JPH03231463A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH03231463A JPH03231463A JP2027534A JP2753490A JPH03231463A JP H03231463 A JPH03231463 A JP H03231463A JP 2027534 A JP2027534 A JP 2027534A JP 2753490 A JP2753490 A JP 2753490A JP H03231463 A JPH03231463 A JP H03231463A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- type impurity
- photodiode
- impurity diffusion
- charge transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像装置に関するものである。
従来の技術
近年、小型ビデオカメラの普及に伴い、固体撮像装置の
性能向上が重要になってきている。このため、上記固体
撮像装置のフォトダイオード部表面に一層の高濃度のＰ
型不純物拡散層を備えフォトダイオード部表面での再結
合を防ぎ、電荷蓄積効率を向上させるという手法が取ら
れるようになってきた。
性能向上が重要になってきている。このため、上記固体
撮像装置のフォトダイオード部表面に一層の高濃度のＰ
型不純物拡散層を備えフォトダイオード部表面での再結
合を防ぎ、電荷蓄積効率を向上させるという手法が取ら
れるようになってきた。
第２図は従来の半導体固体撮像装置の断面図であり、１
はフォトダイオード部表面に形成されたＰ型不純物拡散
層、２はフォトダイオード部と電荷転送部３を分離する
Ｐ型不純物拡散層、４は読み出しゲート、５はフォトダ
イオード部を形成するＮ型不純物拡散層、６は電荷転送
部を形成するＰ型不純物拡散層、７はフォトダイオード
部とウェルを形成するＰ型不純物層を示す。
はフォトダイオード部表面に形成されたＰ型不純物拡散
層、２はフォトダイオード部と電荷転送部３を分離する
Ｐ型不純物拡散層、４は読み出しゲート、５はフォトダ
イオード部を形成するＮ型不純物拡散層、６は電荷転送
部を形成するＰ型不純物拡散層、７はフォトダイオード
部とウェルを形成するＰ型不純物層を示す。
まず、光の入射によってフォトダイオード部Ｎ型不純物
拡散層５に電子が蓄積される。次に読み出しゲート４の
電位を上げることにより、電子がゲート下の電荷転送部
へ転送され、この電子が電荷転送部から素子外部へ転送
され、その結果、光の強度が感知される。
拡散層５に電子が蓄積される。次に読み出しゲート４の
電位を上げることにより、電子がゲート下の電荷転送部
へ転送され、この電子が電荷転送部から素子外部へ転送
され、その結果、光の強度が感知される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の技術では、Ｐ型不純物層１で
構成された拡散層が高濃度であるため、フォトダイオー
ドと電荷転送部３を分離するＰ型不純物拡散層２の間の
深い部分に電位障壁が発生し、また、これを防ぐためＰ
型不純物拡散層１を図面左方向へ移動させると表面部に
電位の井戸が発生し、フォトダイオード部５に蓄積され
た電荷を効率良く電荷転送部に送り出すことができない
ため、残像増加２画質低下などの問題が起こっていた。
構成された拡散層が高濃度であるため、フォトダイオー
ドと電荷転送部３を分離するＰ型不純物拡散層２の間の
深い部分に電位障壁が発生し、また、これを防ぐためＰ
型不純物拡散層１を図面左方向へ移動させると表面部に
電位の井戸が発生し、フォトダイオード部５に蓄積され
た電荷を効率良く電荷転送部に送り出すことができない
ため、残像増加２画質低下などの問題が起こっていた。
本発明は、上記従来の技術の問題点を解決するもので、
上記フォトダイオード部から電荷転送部への蓄積電荷の
送り出しの効果を上げることにより、残像低下９画質向
上など、性能の高い固体撮像装置を提供することを目的
とする。
上記フォトダイオード部から電荷転送部への蓄積電荷の
送り出しの効果を上げることにより、残像低下９画質向
上など、性能の高い固体撮像装置を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
この目的を解決するため、本発明の固体撮像装置は、上
記フォトダイオード部表面に二層構造のＰ型不純物拡散
層を備えたものである。
記フォトダイオード部表面に二層構造のＰ型不純物拡散
層を備えたものである。
作用
この構成によって、フォトダイオード部表面のＰ型不純
物拡散層の濃度を拡散位置の違いにより２階段で制御す
ることが可能となる。
物拡散層の濃度を拡散位置の違いにより２階段で制御す
ることが可能となる。
これにより、フォトダイオード部表面のＰ型不純物拡散
層と、フォトダイオード部と電荷転送部を分離するＰ型
不純物拡散層との間の表面部に電位の井戸を発生させず
に、上記電位障壁の発生を防ぐことが可能となる。この
結果、フォトダイオード部から電荷転送部への蓄積電荷
の送り出し効率が高く、低残像で高画質の半導体固体撮
像装置が実現できる。
層と、フォトダイオード部と電荷転送部を分離するＰ型
不純物拡散層との間の表面部に電位の井戸を発生させず
に、上記電位障壁の発生を防ぐことが可能となる。この
結果、フォトダイオード部から電荷転送部への蓄積電荷
の送り出し効率が高く、低残像で高画質の半導体固体撮
像装置が実現できる。
実施例
以下、本発明を一実施例により、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明実施例の固体撮像装置の断面図である。
第１図において、１１は上記フォトダイオード部の表面
二層構造Ｐ型不純物拡散層の表層部、１２はフォトダイ
オード部の表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の内層部、１
３はフォトダイオード部と電荷転送部を分離するＰ型不
純物拡散層、１４は読み出しゲート、１５はフォトダイ
オード部Ｎ型不純物拡散層、１６は電荷転送部、１７は
電荷転送部を形成するＰ型不純物拡散層、１８はフォト
ダイオード部とウェルを形成するＰ型不純物拡散層を示
す。
二層構造Ｐ型不純物拡散層の表層部、１２はフォトダイ
オード部の表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の内層部、１
３はフォトダイオード部と電荷転送部を分離するＰ型不
純物拡散層、１４は読み出しゲート、１５はフォトダイ
オード部Ｎ型不純物拡散層、１６は電荷転送部、１７は
電荷転送部を形成するＰ型不純物拡散層、１８はフォト
ダイオード部とウェルを形成するＰ型不純物拡散層を示
す。
このように構成された固体撮像装置について、その動作
を説明する。
を説明する。
まず光の入射によってフォトダイオード部Ｎ型不純物拡
散層１５に電子が蓄積される。次に読み出しゲート１４
の電位を上げることにより、電子がゲート下の電荷転送
部１６に転送される。この際、フォトダイオード部Ｐ型
不純物拡散層１１の不純物濃度を高く、また、フォトダ
イオード部Ｐ型不純物拡散層の内層部１２の不純物濃度
を低くすることにより、電位障壁および、電位の井戸の
発生を防ぐことができ、これにより、上記フォトダイオ
ード部が電荷転送部への蓄積電荷転送の効率を高くする
ことが可能となる。
散層１５に電子が蓄積される。次に読み出しゲート１４
の電位を上げることにより、電子がゲート下の電荷転送
部１６に転送される。この際、フォトダイオード部Ｐ型
不純物拡散層１１の不純物濃度を高く、また、フォトダ
イオード部Ｐ型不純物拡散層の内層部１２の不純物濃度
を低くすることにより、電位障壁および、電位の井戸の
発生を防ぐことができ、これにより、上記フォトダイオ
ード部が電荷転送部への蓄積電荷転送の効率を高くする
ことが可能となる。
発明の効果
以上のように本実施例によれば、固体撮像装置のフォト
ダイオード部表面に二層構造のＰ型不純物拡散層を備え
ることにより、固体撮像装置のフォトダイオード部に蓄
積された電荷をより高い効率で電荷転送部に送り出すこ
とが可能となる。
ダイオード部表面に二層構造のＰ型不純物拡散層を備え
ることにより、固体撮像装置のフォトダイオード部に蓄
積された電荷をより高い効率で電荷転送部に送り出すこ
とが可能となる。
これにより、低残像高画質の固体撮像装置の実現が可能
となる。
となる。
第１図は本発明の一実施例固体撮像装置の断面図、第２
図は従来の固体撮像装置の断面図である。 １１・・・・・・表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の表層
部、１２・・・・・・表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の
内層部、１３・・・・・・電荷転送部分離、Ｐ型部不純
物拡散層、１４・・・・・・読み出しゲート、１５・・
・・・・フォトダイオード部Ｎ型不純物拡散層、１６・
・・・・・電荷転送部、１７・・・・・・電荷転送部形
成Ｐ型不純物拡散層、１８・・・・・・フォトダイオー
ド部とウェルを形成するＰ型不純物拡散層。
図は従来の固体撮像装置の断面図である。 １１・・・・・・表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の表層
部、１２・・・・・・表面二層構造Ｐ型不純物拡散層の
内層部、１３・・・・・・電荷転送部分離、Ｐ型部不純
物拡散層、１４・・・・・・読み出しゲート、１５・・
・・・・フォトダイオード部Ｎ型不純物拡散層、１６・
・・・・・電荷転送部、１７・・・・・・電荷転送部形
成Ｐ型不純物拡散層、１８・・・・・・フォトダイオー
ド部とウェルを形成するＰ型不純物拡散層。
Claims (1)
- 半導体基板の表面部に電荷転送部と、フォトダーイオー
ド部と、前記電荷転送部と前記フォトダイオード部を分
離する拡散層とを有し、前記フォトダイオード部の表面
部分に、上層の不純物濃度が高く、下層の不純物濃度が
低い２層構造の不純物拡散層をそなえたことを特徴とす
る固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2027534A JPH03231463A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2027534A JPH03231463A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231463A true JPH03231463A (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=12223773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2027534A Pending JPH03231463A (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03231463A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178143A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2016178144A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2027534A patent/JPH03231463A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178143A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2016178144A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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