JPH03230461A - プラズマ計測法 - Google Patents

プラズマ計測法

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Publication number
JPH03230461A
JPH03230461A JP2024178A JP2417890A JPH03230461A JP H03230461 A JPH03230461 A JP H03230461A JP 2024178 A JP2024178 A JP 2024178A JP 2417890 A JP2417890 A JP 2417890A JP H03230461 A JPH03230461 A JP H03230461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
voltage
probe
probes
current
Prior art date
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Pending
Application number
JP2024178A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiro Endo
遠藤 幸弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH03230461A publication Critical patent/JPH03230461A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はプラズマ計測法に関する。
C従来の技術] 従来、プローブを用いたプラズマ計測法は第4図に示し
た装置構成によって実現されていた。具体的には、プラ
ズマ中の任意の測定ポイントにプローブ1を固定し、イ
オン電流を測定する場合にはプローブ1に負の直流電圧
を印加し、電子電流を測定する場合には、前記プローブ
1に正の直流電圧を印加する。この時、測定対象となる
電流は電流計6によって測定される。
前記測定によって得られた電流データに適当な処理を加
えることにより、電子温度、電子密度、電子エネルギー
 フローティングポテンシャル、プラズマポテンシャル
等のプラズマパラメータが算出可能となっていた。
[発明が解決しようとする課題] しかし、前述した従来技術では、計測を行うためプロー
ブに印加する電圧に直流電圧を用−・ているため、例え
ば酸素プラズマや窒素プラズマを計測中には、前記プロ
ーブを構成する金属が酸化物や窒化物の絶縁物となって
イオン電流、電子電流が流れなくなったり、成膜に用い
られるプラズマを計測する場合には、時間がたつにつれ
てプローブに膜が付着し、°この付着した膜が絶縁物の
場合には前述した酸化や窒化と同様にイオン電流、電子
電流が流れな(なり、また付着した膜が導電膜であって
もインピーダンスの変化により電流データの信頼性が低
下するという問題点を有しているそこで、本発明のプラ
ズマ計測法は、従来のこのような問題点を解決するため
、グローブ材質を変化させるような酸素あるいは窒素等
のプラズマまたは成膜に用いられるプラズマ中にグロー
ブを挿入し計測を行っても、゛経時に対して安定に計測
が可能となるプラズマ計測法の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するために、本発明のプラズマ計測法は
、イオン電流もしくは電子電流を測定するためにプロー
ブに印加する電圧を計測とスパッタエツチングを交互に
繰り返すようなパルス電圧としたことを特徴とする。
又、かかる電圧印加方法を用いたプローブを測定対象と
なるプラズマの持つデバイ長より長い間隔で複数個配置
することを特徴とする。
[作用] 上述したように、プローブにパルス電圧を印加し、かつ
、前記パルス電圧の波形を任意波形発生器によって正電
圧と負電圧を交互に繰り変えさせかつ、正電圧は階段状
に増力口、負電圧はマイナス数百ボルトになるように制
御すると、増加する正電圧によって電子電流がrAll
定でき、マイナス数百ボルトの負電圧でイオンを加FL
、プローブに衝突させることによるスパッタエッチ効果
で、前記プローブ表面の変質層及び前記プローブ表面に
付着した膜を取り除(ことが出来る。
又、イオン電流を測定する場合には、前記イオン電流を
測定するために印加する負電圧と前記スパッタエッチ効
果を引き起こすための電圧をパルス状に交互に繰り返し
印加する。
このようにパルス電圧を印加することにより、電子電流
測定もイオン電流測定もプローブがプラズマ中にあるた
めに起こる表面変質や膜の付着から解放され、経時に対
して安定に測定が可能となる。
又、前記電圧印加方法を用いたプローブをデバイ長より
長い間隔で複数個配置することにより、各々のプローブ
どうしによる影響がな(測定が可能となる。
[実施例] 以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図に於て、真空容器19はターボ分子ポンフ14、ロ
ータリーポンプ16によって真空に排気されるとともに
、マスフローコントローラ17を介してガスボンベ18
より酸素が供給されプラズマ処理に適した圧力に保持さ
れている。
さらに、基板ホルダー12には高周波電源10より高周
波電力が供給されプラズマが発生しているここで、電子
電流、イオン電流を測定するために複数個配置されたプ
ローブ1は測定するプローブを選択するための分配器4
.電流計6.電圧計8を介して任意波形発生器9に接続
されている。
このような装置構成において電子電流を測定する場合に
は、第2図に示した波形の電圧をプローブに印加する。
これにより、階段状に増加する正電圧により飽和電子電
流を求め、−200ボルトの負電工によりスパッタエッ
チ効果を引き起こし酸素プラズマによって酸化したプロ
ーブ表面を除去している。この時、電流計に直接−20
0ボルトの電圧がかかるのを避けるため任意波形発生器
9とスイッチ5および7を同期させた。
イオン電流を測定するときには、第6図に示した波形の
電圧をプローブに印加し、階段状に増幅されたパルス電
圧により飽和イオン電流を測定し一200ボルトの電圧
で電子電流測定と同様にスバノタエソチヲ行つ。
これらの測定は、複数個配置されたプローブによって行
われるが、同時に複数のプローブから電流データをi+
lI定することは装置構成を複雑にするので分配器によ
ってプローブを切り替えることとした。
「発明の効果」 本発明のプラズマ計測法は、プローブに印加する電圧を
電子電流もしくはイオン電流を徂1」定するための電圧
とスパッタエッチ効果を引き起こすための電圧を組み合
わせたパルス電圧としたことにより常にプロ・−ブ表面
をクリーニングし経時に対して安定にプラズマ計測を行
える効果がある。
又、同時に複数個のプローブを配置するので、プラズマ
の分布を辿]定する場合にも分配器を切り替えるだけで
真空容器を開はプローブを移動させることな(容易に測
定できるという効果も有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のプローブ法の概要図。 第2図は、本発明のプローブ法を用いて電子電流を測定
するときにプローブに印加するパルス電圧の波形を示す
図。 第6図は、本発明のプローブ法を用いてイオン電流を測
定するときにプローブに印加するパルス電圧の波形を示
す図。 第4図は、従来のプローブ法におけるプローブ部分の概
要図。 1・・・・・・・・・プローブ 2・・・・・・・・・絶縁カバー 6・・・・・・・・・電極導入端子 4・・・・・・・・・分配器 5・・・・・・・・スイッチ ロ・・・・・・・・・電流計 7・・・・・・・・・スイッチ 8・・・・・・・・・電圧計 9・・・・・・・・・任意波形発生器 10・・・・・・・・・高周波電源 1・・・・・・・・・基 板 2・・・・・・・・基板ホルダー 6・・・・・・・・メインバルフ 4・・・・・・・・・ターボ分子ボンフ5・・・・・・
・・・フォアパルフ ロ・・・・・・・・・ロータリーボンフ7・・・・・・
・・・マスフローコントローラ8・・・・・・・・・酸
素ボンベ 9・・・・・・・・、真空容器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上への薄膜形成、表面処理、ドライエッチン
    グを行うために、真空ポンプにより真空に保持された容
    器内にガスを導入し、更に、直流、高周波、もしくはマ
    イクロ波を印加して発生させたプラズマの状態を、プロ
    ーブを用いて計測するプラズマ計測法において、イオン
    電流、または電子電流を測定するために前記プローブに
    印加する電圧を計測とスパッタエッチングを交互に繰り
    返すようなパルス電圧としたことを特徴とするプラズマ
    計測法。
  2. (2)プラズマ中の複数のポイントで計測を行うために
    、前記プラズマの持つデバイス長より長い間隔で複数の
    プローブを配置したことを特徴とする請求項1記載のプ
    ラズマ計測法。
JP2024178A 1990-02-02 1990-02-02 プラズマ計測法 Pending JPH03230461A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000011784A (ko) * 1998-07-23 2000-02-25 나고야 다이가쿠쵸 플라즈마밀도정보측정방법,측정에쓰이는프로브및플라즈마밀도정보측정장치

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