JPH03231158A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
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- JPH03231158A JPH03231158A JP2026420A JP2642090A JPH03231158A JP H03231158 A JPH03231158 A JP H03231158A JP 2026420 A JP2026420 A JP 2026420A JP 2642090 A JP2642090 A JP 2642090A JP H03231158 A JPH03231158 A JP H03231158A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0098—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means using semiconductor body comprising at least one PN junction as detecting element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/005—Measuring force or stress, in general by electrical means and not provided for in G01L1/06 - G01L1/22
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/124—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by semiconductor devices comprising at least one PN junction, e.g. transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと記す）
を感圧素子として用いて、圧力、加速度等の物理量を検
出するセンサに係り、特に検出出力の温度特性補償を考
慮した半導体センサに関する。
を感圧素子として用いて、圧力、加速度等の物理量を検
出するセンサに係り、特に検出出力の温度特性補償を考
慮した半導体センサに関する。
（洋審／７’ｌ ＃ ｗｒ）
ＦＥＴに圧力、歪等を加えるとドレイン電流か変化する
ことを利用した半導体センサては、ドレイン電流か温度
によっても変化するため温度補償回路が必要ある。例え
は圧力検出用のＦＥＴの他に温度検出用のＦＥＴを設け
て、両ＦＥＴの出力を比較することで温度補償を行なう
ことか考えられるが、この場合チップ面積が増加する。
ことを利用した半導体センサては、ドレイン電流か温度
によっても変化するため温度補償回路が必要ある。例え
は圧力検出用のＦＥＴの他に温度検出用のＦＥＴを設け
て、両ＦＥＴの出力を比較することで温度補償を行なう
ことか考えられるが、この場合チップ面積が増加する。
温度検出用のＦＥＴ等を設けないで温度補償を行なう技
術として、ＦＥＴのゲートバイアス電圧をＶＧＳ−Ｉ
ＤＳ特性上の温度依存性か実質的に；となる値に設定す
ることが、特開昭５８−０１５０２９号および特公平１
−５９５２５号公報で開示されている。
術として、ＦＥＴのゲートバイアス電圧をＶＧＳ−Ｉ
ＤＳ特性上の温度依存性か実質的に；となる値に設定す
ることが、特開昭５８−０１５０２９号および特公平１
−５９５２５号公報で開示されている。
（発明が解決しようとする課題）
一方、ＦＥＴの検出感度（検出すべき物理量の変化に対
するドレイン電流の変化量）は、ドレイン電流値に依存
する。したがって、ＦＥＴのゲートバイアス電圧を前述
の温度依存性が実質的に；となる点に設定した場合、希
望する検出感度か得られないことがある。また、ＦＥＴ
の特性か異なれぼ印加すべきケートバイアス電圧や基準
となるドレイン電流値か異なるため、ケートバイアス印
加回路や出力増幅回路の調節が必要となる。
するドレイン電流の変化量）は、ドレイン電流値に依存
する。したがって、ＦＥＴのゲートバイアス電圧を前述
の温度依存性が実質的に；となる点に設定した場合、希
望する検出感度か得られないことがある。また、ＦＥＴ
の特性か異なれぼ印加すべきケートバイアス電圧や基準
となるドレイン電流値か異なるため、ケートバイアス印
加回路や出力増幅回路の調節が必要となる。
この発明はこのような課題を解決するためなされたもの
で、その目的は温度検出用のＦＥＴ等を設けることなく
、また、応力等検出用のＦＥＴのバイアス条件に制約を
与えることなく、温度特性補償を行なうための温度信号
出力を備えた半導体センサ、および、温度補償された検
出出力を得ることのできる半導体センサを提供すること
にある。
で、その目的は温度検出用のＦＥＴ等を設けることなく
、また、応力等検出用のＦＥＴのバイアス条件に制約を
与えることなく、温度特性補償を行なうための温度信号
出力を備えた半導体センサ、および、温度補償された検
出出力を得ることのできる半導体センサを提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
前記課題を解決するため請求項！に係る半導体センサは
、電界効果トランジスタのドレイン電流の変化に対応す
る信号を出力する検出信号出力回路と、ドレイン電流の
積分値もしくは長時間平均値に対応する信号を出力する
積分回路を備えたことを特徴とする 請求項２に係る半導体センサは、ドレイン電流に基づい
てその積分値もしくは長時間平均値に対応する信号を出
力する積分回路を設けるとともに、積分回路の出力が予
め設定した値となるようＦＥＴのゲート電圧を制御する
ゲート電圧発生回路を備えたことを特徴とする 請求項３に係る半導体センサは、ＦＥＴのドレイン電流
を人力としてドレイン電流の変化に対応する信号を出力
する検出信号出力回路を設けるとともに、ＦＥＴのソー
ス・ゲート間に抵抗とコンデンサとの並列回路を接続し
たことを特徴とする。
、電界効果トランジスタのドレイン電流の変化に対応す
る信号を出力する検出信号出力回路と、ドレイン電流の
積分値もしくは長時間平均値に対応する信号を出力する
積分回路を備えたことを特徴とする 請求項２に係る半導体センサは、ドレイン電流に基づい
てその積分値もしくは長時間平均値に対応する信号を出
力する積分回路を設けるとともに、積分回路の出力が予
め設定した値となるようＦＥＴのゲート電圧を制御する
ゲート電圧発生回路を備えたことを特徴とする 請求項３に係る半導体センサは、ＦＥＴのドレイン電流
を人力としてドレイン電流の変化に対応する信号を出力
する検出信号出力回路を設けるとともに、ＦＥＴのソー
ス・ゲート間に抵抗とコンデンサとの並列回路を接続し
たことを特徴とする。
（作用）
請求項１に係る半導体センサは、感圧素子であるＦＥＴ
へ応力等が印加されると、印加した応力等に応じた信号
が検出信号出力回路から出力されるとともに、積分回路
からは短時間変動成分を除いた温度変化に対応する温度
信号が出力される。
へ応力等が印加されると、印加した応力等に応じた信号
が検出信号出力回路から出力されるとともに、積分回路
からは短時間変動成分を除いた温度変化に対応する温度
信号が出力される。
請求項２に係る半導体センサは、温度変化に伴ってＦＥ
Ｔのドレイン電流が変化し、これにより積分回路の圧力
が変化すると、その変化を打消すようにＦＥＴのゲート
バイアス電圧を調節するので、ＦＥＴのドレインπ流は
常に所定の値となり、温度特性補償された検出出力か得
られる。
Ｔのドレイン電流が変化し、これにより積分回路の圧力
が変化すると、その変化を打消すようにＦＥＴのゲート
バイアス電圧を調節するので、ＦＥＴのドレインπ流は
常に所定の値となり、温度特性補償された検出出力か得
られる。
請求項３に係る半導体センサは、温度変化に伴ってＦＥ
Ｔのドレイン電流か変化すると、これに応してゲートバ
イアスが変化し所定のドレイン電流となるよう制御され
るので、温度特性補償された検出出力か得られる。
Ｔのドレイン電流か変化すると、これに応してゲートバ
イアスが変化し所定のドレイン電流となるよう制御され
るので、温度特性補償された検出出力か得られる。
（実施例）
以下にこの発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図は請求項１に係る半導体センサのブロック構成図
である。
である。
この半導体センサ１は、応力検出用のＦＥＴ２と、この
ＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤを人力として対応する電圧
を出力する検出信号出力回路３と、検出信号出力回路３
の出力を積分して温度信号を出力する積分回路４からな
る。
ＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤを人力として対応する電圧
を出力する検出信号出力回路３と、検出信号出力回路３
の出力を積分して温度信号を出力する積分回路４からな
る。
ＦＥＴ２のドレインＤはＶＤＤ電源へ接続され、そのゲ
ートＧには抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧されたゲートバイアス
電圧が印加される。
ートＧには抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧されたゲートバイアス
電圧が印加される。
検出信号出力回路３は、演算増幅器３ａと帰還抵抗３ｂ
からなる電流−電圧（１−Ｖ）変換回路で構成している
。本実施例では、ＦＥＴ２のソースＳを演算増幅器３ａ
の反転入力端子ＩＮ−接続している。そして、演算増幅
器３ａの非反転入力端子ＩＮ十をＧＮＤ電位とし、各入
力端子ＩＮ＋、ＩＮ−間の電位差がほぼ０であることを
利用して、ＦＥＴ２を定電圧駆動する構成としている。
からなる電流−電圧（１−Ｖ）変換回路で構成している
。本実施例では、ＦＥＴ２のソースＳを演算増幅器３ａ
の反転入力端子ＩＮ−接続している。そして、演算増幅
器３ａの非反転入力端子ＩＮ十をＧＮＤ電位とし、各入
力端子ＩＮ＋、ＩＮ−間の電位差がほぼ０であることを
利用して、ＦＥＴ２を定電圧駆動する構成としている。
積分回路４は、人力抵抗４ａ、４ｂを備えた演算増幅器
４ｃの帰還経路にコンデンサ４ｄを設ける構成としてい
る。この積分回路４の積分時定数は、ＦＥＴ２で検出し
ようとする圧力・歪等の印加時間あるいは変化時間より
も充分長い値に設定している。
４ｃの帰還経路にコンデンサ４ｄを設ける構成としてい
る。この積分回路４の積分時定数は、ＦＥＴ２で検出し
ようとする圧力・歪等の印加時間あるいは変化時間より
も充分長い値に設定している。
なお、積分回路４は、抵抗とコンデンサの直列回路で構
成し、コンデンサの充電電圧を温度信号として出力する
構成であってもよい。また、検出信号出力回路３は、電
流増幅器の出力側に抵抗を僅える構成でもよい。
成し、コンデンサの充電電圧を温度信号として出力する
構成であってもよい。また、検出信号出力回路３は、電
流増幅器の出力側に抵抗を僅える構成でもよい。
第２図は、応力等の検出を行なう電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）の模式構造図である。
（ＦＥＴ）の模式構造図である。
第２図は、圧力、応力歪、加速度等を検出するのに通す
るカンチレバータイプの構造を示したものである。この
構造は、シリコン（Ｓｉ）等からなる半導体基板２１上
に、ガリウムヒ素（ＧａＡＳ）からなる結晶成長層２２
をエピタキシャル成長させ、この結晶成長層２２にＦＥ
Ｔ２を形成している。半導体基板２１の下面の一部（図
中の記号Ａの部分）をエツチング等で除去し、この薄肉
部にあたる位置にＦＥＴ２を形成している。
るカンチレバータイプの構造を示したものである。この
構造は、シリコン（Ｓｉ）等からなる半導体基板２１上
に、ガリウムヒ素（ＧａＡＳ）からなる結晶成長層２２
をエピタキシャル成長させ、この結晶成長層２２にＦＥ
Ｔ２を形成している。半導体基板２１の下面の一部（図
中の記号Ａの部分）をエツチング等で除去し、この薄肉
部にあたる位置にＦＥＴ２を形成している。
ＦＥＴ２は接合形ＦＥＴ （Ｊ−ＦＥＴ）、ＭＥＳ−Ｆ
ＥＴ、ＭＩＳ−ＦＥＴのいずれの構造であってもよい。
ＥＴ、ＭＩＳ−ＦＥＴのいずれの構造であってもよい。
そして、半導体基板２１の一端側を固定した状態で、他
端側に半導体基板２１の板厚方向へ圧力や加速度が加わ
ると、矢印Ａで示す部分の結晶成長層２２が屈曲する。
端側に半導体基板２１の板厚方向へ圧力や加速度が加わ
ると、矢印Ａで示す部分の結晶成長層２２が屈曲する。
この屈曲によるストレスがＦＥＴ２の相互コンダクタン
スｇｍ等を変化させる。
スｇｍ等を変化させる。
第３図は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の電圧−電
流特注を示すグラフである。
流特注を示すグラフである。
第３図において、横軸はドレイン−ソース間電圧ＶＤＳ
、縦軸はドレイン；流ＩＤを示す。図中の実！ｊＡＡ１
．Ａ２．Ａ３は常温（２５℃）における特性で、Ａ１は
応力が加わっていないときの特性を示している。引張り
応力が加わるとドレイン電流ＩＤは実線Ａ２で示すよう
に増加し、逆に圧縮応力か加わると、ドレイン電流ＩＤ
は実線Ａ３て示すように減少する。国中の点線Ｂｌ、Ｂ
２゜Ｂ３は高温（５０℃）における特性を示す。
、縦軸はドレイン；流ＩＤを示す。図中の実！ｊＡＡ１
．Ａ２．Ａ３は常温（２５℃）における特性で、Ａ１は
応力が加わっていないときの特性を示している。引張り
応力が加わるとドレイン電流ＩＤは実線Ａ２で示すよう
に増加し、逆に圧縮応力か加わると、ドレイン電流ＩＤ
は実線Ａ３て示すように減少する。国中の点線Ｂｌ、Ｂ
２゜Ｂ３は高温（５０℃）における特性を示す。
以上の構成であるから、ＦＥＴ２に応力等が印加される
と、印加された応力等の方向およびその大きざに応じて
ドレイン電流ＩＤが変化し、このドレイン電流ＩＤの変
化は、検出信号出力回路３で電流−電圧変換され、端子
３Ｃから検出応力に対応する電圧出力を得る。
と、印加された応力等の方向およびその大きざに応じて
ドレイン電流ＩＤが変化し、このドレイン電流ＩＤの変
化は、検出信号出力回路３で電流−電圧変換され、端子
３Ｃから検出応力に対応する電圧出力を得る。
一方、積分回路４は、その積分時定数が充分長く設定さ
れているので、短時間での変化に対応する出力を発生せ
ずに、温度変化に伴なうドレイン”２（ｌｒＤの極めて
ゆるやかな変化に対応した出力を発生する。よって出力
端子４ｅには、温度に対応した出力電圧が得られる。
れているので、短時間での変化に対応する出力を発生せ
ずに、温度変化に伴なうドレイン”２（ｌｒＤの極めて
ゆるやかな変化に対応した出力を発生する。よって出力
端子４ｅには、温度に対応した出力電圧が得られる。
このように、請求項！に係る半導体センサ１は、応力等
の検出信号と温度検出信号を出力するので、この半導体
センサ１が接続された制御装置側で検出圧力の温度補正
を行なうことができる。
の検出信号と温度検出信号を出力するので、この半導体
センサ１が接続された制御装置側で検出圧力の温度補正
を行なうことができる。
第４図は請求項２に係る半導体センサのプロ、ツク構成
図である。
図である。
この半導体センサ３０は、ＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤ
を予め設定した所定の電流値となるようＦＥＴ２のゲー
トバイアス電圧ＶＧを制御するよう構成されている。
を予め設定した所定の電流値となるようＦＥＴ２のゲー
トバイアス電圧ＶＧを制御するよう構成されている。
第１図と同一部分は同一符号を符し、以下、相違点につ
いて説明する。
いて説明する。
ＦＥＴ２のゲートバイアス電圧ＶＧは、ゲート電圧発生
回路３１から供給する。このゲート電圧発生回路３１は
、比較回路３２、基準電圧発生回路３３および積分回路
４とから構成している。比較回路３２は、基１！電圧発
生回路３２から印加される基準電圧ＶＲと積分回路４の
出力電圧とを比較し、両電圧の差をなくすようゲートバ
イアス電圧ＶＧを制御するよう構成されている。
回路３１から供給する。このゲート電圧発生回路３１は
、比較回路３２、基準電圧発生回路３３および積分回路
４とから構成している。比較回路３２は、基１！電圧発
生回路３２から印加される基準電圧ＶＲと積分回路４の
出力電圧とを比較し、両電圧の差をなくすようゲートバ
イアス電圧ＶＧを制御するよう構成されている。
例えば、高温状態でＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤが増加
し、積分回路４の出力電圧が基準電圧ＶＲより高くなる
と、比較回路３２は、両電圧の差に応じてゲートバイア
スを深くして、ＦＥＴ２のドレイン電流値ＩＤが予め設
定した値を保持するよう制御する。したがって、温度が
変化してもＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤは所定の値に保
持されるから、出力端子３Ｃには温度補償された検出出
力を得ることができる。
し、積分回路４の出力電圧が基準電圧ＶＲより高くなる
と、比較回路３２は、両電圧の差に応じてゲートバイア
スを深くして、ＦＥＴ２のドレイン電流値ＩＤが予め設
定した値を保持するよう制御する。したがって、温度が
変化してもＦＥＴ２のドレイン電流ＩＤは所定の値に保
持されるから、出力端子３Ｃには温度補償された検出出
力を得ることができる。
第５図は請求項３に係る半導体センサのブロック構成図
である。
である。
この半導体センサ５０は、ＦＥＴ２のソースＳと圧力信
号出力回路３との間に、抵抗５１とコンデンサ５２とを
並列接続したケート；圧セルフバイアス回路５３を設け
たものである。短時間もしくは短周期の応力変化等に伴
なうドレイン電流ＩＤの変化は、コンデンサ５２を介し
て、検出信号出力回路３へ伝達するとともに、温度変化
に伴なうドレイン電流ｒＤのゆるやかな変化に対応させ
てゲートバイアス電圧ＶＧを決定するよう構成している
。したかって、例えば高温状態てＦＥＴ２のドレイン電
流ｒＤか増加すると、セルフバイアス回路５３の電圧降
下は犬となり、ＦＥＴ２のケートバイアスは深くなって
、ドレイン電流ＩＤを減少させ、所定のドレイン電流Ｉ
Ｄを保持するよう動作する。よって、出力端子３ｃから
は温度補償された検出出力を得ることができる。
号出力回路３との間に、抵抗５１とコンデンサ５２とを
並列接続したケート；圧セルフバイアス回路５３を設け
たものである。短時間もしくは短周期の応力変化等に伴
なうドレイン電流ＩＤの変化は、コンデンサ５２を介し
て、検出信号出力回路３へ伝達するとともに、温度変化
に伴なうドレイン電流ｒＤのゆるやかな変化に対応させ
てゲートバイアス電圧ＶＧを決定するよう構成している
。したかって、例えば高温状態てＦＥＴ２のドレイン電
流ｒＤか増加すると、セルフバイアス回路５３の電圧降
下は犬となり、ＦＥＴ２のケートバイアスは深くなって
、ドレイン電流ＩＤを減少させ、所定のドレイン電流Ｉ
Ｄを保持するよう動作する。よって、出力端子３ｃから
は温度補償された検出出力を得ることができる。
（発明の効果）
以上説明したように請求項１に係る半導体センサは、応
力等の検出素子であるＦＥＴの出力電流を積分して温度
信号を出力する構成であるから、応力等の検出出力の温
度補償を行なうために新たな温度検出回路等を設ける必
要かなく、かつ、１つのＦＥＴで応力等と温度との検出
を兼用しているので、正確な温度補償を行なわせること
かてき、また温度検出装置として利用することもできる
。
力等の検出素子であるＦＥＴの出力電流を積分して温度
信号を出力する構成であるから、応力等の検出出力の温
度補償を行なうために新たな温度検出回路等を設ける必
要かなく、かつ、１つのＦＥＴで応力等と温度との検出
を兼用しているので、正確な温度補償を行なわせること
かてき、また温度検出装置として利用することもできる
。
請求項２および請求項３に係る半導体センサは、温度変
化に伴なうＦＥＴの出力電流変化に基づいて、予め設定
したドレイン電流を保持するようゲートバイアス電圧を
フィードバック制御する構成であるから、温度補償され
た検出出力を得ることができる。
化に伴なうＦＥＴの出力電流変化に基づいて、予め設定
したドレイン電流を保持するようゲートバイアス電圧を
フィードバック制御する構成であるから、温度補償され
た検出出力を得ることができる。
第１図は請求項１に係る半導体センサのブロック構成図
、第２図は電界効果トランジスタの模式構造図、第３図
は電界効果トランジスタの電圧−電流特注を示すグラフ
、第４図は請求項２に係る半導体センサのブロック構成
図、第５図は請求項３に係る半導体センサのブロック構
成図である。 １３０．５０・・・半導体センサ、２・・・電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）、３・・・検出信号出力回路、４
・−・積分回路、３１・・・ゲート電圧発生回路、３２
・・・比較回路、３３・・・基準電圧発生回路、５１．
５２・・・セルフバイアス回路を構成する抵抗およびコ
ンデンサ。 ドレイシミ流 （ＩＤ） 賞 薫
、第２図は電界効果トランジスタの模式構造図、第３図
は電界効果トランジスタの電圧−電流特注を示すグラフ
、第４図は請求項２に係る半導体センサのブロック構成
図、第５図は請求項３に係る半導体センサのブロック構
成図である。 １３０．５０・・・半導体センサ、２・・・電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）、３・・・検出信号出力回路、４
・−・積分回路、３１・・・ゲート電圧発生回路、３２
・・・比較回路、３３・・・基準電圧発生回路、５１．
５２・・・セルフバイアス回路を構成する抵抗およびコ
ンデンサ。 ドレイシミ流 （ＩＤ） 賞 薫
Claims (3)
- （１）半導体基板に形成された電界効果トランジスタに
所定のバイアスを印加し、この電界効果トランジスタの
ドレイン電流の変化に基づいて応力等の検出を行なう半
導体センサにおいて、前記ドレイン電流の変化に対応す
る信号を出力する検出信号出力回路と、前記ドレイン電
流に基づいてその積分値もしくは長時間平均値に対応す
る信号を出力する積分回路を備えたことを特徴とする半
導体センサ。 - （２）半導体基板に形成された電界効果トランジスタに
所定のバイアスを印加し、この電界効果トランジスタの
ドレイン電流の変化に基づいて応力等の検出を行なう半
導体センサにおいて、前記ドレイン電流に基づいてその
積分値もしくは長時間平均値に対応する信号を出力する
積分回路を設けるとともに、この積分回路の出力が予め
設定した値となるよう前記電界効果トランジスタのゲー
ト電圧を制御するゲート電圧発生回路を備えたことを特
徴とする半導体センサ。 - （３）半導体基板に形成された電界効果トランジスタに
所定のバイアスを印加し、この電界効果トランジスタの
ドレイン電流の変化に基づいて応力等の検出を行なう半
導体センサにおいて、前記ドレイン電流を入力としてド
レイン電流の変化に対応する信号を出力する信号検出回
路を設けるとともに、前記電界効果トランジスタのソー
ス・ゲート間に抵抗とコンデンサとの並列回路を接続し
たことを特徴とする半導体センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2026420A JP2532149B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | 半導体センサ |
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|---|---|---|---|
| JP2026420A JP2532149B2 (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | 半導体センサ |
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|---|---|---|---|
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