JPH03227990A - イソセフェム誘導体 - Google Patents
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- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、抗菌作用を有するイソセフェム誘導体に関す
る。
る。
発明の開示
抗菌作用を有するイソセフェム誘導体としては、例えば
、特開昭63−201191号公報に記載の化合物が知
られているが、本発明のインセフェム誘導体は、文献未
記載の新規化合物であり、下記一般式%式% 「式中 R1は低級アルキル基、エステル化されていて
もよいカルボキシ低級アルキル基またはシクロアルキル
基、 R2は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれた
ヘテロ原子を1〜4個有するヘテロ環チオメチル基を示
し、該へテロ環チオメチル基のへテロ環部分はカルボキ
シ低級アルキル基;カルバモイルフェニル低級アルキル
基またはハロゲン原子を有していてもよいフェニル低級
アルキル基を有していてもよく、 R3はエステル化されていてもよいカルボキシ基または
カルボキシレート基をを示す。コ上記一般式で表される
本発明の化合物は、広い範囲のダラム陽性菌およびダラ
ム陰性菌に対して優れた抗菌活性を示し、特にダラム陽
性菌としてはスタフィロコッカス・アウレウス(Sta
phylo−c。
、特開昭63−201191号公報に記載の化合物が知
られているが、本発明のインセフェム誘導体は、文献未
記載の新規化合物であり、下記一般式%式% 「式中 R1は低級アルキル基、エステル化されていて
もよいカルボキシ低級アルキル基またはシクロアルキル
基、 R2は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれた
ヘテロ原子を1〜4個有するヘテロ環チオメチル基を示
し、該へテロ環チオメチル基のへテロ環部分はカルボキ
シ低級アルキル基;カルバモイルフェニル低級アルキル
基またはハロゲン原子を有していてもよいフェニル低級
アルキル基を有していてもよく、 R3はエステル化されていてもよいカルボキシ基または
カルボキシレート基をを示す。コ上記一般式で表される
本発明の化合物は、広い範囲のダラム陽性菌およびダラ
ム陰性菌に対して優れた抗菌活性を示し、特にダラム陽
性菌としてはスタフィロコッカス・アウレウス(Sta
phylo−c。
ccus aureus PDA−209−P)、スト
レプトコッカス・ニューモニア(Streptococ
cus pneumoniae)およびコリネバクテリ
ウム・ジフテリア(Corynebac−terjum
diphtherjae)に対して優れた抗菌活性を
示す。さらに、緑膿菌を除くブドウ糖非醗酵菌に対して
も優れた抗菌活性を示す。また、本発明化合物は、生体
内への吸収性が良く、薬効の持続時間が長く、毒性が低
いという特性を有し、耐性菌、臨床分離菌に対しても優
れた効果を示す。さらに、本発明化合物は、安定性が高
く、吸収、排出性にも優れる。すなわち、腎排出が高く
、胆汁移行も良好である。
レプトコッカス・ニューモニア(Streptococ
cus pneumoniae)およびコリネバクテリ
ウム・ジフテリア(Corynebac−terjum
diphtherjae)に対して優れた抗菌活性を
示す。さらに、緑膿菌を除くブドウ糖非醗酵菌に対して
も優れた抗菌活性を示す。また、本発明化合物は、生体
内への吸収性が良く、薬効の持続時間が長く、毒性が低
いという特性を有し、耐性菌、臨床分離菌に対しても優
れた効果を示す。さらに、本発明化合物は、安定性が高
く、吸収、排出性にも優れる。すなわち、腎排出が高く
、胆汁移行も良好である。
また肺を含めた各臓器への分布が高い。最小阻止濃度と
最小殺菌濃度との差か少なく、免疫抑制作用、アレルギ
ー作用などの副作用が少ない。
最小殺菌濃度との差か少なく、免疫抑制作用、アレルギ
ー作用などの副作用が少ない。
従って、本発明の化合物は、各種病原細菌に起因する人
、動物、魚類の疾病の治療薬として有用であり、また医
療用器具等の外用殺菌剤や消毒剤としても有用である。
、動物、魚類の疾病の治療薬として有用であり、また医
療用器具等の外用殺菌剤や消毒剤としても有用である。
本明細書において示される各基は、より具体的にはそれ
ぞれ次の通りである。
ぞれ次の通りである。
低級アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブ
チル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアルキル
基を例示できる。
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブ
チル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアルキル
基を例示できる。
カルボキシ低級アルキル基としては、カルボキシメチル
、2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピル、4
−カルボキシブチル、5−カルボキシペンチル、6−カ
ルボキシヘキシル等のアルキル部分の炭素数が1〜6の
カルボキシアルキル基を例示できる。
、2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピル、4
−カルボキシブチル、5−カルボキシペンチル、6−カ
ルボキシヘキシル等のアルキル部分の炭素数が1〜6の
カルボキシアルキル基を例示できる。
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
、シクロペンタン基、シクロオクチル基等の炭素数が3
〜8のシクロアルキル基か例示できる。
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
、シクロペンタン基、シクロオクチル基等の炭素数が3
〜8のシクロアルキル基か例示できる。
ヘテロ環チオメチル基のへテロ環部分としては、窒素原
子および硫黄原子からなる群より選ばれたヘテロ原子を
1〜4個有する不飽和へテロ環基が挙げられ、例えば、
1,3.4−チアジアゾリル、1.2.3−チアジアゾ
リル、1,2.4−チアジアゾリル、1,2.4−1リ
アゾリル、1,2゜3−トリアゾリル、1,3.4−1
−リアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、1.2−チア
ゾリル、1.3−チアゾリル、イミダゾリル、1,2.
4トリアジニル等の5員または6員環の単環ヘテロ環基
を例示できる。
子および硫黄原子からなる群より選ばれたヘテロ原子を
1〜4個有する不飽和へテロ環基が挙げられ、例えば、
1,3.4−チアジアゾリル、1.2.3−チアジアゾ
リル、1,2.4−チアジアゾリル、1,2.4−1リ
アゾリル、1,2゜3−トリアゾリル、1,3.4−1
−リアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、1.2−チア
ゾリル、1.3−チアゾリル、イミダゾリル、1,2.
4トリアジニル等の5員または6員環の単環ヘテロ環基
を例示できる。
カルバモイルフェニル低級アルキル基のフェニル低級ア
ルキル基部分としては、ベンジル、ベンズヒドリル、α
−フェネチル、β−フェネチル、α、β−ジフェニルエ
チル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル、5
−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル等のアルキ
ル部分の炭素数が]〜6の(モノまたはジ)フェニル低
級アルキル基が例示できる。
ルキル基部分としては、ベンジル、ベンズヒドリル、α
−フェネチル、β−フェネチル、α、β−ジフェニルエ
チル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル、5
−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル等のアルキ
ル部分の炭素数が]〜6の(モノまたはジ)フェニル低
級アルキル基が例示できる。
ハロゲン原子を有していてもよいフェニル低級アルキル
基のフェニル基部分としては、例えば、クロロフェニル
、ジクロロフェニル、フルオロフェニル、ジフルオロフ
ェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル、ヨードフ
ェニル、ショートフェニル等の1〜2個のハロゲンが置
換されているフェニル基が例示できる。
基のフェニル基部分としては、例えば、クロロフェニル
、ジクロロフェニル、フルオロフェニル、ジフルオロフ
ェニル、ブロモフェニル、ジブロモフェニル、ヨードフ
ェニル、ショートフェニル等の1〜2個のハロゲンが置
換されているフェニル基が例示できる。
R3がエステル化されたカルボキシ基である場合のエス
テル残基としては、通常のエステル残基、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1
〜6のアルキル基:ベンジル、ペンスヒドリル、α−フ
ェネチル、βフェネチル、α、β−ジフェニルエチル、
3フエニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニ
ルペンチル、6−フェニルヘキシル等のアルキル部分の
炭素数が1〜6の(モノまたはジ)フェニル低級アルキ
ル基;ビニル、アリル、クロチル、2−ペンテニル、2
−へキセニル等の炭素数2〜6のアルケニル基;シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数3〜
8のシクロアルキル基;シクロへキシルメチル、2シク
ロヘキシルエチル、3−シクロへキシルプロピル、4−
シクロへキシルブチル、5−シクロヘキシルペンチル、
6−シクロへキシルヘキシル、シクロプロピルメチル、
2−シクロブチルエチル、シクロペンチルメチル、2−
シクロへブチルエチル、シクロオクチルメチル等のシク
ロアルキル部分の炭素数が3〜8でありアルキル部分の
炭素数が1〜6であるシクロアルキル(低級)アルキル
基を例示することができる。
テル残基としては、通常のエステル残基、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1
〜6のアルキル基:ベンジル、ペンスヒドリル、α−フ
ェネチル、βフェネチル、α、β−ジフェニルエチル、
3フエニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニ
ルペンチル、6−フェニルヘキシル等のアルキル部分の
炭素数が1〜6の(モノまたはジ)フェニル低級アルキ
ル基;ビニル、アリル、クロチル、2−ペンテニル、2
−へキセニル等の炭素数2〜6のアルケニル基;シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数3〜
8のシクロアルキル基;シクロへキシルメチル、2シク
ロヘキシルエチル、3−シクロへキシルプロピル、4−
シクロへキシルブチル、5−シクロヘキシルペンチル、
6−シクロへキシルヘキシル、シクロプロピルメチル、
2−シクロブチルエチル、シクロペンチルメチル、2−
シクロへブチルエチル、シクロオクチルメチル等のシク
ロアルキル部分の炭素数が3〜8でありアルキル部分の
炭素数が1〜6であるシクロアルキル(低級)アルキル
基を例示することができる。
前記エステル残基の(モノまたはジ)フェニル低級アル
キル基におけるフェニル部分には、置換基として、例え
ば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン原子;メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基:メトキシ、
工l・キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の
炭素数1〜6の低級アルコキシ基;ニトロ基;カルボキ
シ基;シアノ基;および水酸基からなる群より選ばれた
置換基を]〜3個、またはメチレンジオキシ、エチレン
ジオキシ、トリメチレンジオキシ、テトラメチレンジオ
キシ等の炭素数1〜4の低級アルキレンジオキシ基を有
していてもよい。
キル基におけるフェニル部分には、置換基として、例え
ば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン原子;メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基:メトキシ、
工l・キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の
炭素数1〜6の低級アルコキシ基;ニトロ基;カルボキ
シ基;シアノ基;および水酸基からなる群より選ばれた
置換基を]〜3個、またはメチレンジオキシ、エチレン
ジオキシ、トリメチレンジオキシ、テトラメチレンジオ
キシ等の炭素数1〜4の低級アルキレンジオキシ基を有
していてもよい。
また、前記のエステル残基の低級アルキル基には、置換
基として、例えば、上記のハロゲン原子を1〜3個;水
酸基;メルカプト基;上記低級アルコキシ基;メトキシ
カルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、プロポ
キシカルボニルオキシ、ブトキシカルボニルオキシ、ペ
ンチルオキシカルボニルオキシ、ヘキシルオキシカルボ
ニルオキシ等のアルコキシ部分の炭素数か1〜6である
アルコキシカルボニルオキシ基;アセチルオキシ、プロ
ピオニルオキシ、ブチリルオキシ、バレリルオキシ、ピ
バロイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、ヘプタノイルオ
キシ等のアルカノイル基部分の炭素数が]〜7であるア
ルカノイルオキシ基;カルボキシ基;シアノ基;ニトロ
基;アミノ基;上記低級アルキル基;メチルアミノ、ジ
メチルアミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピ
ルアミノ、ブチルアミノ等の(モノまたはジ)低級アル
キルアミノ基;炭素数1〜6のアルカノイルアミノ基ま
たはメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチ
オ等の低級アルキルチオ基か置換していでもよい。
基として、例えば、上記のハロゲン原子を1〜3個;水
酸基;メルカプト基;上記低級アルコキシ基;メトキシ
カルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、プロポ
キシカルボニルオキシ、ブトキシカルボニルオキシ、ペ
ンチルオキシカルボニルオキシ、ヘキシルオキシカルボ
ニルオキシ等のアルコキシ部分の炭素数か1〜6である
アルコキシカルボニルオキシ基;アセチルオキシ、プロ
ピオニルオキシ、ブチリルオキシ、バレリルオキシ、ピ
バロイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、ヘプタノイルオ
キシ等のアルカノイル基部分の炭素数が]〜7であるア
ルカノイルオキシ基;カルボキシ基;シアノ基;ニトロ
基;アミノ基;上記低級アルキル基;メチルアミノ、ジ
メチルアミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピ
ルアミノ、ブチルアミノ等の(モノまたはジ)低級アル
キルアミノ基;炭素数1〜6のアルカノイルアミノ基ま
たはメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチ
オ等の低級アルキルチオ基か置換していでもよい。
上記一般式(1)におけるR3がエステル化されたカル
ボキシ基である場合、本発明化合物は体内への吸収性に
優れ、特にそのエステル残基がその基中ニ少なくとも1
つのエステル結合を有する場合(例えば、アルコキシカ
ルボニルオキシアルキル基またはアルカノイルオキシア
ルキル基等)には経口による吸収性がよく、その結果経
口投与に好適なものとなる。
ボキシ基である場合、本発明化合物は体内への吸収性に
優れ、特にそのエステル残基がその基中ニ少なくとも1
つのエステル結合を有する場合(例えば、アルコキシカ
ルボニルオキシアルキル基またはアルカノイルオキシア
ルキル基等)には経口による吸収性がよく、その結果経
口投与に好適なものとなる。
次に、前記一般式(1)で表される本発明化合物の代表
的な例を第1表に示す。
的な例を第1表に示す。
(以下余白)
本発明の化合物および原料化合物は種々の方法で製造す
ることかできるか、例えば、下記反応工程式−1から反
応工程式−6に示される方法により製造することかでき
る。
ることかできるか、例えば、下記反応工程式−1から反
応工程式−6に示される方法により製造することかでき
る。
反応工程式−1
(式中、RI R2およびR3は前記と同じ。)上記
反応工程式−1において、本発明化合物である一般式(
1−a)で表される化合物は、一般式(3)1 で表されるカルボン酸化合物またはそのカルボキシ基が
活性化された化合物と、一般式(2)で表されるアミノ
化合物を通常のアミド結合生成反応にて反応させること
により製造することができる。
反応工程式−1において、本発明化合物である一般式(
1−a)で表される化合物は、一般式(3)1 で表されるカルボン酸化合物またはそのカルボキシ基が
活性化された化合物と、一般式(2)で表されるアミノ
化合物を通常のアミド結合生成反応にて反応させること
により製造することができる。
アミド結合生成反応としては、公知のアミド結合生成反
応の条件がいずれも適用できる。例えば、a)縮合剤を
用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物(3)とアミ
ン化合物(2)とを縮合剤の存在下に反応させる方法: b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(3
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これとアミン化合物(2)を反応させる方法; C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
3)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これとアミン化合
物(2)とを反応させる方法;d)カルボン酸化合物(
3)を無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし
、これとアミン化合物2 (2)とを反応させる方法; e)カルボン酸化合物(3)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(2)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(3)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これとアミン化合物(2)
を反応させる方法などが例示できる。
応の条件がいずれも適用できる。例えば、a)縮合剤を
用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物(3)とアミ
ン化合物(2)とを縮合剤の存在下に反応させる方法: b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(3
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これとアミン化合物(2)を反応させる方法; C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
3)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これとアミン化合
物(2)とを反応させる方法;d)カルボン酸化合物(
3)を無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし
、これとアミン化合物2 (2)とを反応させる方法; e)カルボン酸化合物(3)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(2)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(3)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これとアミン化合物(2)
を反応させる方法などが例示できる。
次に、アミド結合生成反応の一例をより具体的に説明す
る。
る。
一般式(1−a)で表される本発明化合物は、縮合剤の
存在下、一般式(2)で表されるアミン化合物に一般式
(3)で表されるカルボン酸化合物を、無溶媒または不
活性溶媒の存在下に反応させることにより得られる。
存在下、一般式(2)で表されるアミン化合物に一般式
(3)で表されるカルボン酸化合物を、無溶媒または不
活性溶媒の存在下に反応させることにより得られる。
該反応において用いられる縮合剤としては、チオニルク
ロリド、オキシ塩化リン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(V
i Ismeier)試薬、3 ジシクロへキシルカルボジイミド(DCC) 、2゜2
゛−ピリジニルジスフィト−トリフェニルホスフィン等
の縮合剤が例示される。
ロリド、オキシ塩化リン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(V
i Ismeier)試薬、3 ジシクロへキシルカルボジイミド(DCC) 、2゜2
゛−ピリジニルジスフィト−トリフェニルホスフィン等
の縮合剤が例示される。
溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒であれ
ば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩
化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリジ
ン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、ヘプタ
ン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド(
DMF)、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMPA)
、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロトン
性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
ば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩
化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリジ
ン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、ヘプタ
ン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド(
DMF)、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMPA)
、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロトン
性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
上記の反応は、塩基性化合物の存在下に行なうのがより
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等の4 トリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、1゜トリア
ルキルアミン、ピリジン、ピコリン、1゜5−ジアザビ
シクロ[4,3,0コノネン−5,1,4−ジアザビシ
クロ[2,2,2]オクタン、1.8−シアサビシクロ
[5,4,0]ウンデセン−7などの有機塩基、モノト
リメチルシリルアセトアミド、水酸化すトリウム、水酸
化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸すトリウム
、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩
などの無機塩基が例示できる。
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等の4 トリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、1゜トリア
ルキルアミン、ピリジン、ピコリン、1゜5−ジアザビ
シクロ[4,3,0コノネン−5,1,4−ジアザビシ
クロ[2,2,2]オクタン、1.8−シアサビシクロ
[5,4,0]ウンデセン−7などの有機塩基、モノト
リメチルシリルアセトアミド、水酸化すトリウム、水酸
化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸すトリウム
、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩
などの無機塩基が例示できる。
また、上記の反応において、一般式(2)で表されるア
ミン化合物に対する一般式(3)で表されるカルボン酸
化合物の使用割合は、1〜10倍モル量、好ましくは1
〜3倍モル量とするのがよい。一般式(2)で表される
アミン化合物に対する塩基性化合物の使用割合は、等モ
ル−40倍モル量、好ましくは5〜20倍モル量とする
のがよい。
ミン化合物に対する一般式(3)で表されるカルボン酸
化合物の使用割合は、1〜10倍モル量、好ましくは1
〜3倍モル量とするのがよい。一般式(2)で表される
アミン化合物に対する塩基性化合物の使用割合は、等モ
ル−40倍モル量、好ましくは5〜20倍モル量とする
のがよい。
上記の反応は、−20℃〜100℃、好ましくは一20
℃〜50℃の温度条件下に30分〜245 時間、好ましくは30分〜10時間程度で行なわれる。
℃〜50℃の温度条件下に30分〜245 時間、好ましくは30分〜10時間程度で行なわれる。
斯くして、一般式(1−a)で表される化合物を得る。
なお、上記の一般式(2)で表されるアミン化合物と一
般式(3)で表されるカルボン酸化合物との反応におい
て、基R3がカルボキシ基の場合、一般式(1−a)で
表される目的化合物のカルボキシ基と一般式(2)で表
されるアミン化合物のカルボキシ基とが縮合した化合物
が得られる場合がある。この場合には、酸触媒、例えば
、塩酸、臭化水素酸、トリフルオロ酢酸などの無機酸ま
たは有機酸存在下に、該縮合化合物を加水分解すること
により本発明化合物である一般式(1,−a)で表され
る化合物を得ることができる。
般式(3)で表されるカルボン酸化合物との反応におい
て、基R3がカルボキシ基の場合、一般式(1−a)で
表される目的化合物のカルボキシ基と一般式(2)で表
されるアミン化合物のカルボキシ基とが縮合した化合物
が得られる場合がある。この場合には、酸触媒、例えば
、塩酸、臭化水素酸、トリフルオロ酢酸などの無機酸ま
たは有機酸存在下に、該縮合化合物を加水分解すること
により本発明化合物である一般式(1,−a)で表され
る化合物を得ることができる。
(以下余白)
反応工程式
()
(式中、R2およびR3は前記と同じ、R4はアジド基
、フェニル酢酸アミド基またはフタルイミド基を示す。
、フェニル酢酸アミド基またはフタルイミド基を示す。
)
上記反応工程式−2は、一般式(4)で表される化合物
を、その置換基であるR4の種類に応じて、還元反応、
加水分解反応またはヒドラジン分解反応に付すことによ
り、一部新規化合物を包含する7 一般式(2)で表される化合物を製造する方法である。
を、その置換基であるR4の種類に応じて、還元反応、
加水分解反応またはヒドラジン分解反応に付すことによ
り、一部新規化合物を包含する7 一般式(2)で表される化合物を製造する方法である。
上記の反応工程式において、基R4がアジド基の場合、
一般式(2)で表される化合物は一般式(4)で表され
る化合物を無溶媒または適当な不活性溶媒の存在下に還
元剤を作用させて得られる。
一般式(2)で表される化合物は一般式(4)で表され
る化合物を無溶媒または適当な不活性溶媒の存在下に還
元剤を作用させて得られる。
この反応において用いられる溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
還元剤としては、硫化水素等が例示できる。硫化水素等
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
一般式(4)で表される化合物に対する還元剤の使用割
合は等モル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モ
ル量とするのがよく、また該反応は通常−30℃〜50
℃、好ましくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分
〜10時間程度て終 8 了する。
合は等モル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モ
ル量とするのがよく、また該反応は通常−30℃〜50
℃、好ましくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分
〜10時間程度て終 8 了する。
また、基R4がフェニル酢酸アミド基の場合には、無溶
媒または不活性溶媒中、一般式(4)で表される化合物
を加水分解触媒の存在下で加水分解反応に付すことによ
り一般式(3)で表されるアミン化合物が得られる。
媒または不活性溶媒中、一般式(4)で表される化合物
を加水分解触媒の存在下で加水分解反応に付すことによ
り一般式(3)で表されるアミン化合物が得られる。
この反応は、無溶媒または適当な不活性溶媒中、加水分
解触媒の存在下に行なわれる。
解触媒の存在下に行なわれる。
上記加水分解触媒としては、酸性化合物または塩基性化
合物が例示できる。酸性化合物としては、無水塩化アル
ミニウム、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素−エチルエテル錯体、塩化亜鉛等のル
イス酸、塩酸、硝酸、硫゛酸等の無機酸、トリクロロ酢
酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有
機酸、酸型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また
塩基性化合物としてはトリエチルアミン、トリブチルア
ミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、]
、]5−ジアザビシクロ4.3.0コノネンー5.1.
4−ジアザビシクロ[2,2,2コ9 オクタン、コー18−ジアザビシクロ[5,4,0]ウ
ンデセン−7などの有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩
等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
合物が例示できる。酸性化合物としては、無水塩化アル
ミニウム、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素−エチルエテル錯体、塩化亜鉛等のル
イス酸、塩酸、硝酸、硫゛酸等の無機酸、トリクロロ酢
酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有
機酸、酸型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また
塩基性化合物としてはトリエチルアミン、トリブチルア
ミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、]
、]5−ジアザビシクロ4.3.0コノネンー5.1.
4−ジアザビシクロ[2,2,2コ9 オクタン、コー18−ジアザビシクロ[5,4,0]ウ
ンデセン−7などの有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩
等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
上記の反応で、酸または塩基を使用する場合には、一般
式(4)で表される化合物に対する酸または塩基の使用
割合は、1〜100倍モル量、好ましくは1〜20倍モ
ル量とするのがよい。また、該反応は一20℃〜80℃
、好ましくは一10℃〜50℃の温度条件下で、30分
〜48時間、好ましくは1〜24時間程度行なえばよい
。
式(4)で表される化合物に対する酸または塩基の使用
割合は、1〜100倍モル量、好ましくは1〜20倍モ
ル量とするのがよい。また、該反応は一20℃〜80℃
、好ましくは一10℃〜50℃の温度条件下で、30分
〜48時間、好ましくは1〜24時間程度行なえばよい
。
基R4がフタルイミド基の場合には、無溶媒または不活
性溶媒中、一般式(4)で表される化合物をヒドラジン
またはヒドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反
応に付すことにより一般式(2)で表されるアミン化合
物が得られる。
性溶媒中、一般式(4)で表される化合物をヒドラジン
またはヒドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反
応に付すことにより一般式(2)で表されるアミン化合
物が得られる。
この反応に用いられる不活性溶媒としては、例0
えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタルール、
エタノール等のアルコール類などが挙げられる。また、
ヒドラジン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチル
ヒドラジン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フェニル
ヒドラジン等のアリール置換ヒドラジンなどを例示でき
る。
、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタルール、
エタノール等のアルコール類などが挙げられる。また、
ヒドラジン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチル
ヒドラジン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フェニル
ヒドラジン等のアリール置換ヒドラジンなどを例示でき
る。
一般式(4)で表される化合物に対するヒドラジンまた
はヒドラジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量
、好ましくは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通
常0〜100℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、
1〜40時間程度で反応は終了する。
はヒドラジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量
、好ましくは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通
常0〜100℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、
1〜40時間程度で反応は終了する。
なお、上記反応で得られた一般式(2)で表される化合
物において、基R3がエステル残基を有する場合、生成
物を後述の反応工程式−4aの脱エステル化反応と実質
的に同様な方法にて脱エステル化し、基R3をカルボキ
シ基またはカルボキシレート基に導くことができる。
物において、基R3がエステル残基を有する場合、生成
物を後述の反応工程式−4aの脱エステル化反応と実質
的に同様な方法にて脱エステル化し、基R3をカルボキ
シ基またはカルボキシレート基に導くことができる。
1
反応工程式
(5)
()
c式中、R3は前記と同じ、R5はハロゲン原子、ハロ
ゲン原子で置換されていてもよい低級アルカンスルホニ
ルオキシ基または低級アルキル基、ハロゲン原子もしく
は二1・口塞て置換されていてもよいアリールスルホニ
ルオキシ基 R6はアジF基、アミノ基、フタルイミド
基、フェニル酢酸アミド基または基 2 N−0−Rl (式中、R1は前記と同じ。)、 R7は、上記R2におけるカルボキシ低級アルキル基、
カルバモイルフェニル低級アルキル基またはハロゲンを
有していてもよいフェニル低級アルキル基を有していて
もよいヘテロ環部分を示す。]本発明化合物のイソセフ
ェム骨格の3位にヘテロ環を有するチオメチル基を導入
する方法には種々の方法があるが、その方法の一例を反
応工程式3に示す。
ゲン原子で置換されていてもよい低級アルカンスルホニ
ルオキシ基または低級アルキル基、ハロゲン原子もしく
は二1・口塞て置換されていてもよいアリールスルホニ
ルオキシ基 R6はアジF基、アミノ基、フタルイミド
基、フェニル酢酸アミド基または基 2 N−0−Rl (式中、R1は前記と同じ。)、 R7は、上記R2におけるカルボキシ低級アルキル基、
カルバモイルフェニル低級アルキル基またはハロゲンを
有していてもよいフェニル低級アルキル基を有していて
もよいヘテロ環部分を示す。]本発明化合物のイソセフ
ェム骨格の3位にヘテロ環を有するチオメチル基を導入
する方法には種々の方法があるが、その方法の一例を反
応工程式3に示す。
すなわち、適当な不活性溶媒中、一般式(5)で表され
る化合物と一般式(6)で表されるチオール化合物とを
、塩基性化合物の存在下に反応させることにより、本発
明化合物を一部包含する一般式(7)で表されるヘテロ
環チオメチル基を有する化合物を得る。
る化合物と一般式(6)で表されるチオール化合物とを
、塩基性化合物の存在下に反応させることにより、本発
明化合物を一部包含する一般式(7)で表されるヘテロ
環チオメチル基を有する化合物を得る。
一般式(5)で表される化合物において、R5て表され
るハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ3 素、フッ素が挙げられ、ハロゲン原子で置換されていて
もよい低級アルカンスルホニルオキシ基としては、メタ
ンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、プロパ
ンスルホニルオキシ、l−リフルオロメタンスルホニル
オキシ等が挙げられ、また低級アルキル基、ハロゲン原
子もしくはニトロ基で置換されていてもよいアリールス
ルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ
、トルエンスルホニルオキシ、p−クロロベンゼンスル
ホニルオキシ、p−ニトロベンゼンスルホニルオキシ等
が挙げられる。
るハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ3 素、フッ素が挙げられ、ハロゲン原子で置換されていて
もよい低級アルカンスルホニルオキシ基としては、メタ
ンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオキシ、プロパ
ンスルホニルオキシ、l−リフルオロメタンスルホニル
オキシ等が挙げられ、また低級アルキル基、ハロゲン原
子もしくはニトロ基で置換されていてもよいアリールス
ルホニルオキシ基としては、ベンゼンスルホニルオキシ
、トルエンスルホニルオキシ、p−クロロベンゼンスル
ホニルオキシ、p−ニトロベンゼンスルホニルオキシ等
が挙げられる。
上記の反応で用いられる塩基性化合物としては、トリエ
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
不活性溶媒としては、前記の反応工程式−1で使用され
る溶媒を広く用いることかできる。
る溶媒を広く用いることかできる。
一般式(5)で表される化合物に対する一般式(6)で
表される化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好
ましくは1〜2倍モル量とするのがよく、4 一般式(6)で表される化合物に対する塩基性化合物の
使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは等モル−
2倍モル量とするのがよい。反応温度は=10〜100
℃、好ましくは0〜50℃で行なうのがよい。
表される化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好
ましくは1〜2倍モル量とするのがよく、4 一般式(6)で表される化合物に対する塩基性化合物の
使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは等モル−
2倍モル量とするのがよい。反応温度は=10〜100
℃、好ましくは0〜50℃で行なうのがよい。
斯くして、一般式(7)で表されるヘテロ環チオメチル
基を有する化合物を得る。
基を有する化合物を得る。
(以下余白)
反応工程式−4
(式中、R1およびR2は前記と同じ、R9は保護基を
有することのあるアミノ基、R8は前記エステル残基を
示す。) 一般式(1−c)で表されるカルボン酸誘導体は、一般
式(1−b)で表されるイソセフェム環の4位のエステ
ル化合物を脱エステル化反応に付すことにより製造する
ことができる。
有することのあるアミノ基、R8は前記エステル残基を
示す。) 一般式(1−c)で表されるカルボン酸誘導体は、一般
式(1−b)で表されるイソセフェム環の4位のエステ
ル化合物を脱エステル化反応に付すことにより製造する
ことができる。
R9におけるアミノ基の保護基としては、通常6
の保護基、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル
、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイ
ル等の炭素数1〜6の低級アルカノイル基:モノクロロ
アセチル、モノフルオロアセチル、モノブロモアセチル
、モノヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロ
アセチル、トリフルオロアセチル、3−クロロプロピオ
ニル、2゜3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−1
−ジクロロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−ク
ロロペンタノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フル
オロプロピオニル、4−フルオロブチリル等のハロゲン
原子が1〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノイ
ル基;ベンジル、α−フェネチル、β−フェネチル、3
−フェニルプロピル、ベンズヒドリル、トリチル等のフ
ェニル基を1〜3個有しかつアルキル部分の炭素数が1
〜6のフェニル(低級)アルキル基;フェニルメトキシ
カルボニル、1−フェニルエトキシカルボニル、2−フ
ェニルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカ
ルボニル、4−フェニルブトキシカル 7 ボニル、5−フェニルペンチルオキシカルボニル、6−
フエニルヘキジルオキシカルボニル等のアルコキシ部分
の炭素数が1〜6のフェニル(低級)アルコキシカルボ
ニル基;メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル、インプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル、ペンチル
オキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等のアル
コキシ部分の炭素数が1〜6の低級アルコキシカルボニ
ル基などを例示できる。
、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイ
ル等の炭素数1〜6の低級アルカノイル基:モノクロロ
アセチル、モノフルオロアセチル、モノブロモアセチル
、モノヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロ
アセチル、トリフルオロアセチル、3−クロロプロピオ
ニル、2゜3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−1
−ジクロロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−ク
ロロペンタノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フル
オロプロピオニル、4−フルオロブチリル等のハロゲン
原子が1〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノイ
ル基;ベンジル、α−フェネチル、β−フェネチル、3
−フェニルプロピル、ベンズヒドリル、トリチル等のフ
ェニル基を1〜3個有しかつアルキル部分の炭素数が1
〜6のフェニル(低級)アルキル基;フェニルメトキシ
カルボニル、1−フェニルエトキシカルボニル、2−フ
ェニルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカ
ルボニル、4−フェニルブトキシカル 7 ボニル、5−フェニルペンチルオキシカルボニル、6−
フエニルヘキジルオキシカルボニル等のアルコキシ部分
の炭素数が1〜6のフェニル(低級)アルコキシカルボ
ニル基;メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル、インプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル、ペンチル
オキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等のアル
コキシ部分の炭素数が1〜6の低級アルコキシカルボニ
ル基などを例示できる。
上記脱エステル化反応は、前記反応工程式−2に示した
加水分解反応と実質的に同様に行うことができ、反応方
法および反応条件(例えば、加水分解触媒、溶媒、反応
温度、反応時間等)は、反応工程式−2の加水分解反応
の説明を参照することができる。
加水分解反応と実質的に同様に行うことができ、反応方
法および反応条件(例えば、加水分解触媒、溶媒、反応
温度、反応時間等)は、反応工程式−2の加水分解反応
の説明を参照することができる。
また、脱エステル化反応は R8のエステル残基が例え
ば、ベンジル等の接触還元法により容易に脱離するエス
テル残基の場合には、接触還元法によっても行なうこと
ができる。接触還元法に用8 いられる触媒としては、例えば、プラチナ触媒(例えば
、酸化白金、白金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金
、コロイド状白金等)、パラジウム触媒(例えば、パラ
ジウム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウム、パラジウ
ム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭
酸バリウム、スポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒
(例えば、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケ
ル等)、コバルト触媒(例えば、還元コバルト、ラネー
コバルト等)、鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)
、銅触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)等を例示でき
る。
ば、ベンジル等の接触還元法により容易に脱離するエス
テル残基の場合には、接触還元法によっても行なうこと
ができる。接触還元法に用8 いられる触媒としては、例えば、プラチナ触媒(例えば
、酸化白金、白金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金
、コロイド状白金等)、パラジウム触媒(例えば、パラ
ジウム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウム、パラジウ
ム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭
酸バリウム、スポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒
(例えば、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケ
ル等)、コバルト触媒(例えば、還元コバルト、ラネー
コバルト等)、鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)
、銅触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)等を例示でき
る。
接触還元法を適用する場合には、一般式(1,−b )
で表される化合物に対する接触還元触媒の使用割合は、
0.1〜10倍モル量、好ましくは0.1〜1倍モル量
とするのがよい。該反応は、0〜200℃、好ましくは
0〜100℃の温度条件下で、30分〜48時間、好ま
しくは30分〜6時間程度行なえばよい。
で表される化合物に対する接触還元触媒の使用割合は、
0.1〜10倍モル量、好ましくは0.1〜1倍モル量
とするのがよい。該反応は、0〜200℃、好ましくは
0〜100℃の温度条件下で、30分〜48時間、好ま
しくは30分〜6時間程度行なえばよい。
9
反応工程式−4
(式中、RI R2およびR3は前記と同じ、RI
Gはアミノ基の保護基を示す。) チアゾリル基の2位かアミノ基である一般式(1−d)
で表される本発明の化合物は、チアゾリル基の2位が置
換アミノ化合物である一般式(8)で表される化合物を
、前記反応式−2の加水分解反応の条件と実質的に同様
な条件下で反応に付すことにより得ることができ、例え
ば、無溶媒または適0 当な溶媒の存在下、酸性化合物または塩基性化合物を作
用させるか、または接触還元反応に付すことにより得ら
れる。
Gはアミノ基の保護基を示す。) チアゾリル基の2位かアミノ基である一般式(1−d)
で表される本発明の化合物は、チアゾリル基の2位が置
換アミノ化合物である一般式(8)で表される化合物を
、前記反応式−2の加水分解反応の条件と実質的に同様
な条件下で反応に付すことにより得ることができ、例え
ば、無溶媒または適0 当な溶媒の存在下、酸性化合物または塩基性化合物を作
用させるか、または接触還元反応に付すことにより得ら
れる。
該反応に使用される溶媒としては、特に制限はなく、例
えば、反応工程式−1において例示された溶媒が挙げら
れる。
えば、反応工程式−1において例示された溶媒が挙げら
れる。
上記の酸性化合物としては、前記反応工程式2で例示さ
れた酸性化合物か挙げられるが、酸性化合物の好ましい
例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸等の無機酸
、トリフルオロ酢酸、酢酸、ギ酸等の有機酸、酸型イオ
ン交換樹脂等か例示できる。これらの酸性化合物の内、
液体のものは溶媒を兼ねて用いることできる。
れた酸性化合物か挙げられるが、酸性化合物の好ましい
例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸等の無機酸
、トリフルオロ酢酸、酢酸、ギ酸等の有機酸、酸型イオ
ン交換樹脂等か例示できる。これらの酸性化合物の内、
液体のものは溶媒を兼ねて用いることできる。
また、塩基性化合物としては、l・リエチルアミン、ト
リブチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピ
コリン、1.5−シアサビシクロ[4,3,0]ノネン
−5,1,4−シアサビシクロ[2,2,2]オクタン
、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−
7なとの有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等の71 ルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等
のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩なとの無機塩基、
チオ尿素、尿素等の尿素化合物などが例示できる。
リブチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピ
コリン、1.5−シアサビシクロ[4,3,0]ノネン
−5,1,4−シアサビシクロ[2,2,2]オクタン
、1.8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−
7なとの有機塩基、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等の71 ルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等
のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩なとの無機塩基、
チオ尿素、尿素等の尿素化合物などが例示できる。
反応系に水を加える場合、水は酸性化合物または塩基性
化合物に対して、10〜8. OV / V%程度が好
ましく、さらに反応終了後、10〜20倍量加えるのが
よい。
化合物に対して、10〜8. OV / V%程度が好
ましく、さらに反応終了後、10〜20倍量加えるのが
よい。
一般式(8)で表される本発明化合物に対する酸性化合
物または塩基性化合物の使用割合は、等モル−100倍
モル量、好ましくは2〜10倍モル量とするのがよい。
物または塩基性化合物の使用割合は、等モル−100倍
モル量、好ましくは2〜10倍モル量とするのがよい。
また、反応温度は−20’C〜80℃、好ましくは一1
0℃〜50℃とするのがよい。反応時間は1〜24時間
程時間路了する。
0℃〜50℃とするのがよい。反応時間は1〜24時間
程時間路了する。
反応工程式−4bの反応を接触還元反応で行なう場合、
接触還元反応の条件(例えば、接触還元触媒、触媒量、
溶媒、反応温度、反応時間等)は、前記の反応工程式−
4aの接触還元反応条件を援用できる。
接触還元反応の条件(例えば、接触還元触媒、触媒量、
溶媒、反応温度、反応時間等)は、前記の反応工程式−
4aの接触還元反応条件を援用できる。
2
このようにして本発明の化合物であるニ般式(1−d)
で表されるアミン化合物を得る。
で表されるアミン化合物を得る。
反応工程式−4C
(式中、RI R2R8およびRIQは前記と同し。
)
本反応は、一般式(9)で表される化合物の4位の脱エ
ステル化およびR10で表されるアミノ基の保護基を除
去する脱保護基反応を同時に行い、一般式(1−e)で
表される化合物を得る反応であり、前 3 記反応工程式−4aまたは4bと実質的に同一の条件で
行えるが、このとき加水分解触媒として、酸類を用いる
のが好ましく、さらに好ましくは無水塩化アルミニウム
、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化スズ、三フッ化ホウ素等のル
イス酸やトリフルオロ酢酸等の有機酸を例示できる。
ステル化およびR10で表されるアミノ基の保護基を除
去する脱保護基反応を同時に行い、一般式(1−e)で
表される化合物を得る反応であり、前 3 記反応工程式−4aまたは4bと実質的に同一の条件で
行えるが、このとき加水分解触媒として、酸類を用いる
のが好ましく、さらに好ましくは無水塩化アルミニウム
、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化スズ、三フッ化ホウ素等のル
イス酸やトリフルオロ酢酸等の有機酸を例示できる。
(以下余白)
4
反応工程式−
5
(式中、R1は前記と同じ、Aはハロゲン原子、R11
はカルボキシ低級アルキル基、カルバモイルフェニル低
級アルキル基またはハロゲンを有していてもよいフェニ
ル低級アルキル基を示す。)この反応工程式−5aは、
無溶媒または不活性5 溶媒下、一般式(lf)で表される化合物に一般式(1
0)で表される化合物を反応させて、一般式(1−g)
で表される化合物を得るものである。一般式00)で表
される化合物において、Aて表されるハロゲン原子とし
ては、塩素、ヨウ素、臭素、フッ素が挙げられる。
はカルボキシ低級アルキル基、カルバモイルフェニル低
級アルキル基またはハロゲンを有していてもよいフェニ
ル低級アルキル基を示す。)この反応工程式−5aは、
無溶媒または不活性5 溶媒下、一般式(lf)で表される化合物に一般式(1
0)で表される化合物を反応させて、一般式(1−g)
で表される化合物を得るものである。一般式00)で表
される化合物において、Aて表されるハロゲン原子とし
ては、塩素、ヨウ素、臭素、フッ素が挙げられる。
反応に際しては、予め一般式(1,−f)で表される化
合物にシリル化剤を反応させて、一般式(L−f’)で
表される化合物か有するカルボキシ基を保護するのが好
ましい。かかるシリル化剤としては、種々の低級アルキ
ルシリル化剤が使用可能であるが、とりわけ、N、0−
ビストリメチルシリルアセトアミド(B S A)を使
用するのが好ましい。
合物にシリル化剤を反応させて、一般式(L−f’)で
表される化合物か有するカルボキシ基を保護するのが好
ましい。かかるシリル化剤としては、種々の低級アルキ
ルシリル化剤が使用可能であるが、とりわけ、N、0−
ビストリメチルシリルアセトアミド(B S A)を使
用するのが好ましい。
溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒であれ
ば、いずれの溶媒も使用でき、例えば上記反応工程式−
1に使用されるものが例示できる。
ば、いずれの溶媒も使用でき、例えば上記反応工程式−
1に使用されるものが例示できる。
一般式(1−r)で表される化合物に対するシリル化剤
は1〜10倍モル量、好ましくは2〜3倍モル量とする
のがよい。反応温度は0°C〜60℃、好ましくは15
〜20℃で行なわれ、通常5〜26 0時間で反応は完結する。
は1〜10倍モル量、好ましくは2〜3倍モル量とする
のがよい。反応温度は0°C〜60℃、好ましくは15
〜20℃で行なわれ、通常5〜26 0時間で反応は完結する。
反応生成物は、陰イオン交換樹脂等で処理することによ
り、一般式(1−g)で表される本発明化合物が得られ
る。
り、一般式(1−g)で表される本発明化合物が得られ
る。
(以下余白)
反応工程式−5
(1−i)
↓
(式中、RI R8R1+およびAは前記と同じ)前
記反応工程式−5aに準じた方法を用いて、一般式(1
−h)で表される化合物を一数式〇〇)で表さ 8 れる化合物と反応させ、一般式(1−i)で表される化
合物を得、前記反応工程式4−aと同様の方法を用いて
脱エステル化反応させて、一般式(]−j)で表される
化合物を得るものである。
記反応工程式−5aに準じた方法を用いて、一般式(1
−h)で表される化合物を一数式〇〇)で表さ 8 れる化合物と反応させ、一般式(1−i)で表される化
合物を得、前記反応工程式4−aと同様の方法を用いて
脱エステル化反応させて、一般式(]−j)で表される
化合物を得るものである。
上記反応工程式5−bは以上のように2段階で行っても
よいが、1段階で一般式(1−Dで表される化合物を得
ることも可能である。
よいが、1段階で一般式(1−Dで表される化合物を得
ることも可能である。
(以下余白)
反応工程式−6
(式中、R1,R2およびAは前記と同じ、R12はア
ルキル基等の置換基を有していてもよい低級アルキレン
基、R13は前記エステル残基を示す。) 上記反応工程式−6は一般式(L−e)で表される0 本発明化合物に一般式(11)で表されるノ\ロゲン原
子を有する炭酸エステルを、適当な塩基性化合物の存在
下あるいは非存在下に、適当な溶媒中で反応させること
により、一般式(1−k)で表される化合物を得るもの
でる。
ルキル基等の置換基を有していてもよい低級アルキレン
基、R13は前記エステル残基を示す。) 上記反応工程式−6は一般式(L−e)で表される0 本発明化合物に一般式(11)で表されるノ\ロゲン原
子を有する炭酸エステルを、適当な塩基性化合物の存在
下あるいは非存在下に、適当な溶媒中で反応させること
により、一般式(1−k)で表される化合物を得るもの
でる。
低級アルキレン基としては、メチレン、メチルメチレン
、エチレン、メチルエチレン、プロピレン、イソプロピ
レン、ブチレン、ペンテン、ヘキセン等の炭素数1〜6
のもの力に例示できる。
、エチレン、メチルエチレン、プロピレン、イソプロピ
レン、ブチレン、ペンテン、ヘキセン等の炭素数1〜6
のもの力に例示できる。
上記反応に用いられる塩基性化合物ならびに溶媒として
は、各々前記反応工程式−1で例示されたものを用いる
ことができる。
は、各々前記反応工程式−1で例示されたものを用いる
ことができる。
上記の反応で、一般式(1,−e)で表される化合物に
対する一般式(11)で表される炭酸エステルの使用割
合は、1〜10倍モル量程度とするのがよい。
対する一般式(11)で表される炭酸エステルの使用割
合は、1〜10倍モル量程度とするのがよい。
また、該反応は室温下または加熱下で、1〜20時間程
度行なえばよい。
度行なえばよい。
本発明の一般式で表される化合物は、当然に光学異性体
ならびにシン異性体およびアンチ異性体を含むものであ
る。これらの異性体は、慣用の分1 割注、例えば、光学分割剤を使用する方法、酵素を使用
する方法などで分離することができる。
ならびにシン異性体およびアンチ異性体を含むものであ
る。これらの異性体は、慣用の分1 割注、例えば、光学分割剤を使用する方法、酵素を使用
する方法などで分離することができる。
本発明化合物は、通常、−数的な医薬製剤の形態で用い
られる。製剤は通常使用される充填剤、増量剤、結合剤
、付湿剤、崩壊剤、表面活性剤、滑沢剤などの希釈剤あ
るいは賦形剤を用いて調製される。この医薬製剤として
は各種の形態が治療目的に応じて選択でき、その代表的
なものとして錠剤、乳剤、散剤、液剤、懸濁剤、乳剤、
顆粒剤、カプセル剤、半割、注射剤(液剤、懸濁剤等)
などが挙げられる。錠剤の形態に成形するに際しては、
担体として、この分野で従来公知のものを広く使用でき
、例えば乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、尿素
、デンプン、炭酸カルシウム、カオリン、結晶セルロー
ス、ケイ酸等の賦形剤、水、エタノール、プロパツール
、単シロップ、ブドウ糖液、デンプン液、ゼラチン溶液
、カルボキシメチルセルロース、セラック、メチルセル
ロース、リン酸カリウム、ポリビニルピロリドンなどの
結合剤、乾燥デンプン、アルギン酸ナトリウム、力2 ンテン未、ラミナラン末、炭酸水素ナトリウム、炭酸カ
ルシウム、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル類、ラウリル硫酸すトリウム、ステアリン酸モノグリ
セリド、デンプン、乳糖などの崩壊剤、白糖、ステアリ
ン、カカオバター、水素添加油などの崩壊抑制剤、第四
級アンモニウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウムなどの吸
収促進剤、グリセリン、デンプンなどの保湿剤、デンプ
ン、乳糖、カオリン、ベントナイト、コロイド状ケイ酸
などの吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ酸末
、ポリエチレングリコールなどの滑沢剤などが例示でき
る。さらに錠剤は必要に応じて通常の剤皮を施した錠剤
、例えば糖衣剤、ゼラチン被包錠、腸溶被錠、フィルム
コーティング錠あるいは二重錠、多層錠とすることがで
きる。乳剤の形態に成形するに際しては、担体として、
この分野で従来公知のものを広く使用でき、例えば、ブ
ドウ糖、乳糖、デンプン、カカオ脂、硬化植物油、カオ
リン、タルクなどの賦形剤、アラビアゴム末、トラガン
ト末、ゼラチン、エタノールなどの結合3 剤、ラミナラン、カンテンなどの崩壊剤などが例示でき
る。半割の形態に成形するに際しては、担体として、従
来公知のものを広く使用でき、例えば、ポリエチレング
リコール、カカオ脂、高級アルコール、高級アルコール
のエステル類、ゼラチン、半合成グリセライドなどを挙
げることができる。注射剤として調製される場合には、
液剤、乳剤および懸濁剤は殺菌され、かっ血液と等張で
あるのが好ましく、これら液剤、乳剤および懸濁剤の形
態に成形するのに際しては、希釈剤としてこの分野にお
いて慣用されているものをすべて使用でき、例えば水、
エチルアルコール、プロピレングリコール、エトキシ化
イソステアリルアルコール、ポリオキシ化イソステアリ
ルアルコール、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル類などを挙げることができる。なお、この場合等
張性の溶液を調製するに充分な量の食塩、ブドウ糖ある
いはグリセリンを医薬製剤中に含有せしめてもよく、ま
た通常の溶解補助剤、緩衝剤、無痛化剤などを、更に必
要に応じて着色材、保存剤、香料、4 風味剤、甘味剤などや他の医薬品を該治療剤に含有せし
めてもよい。ペースト、クリームおよびゲルの形態に成
形するに際しては、希釈剤として例えば、白色ワセリン
、パラフィン、グリセリン、セルロース誘導体、ポリエ
チレングリコール、シリコン、ベントナイト等を使用で
きる。
られる。製剤は通常使用される充填剤、増量剤、結合剤
、付湿剤、崩壊剤、表面活性剤、滑沢剤などの希釈剤あ
るいは賦形剤を用いて調製される。この医薬製剤として
は各種の形態が治療目的に応じて選択でき、その代表的
なものとして錠剤、乳剤、散剤、液剤、懸濁剤、乳剤、
顆粒剤、カプセル剤、半割、注射剤(液剤、懸濁剤等)
などが挙げられる。錠剤の形態に成形するに際しては、
担体として、この分野で従来公知のものを広く使用でき
、例えば乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、尿素
、デンプン、炭酸カルシウム、カオリン、結晶セルロー
ス、ケイ酸等の賦形剤、水、エタノール、プロパツール
、単シロップ、ブドウ糖液、デンプン液、ゼラチン溶液
、カルボキシメチルセルロース、セラック、メチルセル
ロース、リン酸カリウム、ポリビニルピロリドンなどの
結合剤、乾燥デンプン、アルギン酸ナトリウム、力2 ンテン未、ラミナラン末、炭酸水素ナトリウム、炭酸カ
ルシウム、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル類、ラウリル硫酸すトリウム、ステアリン酸モノグリ
セリド、デンプン、乳糖などの崩壊剤、白糖、ステアリ
ン、カカオバター、水素添加油などの崩壊抑制剤、第四
級アンモニウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウムなどの吸
収促進剤、グリセリン、デンプンなどの保湿剤、デンプ
ン、乳糖、カオリン、ベントナイト、コロイド状ケイ酸
などの吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ酸末
、ポリエチレングリコールなどの滑沢剤などが例示でき
る。さらに錠剤は必要に応じて通常の剤皮を施した錠剤
、例えば糖衣剤、ゼラチン被包錠、腸溶被錠、フィルム
コーティング錠あるいは二重錠、多層錠とすることがで
きる。乳剤の形態に成形するに際しては、担体として、
この分野で従来公知のものを広く使用でき、例えば、ブ
ドウ糖、乳糖、デンプン、カカオ脂、硬化植物油、カオ
リン、タルクなどの賦形剤、アラビアゴム末、トラガン
ト末、ゼラチン、エタノールなどの結合3 剤、ラミナラン、カンテンなどの崩壊剤などが例示でき
る。半割の形態に成形するに際しては、担体として、従
来公知のものを広く使用でき、例えば、ポリエチレング
リコール、カカオ脂、高級アルコール、高級アルコール
のエステル類、ゼラチン、半合成グリセライドなどを挙
げることができる。注射剤として調製される場合には、
液剤、乳剤および懸濁剤は殺菌され、かっ血液と等張で
あるのが好ましく、これら液剤、乳剤および懸濁剤の形
態に成形するのに際しては、希釈剤としてこの分野にお
いて慣用されているものをすべて使用でき、例えば水、
エチルアルコール、プロピレングリコール、エトキシ化
イソステアリルアルコール、ポリオキシ化イソステアリ
ルアルコール、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル類などを挙げることができる。なお、この場合等
張性の溶液を調製するに充分な量の食塩、ブドウ糖ある
いはグリセリンを医薬製剤中に含有せしめてもよく、ま
た通常の溶解補助剤、緩衝剤、無痛化剤などを、更に必
要に応じて着色材、保存剤、香料、4 風味剤、甘味剤などや他の医薬品を該治療剤に含有せし
めてもよい。ペースト、クリームおよびゲルの形態に成
形するに際しては、希釈剤として例えば、白色ワセリン
、パラフィン、グリセリン、セルロース誘導体、ポリエ
チレングリコール、シリコン、ベントナイト等を使用で
きる。
本発明の医薬製剤中に含有されるべき一般式で表される
化合物またはその塩の量は、特に限定されず広範囲に選
択されるが、通常全組成物中1〜70重量%とするのが
よい。
化合物またはその塩の量は、特に限定されず広範囲に選
択されるが、通常全組成物中1〜70重量%とするのが
よい。
本発明の医薬製剤の投与方法は特に制限はなく、各種製
剤形態、患者の年齢、性別その他の条件、疾患の程度な
どに応じた方法で投与される。例えば錠剤、乳剤、液剤
、懸濁剤、乳剤、顆粒剤、およびカプセル剤の場合には
経口投与される。この場合、吸収効率の上から、前記一
般式(1)におけるR3がエステル化されたカルボキシ
基であることが好ましく、さらにそのエステル残基がエ
ステル基を有するものであることが特に好ましい。
剤形態、患者の年齢、性別その他の条件、疾患の程度な
どに応じた方法で投与される。例えば錠剤、乳剤、液剤
、懸濁剤、乳剤、顆粒剤、およびカプセル剤の場合には
経口投与される。この場合、吸収効率の上から、前記一
般式(1)におけるR3がエステル化されたカルボキシ
基であることが好ましく、さらにそのエステル残基がエ
ステル基を有するものであることが特に好ましい。
また注射剤の場合には単独であるいはブドウ糖、5
アミノ酸などの通常の補液と混合して静脈内投与され、
さらには必要に応じて単独で筋肉内、皮内、皮下もしく
は腹腔的投与される。半割の場合には直腸内投与される
。
さらには必要に応じて単独で筋肉内、皮内、皮下もしく
は腹腔的投与される。半割の場合には直腸内投与される
。
本発明の医薬製剤の投与量は用法、患者の年齢、性別そ
の他の条件、疾患の程度などにより適宜選択されるが、
通常本発明化合物の量は一日当り体重1kg当り1〜1
00mg、好ましくは5〜20■とするのがよく、該製
剤は、1日に2〜4回に分けて投与することができる。
の他の条件、疾患の程度などにより適宜選択されるが、
通常本発明化合物の量は一日当り体重1kg当り1〜1
00mg、好ましくは5〜20■とするのがよく、該製
剤は、1日に2〜4回に分けて投与することができる。
(以下余白)
6
〈実施例〉
以下、実施例、製剤例および薬理試験に基づいて、本発
明をより詳細に説明する。
明をより詳細に説明する。
実施例1
ベンスヒドリル(6S、7S)−7−フタルイミド−3
−(ピリジン−4−イルチオメチル)イソセフェム−4
−カルホキシレー1−2.48gをテトラヒドロフラン
15m1とジメチルホルムアミド15m1との混合溶液
に溶解し、−15°Cまて冷却した。そして、メチルヒ
ドラジン0.26m1を加え、−15℃にて2時間攪拌
した。次いて、反応混合液に酢酸エチル30m1水30
m1を加えて、分液し、水層に酢酸エチル15m1を加
え逆抽出した。有機層を合わせ、水30 ?、rて3回
洗浄し、さらに飽和食塩水30 xXて1回洗浄した。
−(ピリジン−4−イルチオメチル)イソセフェム−4
−カルホキシレー1−2.48gをテトラヒドロフラン
15m1とジメチルホルムアミド15m1との混合溶液
に溶解し、−15°Cまて冷却した。そして、メチルヒ
ドラジン0.26m1を加え、−15℃にて2時間攪拌
した。次いて、反応混合液に酢酸エチル30m1水30
m1を加えて、分液し、水層に酢酸エチル15m1を加
え逆抽出した。有機層を合わせ、水30 ?、rて3回
洗浄し、さらに飽和食塩水30 xXて1回洗浄した。
洗浄後、7
無水硫酸すトリウムを加えて水分を除去後、濾過し、濾
液を減圧濃縮した。残滓を塩化メチレン27厭に溶解し
、2時間攪拌し、析出物を濾取した。
液を減圧濃縮した。残滓を塩化メチレン27厭に溶解し
、2時間攪拌し、析出物を濾取した。
濾液にベンゾチアゾール−2−イル(Z) −2(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノチ
オ酢酸1.40gを加え、室温にて1−5時間攪拌した
。
アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノチ
オ酢酸1.40gを加え、室温にて1−5時間攪拌した
。
反応液を水30厭で洗浄し、次いて5%炭酸水素ナトリ
ウム水溶液30I!、さらに水30厭で2回洗浄した後
、無水硫酸すトリウムを加えて水分を除去した。
ウム水溶液30I!、さらに水30厭で2回洗浄した後
、無水硫酸すトリウムを加えて水分を除去した。
これを濾過し、濾液を減圧乾固し、残滓をシリカゲルク
ロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル)を用いて精
製し、白色粉末である標記化合物1.81gを得た。
ロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル)を用いて精
製し、白色粉末である標記化合物1.81gを得た。
mp + 232〜235℃(分解)
NMR(CDCg3.DMSO−d6)δ(ppm):
3.06〜3.42 (m、2H) 、3.95 (s
。
。
3H) 、3.82−4.18 (m、1.H) 、4
゜ 8 19 (d、 IH,J−13Hz) 、4.
37 (d。
゜ 8 19 (d、 IH,J−13Hz) 、4.
37 (d。
IH,J=13Hz) 、5. 77 (dd、
IHJ=9Hz、 J=6Hz) 、6. 82
(s、 IH)6、 78−7. 02 (b
r s、 2H) 、 6. 92 (s
、 IH) 、7. 18 (d、 2H,J
=6Hz) 、7. 08〜7. 67 (m、
l0H) 、8゜37 (d、 2H,J=6
Hz) 、9. 23 (d。
IHJ=9Hz、 J=6Hz) 、6. 82
(s、 IH)6、 78−7. 02 (b
r s、 2H) 、 6. 92 (s
、 IH) 、7. 18 (d、 2H,J
=6Hz) 、7. 08〜7. 67 (m、
l0H) 、8゜37 (d、 2H,J=6
Hz) 、9. 23 (d。
IH,J=9Hz)
実施例2
実施例1て得られた化合物1..00gに、氷冷下でア
ニソール3〃!、次いてトリフルオロ酢酸5.51を加
えて攪拌した。10分後、イソプロピルエーテル50浦
を加え、結晶を析出させ、これを濾取して、イソプロピ
ルエーテルで洗浄した後、減圧乾燥して結晶を得た。
ニソール3〃!、次いてトリフルオロ酢酸5.51を加
えて攪拌した。10分後、イソプロピルエーテル50浦
を加え、結晶を析出させ、これを濾取して、イソプロピ
ルエーテルで洗浄した後、減圧乾燥して結晶を得た。
5つ
この結晶1.15gをN、N−ジメチルポルムアミド7
11!に溶解し、この溶液に水冷下てN、 0ビストリ
メチルシリルアセトアミド1.45rfを加えた。これ
にブロム酢酸0.61g、N、0ビストリメチルシリル
アセトアミド1.11fのNN−ジメチルホルムアミド
溶液]厭を加えた。
11!に溶解し、この溶液に水冷下てN、 0ビストリ
メチルシリルアセトアミド1.45rfを加えた。これ
にブロム酢酸0.61g、N、0ビストリメチルシリル
アセトアミド1.11fのNN−ジメチルホルムアミド
溶液]厭を加えた。
得られた混合液を室温で15時間攪拌した後、水冷下で
メチルアルコール2厭を加え、次いてイソプロピルアル
コール501夕を加えて、結晶化した。
メチルアルコール2厭を加え、次いてイソプロピルアル
コール501夕を加えて、結晶化した。
析出品をイソプロピルアルコールで洗浄した後、減圧乾
燥した。そして、上記結晶0.64gを5%炭酸水素ナ
トリウム水溶液に溶解し、非イオン性吸着樹脂(HP−
20)を適当量加え、10%HCρ水溶液でpHを2と
し、吸着させた。これをカラムに充填し、充分に水洗し
た後、5〜20%イソプロピルアルコール水溶液で溶出
させた。
燥した。そして、上記結晶0.64gを5%炭酸水素ナ
トリウム水溶液に溶解し、非イオン性吸着樹脂(HP−
20)を適当量加え、10%HCρ水溶液でpHを2と
し、吸着させた。これをカラムに充填し、充分に水洗し
た後、5〜20%イソプロピルアルコール水溶液で溶出
させた。
溶出液を減圧濃縮して、微黄色粉末の標記化合物0.3
6’gを得た。
6’gを得た。
mp :184〜188℃(分解)
NMR(DMSO−66)δ(ppm):0
2、96〜3. 43 (m、 2H) 、 3
. 85〜4゜12 (m、 IH) 、 3、
88 (s、 3H) 、4゜60 (s、
2H) 、4. 96 (s、 2H) 、
5゜62 (dd、 IH,J=5Hz、 J
=8Hz) 、6、 83 (s、 IH)
、7、2B (brS、 2H)8、 03 (
d、 2H,J=6Hz) 、8、62(d、
2H,J=6Hz)、9. 20 (d、 1.H
J =8Hz) 実施例3 ベンズヒドリル(6S、7S)−7〜フタルイミド−3
−(ピリジン−4−イルチオメチル)イソセフェム−4
−カルボキシレート9.92gをテトラヒドロフラン5
0m1とジメチルホルムアミド50m1との混合溶媒に
溶解し、−15℃まで冷1 却した。そして、2Mメチルヒドラジンのテトラヒドロ
フラン溶液9.2mlを加え、−15℃にて4時間攪拌
した。次いで、反応液に酢酸エチル100m1水100
mlを加えて分液し、水層を酢酸エチル50+nlで
2回逆抽出した。有機層を合わせ、水200厭で3回、
さらに飽和食塩水200πアで1回洗浄した。洗浄後、
無水硫酸すl・リウムを加えて水分を除去後、濾過し、
減圧濃縮した。残滓を塩化メチレン50厭に溶解し、2
時間攪拌し、次いで析出物を濾取した。以下、得られた
濾液をA液という。
. 85〜4゜12 (m、 IH) 、 3、
88 (s、 3H) 、4゜60 (s、
2H) 、4. 96 (s、 2H) 、
5゜62 (dd、 IH,J=5Hz、 J
=8Hz) 、6、 83 (s、 IH)
、7、2B (brS、 2H)8、 03 (
d、 2H,J=6Hz) 、8、62(d、
2H,J=6Hz)、9. 20 (d、 1.H
J =8Hz) 実施例3 ベンズヒドリル(6S、7S)−7〜フタルイミド−3
−(ピリジン−4−イルチオメチル)イソセフェム−4
−カルボキシレート9.92gをテトラヒドロフラン5
0m1とジメチルホルムアミド50m1との混合溶媒に
溶解し、−15℃まで冷1 却した。そして、2Mメチルヒドラジンのテトラヒドロ
フラン溶液9.2mlを加え、−15℃にて4時間攪拌
した。次いで、反応液に酢酸エチル100m1水100
mlを加えて分液し、水層を酢酸エチル50+nlで
2回逆抽出した。有機層を合わせ、水200厭で3回、
さらに飽和食塩水200πアで1回洗浄した。洗浄後、
無水硫酸すl・リウムを加えて水分を除去後、濾過し、
減圧濃縮した。残滓を塩化メチレン50厭に溶解し、2
時間攪拌し、次いで析出物を濾取した。以下、得られた
濾液をA液という。
一方、(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)−2−(1−t−ブトキシカルボニル1−メチルエト
キシ)イミノ酢酸6.32g。
)−2−(1−t−ブトキシカルボニル1−メチルエト
キシ)イミノ酢酸6.32g。
1−ヒドロキシベンゾトリアゾール2.59g。
ジシクロへキシルカルボジイミF3.96gをジメチル
ホルムアミド20m1と塩化メチレン201rRとの混
合溶媒に加え、室温で1時間攪拌した。不溶物を濾別し
、濾液を」−記A液に加えて、室温で15時間攪拌した
。これを水100猷で洗浄し、2 さらに5%炭酸水素すトリウム水溶液1−00戴で洗浄
後、さらに水100mm、ll’で2回洗浄した。次い
で無水硫酸すトリウムで乾燥後、濾過し、減圧濃縮した
。残滓をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶
媒、 塩化メチレン/酢酸エチル=1/2)で精製し、
微黄色粉末7.53gを得た。
ホルムアミド20m1と塩化メチレン201rRとの混
合溶媒に加え、室温で1時間攪拌した。不溶物を濾別し
、濾液を」−記A液に加えて、室温で15時間攪拌した
。これを水100猷で洗浄し、2 さらに5%炭酸水素すトリウム水溶液1−00戴で洗浄
後、さらに水100mm、ll’で2回洗浄した。次い
で無水硫酸すトリウムで乾燥後、濾過し、減圧濃縮した
。残滓をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶
媒、 塩化メチレン/酢酸エチル=1/2)で精製し、
微黄色粉末7.53gを得た。
mp : 114〜118℃
NMR(CDCρ3)δ(ppm):
1.45 (9H,s) 、1.5.3 (3H,s)
、1.57 (3H,s) 、3.00〜3.27 (
2H,m) 、4.12 (IH,d、J=15Hz)
、3.90〜4.30 (IH,m) 、4.45 (
IH,d、J=15Hz) 、5.66 (IH,dd
。
、1.57 (3H,s) 、3.00〜3.27 (
2H,m) 、4.12 (IH,d、J=15Hz)
、3.90〜4.30 (IH,m) 、4.45 (
IH,d、J=15Hz) 、5.66 (IH,dd
。
J=5Hz、J=6Hz) 、6.25−6.50(2
H,brs) 、6.89 (IH,s) 、6゜98
(IH,s) 、7.07 (2H,d、J−6Hz
)、7.20−7.63 (IOH,m) 、8゜03
(IH,d、J=6Hz) 、8.36 (2H。
H,brs) 、6.89 (IH,s) 、6゜98
(IH,s) 、7.07 (2H,d、J−6Hz
)、7.20−7.63 (IOH,m) 、8゜03
(IH,d、J=6Hz) 、8.36 (2H。
d、J =6Hz)
3
実施例4
ベンズヒドリル(6S、7S) −7−[(Z)2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2(1−t−ブト
キシカルボニル−1−メチルエトキシ)イミノコアセト
アミドー3−(ピリジン4−イルチオメチル)イソセフ
ェム−4−カルボキシレートとp−カルバモイルベンジ
ルプロミドとを用いて、実施例2と同様にして、標記化
合物を得た。
2−アミノチアゾール−4−イル)−2(1−t−ブト
キシカルボニル−1−メチルエトキシ)イミノコアセト
アミドー3−(ピリジン4−イルチオメチル)イソセフ
ェム−4−カルボキシレートとp−カルバモイルベンジ
ルプロミドとを用いて、実施例2と同様にして、標記化
合物を得た。
mp: 135°C(着色)
NMR(DMSO−d6)δ(ppm):1.45 (
s 6H) 、3.10〜3.36(m、2H) 、
3.85〜4.28 (m、IH)、4.56 (s、
2H) 、5.67 (dd、IH。
s 6H) 、3.10〜3.36(m、2H) 、
3.85〜4.28 (m、IH)、4.56 (s、
2H) 、5.67 (dd、IH。
4
J=5Hz、 J−9Hz) 、 5. 78
(s、 2H)6. 83 (s IH)
、 7. 47 (bs、 2H)7、 60
(d、 2H,J=8Hz) 、 7. 98(d
、 2H,J−8Hz) 、 8. 00 (d
、 2H。
(s、 2H)6. 83 (s IH)
、 7. 47 (bs、 2H)7、 60
(d、 2H,J=8Hz) 、 7. 98(d
、 2H,J−8Hz) 、 8. 00 (d
、 2H。
J=6Hz) 、 8. 96 (d、 2H,
J=6Hz)9、 15 (d、 IH,J=9H
z)実施例5 ベンズヒドリル(6S、7S)−7−[(Z)−2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2(1−t−ブト
キシカルボニル−1−一メチルエトキシイミノ)アセト
アミド] −3−(ピリジン4−イルチオメチル)イソ
セフェム−4−カルボキシレートと3−4゛−ジフルオ
ロベンジルプロミドとを用いて、実施例2と同様にして
、赤5 橙色粉末の標記化合物を得た。
J=6Hz)9、 15 (d、 IH,J=9H
z)実施例5 ベンズヒドリル(6S、7S)−7−[(Z)−2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2(1−t−ブト
キシカルボニル−1−一メチルエトキシイミノ)アセト
アミド] −3−(ピリジン4−イルチオメチル)イソ
セフェム−4−カルボキシレートと3−4゛−ジフルオ
ロベンジルプロミドとを用いて、実施例2と同様にして
、赤5 橙色粉末の標記化合物を得た。
m+):104°C(変色)
NMR(DMSO−d6)δ(ppm)1.40 (s
、6H) 、2.87〜3.40(m、2H) 、4.
40〜4.52 (m、1−H)、4.62 (s、2
H) 、5.53 (dd、IH。
、6H) 、2.87〜3.40(m、2H) 、4.
40〜4.52 (m、1−H)、4.62 (s、2
H) 、5.53 (dd、IH。
J=4Hz、8Hz) 、5.68 (s、1.H)、
6.77 (s、]、H) 、7.25 (bs、2H
)、7.38〜7.88 (m、3H) 、8.1.4
(d。
6.77 (s、]、H) 、7.25 (bs、2H
)、7.38〜7.88 (m、3H) 、8.1.4
(d。
2H,J=6Hz) 、8.86 (d、2H,J=6
Hz (IHz ?)) 、9.45 (d、1.H,
J=8Hz) 実施例6 適当な出発材料を用いて、実施例1と同様にして、標記
化合物を得た。
Hz (IHz ?)) 、9.45 (d、1.H,
J=8Hz) 実施例6 適当な出発材料を用いて、実施例1と同様にして、標記
化合物を得た。
NMR(DMSO−d6)δ(ppm):6
2、 80−3. 30 (m、 2H) 、3
. 87 (s。
. 87 (s。
3H) 、4. 28 (d、 IH,J=13
Hz) 、4.49 (d、 IH,J−1,3
Hz) 、5. 67(dd、 IH,J=5Hz
、 J=10Hz) 、6゜84 (s、 I
H) 、4. 35 (bs、 2H) 、8
゜92 (s、 IH) 、9. 23 (d
、1.H,J=10Hz) 実施例フ ルポン酸 適当な出発材料を用いて、実施例1と同様にして、標記
化合物を得た。
Hz) 、4.49 (d、 IH,J−1,3
Hz) 、5. 67(dd、 IH,J=5Hz
、 J=10Hz) 、6゜84 (s、 I
H) 、4. 35 (bs、 2H) 、8
゜92 (s、 IH) 、9. 23 (d
、1.H,J=10Hz) 実施例フ ルポン酸 適当な出発材料を用いて、実施例1と同様にして、標記
化合物を得た。
NMR(DMSO−d6)δ(ppm)1.35〜1.
95 (m、8H) 、2.90〜3゜40 (m、2
H) 、4.36 (b s、2H) 、4゜60−4
.87 (m、IH) 、5.61 (dd。
95 (m、8H) 、2.90〜3゜40 (m、2
H) 、4.36 (b s、2H) 、4゜60−4
.87 (m、IH) 、5.61 (dd。
]、H,J=5Hz、J=8Hz) 、6.78 (s
。
。
7
IH) 、 7゜
20 (bs、 2H) 、 8. 93 (
s。
s。
IH) 、 9゜
実施例8
15 (d、 IH,J=8Hz)7−[(Z)−
2−(2−アミノチアゾール4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド]3− (1,2,3−チアジアゾ
ール−5−イル)チオメチルイソセフェム−4−カルボ
ン酸300mgに水111iおよび炭酸水素ナトリウム
50mgを加え、溶解し、次いで凍結乾燥した。これに
、ジメチルホルムアミド5戴を加え、次いで、炭酸1−
ヨードエチルエチル2 ]、 Om gを加え、10時
間攪拌した。
2−(2−アミノチアゾール4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド]3− (1,2,3−チアジアゾ
ール−5−イル)チオメチルイソセフェム−4−カルボ
ン酸300mgに水111iおよび炭酸水素ナトリウム
50mgを加え、溶解し、次いで凍結乾燥した。これに
、ジメチルホルムアミド5戴を加え、次いで、炭酸1−
ヨードエチルエチル2 ]、 Om gを加え、10時
間攪拌した。
次いで、酢酸エチル20厭を加えた後、水201で3回
洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加え、乾燥した。これ濾
過して得た濾液を減圧濃縮した。
洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加え、乾燥した。これ濾
過して得た濾液を減圧濃縮した。
8
得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶出溶媒ニジクロロメタン:酢酸エチル=1.:2)
を用いて精製し、標記化合物コ−10mgを得た。
(溶出溶媒ニジクロロメタン:酢酸エチル=1.:2)
を用いて精製し、標記化合物コ−10mgを得た。
NMR(CDCΩ3)δ(ppm):
1.35 (t、1.5H,J=7Hz) 、1.38
(t、1.5H,J=7Hz)、1.60 (d3H
,J=5Hz) 、3.00〜3.60 (m。
(t、1.5H,J=7Hz)、1.60 (d3H
,J=5Hz) 、3.00〜3.60 (m。
2H) 、4.00 (s、3H) 、4.03〜4゜
50 (m 5H) 、5.72 (bs、2H)
、5゜84 (dd、IH,J=5Hz、J=7Hz)
、6.73 (s、LH) 、6.80〜7.08 (
m。
50 (m 5H) 、5.72 (bs、2H)
、5゜84 (dd、IH,J=5Hz、J=7Hz)
、6.73 (s、LH) 、6.80〜7.08 (
m。
コ H) 、 8. 59 (s、 I
H) 、 8. 6’6 (d。
H) 、 8. 6’6 (d。
IH,J=7Hz)
実施例9
9
シレート
適当な出発材料を用いて、実施例8と同様にして、標記
化合物を得た。
化合物を得た。
NMR(CDCΩ3)δ(ppm):
1.34 (t、1.5H,J=7Hz) 、1.47
(t、1.5H,J=7Hz) 、1..50〜2゜
00 (m IIH) 、3.05−3.30 (m
。
(t、1.5H,J=7Hz) 、1..50〜2゜
00 (m IIH) 、3.05−3.30 (m
。
2H) 、4.00〜4.50 (m、5H) 、4゜
75〜5.00 (m、IH) 、5.47 (m、I
H) 、5.62 (dd、IH,J=4Hz、J=6
Hz) 、6.84 (s、IH) 、6.85〜7゜
10 (m、IH) 、7.58 (d、0.5H,J
=6Hz) 、7.73 (d、0.5HJ=6Hz)
、8.58 (s、IH) 以下に製剤例を示す。
75〜5.00 (m、IH) 、5.47 (m、I
H) 、5.62 (dd、IH,J=4Hz、J=6
Hz) 、6.84 (s、IH) 、6.85〜7゜
10 (m、IH) 、7.58 (d、0.5H,J
=6Hz) 、7.73 (d、0.5HJ=6Hz)
、8.58 (s、IH) 以下に製剤例を示す。
製剤例1
(6S、7S)−7−[(、Z)
2−(2−アミノチアゾール
4−イル)−2−(1−カルボキシ
1−メチルエトキシイミノ)
0
アセI・アミド] −3−[(3,4
ジフルオロフエニル)メチル
4−ピリジニオコチオメチル
イソセフェム−4
カルボキシμ−1−(実施例5) 200m
gブドウ糖 250
mg注射用蒸溜水 適量全
量
5厭注射用蒸溜水に、(6S、7S)−7−[(
Z)−2’−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
(1−カルボキシ−1−メチルエトキシイミノ)アセト
アミド] −3−[(3,4−ジフルオロフェニル)メ
チル−4−ピリジニオコチオメチルイソセフェム−4−
カルボキシレート(実施例5ンおよびブドウ糖を溶解さ
せた後、511iアンプルに注入し、窒素置換後、12
1℃で15分間加圧滅菌を行なって上記組成の注射剤を
得た。
gブドウ糖 250
mg注射用蒸溜水 適量全
量
5厭注射用蒸溜水に、(6S、7S)−7−[(
Z)−2’−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
(1−カルボキシ−1−メチルエトキシイミノ)アセト
アミド] −3−[(3,4−ジフルオロフェニル)メ
チル−4−ピリジニオコチオメチルイソセフェム−4−
カルボキシレート(実施例5ンおよびブドウ糖を溶解さ
せた後、511iアンプルに注入し、窒素置換後、12
1℃で15分間加圧滅菌を行なって上記組成の注射剤を
得た。
製剤例2
]−エトキシカルボニルオキシ
エチル−7−E (Z)−2−(2
1
アミノチアゾール−4−イル)
2−メトキシイミノアセトアミド〕
3− (1,2,3−チアジアゾール
5−イル)チオメチルイソセフェム
4−カルボキシレート(実施例8) LOOg−
アビセル(商標名、旭化成■製)40gコーンスターチ
30gステアリン酸マグネシ
ウム 2gTC−5(商標名、信越化学
工業■製、ヒドロキシプロピルメチルセルロース)10
gポリエチレングリコール−60003gヒマシ油
40gエタノール
40g全量
255g1−エトキシカルボニルオキシ
エチル−7[(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3=(
1,2,3−チアジアゾール−5−イル)チオメチルイ
ソセフェム−4−カルボキシル−1・(実施例8)、ア
ビセル、コーンスターチおよびステ2 アリン酸マグネシウムを、混合研磨後、糖衣R10n+
+nのキネで打錠する。得られた錠剤をTC−5、ポリ
エチレングリコール−6000、ヒマシ油およびエタノ
ールからなるフィルムコーティング剤被膜を行い、上記
組成のフィルムコーティング錠を製造した。
アビセル(商標名、旭化成■製)40gコーンスターチ
30gステアリン酸マグネシ
ウム 2gTC−5(商標名、信越化学
工業■製、ヒドロキシプロピルメチルセルロース)10
gポリエチレングリコール−60003gヒマシ油
40gエタノール
40g全量
255g1−エトキシカルボニルオキシ
エチル−7[(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3=(
1,2,3−チアジアゾール−5−イル)チオメチルイ
ソセフェム−4−カルボキシル−1・(実施例8)、ア
ビセル、コーンスターチおよびステ2 アリン酸マグネシウムを、混合研磨後、糖衣R10n+
+nのキネで打錠する。得られた錠剤をTC−5、ポリ
エチレングリコール−6000、ヒマシ油およびエタノ
ールからなるフィルムコーティング剤被膜を行い、上記
組成のフィルムコーティング錠を製造した。
製剤例3
7− [(Z)−2−(2
アミノチアゾール−4−イル)
2−メトキシイミノアセトアミド]
3−(1,2,3−チアジアゾール
5−イル)チオメチルイソセフェ18−4−カルボン酸
(実施例6)2g 精製ラノリン 5gサラシ
ミツロウ 5g白色ワセリン
88g全量
100 g7− [(Z)−2−(2
−アミノチアゾール−4イル)−2−メトキシイミノア
セトアミド]3−(1,2□ 3−チアジアゾール−5
−イル)3 チオメチルイソセフェム−4−カルボン酸(実施例6)
、精製ラノリンおよび白色ワセリンを加え、液状となる
まで加温後、固化しはじめるまで攪拌して、上記組成の
軟膏剤を得た。
(実施例6)2g 精製ラノリン 5gサラシ
ミツロウ 5g白色ワセリン
88g全量
100 g7− [(Z)−2−(2
−アミノチアゾール−4イル)−2−メトキシイミノア
セトアミド]3−(1,2□ 3−チアジアゾール−5
−イル)3 チオメチルイソセフェム−4−カルボン酸(実施例6)
、精製ラノリンおよび白色ワセリンを加え、液状となる
まで加温後、固化しはじめるまで攪拌して、上記組成の
軟膏剤を得た。
[抗菌試験コ
実施例で得られた化合物について、種々の菌に対する抗
菌作用を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻
止濃度(MIC)を求めた。
菌作用を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻
止濃度(MIC)を求めた。
[CHEMOTHERAPY、 22. ]
コ 26〜1128(1,974)参照] 得られた結果を第2表に示す。
コ 26〜1128(1,974)参照] 得られた結果を第2表に示す。
なお、各種菌は1×106菌数/が(0,D600rn
μ、0.07〜0.16)に調整した。
μ、0.07〜0.16)に調整した。
供試化合物
No、1 : (6S、7S)−7−[(Z) −2
(2−アミノチアゾール−4−イル) 2−メトキシイミノアセトアミド]−3[(1−カルボ
キシメチル−4−ピリ ジニオ)チオメチル]イソセフェムー4カルボキシレー
ト 4 No。
(2−アミノチアゾール−4−イル) 2−メトキシイミノアセトアミド]−3[(1−カルボ
キシメチル−4−ピリ ジニオ)チオメチル]イソセフェムー4カルボキシレー
ト 4 No。
No。
No。
(実施例2)
2: (6S、7S)−7−[(Z)−2(2−アミ
ノチアゾール−4−イル) 2−(1−カルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノア
セトアミド]−3 [(4−カルバモイルフェニル)メチル4−ピリジニオ
コチオメチルイソセフ ェム−4−カルボキシレート (実施例4) 3+ (6S、7S)−7−[(Z)−2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル) 2−(1−カルボキシ−]−メチルエトキシイミノ)ア
セトアミド] −3−[(3,4−ジフルオロフェニ
ル)メチル4−ピリジニオコチオメチルイソセフ ェム−4−カルボキシレート (実施例5) 4 : 7− [(Z) −2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−シクロペンチルオキシイミノアセ
トアミド]−3 5 (1゜ 2゜ チ アジアゾールイ ル チオメチルイソセフェム カル ボン酸 (実施例7) (以下余白) 7
ノチアゾール−4−イル) 2−(1−カルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノア
セトアミド]−3 [(4−カルバモイルフェニル)メチル4−ピリジニオ
コチオメチルイソセフ ェム−4−カルボキシレート (実施例4) 3+ (6S、7S)−7−[(Z)−2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル) 2−(1−カルボキシ−]−メチルエトキシイミノ)ア
セトアミド] −3−[(3,4−ジフルオロフェニ
ル)メチル4−ピリジニオコチオメチルイソセフ ェム−4−カルボキシレート (実施例5) 4 : 7− [(Z) −2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−シクロペンチルオキシイミノアセ
トアミド]−3 5 (1゜ 2゜ チ アジアゾールイ ル チオメチルイソセフェム カル ボン酸 (実施例7) (以下余白) 7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) [式中、R^1は低級アルキル基、エステル化されてい
てもよいカルボキシ低級アルキル基またはシクロアルキ
ル基、 R^2は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれ
たヘテロ原子を1〜4個有するヘテロ環チオメチル基を
示し、該ヘテロ環チオメチル基のヘテロ環部分はカルボ
キシ低級アルキル基、カルバモイルフェニル低級アルキ
ル基またはハロゲン原子を有していてもよいフェニル低
級アルキル基を有していてもよく、 R^3はエステル化されていてもよいカルボキシ基また
はカルボキシレート基を示す。]で表されるイソセフェ
ム誘導体またはその医薬的に許容される塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024901A JPH03227990A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イソセフェム誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024901A JPH03227990A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イソセフェム誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03227990A true JPH03227990A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12151087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024901A Pending JPH03227990A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イソセフェム誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03227990A (ja) |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2024901A patent/JPH03227990A/ja active Pending
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