JPH03241000A - めっき装置 - Google Patents

めっき装置

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JPH03241000A
JPH03241000A JP3758990A JP3758990A JPH03241000A JP H03241000 A JPH03241000 A JP H03241000A JP 3758990 A JP3758990 A JP 3758990A JP 3758990 A JP3758990 A JP 3758990A JP H03241000 A JPH03241000 A JP H03241000A
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JP
Japan
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plating
plated
vibration
tank
thickness
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Pending
Application number
JP3758990A
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English (en)
Inventor
Shigeru Saito
茂 斉藤
Hirotsugu Hanada
花田 曠嗣
Masanori Baba
馬場 正典
Koichi Kondo
幸一 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3758990A priority Critical patent/JPH03241000A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、めっき液から被めっき物に金属被膜を析出さ
せるめっき装置に関する。
近年、被めっき物をめっき液中で通電し、金属被膜を得
るための電気めっきを行うめつき装置には、処理速度の
高速化と処理の均−化等の品質向上が要求されている。
そのため、金属イオンの供給を制御し、被めっき物の部
分的なめっき厚を制御する必要がある。
(従来の技術〕 第5図に従来のめっき装置の構成図を示す。図において
、めっき槽30内にめっき液31が満たされており、こ
のめっき液31内に陽極32及び陰極33が対峙して設
けられている。そして、陽極32及び陰極33間に電源
34により電圧が印加される。
上記のようなめっき装置において、例えば0ジウムめっ
きを行う場合、めっき液31には金属ロジウム及び硫酸
を用い、陽極32には白金めっきしたチタンを用いて、
温度20〜50”C,電流密度2〜5A/TItで行う
。そして、陰極33を被めっき物として通電を行うこと
により、めっき液31中の金属イオンを法被めっき物表
面に析出させるものである。このロジウムめっきは、化
学的に極めて安定で鏡面反射率が高く、硬さ、耐摩耗性
にすぐれており、接点やプリント回路等に使用される。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、上記のようなめっき装置による処理では、高
速化を図るためには通電電流の陰極電流195度を大き
くする必要がある。しかし、該N流密度が大きくなると
、めっきのむらや、外周部が特に厚くなるというめつき
厚の位置によるばらつき等の問題があった。
そこで、本発明は上記5!題に鑑みなされたもので、め
っきの処理速度の高速化及び処理の均一化を図るめっき
装置を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 上記課題は、めっき槽内における所定の金属が溶解され
ためっき液中に被めっき物を浸して電気めっきを行うめ
っき装置において、前記被めっき物を振動させる振動部
材と、法被めっき物の所定部分に対応させてめっき厚を
1lJtllするために、該振動部材の振動を吸収、遮
断する所定形状の吸収部材とを含むように構成すること
により解決される。
〔作用〕
上述のように、被めっき物に振動部材により振動を与え
ている。これにより、被めっき物とめっき液界面におけ
る金属イオンが欠乏する境膜が薄くなる。従って、金属
イオンの供給がより容易となり、めっき処理の高速化が
可能となる。
また、所定形状の吸収部材により、被めっき物への振動
を部分的に槽御している。これにより、振動に対応して
めっき厚が異なり、めっき厚の制御が可能となる。
〔実施例〕
第1図に本発明の一実施例の構成図を示す。第1図のめ
っき装M1において、めっき槽2内にめっき液が満たさ
れており、めっき液3内に陽極4及び陰極の被めっき物
5が設けられている。そして、陽極4及び被めっき5間
に電′fA6により電圧が印加(陽極、4が+)される
。例えば、0ジウムめっきする場合には、前述の第5図
のように、めっき液3に金属ロジウム及び硫酸を用い、
陽極4に白金めっきしたチタンを用いて、温度20〜5
0℃、電流密度2〜5A/mで行う。
上記めっき槽2は槽γ内に設置され、槽7には振動伝導
媒体である水8が満たされており、底部に振動部材9が
設けられている。そして、めりき槽2と振動部材9との
間に吸収部材10が配設される。振動部材9は、例えば
超音波振動子が使用され、吸収部材10は、第2図に示
す形状の化学的に安定な高置材料板(例えば、ふっ素樹
脂板、ポリエチレン板)が使用される。なお、第2図に
示す吸収部材10は、被めっき物5の外周部の振動を吸
収、遮断して弱め、めっき厚を全面で均一にするための
形状である。従って、この形状を変えることにより、部
分的にめっき厚を制御できるものである。また、振動部
材9と被めっき物5との距離は、超音波の波長の範囲で
可変でき、超音波の出力と距離でめっき厚をtll’K
Jできる。
上記のようなめっき装ff11では、振動部材9の超音
波の振動エネルギーが被めっき物5の表面に与えられ、
被めっき物5とめっき液3との境界面における金属イオ
ンの欠乏する境膜を薄くする。
すなわち、境膜が薄くなると、めっき液3内の溶解金属
イオンの被めっき物5への供給がより容易となり、めっ
き処理が高速となる。
ここで、境膜は、運動する流体と接する物体表面に形成
される境界層が乱れているとき、境界面に接する所で層
流状態に保たれたごく薄い流体層である。そして、境膜
内では物質(めっき液3中の金属イオン)が分子拡散に
よって移動し、移動速度の抵抗は主として境膜の厚さの
大小に支配される。従って、境膜が超音波の振動エネル
ギーによって薄くなると、金属イオンの供給がより容易
となり高速にめっき処理されるものである。
第3図に、上記境膜におけるめっき液3内の電解中の金
属イオン濃度を説明するための図を示す。
第3図において、めっき液3中のalは振動部材9を使
用した場合のイオン欠乏層(境膜)であり、C2は振動
部材9を使用しない場合のイオン欠乏層である。また、
被めっき物5におけるC1は、振動部材9を使用した場
合の表面金属イオン濃度であり、C2は振動部材9を使
用しない場合の表面金属イオン濃度である。第3図から
も明らかなように、境膜が薄ければ(a+)、金属イオ
ン濃度が大きく、被めっき物5表面への金属イオンの供
給が容易になっている。
次に、第4図に、本発明の他の実施例の構成図を示す。
第4図は、めつき槽2の底部に振動部材9を配設し、こ
の振動部材9の上面を白金等で構成させて不溶性陽極1
1(4)としたものである。
そして、めっき液3中で、不溶性陽極11と被めっき物
5との間に吸収部材10を配設したものである。この場
合、振動部材9と被めっき物5との距離が小さく、振動
部材9の出力との関係でめっき厚が定まる。
このように、吸収部材10により被めっき物の位置的な
めっき厚の制御を行いめっき厚を均一化することができ
ると共に、高電流密度でのめつき処理が可能となり、振
動部材9との使用とも相まってめっき処理が高速となる
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、振動部材により被めっき
物に振動を与え、吸収部材により被めっき物に与える振
動を制御することにより、めっきの処理速度を高速化す
ることができると共に、めっき厚を制御することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、 第2図は吸収部材の一実施例の斜視図、第3図は境膜に
おける金属イオン濃度を説明するための図、 第4図は本発明の他の実施例の構成図、第5図は従来の
めっき装置の構成図である。 図において、 1はめつきviL置、 2はめつき槽、 3はめつき液、 4は陽極、 5は被めっき物(陰極)、 6は電源、 7は槽、 8は水(振動伝導媒体)、 9は振動部材、 10は吸収部材 を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 めつき槽(2)内における所定の金属が溶解されためっ
    き液(3)中に被めっき物(5)を浸して電気めつきを
    行うめっき装置において、 前記被めつき物(5)を振動させる振動部材(9)と、 該被めつき物(5)の所定部分に対応させてめつき厚を
    制御するために、該振動部材(9)の振動を吸収、遮断
    する所定形状の吸収部材(10)と、 を含むことを特徴とするめつき装置。
JP3758990A 1990-02-19 1990-02-19 めっき装置 Pending JPH03241000A (ja)

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JP3758990A JPH03241000A (ja) 1990-02-19 1990-02-19 めっき装置

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JP3758990A JPH03241000A (ja) 1990-02-19 1990-02-19 めっき装置

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JPH03241000A true JPH03241000A (ja) 1991-10-28

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JP3758990A Pending JPH03241000A (ja) 1990-02-19 1990-02-19 めっき装置

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