構成を説明する。相変化型情報記録媒体１は、基板２
と、第１誘導体層３と、記録相変化金属層４と、第２誘
導体層５と、反射膜層６、反射膜層６の上面側及び基板
２のレーザ光入射側に設けられる保護層７，７とからな
る（請求項２）。なお、基板２のレーザ光入射側では保
護層７を省略することもできる（請求項１）。
の構成を説明する。相変化型情報記録媒体１は、基板２
と、第１誘導体層３と、記録相変化金属層４と、第２誘
導体層５と、反射膜層６、反射膜層６の上面側及び基板
２のレーザ光入射側に設けられる保護層７，７とからな
る（請求項２）。なお、基板２のレーザ光入射側では保
護層７を省略することもできる（請求項１）。
【００２４】１つの実施の形態として、基板は約１．２
ｍｍ厚みのポリカーボネート，ガラス，石英等からな
る。また、第１誘導体層３及び第２誘導体層５は５０乃
至１２０ｎｍ及び１５乃至５０ｎｍの厚みのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２ 等からなる。また、記録相変化金属層４は１２
乃至３５ｎｍ厚みのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなり、
反射膜層６は８０乃至２００ｎｍ厚みのＡｌ合金が用い
られる。勿論、これ等に限定するものではない。保護層
７は反射膜層６側にコーティングされる樹脂及び、基板
２のレーザ光入射側に塗布ＵＶ硬化される樹脂からな
る。
ｍｍ厚みのポリカーボネート，ガラス，石英等からな
る。また、第１誘導体層３及び第２誘導体層５は５０乃
至１２０ｎｍ及び１５乃至５０ｎｍの厚みのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２ 等からなる。また、記録相変化金属層４は１２
乃至３５ｎｍ厚みのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなり、
反射膜層６は８０乃至２００ｎｍ厚みのＡｌ合金が用い
られる。勿論、これ等に限定するものではない。保護層
７は反射膜層６側にコーティングされる樹脂及び、基板
２のレーザ光入射側に塗布ＵＶ硬化される樹脂からな
る。
【００２５】次に、以上の構成の相変化型情報記録媒体
１の製造方法を図２のフローシートにより説明する。ま
ず、基板２は樹脂材からなり、樹脂成形工程８により成
形される。この基板２は後に説明するように温度等をコ
ントロールされた後、次工程に投入される。第１誘導体
層３，記録相変化金属層４，第２誘導体層５及び反射膜
層６は真空成膜工程９による真空スパッタリングにより
基板２の上面に順次積層されて形成される。真空成膜工
程９が終了した後、保護層７が前記の箇所に形成される
が、これは保護樹脂塗布硬化工程１０により行われる。
具体的には樹脂をコーティング又は塗布しＵＶ硬化する
ことにより行われる。
１の製造方法を図２のフローシートにより説明する。ま
ず、基板２は樹脂材からなり、樹脂成形工程８により成
形される。この基板２は後に説明するように温度等をコ
ントロールされた後、次工程に投入される。第１誘導体
層３，記録相変化金属層４，第２誘導体層５及び反射膜
層６は真空成膜工程９による真空スパッタリングにより
基板２の上面に順次積層されて形成される。真空成膜工
程９が終了した後、保護層７が前記の箇所に形成される
が、これは保護樹脂塗布硬化工程１０により行われる。
具体的には樹脂をコーティング又は塗布しＵＶ硬化する
ことにより行われる。
【００２６】以上の状態では記録相変化金属層４等がア
モルファス状態にあるため、レーザ光照射やフラッシュ
光照射等により予め結晶化する初期結晶化が初期化工程
１１により行われる。次に、層間の剥離状態のチェック
や耐湿試験や外観品質チェック等の検査が検査工程１２
により行われ、合格したものが製品となる。
モルファス状態にあるため、レーザ光照射やフラッシュ
光照射等により予め結晶化する初期結晶化が初期化工程
１１により行われる。次に、層間の剥離状態のチェック
や耐湿試験や外観品質チェック等の検査が検査工程１２
により行われ、合格したものが製品となる。
【００２７】前記のように、樹脂成形工程８を終了した
直後における基板２の温度は高く、このまま次工程に投
入するとオーバライト時におけるジッタが極端に悪くな
る。また、逆に、基板２を冷却して３０℃以下にすると
基板２の表面に空気中の水蒸気等が吸着し、これもオー
バライト時のジッタを悪くする原因となる。以上のこと
から基板２の、次工程の真空成膜工程９に投入前の温度
を所定値にする必要がある（請求項３，６）。
直後における基板２の温度は高く、このまま次工程に投
入するとオーバライト時におけるジッタが極端に悪くな
る。また、逆に、基板２を冷却して３０℃以下にすると
基板２の表面に空気中の水蒸気等が吸着し、これもオー
バライト時のジッタを悪くする原因となる。以上のこと
から基板２の、次工程の真空成膜工程９に投入前の温度
を所定値にする必要がある（請求項３，６）。
【００２８】本発明では、投入される基板の温度を例え
ば４０℃以上で１００℃未満に、または３０℃以上で９
０℃未満に保持するようにした（請求項４，５，７，
８）。これにより、オーバライト時においてジッタの少
ない優れた特性を有する相変化型情報記録媒体１を製造
することができた。なお、本発明では従来技術のような
バッチ方法ではなく、インライン方式を採用することが
好ましく（請求項９）、この場合には前記温度範囲に設
定された基板２が直接真空成膜工程９に投入されるた
め、安定した品質の製品を作ることができる。
ば４０℃以上で１００℃未満に、または３０℃以上で９
０℃未満に保持するようにした（請求項４，５，７，
８）。これにより、オーバライト時においてジッタの少
ない優れた特性を有する相変化型情報記録媒体１を製造
することができた。なお、本発明では従来技術のような
バッチ方法ではなく、インライン方式を採用することが
好ましく（請求項９）、この場合には前記温度範囲に設
定された基板２が直接真空成膜工程９に投入されるた
め、安定した品質の製品を作ることができる。
【００２９】基板２を前記温度範囲にして次工程の真空
成膜工程９に投入するには色々な手段があるが、本発明
では図３に示すように樹脂成形工程８と真空成膜工程９
との間にクリーンブース１３を設けるか、図４に示すよ
うにこれ等の工程間に冷却工程１４を設けるかする方法
が採用される。この冷却工程はクリーン度を保持するた
めにクリーンブース内に設置するのが望ましい。なお、
図３に示すようにクリーンブース１３は樹脂成形工程８
と真空成膜工程９との間に設けるのみではなく、他の工
程間の全部に設けてもよい。一例として図３では真空成
膜工程９と保護樹脂塗布硬化工程１０との間にもクリー
ンブース１３ａを設けた場合が示されている（請求項１
０）。
成膜工程９に投入するには色々な手段があるが、本発明
では図３に示すように樹脂成形工程８と真空成膜工程９
との間にクリーンブース１３を設けるか、図４に示すよ
うにこれ等の工程間に冷却工程１４を設けるかする方法
が採用される。この冷却工程はクリーン度を保持するた
めにクリーンブース内に設置するのが望ましい。なお、
図３に示すようにクリーンブース１３は樹脂成形工程８
と真空成膜工程９との間に設けるのみではなく、他の工
程間の全部に設けてもよい。一例として図３では真空成
膜工程９と保護樹脂塗布硬化工程１０との間にもクリー
ンブース１３ａを設けた場合が示されている（請求項１
０）。
【００３０】このクリーンブース１３（１３ａ）は、こ
の室内の温度が２０℃以上３５℃未満に保持され、その
相対湿度が２０％乃至６０％に管理される（請求項１
１）。このようにクリーンブース１３の温度と湿度を管
理することにより、クリーンブース１３に投入されてこ
こから出た基板２の温度を４０℃程度に保持することが
可能になることが実証されている。
の室内の温度が２０℃以上３５℃未満に保持され、その
相対湿度が２０％乃至６０％に管理される（請求項１
１）。このようにクリーンブース１３の温度と湿度を管
理することにより、クリーンブース１３に投入されてこ
こから出た基板２の温度を４０℃程度に保持することが
可能になることが実証されている。
【００３１】図４は前記したように樹脂成形工程８と真
空成膜工程９との間に冷却工程１４を設け、基板２を前
記の４０℃から１００℃未満、または３０℃から９０℃
未満の温度範囲に保持する方法を示すものである（請求
項１２，１３）。なお、冷却工程１４における冷却手段
は適宜のものが採用されるが、例えば冷却ファンを用い
て空気の対流を生じさせ、この対流により基板２の冷却
を行うようにしたものが挙げられる（請求項１５）。こ
のように空気対流を用いることにより、基板２の全体が
均一温度に保持され、結果として安定した特性の製品を
得ることができる。また、図５に示すように、冷却工程
１４を第１の冷却工程１４ａと第２の冷却工程１４ｂの
２ステップとして基板２の冷却を均一に、かつ確実に行
うようにすることにより更に安定した特性の製品を得る
ことができる。なお、冷却工程１４は前記のように２ス
テップに限定するものではなく、複数ステップが採用さ
れてもよい（請求項１４）。
空成膜工程９との間に冷却工程１４を設け、基板２を前
記の４０℃から１００℃未満、または３０℃から９０℃
未満の温度範囲に保持する方法を示すものである（請求
項１２，１３）。なお、冷却工程１４における冷却手段
は適宜のものが採用されるが、例えば冷却ファンを用い
て空気の対流を生じさせ、この対流により基板２の冷却
を行うようにしたものが挙げられる（請求項１５）。こ
のように空気対流を用いることにより、基板２の全体が
均一温度に保持され、結果として安定した特性の製品を
得ることができる。また、図５に示すように、冷却工程
１４を第１の冷却工程１４ａと第２の冷却工程１４ｂの
２ステップとして基板２の冷却を均一に、かつ確実に行
うようにすることにより更に安定した特性の製品を得る
ことができる。なお、冷却工程１４は前記のように２ス
テップに限定するものではなく、複数ステップが採用さ
れてもよい（請求項１４）。
【００３２】
【発明の効果】本発明の相変化型情報記録媒体とその製
造方法によれば、安定した高品質の特性を有し、オーバ
ライト時においてもジッタの少ない相変化型情報記録媒
体を効率よく生産することができ、この製造方法によ
り、高品質で信頼性の高い製品を製造することができ
る。また、装置構成がインライン方式からなり、コンパ
クトにまとめられ、比較的安価に実施できるという効果
が上げられる。
造方法によれば、安定した高品質の特性を有し、オーバ
ライト時においてもジッタの少ない相変化型情報記録媒
体を効率よく生産することができ、この製造方法によ
り、高品質で信頼性の高い製品を製造することができ
る。また、装置構成がインライン方式からなり、コンパ
クトにまとめられ、比較的安価に実施できるという効果
が上げられる。
【図１】本発明に係る相変化型情報記録媒体の構成を示
す模式的断面図。
す模式的断面図。
【図２】本発明の相変化型情報記録媒体の製造方法を説
明するためのフローシート。
明するためのフローシート。
【図３】クリーンブースを工程間に介設させた相変化型
情報記録媒体の製造方法を示すフローシート。
情報記録媒体の製造方法を示すフローシート。
【図４】冷却工程を工程間に介設させた相変化型情報記
録媒体の製造方法を示すフローシート。
録媒体の製造方法を示すフローシート。
【図５】図４における冷却工程を２ステップ設けた相変
化型情報記録媒体の製造方法を示すフローシート。
化型情報記録媒体の製造方法を示すフローシート。
【図６】スパッタリング工程投入時における基板の温度
とジッタとの関係を示す線図。
とジッタとの関係を示す線図。
１ 相変化型情報記録媒体 ２ 基板 ３ 第１誘導体層 ４ 記録相変化金属層 ５ 第２誘導体層 ６ 反射膜層 ７ 保護層 ８ 樹脂成形工程 ９ 真空成膜工程 １０ 保護樹脂塗布硬化工程 １１ 初期化工程 １２ 検査工程 １３ クリーンブース １３ａ クリーンブース １４ 冷却工程 １４ａ 第１の冷却工程 １４ｂ 第２の冷却工程
Claims (15)
- 【請求項１】 樹脂成形される基板と、該基板上に真空
成膜によって積層形成される第１誘導体層，記録相変化
金属層，第２誘導体層及び反射膜層と、該反射膜層の上
面側に塗布硬化されて形成される保護層とから構成さ
れ、初期化と検査工程を介して製品化されることを特徴
とする相変化型情報記録媒体。 - 【請求項２】 樹脂成形される基板と、該基板上に真空
成膜によって積層形成される第１誘導体層，記録相変化
金属層，第２誘導体層及び反射膜層と、該反射膜層の上
面側及び前記基板のレーザ光入射側に塗布硬化されて形
成される保護層とから構成され、初期化と検査工程を介
して製品化されることを特徴とする相変化型情報記録媒
体。 - 【請求項３】 基板上に第１誘導体層，記録相変化金属
層，第２誘導体層，反射膜層及び、この反射膜層の上面
に形成される保護層を積層して形成される相変化型情報
記録媒体の製造方法であって、該製造方法は、前記基板
を成形する樹脂成形工程と、前記第１誘導体層，記録相
変化金属層，第２誘導体層及び反射膜層を順次スパッタ
リングにより成膜する真空成膜工程と、前記反射膜層の
上面に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗布硬化工
程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に層間剥離
の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程とを順次行
うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して前記真空
成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の温度範囲
内に保持することを特徴とする相変化型情報記録媒体の
製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空成
膜工程に投入される前記基板の温度を４０℃以上１００
℃未満に保持することを特徴とする請求項３に記載の相
変化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空成
膜工程に投入される前記基板の温度を３０℃以上９０℃
未満に保持することを特徴とする請求項３に記載の相変
化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 基板上に第１誘導体層，記録相変化金属
層、第２誘導体層及び反射膜層並びに、この反射膜層の
上面及び前記基板の下面に形成される保護層を積層して
形成される相変化型情報記録媒体の製造方法であって、
該製造方法は、前記基板を成形する樹脂成形工程と、前
記第１誘導体層，記録相変化金属層，第２誘導体層及び
反射膜層を順次スパッタリングにより成膜する真空成膜
工程と、前記反射膜層の上面側及び前記基板のレーザ光
入射側に塗布硬化される保護層を形成する樹脂塗布硬化
工程と、初期結晶化のための初期化工程と、更に層間剥
離の有無や傷，外観品質等を検査する検査工程とを順次
行うものからなり、前記樹脂成形工程を完了して前記真
空成膜工程に投入される前記基板の温度を所定の温度範
囲内に保持することを特徴とする相変化型情報記録媒体
の製造方法。 - 【請求項７】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空成
膜工程に投入される前記基板の温度を４０℃以上１００
℃未満に保持することを特徴とする請求項６に記載の相
変化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空成
膜工程に投入される前記基板の温度を３０℃以上９０℃
未満に保持することを特徴とする請求項６に記載の相変
化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記製造工程のうち樹脂成形工程と真空
成膜工程とが少なくとも直列に接続され、製造工程が連
設形態のいわゆるインライン型式のものから形成される
ことを特徴とする請求項３〜８のいずれかに記載の相変
化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記製造工程の工程間の全部又は少な
くとも樹脂成形工程と真空成膜工程との間がクリーンブ
ースによって接続されていることを特徴とする請求項３
〜８のいずれかに記載の相変化型情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記クリーンブースの温度が２０℃以
上３５℃未満であり、その相対湿度が２０％以上６０％
以下であることを特徴とする請求項１０に記載の相変化
型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空
成膜工程に投入される前記基板の温度を４０℃以上１０
０℃未満にするために、前記樹脂成形工程と前記真空成
膜工程との間に直列に冷却工程を設けることを特徴とす
る請求項４または７に記載の相変化型情報記録媒体の製
造方法。 - 【請求項１３】 前記樹脂成形工程を完了して前記真空
成膜工程に投入される前記基板の温度を３０℃以上９０
℃未満にするために、前記樹脂成形工程と前記真空成膜
工程との間に直列に冷却工程を設けることを特徴とする
請求項５または８に記載の相変化型情報記録媒体の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記冷却工程が複数ステップ設けられ
ることを特徴とする請求項１２または１３に記載の相変
化型情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記冷却工程が冷却ファンを用いた空
気対流によって冷却を行うことを特徴とする請求項１
２，１３または１４に記載の相変化型情報記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001046166A JP2002245689A (ja) | 2000-12-13 | 2001-02-22 | 相変化型情報記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000378367 | 2000-12-13 | ||
| JP2000-378367 | 2000-12-13 | ||
| JP2001046166A JP2002245689A (ja) | 2000-12-13 | 2001-02-22 | 相変化型情報記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002245689A true JP2002245689A (ja) | 2002-08-30 |
| JP2002245689A5 JP2002245689A5 (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=26605719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001046166A Pending JP2002245689A (ja) | 2000-12-13 | 2001-02-22 | 相変化型情報記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002245689A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011058048A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Nikuni:Kk | 真空成膜方法およびその装置 |
| JP2013086427A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜を有する成形品の製造方法および製造装置 |
| KR101480379B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2015-01-09 | 한국표준과학연구원 | 상변화 기반의 온습도계 점검장치 및 그 제어방법과 그 점검방법 |
-
2001
- 2001-02-22 JP JP2001046166A patent/JP2002245689A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011058048A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Nikuni:Kk | 真空成膜方法およびその装置 |
| JP2013086427A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-13 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜を有する成形品の製造方法および製造装置 |
| KR101422346B1 (ko) | 2011-10-20 | 2014-07-22 | 더 재팬 스틸 워크스 엘티디 | 박막을 구비하는 성형품의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US9168561B2 (en) | 2011-10-20 | 2015-10-27 | The Japan Steel Works, Ltd. | Apparatus including a fixed temporary stage for manufacturing molded product |
| KR101480379B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2015-01-09 | 한국표준과학연구원 | 상변화 기반의 온습도계 점검장치 및 그 제어방법과 그 점검방법 |
| WO2015076502A1 (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Inspection apparatus for thermo-hygrometer based on phase change and methods for controlling and inspecting the same |
| US9846262B2 (en) | 2013-11-20 | 2017-12-19 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Inspection apparatus for thermo-hygrometer based on phase change and methods for controlling and inspecting the same |
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