JPH0323688A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0323688A JPH0323688A JP15877689A JP15877689A JPH0323688A JP H0323688 A JPH0323688 A JP H0323688A JP 15877689 A JP15877689 A JP 15877689A JP 15877689 A JP15877689 A JP 15877689A JP H0323688 A JPH0323688 A JP H0323688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat sink
- chip
- main surface
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば光通信や光情報処理に使用して好適な
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである． 〔従来の技術〕 従来、この種の半導体レーザ装置の製造方法は第３図に
示すようなものがある．すなわち、放熱体１の主面１ａ
に対してこの主面１ａと直角なレーザ光出射面２ａをも
つ半導体レーザチソプ２を固着した後、この半導体レー
ザチップ２のレーザ光出射方向と反対側であって半導体
レーザチソブ２に接続する外部リード（図示せず）をも
つ基板３に接続するのである．この場合、半導体レーザ
チップ２は放熱体ｌの主面１ａに通常熱応力緩和材４を
介して固着されるが、この熱応力緩和材４の上面．レー
ザ光出射面２ａおよび放熱体ｌの上面が同一の面上に位
置付けられる． ところで、この種の方法によって製造された半導体レー
ザ装置は、レーザ光５が基板３の基準面３ａの中心から
距離ｌだけ離間する位置で基準面３ａと垂直な方向に出
射するように構威されていることが望ましい． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかるに、従来の半導体レーザ装置の製造方法において
は、半導体レーザチフブ２の内部構造にばらつきがある
ことから、レーザ光５が第３図に示すようにレーザ光出
射２ａと垂直の方向に出射されず、半導体レーザ装置と
しての信頼性が低下するという問題があった． 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、レー
ザ光出射方向における不良発生を防止することかでき、
もって信頼性が高いデバイスを得ることができる半導体
レーザ装置の製造方法を提供するものである． 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、放熱体の
主面に対してこの主面と直角なレーザ光出射面をもつ半
導体レーザチップを固着し、次いで半導体レーザチップ
からレーザ光を出射してこの出射光と放熱体の主面との
ずれ角を測定し、しかる後この測定角に応じて放熱体を
基準面に対して傾斜させ半導体レーザチップのレーザ光
出射方向と反対側に固着するものである． 〔作 用〕 本発明においては、半導体レーザチンブのレーザ光出射
面から基準面に対して垂直な方向にレーザ光が出射され
ることになる． 〔実施例〕 以下、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法につき
、第１図（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する．先ず、同図
（ａ）に示すように放熱体ｌ１の主面１１ａに対しこの
主面１１ａと直角なレーザ光出射面１２ａをもつ半導体
レーザチソブ１２を固着する．このとき、放熱体１１の
主面１１ａと半導体チフプ１２の固着面１２ｂとの間に
熱応力緩和材１３が介装されるが、この熱応力緩和材ｌ
３の上面，放熱体ｌ１の上面および半導体レーザチフブ
１２のレーザ光出射面１２ａは同一の面上に位置付けら
れる．次いで、半導体レーザチンプｌ２からレーザ光１
４を出射してこの出射光１４と放熱体１１の主面１１ａ
とのずれ角αを測定する．しかる後、この測定角αに応
じて同図中》に示すように放熱体ｌ１の固着面１ｌｂに
切削加工を施してから、これを同図（Ｃ）に示すように
半導体レーザチップｌ２のレーザ光出射方向と反対側で
あって基板ｌ５の基準面１５ａに対し傾斜させて固着す
る．この場合、放熱体１１の切削加工前の高さをｌ，切
削加工後の高さをＬ＋ 放熱体１１とレーザ光出射点１
６間の距離をＬとすると、 １２， ＝ａ（ｊ！− Ｌ ｓｉｎα）／ ｃｏｓαの
関係式を満足する。また、放熱体１１の固着位置は、半
導体レーザチップｌ２の位置を測定しながらレーザ光１
４が基板１５の中心真上で出射されるように決定するこ
とが望ましいが、放熱体ｌ１の高さｌとずれ角αから計
算によって決定しても差し支えない．このようにして、
本実施例の半導体レーザ装置を確実に製造することがで
きる． したがって、本実施例においては、半導体レーザチップ
ｌ２のレーザ光出射面１２ａから基板ｌ５の基準面１５
ａに対して垂直な方向にレーザ光１４が出射されること
になり、レーザ光出射方向における不良発生を確実に防
止することかできる．なお、本実施例においては、放熱
体ｌ１を基板１５の基準面１５ａに対して傾斜させ固着
する場合に放熱体１１の固着面１ｌｂに切削加工を施す
ことにより行う例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、基板１５に切削加工を施すことにより
行うこともできる． 次に、この方法につき第２図（ａ）および伽）を用いて
説明する。
半導体レーザ装置の製造方法に関するものである． 〔従来の技術〕 従来、この種の半導体レーザ装置の製造方法は第３図に
示すようなものがある．すなわち、放熱体１の主面１ａ
に対してこの主面１ａと直角なレーザ光出射面２ａをも
つ半導体レーザチソプ２を固着した後、この半導体レー
ザチップ２のレーザ光出射方向と反対側であって半導体
レーザチソブ２に接続する外部リード（図示せず）をも
つ基板３に接続するのである．この場合、半導体レーザ
チップ２は放熱体ｌの主面１ａに通常熱応力緩和材４を
介して固着されるが、この熱応力緩和材４の上面．レー
ザ光出射面２ａおよび放熱体ｌの上面が同一の面上に位
置付けられる． ところで、この種の方法によって製造された半導体レー
ザ装置は、レーザ光５が基板３の基準面３ａの中心から
距離ｌだけ離間する位置で基準面３ａと垂直な方向に出
射するように構威されていることが望ましい． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかるに、従来の半導体レーザ装置の製造方法において
は、半導体レーザチフブ２の内部構造にばらつきがある
ことから、レーザ光５が第３図に示すようにレーザ光出
射２ａと垂直の方向に出射されず、半導体レーザ装置と
しての信頼性が低下するという問題があった． 本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、レー
ザ光出射方向における不良発生を防止することかでき、
もって信頼性が高いデバイスを得ることができる半導体
レーザ装置の製造方法を提供するものである． 〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、放熱体の
主面に対してこの主面と直角なレーザ光出射面をもつ半
導体レーザチップを固着し、次いで半導体レーザチップ
からレーザ光を出射してこの出射光と放熱体の主面との
ずれ角を測定し、しかる後この測定角に応じて放熱体を
基準面に対して傾斜させ半導体レーザチップのレーザ光
出射方向と反対側に固着するものである． 〔作 用〕 本発明においては、半導体レーザチンブのレーザ光出射
面から基準面に対して垂直な方向にレーザ光が出射され
ることになる． 〔実施例〕 以下、本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法につき
、第１図（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する．先ず、同図
（ａ）に示すように放熱体ｌ１の主面１１ａに対しこの
主面１１ａと直角なレーザ光出射面１２ａをもつ半導体
レーザチソブ１２を固着する．このとき、放熱体１１の
主面１１ａと半導体チフプ１２の固着面１２ｂとの間に
熱応力緩和材１３が介装されるが、この熱応力緩和材ｌ
３の上面，放熱体ｌ１の上面および半導体レーザチフブ
１２のレーザ光出射面１２ａは同一の面上に位置付けら
れる．次いで、半導体レーザチンプｌ２からレーザ光１
４を出射してこの出射光１４と放熱体１１の主面１１ａ
とのずれ角αを測定する．しかる後、この測定角αに応
じて同図中》に示すように放熱体ｌ１の固着面１ｌｂに
切削加工を施してから、これを同図（Ｃ）に示すように
半導体レーザチップｌ２のレーザ光出射方向と反対側で
あって基板ｌ５の基準面１５ａに対し傾斜させて固着す
る．この場合、放熱体１１の切削加工前の高さをｌ，切
削加工後の高さをＬ＋ 放熱体１１とレーザ光出射点１
６間の距離をＬとすると、 １２， ＝ａ（ｊ！− Ｌ ｓｉｎα）／ ｃｏｓαの
関係式を満足する。また、放熱体１１の固着位置は、半
導体レーザチップｌ２の位置を測定しながらレーザ光１
４が基板１５の中心真上で出射されるように決定するこ
とが望ましいが、放熱体ｌ１の高さｌとずれ角αから計
算によって決定しても差し支えない．このようにして、
本実施例の半導体レーザ装置を確実に製造することがで
きる． したがって、本実施例においては、半導体レーザチップ
ｌ２のレーザ光出射面１２ａから基板ｌ５の基準面１５
ａに対して垂直な方向にレーザ光１４が出射されること
になり、レーザ光出射方向における不良発生を確実に防
止することかできる．なお、本実施例においては、放熱
体ｌ１を基板１５の基準面１５ａに対して傾斜させ固着
する場合に放熱体１１の固着面１ｌｂに切削加工を施す
ことにより行う例を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、基板１５に切削加工を施すことにより
行うこともできる． 次に、この方法につき第２図（ａ）および伽）を用いて
説明する。
先ず、同図（ａ）に示すように放熱体１１の主面１１ａ
に対しこの主面１１ａと直角なレーザ光出射面１２ａを
もつ半導体レーザチップ１２を固着する。このとき、放
熱体ｌ１の主面１１ａと半導体チップｌ２の固着面１２
ｂとの間に熱応力緩和材１３が介装されるが、この熱応
力緩和材１３の上面，放熱体１１の上面および半導体レ
ーザチップ１２のレーザ光出射面１２ａは同一の面上に
位置付けられる。次いで、半導体レーザチフブ１２から
レーザ光ｌ４を出射してこの出射光と放熱体１ｌの主面
１１ａとのずれ角α （ζα）を測定する．しかる後、
この測定角α′に応じて同図伽》に示すように予め切削
加工によって基板１５の基準面１５ａに形威された傾斜
面２１に放熱体１１の固着面１ｌｂを固着する。この場
合、各勾配が互いに異なる傾斜面２ｌをもつ複数の基板
１５を用意し、傾斜面２１は基板ｌ５の裏側に形或する
ことが望ましい．また、放熱体１１の固着位置は、実施
例と同様にしてレーザ光１４が基板ｌ５の中心真上で出
射されるように決定する． このようにして、半導体レーザ装置を得ることができる
． 〔発明の効果〕 以上説明したように本莞明によれば、放熱体の主面に対
してこの主面と直角なレーザ光出射面をもつ半導体レー
ザチップを固着し、次いで半導体レーザチップからレー
ザ光を出射してこの出射光と放熱体の主面とのずれ角を
測定し、しかる後この測定角に応じて放熱体を基準面に
対して傾斜させ半導体レーザチップのレーザ光出射方向
と反対側に固着するので、半導体レーザチンプのレーザ
光出射面から基準面に対して垂直な方向にレーザ光が出
射されることになる．したがって、レーザ光出射方向の
不良発生を確実に防止することかできるから、信頼性が
高い半導体レーザ装置を得ることができる．
に対しこの主面１１ａと直角なレーザ光出射面１２ａを
もつ半導体レーザチップ１２を固着する。このとき、放
熱体ｌ１の主面１１ａと半導体チップｌ２の固着面１２
ｂとの間に熱応力緩和材１３が介装されるが、この熱応
力緩和材１３の上面，放熱体１１の上面および半導体レ
ーザチップ１２のレーザ光出射面１２ａは同一の面上に
位置付けられる。次いで、半導体レーザチフブ１２から
レーザ光ｌ４を出射してこの出射光と放熱体１ｌの主面
１１ａとのずれ角α （ζα）を測定する．しかる後、
この測定角α′に応じて同図伽》に示すように予め切削
加工によって基板１５の基準面１５ａに形威された傾斜
面２１に放熱体１１の固着面１ｌｂを固着する。この場
合、各勾配が互いに異なる傾斜面２ｌをもつ複数の基板
１５を用意し、傾斜面２１は基板ｌ５の裏側に形或する
ことが望ましい．また、放熱体１１の固着位置は、実施
例と同様にしてレーザ光１４が基板ｌ５の中心真上で出
射されるように決定する． このようにして、半導体レーザ装置を得ることができる
． 〔発明の効果〕 以上説明したように本莞明によれば、放熱体の主面に対
してこの主面と直角なレーザ光出射面をもつ半導体レー
ザチップを固着し、次いで半導体レーザチップからレー
ザ光を出射してこの出射光と放熱体の主面とのずれ角を
測定し、しかる後この測定角に応じて放熱体を基準面に
対して傾斜させ半導体レーザチップのレーザ光出射方向
と反対側に固着するので、半導体レーザチンプのレーザ
光出射面から基準面に対して垂直な方向にレーザ光が出
射されることになる．したがって、レーザ光出射方向の
不良発生を確実に防止することかできるから、信頼性が
高い半導体レーザ装置を得ることができる．
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係る半導体レーザ装置
の製造方法を説明するための断面図、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は他の実施例を説明するための断面図、第３図
は従来の方法によって製造された半導体レーザ装置を示
す断面図である。 １１・・・・放熱体、ｌｌａ ・・・・主面、ｌ２・
・・・半導体レーザチップ、１２ａ ・・・・レーザ
光出射面、ｌ４・・・・レーザ光、ｌ５・・・・基板、
１５ａ ・・・・基準面． 代 理 人 大 岩 増 雄笥 １ 図 （ａ） （ｂ） 第 ２ 参 （ａ） （ｂ） 箋 ３ ぎ． ２．発明の名称 ３．補正をする者 手続補正書（自発） 平或２ 年１ ，Ｊ８ 日 半導体レーザ装置の製造方法 ５．補正の対象 （１） 明細書の発明の詳細な説明の欄（２）図面 ６．補正の内容 （１） 明細書２頁２０行の「レーザ光出射２ａＪを
「レーザ光出射面２ａＪと補正する． （２）同書３頁１行の「信頼性」を「性能」と補正する
． （３）同書中、下記の箇所の「信頼性が高いｊを「性能
が良い」と補正する． ３頁５行、７頁ｌ６行． （４）同書４頁１９行の「放熱体ｌ１の切削加工前の高
さ」を「基準面１５ａとレーザ光出射点１６の基準距離
」と補正する． （５）同書５真１４行の「することかできる」を「する
ことができる」と補正する． 《６》 回書６頁１２行の「ずれ角α′（＃α）」を
「ずれ角α」と補正する． （７）同書同頁１３行の「測定角α′」を「ずれ角α」
と補正する． ｛８）同書同頁ｌ５行の「傾斜面２１に」を「傾斜面２
１ （基準面１５ａとなす角をα′とするとα′一α〉
に」と補正する． 《９》 第１図を添付図面の通り補正する．以
上 第 １ 図
の製造方法を説明するための断面図、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は他の実施例を説明するための断面図、第３図
は従来の方法によって製造された半導体レーザ装置を示
す断面図である。 １１・・・・放熱体、ｌｌａ ・・・・主面、ｌ２・
・・・半導体レーザチップ、１２ａ ・・・・レーザ
光出射面、ｌ４・・・・レーザ光、ｌ５・・・・基板、
１５ａ ・・・・基準面． 代 理 人 大 岩 増 雄笥 １ 図 （ａ） （ｂ） 第 ２ 参 （ａ） （ｂ） 箋 ３ ぎ． ２．発明の名称 ３．補正をする者 手続補正書（自発） 平或２ 年１ ，Ｊ８ 日 半導体レーザ装置の製造方法 ５．補正の対象 （１） 明細書の発明の詳細な説明の欄（２）図面 ６．補正の内容 （１） 明細書２頁２０行の「レーザ光出射２ａＪを
「レーザ光出射面２ａＪと補正する． （２）同書３頁１行の「信頼性」を「性能」と補正する
． （３）同書中、下記の箇所の「信頼性が高いｊを「性能
が良い」と補正する． ３頁５行、７頁ｌ６行． （４）同書４頁１９行の「放熱体ｌ１の切削加工前の高
さ」を「基準面１５ａとレーザ光出射点１６の基準距離
」と補正する． （５）同書５真１４行の「することかできる」を「する
ことができる」と補正する． 《６》 回書６頁１２行の「ずれ角α′（＃α）」を
「ずれ角α」と補正する． （７）同書同頁１３行の「測定角α′」を「ずれ角α」
と補正する． ｛８）同書同頁ｌ５行の「傾斜面２１に」を「傾斜面２
１ （基準面１５ａとなす角をα′とするとα′一α〉
に」と補正する． 《９》 第１図を添付図面の通り補正する．以
上 第 １ 図
Claims (1)
- 放熱体の主面に対してこの主面と直角なレーザ光出射面
をもつ半導体レーザチップを固着し、次いでこの半導体
レーザチップからレーザ光を出射してこの出射光と前記
放熱体の主面とのずれ角を測定し、しかる後この測定角
に応じて前記放熱体を基準面に対して傾斜させ前記半導
体レーザチップのレーザ光出射方向と反対側に固着する
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15877689A JPH0323688A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15877689A JPH0323688A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323688A true JPH0323688A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15679089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15877689A Pending JPH0323688A (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323688A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065267A (ja) * | 1996-04-23 | 1998-03-06 | Cie Ind Lase | ダイオードレーザ装置 |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP15877689A patent/JPH0323688A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065267A (ja) * | 1996-04-23 | 1998-03-06 | Cie Ind Lase | ダイオードレーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5403773A (en) | Method for producing a semiconductor light emitting device | |
| USRE49645E1 (en) | Manufacturing method of light-emitting device | |
| US4740259A (en) | Method of making a light-emitting-diode (led) with spherical lens | |
| US20010023979A1 (en) | Method and system for dicing wafers, and semiconductor structures incorporating the products thereof | |
| JP2007141995A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US7680376B2 (en) | Wafer-level alignment of optical elements | |
| JPH0688923A (ja) | 光ファイバの光軸とオプトエレクトロニクス部品の位置合せ法およびこの方法による装置 | |
| JP2001148403A (ja) | 半導体チップの実装方法および装置 | |
| US20120012754A1 (en) | Diffraction grating, method for producing the same, and radiation imaging apparatus | |
| JPH04196189A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0323688A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP5275558B2 (ja) | 半導体デバイスにおけるオーバースプレー被覆（ｏｖｅｒｓｐｒａｙｃｏａｔｉｎｇ）の制御 | |
| JPS62105446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050208842A1 (en) | [positioning apparatus and positioning method using the same] | |
| US12099248B2 (en) | Optical component, optical assembly, optical module, and manufacturing method thereof | |
| US5383016A (en) | Method for aligning two reflective surfaces | |
| CN104900630B (zh) | 提高对准标记对比度的结构及其形成方法 | |
| JPH05315700A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR200497510Y1 (ko) | 적외선을 이용한 웨이퍼 얼라인 시스템 | |
| CN100474546C (zh) | 使用棱镜测绘毛细工具尖端的方法和装置 | |
| JPS6129188A (ja) | レ−ザダイオ−ド容器 | |
| JPS60198740A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62216244A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0642501B2 (ja) | 微小半導体チップの位置合わせ方法 | |
| JPS61168985A (ja) | 半導体レ−ザ素子 |