JPH0323980B2 - - Google Patents
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- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description
本発明は、熱光学的に記入されまたは書き込ま
れ、かつ光学的に読み出される永久メモリ構造に
関する。 本発明は特に、光学的アクセスを有するデータ
記憶に関する。本発明は、データが熱的に書き込
まれ、永久に記憶され、光学的に読み出されるよ
うに、光学デイスクと一般に称される公知のデイ
スクの非制限的実施例を参照して説明される。こ
のようなデイスクは、その局部的変形がデータの
記録を構成する記入層を有する。 記憶されたデータはアナログまたは２進の形態
をとる。両者の場合ともに本発明の範囲内に含ま
れる。記憶されたデータは、光線を記入層中に透
過させまたはその層上で回折させ、次いで電気信
号に変換することに基づく方法によつて読み出さ
れる。 従来技術による光学デイスクは、透明でかつ吸
収性および反射性の層からなるデイスク支持体材
料中を、光線、一般にはレーザビームを透過させ
または反射させることにより読み出される。書込
みまたは記入は、孔を形成するという吸収層の熱
的除去によつて行なわれる。読出し用光線はこの
孔を通過して電気信号を発生させるが、一方、層
によつて光線が反射されれば、透過による読出し
の場合には信号の不存在に対応する。もし読出し
が反射による場合は、電気的応答は逆になる。 この除去による記入方法の欠点は、孔の端部が
平面でなくしかも限界が不明確なので、光学デイ
スクの読出し中に暗騒音が発生することである。
記入工程中には、吸収層は蒸発されるのではな
く、溶融される。溶融した材料は孔の周囲にカラ
ーの形で位置され、このカラー部分では溶融材料
は溶融材料中の表面張力によつて再編成される。 さらに、これらのデイスクは複製することが困
難だが、その理由は層内の孔を完全に再生するこ
とが要求されるが、層自身の厚さが数10ナノメー
トルであるからである。さらに、複製のためには
振幅コントラストを位相コントラストに変換する
が、これは多くの場合に読出しの目的にとつて欠
点となる。 他の従来技術の形態によれば、光学デイスクの
吸収層すなわち書込み層は、記入光線の熱作用の
下で膨張する下層のポリマ層の熱的膨張または変
質の結果として、単に変形するだけである。 単に吸収層が変形するだけの場合は、デイスク
の一面に関して記入層の突起を読み出すか、ある
いはデイスクの他面によりその支持体を通過させ
て記入層の溝または孔を読み出すことにより、ビ
デオデイスクの読出しが反射によつて行なわれ
る。 この第二の光学デイスク構造の欠点は、複製は
可能である反面、異なつた技術の２つの調整段
階、すなわち下層のポリマ層に対する段階と金属
層に対する他の段階とを要求される。さらに、以
下に詳細に示すように、この構造はある場合は非
常にもろくかつ取扱い難い。 本発明によれば、光学デイスクは、レーザビー
ムの作用により永久的に変形する少なくとも二重
の金属層によつて形成された感熱性記入層からな
る永久メモリ構造が提供される。このような結果
に次にいかなる機械的または化学的処理を施すこ
となく得られ、これは高い膨張性の金属からなる
第一の層と、延性のしかし比較的非膨張性の金属
からなる第二の層とを関連させたためである。こ
のメモリ構造においては、データは孔を明けるこ
となく二重層の変形をいう形態で、消去できない
方法で記録される。 より具体的には本発明は、前方に移動する基体
に支持され、熱的書込みまたは記入および光学的
読出しを行なう永久メモリ構造に関し、基体が低
い膨張係数を有する材料で作られ、この基体上に
付着される書込み層が、第一の金属層の非常に膨
張性の材料と、他の金属層のわずかに膨張性でか
つ延性の材料との、非常に異なつた膨張係数を有
する少くとも二重の金属層を含むことを特徴とす
る。 本発明は、添付図面を参照して、非限定的実施
態様に関して以下に詳細に説明される。 第１図は、ポイントメモリに対応する光学デイ
スクの非常に小さい部分の断面図である。これは
最もよく知られた構造であり、記入層の孔によつ
て反射または透過による読出しができる。 光学デイスクの支持体１または基体は一般に、
ポリメタクリル酸メチルまたは鉱物ガラス等の有
機性の透明材料からなる板で構成される。一般に
金属層２が基体１上に付着される。データの記入
または書込みの間、レーザビームによつて公知の
方法で供給される熱の作用の下で層を溶融するこ
とにより、吸収性の記入層２に孔３があけられ
る。しかしながら、レーザによつて供給されるエ
ネルギが有機基体１を損傷することなく、層２の
金属を溶融するのに適しているとしても、そのエ
ネルギは孔３に対応する量の金属を蒸発させるに
は適当なものではない。このためこの金属は完成
されたデイスク上に孔の周囲のカラー４の形状で
現われる。このカラーは溶融金属および孔３の周
囲の溶融点に近い金属とにおける表面張力の結果
として形成される。カラー４の厚さは数ナノメー
トルでしかないとはいえ、カラーは読出し中に比
較的高い暗騒音の原因となるという不利を有する
が、これは、デイスクの回転の間にレーザ読出し
ビームが２回通過するカラーの端部によつて、孔
の間のデイスク表面からの読出し信号がかなりか
つランダムに変更されてしまうからである。 第２図は、層に孔をあけることなく変形させる
ことによつて得られるもう１つの従来のポイント
メモリの断面図である。 光学デイスクは剛性の基体１を有し、これは第
１図の場合と同様に有機性または鉱物のガラスな
どの透明材料で作られる。基体１は先ずポリマ層
５によりそして次に金属層２により被覆される。
レーザがデイスクに照射される間、放射により与
えられるエネルギ量は、レーザビームの衝突領域
において、金属層２によつて吸収されかつそれに
隣接するポリマ層に透過される。重合材料層５に
透過された熱によつて局所的膨張７を伴う熱変質
が始まり、金属層２の厚さがわずかに数ナノメー
トルであるので、金属層２は膨張するポリマによ
つて押し戻され、突起６が形成される。突起形状
に記憶されたデータの読出しは、突起の凸状部上
またはデイスクの厚みすなわち基体１を通して凹
状部上に光線を回折させることにより行なわれ
る。 しかしながら、このポイントメモリ構造には多
くの不利な点がある。第一に２つの異なつた技術
（１つはポリマ層について、他の１つは金属層に
ついて）を使用しなければならない。さらにポリ
マは、特に湿気の多いまたは腐食性の雰囲気中で
は、あるいは溶剤の存在中では、あるいは光の放
射例えば太陽光線の結果では、寿命が限られてい
る。したがつて多くの場合は、構造体をカバーま
たはワニスによつて保護したり暗所に保存してお
くことが必要である。 第３図は本発明によるポイントメモリ構造を示
す。第一の金属層９が、平面状かつ剛性の支持体
１上に真空噴射または他の公知の方法によつて付
着される。層９自体は第二の金属層１０によつて
被覆される。第３図は書き込まれた状態のポイン
トメモリを示すが、使用前のデイスクの初期状態
では、２つの金属層９，１０は完全に平面状でか
つ基体または支持体１に接着している。 本発明によるポイントメモリ構造の特に特徴と
するところは、第一の金属層が熱膨張係数が非常
に高い第一の金属によつて構成される一方、第二
の金属層が熱膨張係数はそれほど高くはないがし
かし非常に延性である第二の金属によつて構成さ
れることにある。第３図の実施態様によれば、非
常に膨張性の大きい金属で層９が形成されて、こ
の層９が基体と第二の金属層とでサンドイツチさ
れる一方、比較的非膨張性の金属によつて外側の
層１０が形成される。 レーザビームがデイスクの金属表面に当たる
と、そのレーザビームが与えるエネルギ量は２つ
の層９，１０のアツセンブリにより吸収される
が、各層９，１０は約３ないし５ナノメートルす
なわち全体で６ないし10ナノメートルの厚さを有
する。厚さがこのような場合は、光学吸収係数は
50％に近く、レーザパルスにより供給されるエネ
ルギの半分によつて金属層内に膨張が発生する。
それ故、２つの金属層が異なつた膨張係数を有す
るので、膨張性の大きい層が膨張性の小さい層の
上で変形し、後者の層はこれに続くアツセンブリ
の冷却によつて変形された形状を残すことになる
が、これは膨張性の小さい層を形成する金属が延
性に富むからである。伸びによつて弾性限度を超
えるが破壊限度は超えず、したがつて延性層は冷
却後変形したままとなる。 ポイントメモリを冷却した後は、デイスク表面
は変形６を有するが、この変形６は延性金属の場
合は永久である。第３図におけるより膨張性金属
すなわち層９は延性金属から剥離されるか、ある
いは接着したまま残るが、しかし後者の場合は冷
却に伴う引張り力によつて突起６はわずかに小さ
くなる。 ２つの金属層に永久的かつ読出し可能な変形を
与えるために必要かつ充分なことは、レーザビー
ムが供給するエネルギによつて、２つの層に、数
100℃でかつ全ての場合は最も低い溶融点をもつ
た金属の溶融温度以下の温度を与えることであ
る。 例えば、非常に膨張性の金属で形成される層
は、以下の金属のうちの１つから構成されること
が好ましい。
れ、かつ光学的に読み出される永久メモリ構造に
関する。 本発明は特に、光学的アクセスを有するデータ
記憶に関する。本発明は、データが熱的に書き込
まれ、永久に記憶され、光学的に読み出されるよ
うに、光学デイスクと一般に称される公知のデイ
スクの非制限的実施例を参照して説明される。こ
のようなデイスクは、その局部的変形がデータの
記録を構成する記入層を有する。 記憶されたデータはアナログまたは２進の形態
をとる。両者の場合ともに本発明の範囲内に含ま
れる。記憶されたデータは、光線を記入層中に透
過させまたはその層上で回折させ、次いで電気信
号に変換することに基づく方法によつて読み出さ
れる。 従来技術による光学デイスクは、透明でかつ吸
収性および反射性の層からなるデイスク支持体材
料中を、光線、一般にはレーザビームを透過させ
または反射させることにより読み出される。書込
みまたは記入は、孔を形成するという吸収層の熱
的除去によつて行なわれる。読出し用光線はこの
孔を通過して電気信号を発生させるが、一方、層
によつて光線が反射されれば、透過による読出し
の場合には信号の不存在に対応する。もし読出し
が反射による場合は、電気的応答は逆になる。 この除去による記入方法の欠点は、孔の端部が
平面でなくしかも限界が不明確なので、光学デイ
スクの読出し中に暗騒音が発生することである。
記入工程中には、吸収層は蒸発されるのではな
く、溶融される。溶融した材料は孔の周囲にカラ
ーの形で位置され、このカラー部分では溶融材料
は溶融材料中の表面張力によつて再編成される。 さらに、これらのデイスクは複製することが困
難だが、その理由は層内の孔を完全に再生するこ
とが要求されるが、層自身の厚さが数10ナノメー
トルであるからである。さらに、複製のためには
振幅コントラストを位相コントラストに変換する
が、これは多くの場合に読出しの目的にとつて欠
点となる。 他の従来技術の形態によれば、光学デイスクの
吸収層すなわち書込み層は、記入光線の熱作用の
下で膨張する下層のポリマ層の熱的膨張または変
質の結果として、単に変形するだけである。 単に吸収層が変形するだけの場合は、デイスク
の一面に関して記入層の突起を読み出すか、ある
いはデイスクの他面によりその支持体を通過させ
て記入層の溝または孔を読み出すことにより、ビ
デオデイスクの読出しが反射によつて行なわれ
る。 この第二の光学デイスク構造の欠点は、複製は
可能である反面、異なつた技術の２つの調整段
階、すなわち下層のポリマ層に対する段階と金属
層に対する他の段階とを要求される。さらに、以
下に詳細に示すように、この構造はある場合は非
常にもろくかつ取扱い難い。 本発明によれば、光学デイスクは、レーザビー
ムの作用により永久的に変形する少なくとも二重
の金属層によつて形成された感熱性記入層からな
る永久メモリ構造が提供される。このような結果
に次にいかなる機械的または化学的処理を施すこ
となく得られ、これは高い膨張性の金属からなる
第一の層と、延性のしかし比較的非膨張性の金属
からなる第二の層とを関連させたためである。こ
のメモリ構造においては、データは孔を明けるこ
となく二重層の変形をいう形態で、消去できない
方法で記録される。 より具体的には本発明は、前方に移動する基体
に支持され、熱的書込みまたは記入および光学的
読出しを行なう永久メモリ構造に関し、基体が低
い膨張係数を有する材料で作られ、この基体上に
付着される書込み層が、第一の金属層の非常に膨
張性の材料と、他の金属層のわずかに膨張性でか
つ延性の材料との、非常に異なつた膨張係数を有
する少くとも二重の金属層を含むことを特徴とす
る。 本発明は、添付図面を参照して、非限定的実施
態様に関して以下に詳細に説明される。 第１図は、ポイントメモリに対応する光学デイ
スクの非常に小さい部分の断面図である。これは
最もよく知られた構造であり、記入層の孔によつ
て反射または透過による読出しができる。 光学デイスクの支持体１または基体は一般に、
ポリメタクリル酸メチルまたは鉱物ガラス等の有
機性の透明材料からなる板で構成される。一般に
金属層２が基体１上に付着される。データの記入
または書込みの間、レーザビームによつて公知の
方法で供給される熱の作用の下で層を溶融するこ
とにより、吸収性の記入層２に孔３があけられ
る。しかしながら、レーザによつて供給されるエ
ネルギが有機基体１を損傷することなく、層２の
金属を溶融するのに適しているとしても、そのエ
ネルギは孔３に対応する量の金属を蒸発させるに
は適当なものではない。このためこの金属は完成
されたデイスク上に孔の周囲のカラー４の形状で
現われる。このカラーは溶融金属および孔３の周
囲の溶融点に近い金属とにおける表面張力の結果
として形成される。カラー４の厚さは数ナノメー
トルでしかないとはいえ、カラーは読出し中に比
較的高い暗騒音の原因となるという不利を有する
が、これは、デイスクの回転の間にレーザ読出し
ビームが２回通過するカラーの端部によつて、孔
の間のデイスク表面からの読出し信号がかなりか
つランダムに変更されてしまうからである。 第２図は、層に孔をあけることなく変形させる
ことによつて得られるもう１つの従来のポイント
メモリの断面図である。 光学デイスクは剛性の基体１を有し、これは第
１図の場合と同様に有機性または鉱物のガラスな
どの透明材料で作られる。基体１は先ずポリマ層
５によりそして次に金属層２により被覆される。
レーザがデイスクに照射される間、放射により与
えられるエネルギ量は、レーザビームの衝突領域
において、金属層２によつて吸収されかつそれに
隣接するポリマ層に透過される。重合材料層５に
透過された熱によつて局所的膨張７を伴う熱変質
が始まり、金属層２の厚さがわずかに数ナノメー
トルであるので、金属層２は膨張するポリマによ
つて押し戻され、突起６が形成される。突起形状
に記憶されたデータの読出しは、突起の凸状部上
またはデイスクの厚みすなわち基体１を通して凹
状部上に光線を回折させることにより行なわれ
る。 しかしながら、このポイントメモリ構造には多
くの不利な点がある。第一に２つの異なつた技術
（１つはポリマ層について、他の１つは金属層に
ついて）を使用しなければならない。さらにポリ
マは、特に湿気の多いまたは腐食性の雰囲気中で
は、あるいは溶剤の存在中では、あるいは光の放
射例えば太陽光線の結果では、寿命が限られてい
る。したがつて多くの場合は、構造体をカバーま
たはワニスによつて保護したり暗所に保存してお
くことが必要である。 第３図は本発明によるポイントメモリ構造を示
す。第一の金属層９が、平面状かつ剛性の支持体
１上に真空噴射または他の公知の方法によつて付
着される。層９自体は第二の金属層１０によつて
被覆される。第３図は書き込まれた状態のポイン
トメモリを示すが、使用前のデイスクの初期状態
では、２つの金属層９，１０は完全に平面状でか
つ基体または支持体１に接着している。 本発明によるポイントメモリ構造の特に特徴と
するところは、第一の金属層が熱膨張係数が非常
に高い第一の金属によつて構成される一方、第二
の金属層が熱膨張係数はそれほど高くはないがし
かし非常に延性である第二の金属によつて構成さ
れることにある。第３図の実施態様によれば、非
常に膨張性の大きい金属で層９が形成されて、こ
の層９が基体と第二の金属層とでサンドイツチさ
れる一方、比較的非膨張性の金属によつて外側の
層１０が形成される。 レーザビームがデイスクの金属表面に当たる
と、そのレーザビームが与えるエネルギ量は２つ
の層９，１０のアツセンブリにより吸収される
が、各層９，１０は約３ないし５ナノメートルす
なわち全体で６ないし10ナノメートルの厚さを有
する。厚さがこのような場合は、光学吸収係数は
50％に近く、レーザパルスにより供給されるエネ
ルギの半分によつて金属層内に膨張が発生する。
それ故、２つの金属層が異なつた膨張係数を有す
るので、膨張性の大きい層が膨張性の小さい層の
上で変形し、後者の層はこれに続くアツセンブリ
の冷却によつて変形された形状を残すことになる
が、これは膨張性の小さい層を形成する金属が延
性に富むからである。伸びによつて弾性限度を超
えるが破壊限度は超えず、したがつて延性層は冷
却後変形したままとなる。 ポイントメモリを冷却した後は、デイスク表面
は変形６を有するが、この変形６は延性金属の場
合は永久である。第３図におけるより膨張性金属
すなわち層９は延性金属から剥離されるか、ある
いは接着したまま残るが、しかし後者の場合は冷
却に伴う引張り力によつて突起６はわずかに小さ
くなる。 ２つの金属層に永久的かつ読出し可能な変形を
与えるために必要かつ充分なことは、レーザビー
ムが供給するエネルギによつて、２つの層に、数
100℃でかつ全ての場合は最も低い溶融点をもつ
た金属の溶融温度以下の温度を与えることであ
る。 例えば、非常に膨張性の金属で形成される層
は、以下の金属のうちの１つから構成されること
が好ましい。
【表】
膨張性の小さい延性の金属は、
Mo Zr Ti Ta Cr Pt
から選ばれるが、これらの熱膨張係数は全て10×
10-6K-1以下である。 第３図のおよび上述したポイントメモリに対し
ては、種々の変形が可能である。 第一に、非常に膨張性の層と比較的非膨張性の
層との順序は以上述べたものとは逆にすることが
でき、すなわち、非常に膨張性の層９を比較的非
膨張性の層１０の上に付着させ、従つて層１０が
デイスク構造においてサンドイツチにされる。し
かしながら最初に提案された構造の方が好まし
く、その理由は、非常に膨張性の金属が比較的非
膨張性の金属上に圧力を発生させ、そのため２つ
の層が剥離する危険性がないからである。反対の
場合、すなわち層９が構造の外側に位置する場合
には、非常に膨張性の金属が比較的非膨張性の金
属上に引張りを起こし、２つの層間で剥離の危険
性がある。それ故、データは変形の形では記入さ
れず、これは冷却後に、比較的非膨張性の層がそ
の弾性限度を超えずに、永久変形が起こらないか
らである。 さらに、各層は２つのグループのそれぞれの２
つまたはそれ以上の金属の組合せまたは合金によ
つて製造できる。 最後に、二層構造は簡単でかつ発明の理解が容
易であるが、多くの層を使用することを排除する
ものではない。例えば基体への第一の接着層と、
本願の利益を有する異なつた膨張係数を有する２
つの材料からなる２つの層とを有する他に、第四
の酸化防止層によつて、デイスクの表面特に突起
にビデオデイスクを読み出すためには有効な外観
または反射係数を与えることも可能である。他の
解決策または組合せを企図することもできる。 本発明の永久ポイントメモリ構造は種々の理由
から利益があるものである。 第一に本発明ではただ１つの構造的な技術すな
わち２つの金属層を用いるだけであり、これはよ
り一般的にいえば、基板上に付着される全ての金
属層は同一の真空枠内の一連の操作の間に製造さ
れるが、これに対して従来の構造は多くの場合に
ポリマ層あるいは１つ以上の金属層を付着させる
ときに変更を要していた。 第二に、突起６の形で得られる記入は剛性であ
るが、これはこの突起が２つの金属層によつて形
成され、かつ再生が必要な場合には、比較的容易
な手段で再生を行なうことができる。 記録された表面を保護する必要があるときは、
いつでもワニス、感光性または感熱性ラツカ、ま
たは機械的カバーによつて行なうことができる。
例えばデータを数年間記憶させるというように、
長期間の保存が要求されるときは、デイスクの金
属表面に厚い金属層を塗布して古記録またはフア
イルを形成することができる。 最後に、記録されたデータの読出しは、突起側
のデイスク表面によるものと、仮に支持体が透明
材料でできている場合にはデイスクの支持体を通
して金属変形の溝または孔が読み出されるものと
の、両方の読出し方法および読出し方法が成り立
つ。 本発明は以上説明された実施態様に限定される
ものではない。本発明は回転運動または直線運動
を行なう剛性または柔軟なかつ平面状または円筒
状の支持体に関するものである。本発明は特許請
求の範囲に含まれる変形を含むものである。
10-6K-1以下である。 第３図のおよび上述したポイントメモリに対し
ては、種々の変形が可能である。 第一に、非常に膨張性の層と比較的非膨張性の
層との順序は以上述べたものとは逆にすることが
でき、すなわち、非常に膨張性の層９を比較的非
膨張性の層１０の上に付着させ、従つて層１０が
デイスク構造においてサンドイツチにされる。し
かしながら最初に提案された構造の方が好まし
く、その理由は、非常に膨張性の金属が比較的非
膨張性の金属上に圧力を発生させ、そのため２つ
の層が剥離する危険性がないからである。反対の
場合、すなわち層９が構造の外側に位置する場合
には、非常に膨張性の金属が比較的非膨張性の金
属上に引張りを起こし、２つの層間で剥離の危険
性がある。それ故、データは変形の形では記入さ
れず、これは冷却後に、比較的非膨張性の層がそ
の弾性限度を超えずに、永久変形が起こらないか
らである。 さらに、各層は２つのグループのそれぞれの２
つまたはそれ以上の金属の組合せまたは合金によ
つて製造できる。 最後に、二層構造は簡単でかつ発明の理解が容
易であるが、多くの層を使用することを排除する
ものではない。例えば基体への第一の接着層と、
本願の利益を有する異なつた膨張係数を有する２
つの材料からなる２つの層とを有する他に、第四
の酸化防止層によつて、デイスクの表面特に突起
にビデオデイスクを読み出すためには有効な外観
または反射係数を与えることも可能である。他の
解決策または組合せを企図することもできる。 本発明の永久ポイントメモリ構造は種々の理由
から利益があるものである。 第一に本発明ではただ１つの構造的な技術すな
わち２つの金属層を用いるだけであり、これはよ
り一般的にいえば、基板上に付着される全ての金
属層は同一の真空枠内の一連の操作の間に製造さ
れるが、これに対して従来の構造は多くの場合に
ポリマ層あるいは１つ以上の金属層を付着させる
ときに変更を要していた。 第二に、突起６の形で得られる記入は剛性であ
るが、これはこの突起が２つの金属層によつて形
成され、かつ再生が必要な場合には、比較的容易
な手段で再生を行なうことができる。 記録された表面を保護する必要があるときは、
いつでもワニス、感光性または感熱性ラツカ、ま
たは機械的カバーによつて行なうことができる。
例えばデータを数年間記憶させるというように、
長期間の保存が要求されるときは、デイスクの金
属表面に厚い金属層を塗布して古記録またはフア
イルを形成することができる。 最後に、記録されたデータの読出しは、突起側
のデイスク表面によるものと、仮に支持体が透明
材料でできている場合にはデイスクの支持体を通
して金属変形の溝または孔が読み出されるものと
の、両方の読出し方法および読出し方法が成り立
つ。 本発明は以上説明された実施態様に限定される
ものではない。本発明は回転運動または直線運動
を行なう剛性または柔軟なかつ平面状または円筒
状の支持体に関するものである。本発明は特許請
求の範囲に含まれる変形を含むものである。
第１図は記入層の孔を有する従来のポイントメ
モリ構造の断面図、第２図は記入層の変形を有す
る他の従来のポイントメモリ構造の断面図、第３
図は本発明によるポイントメモリ構造の断面図で
ある。 １……基体または支持体、６……変形または突
起、９……第一の金属層、１０……第二の金属
層。
モリ構造の断面図、第２図は記入層の変形を有す
る他の従来のポイントメモリ構造の断面図、第３
図は本発明によるポイントメモリ構造の断面図で
ある。 １……基体または支持体、６……変形または突
起、９……第一の金属層、１０……第二の金属
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体に支持され、熱的書込み及び光学的読出
しを行う永久メモリ構造において、 該基体上に、少なくとも、熱膨張係数の異なる
２種の金属による第１及び第２の金属層による２
重金属層が付着され、 第１の金属層は大きな熱膨張係数を有し、 第２の金属層は、第１の金属より小さな熱膨張
係数を有しかつ延性の金属層であり、 熱的書込みが各金属層の融解温度より低い温度
で行われることを特徴とする永久メモリ構造。 ２ 大きな熱膨張係数を有する第１の金属層が、
基体と第２の金属層の間に配置されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の永久メモリ構
造。 ３ 第２の金属層が基体と第１の金属層の間に配
置されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の永久メモリ構造。 ４ 熱膨張係数の大きな第１の金属層が、Cd、
Zn、Tl、Mg、Al、Mn、Agの個々の金属のひと
つまたは合金の形で作られることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の永久メモリ構造。 ５ 熱膨張係数の小さな第２の金属層が、Mo、
Zr、Ti、Ta、Cr、Ptの個々の金属のひとつまた
は合金の形で作られることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の永久メモリ構造。 ６ 書込みが延性の第２の金属層の永久変形の形
態であり、該変形が第２の金属層の弾性限度を超
えるがしかし破壊限度以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の永久メモリ構造。 ７ 基体と、その上に付着される熱膨張係数の異
なる２種の金属による第１及び第２の金属層によ
る２重金属層を有し、第１の金属層は大きな熱膨
張係数を有し、第２の金属層は第１の金属より小
さな熱膨張係数を有する延性の金属層である永久
メモリへの書込み方法において、 ２重金属層がレーザビームにより各金属層の融
解温度より低い温度で一時的に変形され、該レー
ザビームの熱エネルギが、２重金属層により吸収
され、かつ延性の第２の金属層において弾性限度
を超えかつ破壊限度以下である伸びによつて永久
的な機械的変形に変換されることを特徴とする永
久メモリ構造への書き込み方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8002246A FR2475271A1 (fr) | 1980-02-01 | 1980-02-01 | Structure de memoire permanente, a inscription thermo-optique et lecture optique, et procede d'inscription dans une telle structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56124135A JPS56124135A (en) | 1981-09-29 |
| JPH0323980B2 true JPH0323980B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=9238114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031581A Granted JPS56124135A (en) | 1980-02-01 | 1981-01-28 | Thermal optical writing permanent memory structure and optically reading and writing method |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4360895A (ja) |
| EP (1) | EP0033431B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56124135A (ja) |
| CA (1) | CA1157150A (ja) |
| DE (1) | DE3065796D1 (ja) |
| FR (1) | FR2475271A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4408213A (en) * | 1981-10-30 | 1983-10-04 | Rca Corporation | Reinforced bubble recording medium and information record |
| JPS58501886A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-11-04 | バロ−ス・コ−ポレ−ション | 低出力放射および関連した媒体を用いる記録保管デ−タ記録システム |
| WO1983001703A1 (en) * | 1981-11-09 | 1983-05-11 | Burroughs Corp | Method of archival data recording and related media |
| JPS58142894A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS595097A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-11 | Nec Corp | 光記録方式 |
| KR870002142B1 (ko) * | 1982-09-20 | 1987-12-12 | 디스커비소젼 어시에이츠 | 광학 기록 매체 및 그의 제조방법 |
| JPS59119550A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 情報記録用部材 |
| DE3377173D1 (en) * | 1982-09-29 | 1988-07-28 | Toshiba Kk | Radiation-sensitive carrier body utilized as stamper structure |
| JPS5958640A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | 基板成形用スタンパ |
| JPH071556B2 (ja) * | 1983-03-26 | 1995-01-11 | パイオニア株式会社 | ディスクの情報記録方法 |
| US4719615A (en) * | 1983-08-22 | 1988-01-12 | Optical Data, Inc. | Erasable optical data storage medium |
| US4852075A (en) * | 1983-08-22 | 1989-07-25 | Optical Data, Inc. | Erasable optical data storage medium and method and apparatus for recording data on the medium |
| US4631704A (en) * | 1983-12-15 | 1986-12-23 | The University Of Houston | Methods and devices for charged beam accessible data storage |
| US4638335A (en) * | 1983-12-29 | 1987-01-20 | Xerox Corporation | Optical recording member |
| JPS6174891A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | Tdk Corp | 光記録方法 |
| JPH0639189B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1994-05-25 | ティーディーケイ株式会社 | 光カ−ド |
| US4780867A (en) * | 1986-10-02 | 1988-10-25 | Optical Data, Inc. | Method for erasably recording data by viscoelastic shear deformation |
| US4825430A (en) * | 1986-12-19 | 1989-04-25 | Optical Data, Inc. | Erasable optical data storage medium having an embedded servo track and a subsurface recording interface |
| JPS63200331A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Toshiba Corp | 記録媒体及び記録再生方法 |
| US5214632A (en) * | 1987-12-23 | 1993-05-25 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a matrix and a master plate suitable for use in the method |
| US5079758A (en) * | 1989-09-28 | 1992-01-07 | Tandy Corporation | Single polymer layer recordable/erasable optical media |
| JP3088168B2 (ja) * | 1991-12-13 | 2000-09-18 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JP6835040B2 (ja) * | 2018-06-19 | 2021-02-24 | カシオ計算機株式会社 | 樹脂成形シートの製造方法及び造形物の製造方法 |
| JP6809515B2 (ja) * | 2018-08-08 | 2021-01-06 | カシオ計算機株式会社 | 樹脂成形シート、樹脂成形シートの製造方法、造形物及び造形物の製造方法 |
| JP6879274B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2021-06-02 | カシオ計算機株式会社 | 樹脂成形シート、樹脂成形シートの製造方法、造形物及び造形物の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1574687B2 (de) * | 1968-02-06 | 1978-08-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Aufzeichnungsträger für Informationen |
| US3866187A (en) * | 1973-07-02 | 1975-02-11 | Philips Corp | Method of recording and reproducing information in ferroelastic metals |
| US4004080A (en) * | 1975-07-25 | 1977-01-18 | Rca Corporation | Metal coating for video discs |
| FR2368779A1 (fr) * | 1976-10-22 | 1978-05-19 | Thomson Brandt | Support thermosensible destine a l'enregistrement d'information et procede d'enregistrement d'information sur un tel support |
| CH604215A5 (ja) * | 1976-12-21 | 1978-08-31 | Landis & Gyr Ag | |
| DE2744533A1 (de) * | 1977-10-04 | 1979-04-12 | Polygram Gmbh | Plattenfoermiger traeger zur optischen aufzeichnung und wiedergabe von signalen |
| JPS553971A (en) * | 1978-06-26 | 1980-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Thermal recording material |
| US4264986A (en) * | 1979-03-12 | 1981-04-28 | Willis Craig I | Information-recording process & apparatus |
| US4300227A (en) * | 1979-10-17 | 1981-11-10 | Rca Corporation | Replicable optical recording medium |
| US4285056A (en) * | 1979-10-17 | 1981-08-18 | Rca Corporation | Replicable optical recording medium |
-
1980
- 1980-02-01 FR FR8002246A patent/FR2475271A1/fr active Granted
- 1980-12-24 EP EP80401865A patent/EP0033431B1/fr not_active Expired
- 1980-12-24 DE DE8080401865T patent/DE3065796D1/de not_active Expired
-
1981
- 1981-01-27 US US06/228,722 patent/US4360895A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-01-28 JP JP1031581A patent/JPS56124135A/ja active Granted
- 1981-01-30 CA CA000369794A patent/CA1157150A/en not_active Expired
Also Published As
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| CA1157150A (en) | 1983-11-15 |
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| DE3065796D1 (en) | 1984-01-05 |
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