JP5265834B2 - センサのための増幅装置、及び、この装置を用いる物理量測定システム - Google Patents
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Description
e=dETh/dX
z=dZTh/dX
センサ出力端子に接続され、これらの端子間の電圧を一定に保つ電圧制御手段と、
前記装置の端子間において、分極回路内で、センサと直列接続された少なくとも1つの付加インピーダンスと
を具備している。
dVDS = - (VGSO - ETh).(Z/ZTh 2).dZTh - (Z/ZTh)dETh
|Z/ZTh|>1
|(VSO - ETh).(Z/ZTh2)|>1
IG ≪ I ≪ I0
0 < VT < VGSo < VDS
ETh < VGSo
R/RTh > 1
IG ≪ I ≪ I0
VDS < VGSo < VT < 0
VGSO < ETh
CTh/C > 1
dVDS/dD = (CTh/C).s
IG ≪ I ≪ I0
VDS < VGSo < VT < 0
VGSo < ETh
CTh/C < 1
CTh/C < R/Rp
|dVmax/dpH| = α(CTh/C).s
12 付加インピーダンス
14 分極手段
16 ノード
18 出力端子
20 接地端子
22 電圧制御手段
Claims (10)
- 電圧かつ/またはインピーダンス応答センサのための増幅装置において、
前記増幅装置の出力端子(16, 20)に接続され、前記端子間の電圧を一定に保つ電圧制御手段(22)と、
前記増幅装置の出力端子間(18-20)における電圧分割ブリッジ内で、前記センサと直列接続された、少なくとも1つの付加インピーダンス(12)と
を具備することを特徴とする増幅装置。
- 前記電圧制御手段(22)は、ゲート、ソース及びドレインを有する電界効果トランジスタを備え、
前記センサ(10)は、トランジスタのゲートとソースの間に接続され、
前記付加インピーダンス(12)は、トランジスタのゲートとドレインの間に接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の増幅装置。
- 前記トランジスタは、MOS型(金属酸化膜半導体)である
ことを特徴とする請求項2に記載の増幅装置。
- 前記トランジスタを飽和状態に分極させる分極手段(14)
を具備することを特徴とする請求項2に記載の増幅装置。
- 前記分極手段(14)は、出力端子(18, 20)、かつトランジスタ(22)のソースとドレインの間に接続された電流源を備えている
ことを特徴とする請求項4に記載の増幅装置。
- 電圧かつ/またはインピーダンス応答センサ(10)と、
請求項1に記載の増幅装置と
を具備することを特徴とする物理量測定システム。
- 前記センサは、熱電対である
ことを特徴とする請求項6に記載の測定システム。
- 前記センサは、値がEThである熱電気ポテンシャル(24)と、値がRThである抵抗性のみのインピーダンス(26)とを有し、
前記付加インピーダンス(12)の値は、Rであり、
かつ以下の関係式を満足する
ことを特徴とする請求項7に記載のシステム。
IG ≪ I ≪ I0
0 < VT < VGSo < VDS
ETh < VGSo
R/RTh > 1
ここで、VT、IG、I0、VDS、VGSo及びIは、それぞれ、電圧制御手段として用いられるNチャネル電界効果トランジスタのしきい値電圧、トランジスタのゲート電流、トランジスタの分極電流、トランジスタのドレイン-ソース間電圧、トランジスタの平衡ゲート-ソース間電圧及びセンサを流れる電流である。
- 前記センサは、値がEThである可変電圧源(24)に相当するMOS線量計であり、値がCThである純粋な容量性インピーダンス(26)を有し、
前記付加インピーダンス(12)は、容量性インピーダンスCであり、
かつ以下の関係式を満足する
ことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
IG ≪ I ≪ I0
VDS < VGSo < VT < 0
VGSo < ETh
CTh/C > 1
ここで、VT、IG、I0、VDS、VGSo及びIは、それぞれ、電圧制御手段として用いられるPチャネル電界効果トランジスタのしきい値電圧、トランジスタのゲート電流、トランジスタの分極電流、トランジスタの平衡ゲート-ソース間電圧及びセンサを流れる電流である。
- 前記センサ(10)は、値がCThである固定コンデンサ(26a)と抵抗(26b)を有するインピーダンスと直列な、値がEThである可変電圧源(24)に相当するISFEC型イオン感知センサであり、
前記付加インピーダンス(12)は、値がRである抵抗と並列な、値がCであるコンデンサで構成され、
値がRPである抵抗(28)は、センサ(10)に並列接続され、
かつ以下の関係式を満足する
ことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
IG ≪ I ≪ I0
VDS < VGSo < VT < 0
VGSo < ETh
CTh/C > 1
CTh/C > R/Rp
ここで、VT、IG、I0、VDS、VGSo及びIは、それぞれ、電圧制御手段として用いられるPチャネル電界効果トランジスタのしきい値電圧、トランジスタのゲート電流、トランジスタの分極電流、トランジスタのドレイン-ソース間電圧、トランジスタの平衡ゲート-ソース間電圧及びセンサを流れる電流である。
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