JPH03241000A - めっき装置 - Google Patents
めっき装置Info
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- JPH03241000A JPH03241000A JP3758990A JP3758990A JPH03241000A JP H03241000 A JPH03241000 A JP H03241000A JP 3758990 A JP3758990 A JP 3758990A JP 3758990 A JP3758990 A JP 3758990A JP H03241000 A JPH03241000 A JP H03241000A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 150000003283 rhodium Chemical class 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、めっき液から被めっき物に金属被膜を析出さ
せるめっき装置に関する。
せるめっき装置に関する。
近年、被めっき物をめっき液中で通電し、金属被膜を得
るための電気めっきを行うめつき装置には、処理速度の
高速化と処理の均−化等の品質向上が要求されている。
るための電気めっきを行うめつき装置には、処理速度の
高速化と処理の均−化等の品質向上が要求されている。
そのため、金属イオンの供給を制御し、被めっき物の部
分的なめっき厚を制御する必要がある。
分的なめっき厚を制御する必要がある。
（従来の技術〕
第５図に従来のめっき装置の構成図を示す。図において
、めっき槽３０内にめっき液３１が満たされており、こ
のめっき液３１内に陽極３２及び陰極３３が対峙して設
けられている。そして、陽極３２及び陰極３３間に電源
３４により電圧が印加される。
、めっき槽３０内にめっき液３１が満たされており、こ
のめっき液３１内に陽極３２及び陰極３３が対峙して設
けられている。そして、陽極３２及び陰極３３間に電源
３４により電圧が印加される。
上記のようなめっき装置において、例えば０ジウムめっ
きを行う場合、めっき液３１には金属ロジウム及び硫酸
を用い、陽極３２には白金めっきしたチタンを用いて、
温度２０〜５０”Ｃ，電流密度２〜５Ａ／ＴＩｔで行う
。そして、陰極３３を被めっき物として通電を行うこと
により、めっき液３１中の金属イオンを法被めっき物表
面に析出させるものである。このロジウムめっきは、化
学的に極めて安定で鏡面反射率が高く、硬さ、耐摩耗性
にすぐれており、接点やプリント回路等に使用される。
きを行う場合、めっき液３１には金属ロジウム及び硫酸
を用い、陽極３２には白金めっきしたチタンを用いて、
温度２０〜５０”Ｃ，電流密度２〜５Ａ／ＴＩｔで行う
。そして、陰極３３を被めっき物として通電を行うこと
により、めっき液３１中の金属イオンを法被めっき物表
面に析出させるものである。このロジウムめっきは、化
学的に極めて安定で鏡面反射率が高く、硬さ、耐摩耗性
にすぐれており、接点やプリント回路等に使用される。
ところで、上記のようなめっき装置による処理では、高
速化を図るためには通電電流の陰極電流１９５度を大き
くする必要がある。しかし、該Ｎ流密度が大きくなると
、めっきのむらや、外周部が特に厚くなるというめつき
厚の位置によるばらつき等の問題があった。
速化を図るためには通電電流の陰極電流１９５度を大き
くする必要がある。しかし、該Ｎ流密度が大きくなると
、めっきのむらや、外周部が特に厚くなるというめつき
厚の位置によるばらつき等の問題があった。
そこで、本発明は上記５！題に鑑みなされたもので、め
っきの処理速度の高速化及び処理の均一化を図るめっき
装置を提供することを目的とする。
っきの処理速度の高速化及び処理の均一化を図るめっき
装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記課題は、めっき槽内における所定の金属が溶解され
ためっき液中に被めっき物を浸して電気めっきを行うめ
っき装置において、前記被めっき物を振動させる振動部
材と、法被めっき物の所定部分に対応させてめっき厚を
１ｌＪｔｌｌするために、該振動部材の振動を吸収、遮
断する所定形状の吸収部材とを含むように構成すること
により解決される。
ためっき液中に被めっき物を浸して電気めっきを行うめ
っき装置において、前記被めっき物を振動させる振動部
材と、法被めっき物の所定部分に対応させてめっき厚を
１ｌＪｔｌｌするために、該振動部材の振動を吸収、遮
断する所定形状の吸収部材とを含むように構成すること
により解決される。
上述のように、被めっき物に振動部材により振動を与え
ている。これにより、被めっき物とめっき液界面におけ
る金属イオンが欠乏する境膜が薄くなる。従って、金属
イオンの供給がより容易となり、めっき処理の高速化が
可能となる。
ている。これにより、被めっき物とめっき液界面におけ
る金属イオンが欠乏する境膜が薄くなる。従って、金属
イオンの供給がより容易となり、めっき処理の高速化が
可能となる。
また、所定形状の吸収部材により、被めっき物への振動
を部分的に槽御している。これにより、振動に対応して
めっき厚が異なり、めっき厚の制御が可能となる。
を部分的に槽御している。これにより、振動に対応して
めっき厚が異なり、めっき厚の制御が可能となる。
第１図に本発明の一実施例の構成図を示す。第１図のめ
っき装Ｍ１において、めっき槽２内にめっき液が満たさ
れており、めっき液３内に陽極４及び陰極の被めっき物
５が設けられている。そして、陽極４及び被めっき５間
に電′ｆＡ６により電圧が印加（陽極、４が＋）される
。例えば、０ジウムめっきする場合には、前述の第５図
のように、めっき液３に金属ロジウム及び硫酸を用い、
陽極４に白金めっきしたチタンを用いて、温度２０〜５
０℃、電流密度２〜５Ａ／ｍで行う。
っき装Ｍ１において、めっき槽２内にめっき液が満たさ
れており、めっき液３内に陽極４及び陰極の被めっき物
５が設けられている。そして、陽極４及び被めっき５間
に電′ｆＡ６により電圧が印加（陽極、４が＋）される
。例えば、０ジウムめっきする場合には、前述の第５図
のように、めっき液３に金属ロジウム及び硫酸を用い、
陽極４に白金めっきしたチタンを用いて、温度２０〜５
０℃、電流密度２〜５Ａ／ｍで行う。
上記めっき槽２は槽γ内に設置され、槽７には振動伝導
媒体である水８が満たされており、底部に振動部材９が
設けられている。そして、めりき槽２と振動部材９との
間に吸収部材１０が配設される。振動部材９は、例えば
超音波振動子が使用され、吸収部材１０は、第２図に示
す形状の化学的に安定な高置材料板（例えば、ふっ素樹
脂板、ポリエチレン板）が使用される。なお、第２図に
示す吸収部材１０は、被めっき物５の外周部の振動を吸
収、遮断して弱め、めっき厚を全面で均一にするための
形状である。従って、この形状を変えることにより、部
分的にめっき厚を制御できるものである。また、振動部
材９と被めっき物５との距離は、超音波の波長の範囲で
可変でき、超音波の出力と距離でめっき厚をｔｌｌ’Ｋ
Ｊできる。
媒体である水８が満たされており、底部に振動部材９が
設けられている。そして、めりき槽２と振動部材９との
間に吸収部材１０が配設される。振動部材９は、例えば
超音波振動子が使用され、吸収部材１０は、第２図に示
す形状の化学的に安定な高置材料板（例えば、ふっ素樹
脂板、ポリエチレン板）が使用される。なお、第２図に
示す吸収部材１０は、被めっき物５の外周部の振動を吸
収、遮断して弱め、めっき厚を全面で均一にするための
形状である。従って、この形状を変えることにより、部
分的にめっき厚を制御できるものである。また、振動部
材９と被めっき物５との距離は、超音波の波長の範囲で
可変でき、超音波の出力と距離でめっき厚をｔｌｌ’Ｋ
Ｊできる。
上記のようなめっき装ｆｆ１１では、振動部材９の超音
波の振動エネルギーが被めっき物５の表面に与えられ、
被めっき物５とめっき液３との境界面における金属イオ
ンの欠乏する境膜を薄くする。
波の振動エネルギーが被めっき物５の表面に与えられ、
被めっき物５とめっき液３との境界面における金属イオ
ンの欠乏する境膜を薄くする。
すなわち、境膜が薄くなると、めっき液３内の溶解金属
イオンの被めっき物５への供給がより容易となり、めっ
き処理が高速となる。
イオンの被めっき物５への供給がより容易となり、めっ
き処理が高速となる。
ここで、境膜は、運動する流体と接する物体表面に形成
される境界層が乱れているとき、境界面に接する所で層
流状態に保たれたごく薄い流体層である。そして、境膜
内では物質（めっき液３中の金属イオン）が分子拡散に
よって移動し、移動速度の抵抗は主として境膜の厚さの
大小に支配される。従って、境膜が超音波の振動エネル
ギーによって薄くなると、金属イオンの供給がより容易
となり高速にめっき処理されるものである。
される境界層が乱れているとき、境界面に接する所で層
流状態に保たれたごく薄い流体層である。そして、境膜
内では物質（めっき液３中の金属イオン）が分子拡散に
よって移動し、移動速度の抵抗は主として境膜の厚さの
大小に支配される。従って、境膜が超音波の振動エネル
ギーによって薄くなると、金属イオンの供給がより容易
となり高速にめっき処理されるものである。
第３図に、上記境膜におけるめっき液３内の電解中の金
属イオン濃度を説明するための図を示す。
属イオン濃度を説明するための図を示す。
第３図において、めっき液３中のａｌは振動部材９を使
用した場合のイオン欠乏層（境膜）であり、Ｃ２は振動
部材９を使用しない場合のイオン欠乏層である。また、
被めっき物５におけるＣ１は、振動部材９を使用した場
合の表面金属イオン濃度であり、Ｃ２は振動部材９を使
用しない場合の表面金属イオン濃度である。第３図から
も明らかなように、境膜が薄ければ（ａ＋）、金属イオ
ン濃度が大きく、被めっき物５表面への金属イオンの供
給が容易になっている。
用した場合のイオン欠乏層（境膜）であり、Ｃ２は振動
部材９を使用しない場合のイオン欠乏層である。また、
被めっき物５におけるＣ１は、振動部材９を使用した場
合の表面金属イオン濃度であり、Ｃ２は振動部材９を使
用しない場合の表面金属イオン濃度である。第３図から
も明らかなように、境膜が薄ければ（ａ＋）、金属イオ
ン濃度が大きく、被めっき物５表面への金属イオンの供
給が容易になっている。
次に、第４図に、本発明の他の実施例の構成図を示す。
第４図は、めつき槽２の底部に振動部材９を配設し、こ
の振動部材９の上面を白金等で構成させて不溶性陽極１
１（４）としたものである。
の振動部材９の上面を白金等で構成させて不溶性陽極１
１（４）としたものである。
そして、めっき液３中で、不溶性陽極１１と被めっき物
５との間に吸収部材１０を配設したものである。この場
合、振動部材９と被めっき物５との距離が小さく、振動
部材９の出力との関係でめっき厚が定まる。
５との間に吸収部材１０を配設したものである。この場
合、振動部材９と被めっき物５との距離が小さく、振動
部材９の出力との関係でめっき厚が定まる。
このように、吸収部材１０により被めっき物の位置的な
めっき厚の制御を行いめっき厚を均一化することができ
ると共に、高電流密度でのめつき処理が可能となり、振
動部材９との使用とも相まってめっき処理が高速となる
。
めっき厚の制御を行いめっき厚を均一化することができ
ると共に、高電流密度でのめつき処理が可能となり、振
動部材９との使用とも相まってめっき処理が高速となる
。
以上のように本発明によれば、振動部材により被めっき
物に振動を与え、吸収部材により被めっき物に与える振
動を制御することにより、めっきの処理速度を高速化す
ることができると共に、めっき厚を制御することができ
る。
物に振動を与え、吸収部材により被めっき物に与える振
動を制御することにより、めっきの処理速度を高速化す
ることができると共に、めっき厚を制御することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の構成図、
第２図は吸収部材の一実施例の斜視図、第３図は境膜に
おける金属イオン濃度を説明するための図、 第４図は本発明の他の実施例の構成図、第５図は従来の
めっき装置の構成図である。 図において、 １はめつきｖｉＬ置、 ２はめつき槽、 ３はめつき液、 ４は陽極、 ５は被めっき物（陰極）、 ６は電源、 ７は槽、 ８は水（振動伝導媒体）、 ９は振動部材、 １０は吸収部材 を示す。
おける金属イオン濃度を説明するための図、 第４図は本発明の他の実施例の構成図、第５図は従来の
めっき装置の構成図である。 図において、 １はめつきｖｉＬ置、 ２はめつき槽、 ３はめつき液、 ４は陽極、 ５は被めっき物（陰極）、 ６は電源、 ７は槽、 ８は水（振動伝導媒体）、 ９は振動部材、 １０は吸収部材 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 めつき槽（２）内における所定の金属が溶解されためっ
き液（３）中に被めっき物（５）を浸して電気めつきを
行うめっき装置において、 前記被めつき物（５）を振動させる振動部材（９）と、 該被めつき物（５）の所定部分に対応させてめつき厚を
制御するために、該振動部材（９）の振動を吸収、遮断
する所定形状の吸収部材（１０）と、 を含むことを特徴とするめつき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3758990A JPH03241000A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3758990A JPH03241000A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | めっき装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241000A true JPH03241000A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12501729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3758990A Pending JPH03241000A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241000A (ja) |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3758990A patent/JPH03241000A/ja active Pending
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