JPH03230517A - ホトレジスト膜形成装置 - Google Patents

ホトレジスト膜形成装置

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Publication number
JPH03230517A
JPH03230517A JP2672390A JP2672390A JPH03230517A JP H03230517 A JPH03230517 A JP H03230517A JP 2672390 A JP2672390 A JP 2672390A JP 2672390 A JP2672390 A JP 2672390A JP H03230517 A JPH03230517 A JP H03230517A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
temperature
cup
photoresist film
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2672390A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Kashihara
稔 樫原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH03230517A publication Critical patent/JPH03230517A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトレジスト膜形成装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のホトレジスト膜形成装置は、第3図に示
すように、ホトレジスト滴下ノズル1から滴下するホト
レジストの温度およびカップ4周辺の温湿度を調整する
ことにより、ホトレジスト膜厚の均一性を得る構造とな
っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のホトレジスト膜形成装置は、ホトレジス
ト膜形成中に、揮発性の有機溶剤を使用している為、カ
ップ部の温度が経時的に変化し、ウェーハ表面の温度も
変化してしまい、ホトレジスト温度およびカップ周辺の
温湿度を調整していてもホトレジスト膜厚がウェーハ間
でばらつくという欠点がある。
本発明の目的は、ホトレジストの膜厚がウェーハ間でば
らつくことのないホトレジスト膜形成装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板を載置固定し回転するウェーハチ
ャックと、前記半導体基板上にホトレジストを滴下する
ホトレジスト滴下ノズルと、前記半導体基板上から振切
られた余剰ホトレジストをガイドし排液ホースへ接続す
るカップとを有するホトレジスト膜形成装置において、
前記ホトレジスト滴下ノズルとガイドのすくなくともい
ずれか一方に温調機構が設けられている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
第1の実施例は、第1図に示すように、ウェーハチャッ
ク3上にはウェーハ2か載置固定され、このウェーハ2
上にホトレジストが滴下するように、ホトレジスト滴下
ノズルか配置されている。
一方、カップ4の壁は、2重構造となっており、温調機
6により温度が一定に保たれた恒温水が2重構造の壁の
内部を循環し、カップ4内の温度が一定に保たれる構造
となっている。
このように、カップ4の壁を2重構造とし、恒温水を2
重構造の壁の内部を循環させカップ4内部の温度を一定
にすることにより、揮発性有機溶剤によるカップ4内部
の温度の経時変化が無くなりホトレジスト膜厚のウェー
ハ間によるばらつきが低減できる。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。
第2の実施例は、第2図に示すように、第1の実施例に
加えて、更に、ホトレジスト滴下ノズル1の周囲をホト
レジスト温調水7が循環し、ホトレジストの温度も一定
に保たれ、カップ4の上部を囲むように、温湿側機8が
ついており、内部の雰囲気の温度、温度が一定に保たれ
る構造となっている。
この実施例では、ホトレジスト温度、カップ周囲温度、
湿度およびカップ温度か一定に保たれる為に、ホトレジ
スト膜厚のウェーハ内面とウェーハ間におけるばらつき
を更に低減できるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、カップとホトレジスト滴
下ノズルのすくなくともいずれか一方の温度を一定に保
つことにより、揮発性有機溶剤によるカップ温度の変化
がなくなり、ホトレジスト膜厚のばらつきを低減できる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は本発
明の第2の実施例の断面図、第3図は従来のホトレジス
ト膜形成装置の一例の断面図である。 1・・・ホトレジスト滴下ノズル、2・・・ウェーハ3
・・・ウェーハチャック、4・・・カップ、5・・・恒
温水、6・・・温調機、7・・・ホトレジスト温調水、
8・・・温湿側機、9・・・排水ホース。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板を載置固定し回転するウェーハチャックと、
    前記半導体基板上にホトレジストを滴下するホトレジス
    ト滴下ノズルと、前記半導体基板上から振切られた余剰
    ホトレジストをガイドし排液ホースへ接続するカップと
    を有するホトレジスト膜形成装置において、前記ホトレ
    ジスト滴下ノズルとガイドのすくなくともいずれか一方
    に温調機構を設けたことを特徴とするホトレジスト膜形
    成装置。
JP2672390A 1990-02-05 1990-02-05 ホトレジスト膜形成装置 Pending JPH03230517A (ja)

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JP (1) JPH03230517A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109293A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 リソテック ジャパン株式会社 雰囲気制御機構及び小型製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109293A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 リソテック ジャパン株式会社 雰囲気制御機構及び小型製造装置

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