JPH03229104A - 位置ずれ検出方法 - Google Patents

位置ずれ検出方法

Info

Publication number
JPH03229104A
JPH03229104A JP2025489A JP2548990A JPH03229104A JP H03229104 A JPH03229104 A JP H03229104A JP 2025489 A JP2025489 A JP 2025489A JP 2548990 A JP2548990 A JP 2548990A JP H03229104 A JPH03229104 A JP H03229104A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
luminous flux
diffraction
diffracted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2025489A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2862307B2 (ja
Inventor
Masakazu Matsugi
優和 真継
Kenji Saito
謙治 斉藤
Jun Hattori
純 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2548990A priority Critical patent/JP2862307B2/ja
Priority to EP19910300894 priority patent/EP0441578B1/en
Priority to DE1991621258 priority patent/DE69121258T2/de
Publication of JPH03229104A publication Critical patent/JPH03229104A/ja
Priority to US07/939,429 priority patent/US5225892A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2862307B2 publication Critical patent/JP2862307B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路などの微細パターンを露光転
写する半導体製造用露光装置のマスク（或はレチクル）
とウェハ間の位置ずれ量などを高精度に検出する位置ず
れ検出方法に関する。
〔従来の技術〕
従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。
多（の位置検出装置においては、マスク及びウェハ面上
に位置合わせ用の所謂アライメントマークを設け、それ
らより得られる位置情報を利用して、双方のアライメン
トを行っている。このときのアライメント方法としては
、例えば双方のアライメントマークのずれ量を画像処理
を行うことにより検出したり、又は米国特許第４０３７
９６９号、米国特許第４５１４８５８号や特開昭５６−
１５７０３３号公報で提案されているようにアライメン
トマークとしてゾーンプレートを用い該ゾーンプレート
に光束を照射し、このときゾーンプレートから射出した
光束の所定面上における集光点位置を検出すること等に
より行っている。
一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントマークを用いた方法に比べてアライ
メントマークの欠損に影響されずに比較的高精度のアラ
イメントが出来る特長がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）第一物体と第二物体の相対位置ずれを検出する方
    法において、ｍ、ｎ、ｌを整数とした時に、光源より出
    射され、第一物体でｍ次の回折を受け、第二物体でｎ次
    の回折を受け、再度第一物体で１次の回折を受けた第一
    光束の所定面への入射位置が第一物体と第二物体の相対
    位置ずれ量の所定倍率で変化するように第一及び第二物
    体上にそれぞれ回折格子を形成し、同時にｍ′、ｎ′、
    ｌ′をｍ′≠ｍまたはｎ′≠ｎまたはｌ′≠ｌなる整数
    として、第一物体でｍ′次の回折を受け、第二物体でｎ
    ′次の回折を受け、再度第一物体でｌ′次の回折を受け
    た第二光束の所定面への入射位置が第一物体と第二物体
    の相対位置ずれ量に対し前記第一光束と同じ倍率で変化
    するようにして、前記所定面への第一光束と第二光束の
    入射位置に基づいて第一物体と第二物体との相対位置ず
    れを検出することを特徴とする位置ずれ検出方法。
JP2548990A 1990-02-05 1990-02-05 位置ずれ検出方法 Expired - Fee Related JP2862307B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2548990A JP2862307B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 位置ずれ検出方法
EP19910300894 EP0441578B1 (en) 1990-02-05 1991-02-04 Positional deviation detecting method
DE1991621258 DE69121258T2 (de) 1990-02-05 1991-02-04 Verfahren zur Detektion von Lageabweichungen
US07/939,429 US5225892A (en) 1990-02-05 1992-09-04 Positional deviation detecting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2548990A JP2862307B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 位置ずれ検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03229104A true JPH03229104A (ja) 1991-10-11
JP2862307B2 JP2862307B2 (ja) 1999-03-03

Family

ID=12167473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2548990A Expired - Fee Related JP2862307B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 位置ずれ検出方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0441578B1 (ja)
JP (1) JP2862307B2 (ja)
DE (1) DE69121258T2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109654994A (zh) * 2019-01-07 2019-04-19 佛山市瑞创智能科技有限公司 一种移动感应器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8600638A (nl) * 1986-03-12 1987-10-01 Philips Nv Inrichting voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat.
JP2546364B2 (ja) * 1988-02-16 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69121258T2 (de) 1997-01-09
EP0441578B1 (en) 1996-08-14
JP2862307B2 (ja) 1999-03-03
DE69121258D1 (de) 1996-09-19
EP0441578A2 (en) 1991-08-14
EP0441578A3 (en) 1992-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5929997A (en) Alignment-mark measurements on the backside of a wafer for synchronous wafer alignment
JPH0419545B2 (ja)
CN107450288A (zh) 图案形成装置、设置基板的方法和制造物品的方法
US6124922A (en) Exposure device and method for producing a mask for use in the device
US6525818B1 (en) Overlay alignment system using polarization schemes
US4498762A (en) Projection type exposure apparatus
US5717492A (en) Position detecting apparatus and a method for manufacturing semiconductor devices using the apparatus
JP3368017B2 (ja) 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH03229104A (ja) 位置ずれ検出方法
JPS62114222A (ja) 露光装置
KR0160544B1 (ko) 웨이퍼 스텝퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치
JPS60256002A (ja) 位置検出装置
JP2629709B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置
JPS6232612A (ja) アライメントマ−ク
JP2550976B2 (ja) アライメント方法
JP3733180B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3420401B2 (ja) 位置検出装置および方法、半導体露光装置ならびに半導体デバイスの製造方法
JPH11176745A (ja) 位置検出装置及びそれを用いた露光装置
JPH0274804A (ja) 位置合わせ装置
JPS632346A (ja) ワ−ク位置検出方法およびその位置検出装置ならびにワ−ク
JPH0274802A (ja) 位置合わせ装置
JPH04369825A (ja) レチクルアライメント方法及び露光装置
JP2000058427A (ja) 位置検出方法、位置検出装置およびデバイス製造方法
JPH07161631A (ja) 位置合わせ方法、露光装置及びｘ線露光用マスク
JPH03278513A (ja) 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees