JPH03232892A - セファロスポリン誘導体 - Google Patents

セファロスポリン誘導体

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JPH03232892A
JPH03232892A JP2655990A JP2655990A JPH03232892A JP H03232892 A JPH03232892 A JP H03232892A JP 2655990 A JP2655990 A JP 2655990A JP 2655990 A JP2655990 A JP 2655990A JP H03232892 A JPH03232892 A JP H03232892A
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compound
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Application number
JP2655990A
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English (en)
Inventor
Tetsuhiko Shirasaka
哲彦 白坂
Hiroshi Ishikawa
廣 石川
Koichi Yasumura
貢一 安村
Koichiro Jitsukawa
浩一郎 実川
Yukio Toyama
外山 幸雄
Hidetsugu Tsubouchi
英継 壷内
Kimio Sudo
須藤 公夫
Koichi Tsuji
辻 浩一
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Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、抗菌作用を有するセファ0スポリン誘導体に
関する。
発明の開示 抗菌作用を有するセファロスポリン誘導体のうち、セフ
ェム骨格の1位が酸素原子である誘導体は特開昭81−
187135号公報や特開昭83−313788号公報
に開示されているが、本発明のセフェロスポリン誘導体
は、文献未記載の新規化合物であり、下記一般式(1)
で表される。
[式中 R1は低級アルキル基またはカルボキシ低級ア
ルキル基、 R2は基: A−(B)    −R4 (式中、Aは低級アルキレン基、 Bはカルボニル基または基ニ ーC0NHNHCO− を示し、nは0または1、 R4は 示す。
) R3はカルボキシ基またはカルボキシレート基を示す。
コ 上記一般式(1)で表される本発明の化合物は、広い範
囲のダラム陽性菌およびダラム陰性菌に対して優れた抗
菌活性を示し、特にダラム陽性菌としてはスタフィロコ
ッカス・アウレウス(Staphylo−coccus
 aureus PDA−209−P)、−ストレプト
コッカスニューモニア(Streptococcus 
pneumoniae)およびコリネバクテリウム・ジ
フテリア(Corynebacterium diph
theriae)に対して優れた抗菌活性を示す。さら
に、緑膿菌等のブドウ糖非醗酵菌に対しても優れた抗菌
活性を示す。また、本発明化合物は、生体内への吸収性
が良く、薬効の持続時間が長く、毒性が低いという特性
を有し、耐性菌、臨床分離菌に対しても優れた効果を示
す。さらに、本発明化合物は、安定性が高く、吸収、排
出性にも優れる。すなわち、腎排出が高く、胆汁移行も
良好である。また肺を含めた各臓器への分布が高い。最
小、阻止濃度と最小殺菌濃度との差が少なく、免疫抑制
作用、アレルギー作用などの副作用が少ない。
従って、本発明の化合物は、各種病原細菌に起因する人
、動物、魚類の疾病の治療薬として有用であり、また医
療用器具等の外用殺菌剤や消毒剤としても有用である。
本明細書において示される各基は、より具体的にはそれ
ぞれ次の通りである。
低級アルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアルキル基
があげられる。
カルボキシ低級アルキル基としては、例えばカルボキシ
メチル、2−カルボキシエチル、3−カルボキシプロピ
ル、4−カルボキシブチル、5−カルボキシベンチル、
6−カルボキシヘキシル等のアルキル基部分の炭素数が
1〜6のカルボキシアルキル基があげられる。
低級アルキレン基としては、例えば、メチレン、エチレ
ン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレン、イソブチ
レン、第三級ブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレ
ン等の炭素数1〜6のアルキレン基があげられる。
次に、前記一般式(1)で表される本発明化合物の代表
的な例を第1表に示す。
(以下、余白) 本発明の化合物および原料化合物は種々の方法で製造す
ることができるが、例えば、下記反応工程式−1から反
応工程式−5bに示される方法により製造することがで
きる。
反応工程式−1 (式中、R1およびR2は前記と同じ、R5は水素原子
またはエステル残基を示す。) 上記反応工程式−1において、本発明化合物を6 一部に含む一般式(1−a)で表される化合物は、数式
(3)で表されるカルボン酸化合物またはそのカルボキ
シ基が活性化された化合物と、−数式(2)で表される
アミノ化合物を通常のアミド結合生成反応にて反応させ
ることにより製造することができる。
上記R5で表されるエステル残基としては、通常のエス
テル残基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル
、ヘキシル等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル、
ベンズヒドリル、α−フェネチル、β−フェネチル、α
、β−ジフェニルエチル、3−フェニルプロピル、4−
フェニルブチル、5−フェニルペンチル、6−フェニル
ヘキシル等のアルキル部分の炭素数が1〜6の(モノま
たはジ)フェニル低級アルキル基;ビニル、アリル、ク
ロチル、2−ペンテニル、2−へキセニル等の炭素数2
〜6のアルケニル基;シクロプロピル、シクロブチル、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シ
クロオクチル7 等の炭素数3〜8のシクロアルキル基・シクロヘキシル
メチル、2−シクロヘキシルエチル、3シクロへキシル
プロピル、4−シクロへキシルブチル、5−シクロヘキ
シルペンチル、6−シクロへキシルヘキシル、シクロプ
ロピルメチル、2シクロブチルエチル、シクロペンチル
メチル、2−シクロへブチルエチル、シクロオクチルメ
チル等のシクロアルキル部分の炭素数が3〜8でありア
ルキル部分の炭素数が1〜6であるシクロアルキル(低
級)アルキル基を例示することができる。
前記のエステル残基の(モノまたはジ)フェニル低級ア
ルキル基におけるフェニル部分には、置換基として、例
えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子等
のハロゲン原子・メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル、
ヘキシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基;メトキシ
、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、
第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の
炭素数1〜6の低級アルコキシ基;二1・口8 基;カルボキシ基;シアノ基;および水酸基からなる群
より選ばれた置換基を1〜3個、またはメチレンジオキ
シ、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキシ、テトラ
メチレンジオキシ等の炭素数1〜4の低級アルキレンジ
オキシ基を有していてもよい。
また、前記のエステル残基の低級アルキル基には、置換
基として、例えば、上記のハロゲン原子を1〜3個、水
酸基、メルカプト基、上記の低級アルコキシ基、炭素数
が1〜6のアルカノイルオキシ基、カルボキシ基、シア
ノ基、ニトロ基、アミノ基、上記の低級アルキル基、メ
チルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、ジエチル
アミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ等の(モノまた
はジ)低級アルキルアミノ基、炭素数が1〜6のアルカ
ノイルアミノ基またはメチルチオ、エチルチオ、プロピ
ルチオ、ブチルチオ等の低級アルキルチオ基が置換して
いてもよい。
アミド結合生成反応としては、公知のアミド結合生成反
応の条件がいずれも適用できる。例えば、9 a)縮合剤を用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物
(3)とアミン化合物(2)とを縮合剤の存在下に反応
させる方法; b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(3
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これとアミン化合物(2)を反応させる方法; C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
3)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これとアミン化合
物(2)とを反応さぜる方法;d)カルボン酸化合物(
3)を無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし
、これとアミン化合物(2)とを反応させる方法; e)カルボン酸化合物(3)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(2)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(3)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これとアミン化合0 物(2)を反応させる方法などが例示できる。
次に、アミド結合生成反応の一例をより具体的に説明す
る。
一般式(1−a)で表される本発明化合物は、縮合剤の
存在下、−数式(2)で表されるアミン化合物に一般式
(3)で表されるカルボン酸化合物を、無溶媒または不
活性溶媒の存在下に反応させることにより得られる。
該反応において用いられる縮合剤としては、チオニルク
ロリド、オキシ塩化ワン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(H
lsmeier)試薬、ジシクロへキシルカルボジイミ
ド(DCC) 、2゜2−一ピリジニルジスフィドート
リフェニルホスフィン等の縮合剤が例示される。
溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒であれ
ば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキ1 サン等のエーテル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン
、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類
、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン等のアミン
類、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、メタノ
ール、エタノール、プロパツール等のアルコール類、ジ
メチルホルムアミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸
トリアミド(HMPA) 、ジメチルスルホキシド(D
MSO)等の非プロトン性極性溶媒、二硫化炭素等か例
示できる。
上記の反応は、塩基性化合物の存在下に行なうのがより
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、
ピリジン、ピコリン、1゜トリアルキルアミン、ピリジ
ン、ピコリン、1゜5−ジアザビシクロE4.3.0]
ノネン−5,1,4−シアサビシクロ[2,2,2]オ
クタン、18−ジアザビシクロ[5,4,0] ウンデ
セン−7などの有機塩基、モノI・リメチルシリルア2 セトアミド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のア
ルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等
のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩などの無機塩基か
例示できる。
また、上記の反応において、一般式(2)で表されるア
ミン化合物に対する一般式(3)で表されるカルボン酸
化合物の使用割合は、1〜10倍モル量、好ましくは1
〜3倍モル量とするのがよい。一般式(2)で表される
アミン化合物に対する塩基性化合物の使用割合は、等モ
ル−40倍モル量、好ましくは5〜20倍モル量とする
のがよい。
上記の反応は、−20℃〜100℃、好ましくは一20
℃〜50℃の温度条件下に30分〜24時間、好ましく
は30分〜10時間程度で行なわれる。
斯くして、一般式(1−a)で表される化合物を得る。
なお、上記の一般式(2)で表されるアミン化合物と一
般式(3)で表されるカルボン酸化合物との反応3 において、基、R5が水素原子の場合、一般式(1−a
)で表される目的化合物のカルボキシ基と一般式(2)
で表されるアミン化合物のカルボキシ基とが縮合した化
合物が得られる場合がある。この場合には、酸触媒、例
えば、塩酸、臭化水素酸、トリフルオロ酢酸などの無機
酸または有機酸存在下に、該縮合化合物を加水分解する
ことにより本発明化合物を一部に含む一般式(L−a)
で表される化合物を得ることができる。
(以下余白) 4 反応工程式−2 (式中、R2およびR5は前記と同じ、R6はアジド基
、フェニル酢酸アミド基またはフタルイミド基を示す。
) 上記反応工程式−2は、一般式(4)で表される化合物
を、その置換基であるR6の種類に応じて、還元反応、
加水分解反応またはヒドラジン分解反応に付すことによ
り、一部新規化合物を包含する5 一般式(2)で表される化合物を製造する方法である。
上記の反応工程式において、基R6がアジド基の場合、
一般式(2)で表される化合物は一般式(4)で表され
る化合物を無溶媒または適当な不活性溶媒の存在下に還
元剤を作用させて得られる。
この反応において用いられる溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
還元剤としては、硫化水素等が例示できる。硫化水素等
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
一般式(4)で表される化合物に対する還元剤の使用割
合は等モル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モ
ル量とするのがよく、また該反応は通常−30℃〜50
℃、好ましくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分
〜10時間程度で終6 了する。
また、基R6がフェニル酢酸アミド基の場合には、無溶
媒または不活性溶媒中、一般式(4)で表される化合物
を加水分解反応に付すことにより一般式(3)で表され
るアミン化合物が得られる。
この反応は、無溶媒または適当な不活性溶媒中、加水分
解触媒の存在下に行なわれる。
上記加水分解触媒としては、酸性化合物または塩基性化
合物が例示できる。酸性化合物としては、無水塩化アル
ミニウム、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素−エチルエーテル錯体、塩化亜鉛等の
ルイス酸、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、トリクロロ酢
酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有
機酸、酸型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また
塩基性化合物としてはトリエチルアミン、トリブチルア
ミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、1
,5−ジアザビシクロ[4,3,0コノネン−5,1,
4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1.8−
ジアザビシクロ[5,4,0]7 ウンデセン−7などの有機塩基、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素
塩等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
上記の反応で、一般式(4)で表される化合物に対する
酸または塩基の使用割合は、1〜100倍モル量、好ま
しくは1〜20倍モル量とするのがよい。また、該反応
は一20℃〜80℃、好ましくは一10℃〜50℃の温
度条件下で、30分〜48時間、好ましくは1〜24時
間程度行なえばよい。
基R6がフタルイミド基の場合には、無溶媒または不活
性溶媒中、一般式(4)で表される化合物をヒドラジン
またはヒドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反
応に付すことにより一般式(2)で表されるアミン化合
物が得られる。
この反応に用いられる不活性溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロ8 ホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタル
ール、エタノール等のアルコール類などが挙げられる。
また、ヒドラジン誘導体としては、メチルヒドラジン、
エチルヒドラジン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フ
ェニルヒドラジン等のアリール置換ヒドラジンなどを例
示できる。
一般式(4)で表される化合物に対するヒドラジンまた
はヒドラジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量
、好ましくは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通
常0〜100℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、
1〜40時間程度で反応は終了する。
なお、上記反応で得られた一般式(2)で表される化合
物において、基R5がエステル残基の場合、生成物を後
述の反応工程式−4aの脱エステル化反応と実質的に同
様な方法にて脱エステル化し、基R5が水素原子の化合
物に導くことができる。
(以下余白)  9 反応工程式−3 (5) [式中 R2およびR5は前記と同じ、R7はハロゲン
原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルカ
ンスルホニルオキシ基または低級アル−t−ルgまたは
ハロゲン原子もしくはニトロ基テ置換されていてもよい
アリールスルホニルオキシ基、R8はアジド基、アミノ
基、フタルイミド基、フェニル酢酸アミド基または基: 0 (式中、R1は前記と同じ。)、 を示す。] 本発明化合物のセフェム骨−格の3位に前記R2が結合
したピリジン基を有するチオメチル基を導入するには種
々の方法があるが、その方法の一例を反応工程式−3に
示す。
すなわち、適当な不活性溶媒中、一般式(5)で表され
る化合物と一般式(6)で表されるチオール化合物とを
、塩基性化合物の存在下に反応させることにより、本発
明化合物を一部包含する一般式(7)で表される前記R
2が結合したチオメチル基を有する化合物を得る。
一般式(5)で表される化合物において、R7で表され
るハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素
が挙げられ、ハロゲン原子で置換されていてもよい低級
アルカンスルホニルオキシ基と1 しては、メタンスルホニルオキシ、エタンスルホニルオ
キシ、プロパンスルホニルオキシ、トリフルオロメタン
スルホニルオキシ等が挙げられ、また低級アルキル基、
ハロゲン原子もしくは二1・0基で置換されていてもよ
いアリールスルホニルオキシ基としては、ベンゼンスル
ホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシ、p−クロロ
ベンゼンスルホニルオキシ、p−ニトロベンゼンスルホ
ニルオキシ等が挙げられる。
上記の反応で用いら料る塩基性化合物としては、トリエ
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
不活性溶媒としては、前記の反応工程式−1で使用され
る溶媒を広く用いることができる。
一般式(5)で表される化合物に対する一般式(6)で
表される化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好
ましくは1〜2倍モル量とするのがよく、一般式〇で表
される化合物に対する塩基性化合物の使用割合は、少な
くとも等モル量、好ましくは2 等モル−2倍モル量とするのがよい。反応温度は一10
℃〜100℃、好ましくは0〜50℃で行なうのがよい
斯くして、一部に本発明化合物を包含する一般式(7)
で表される化合物を得る。
(以下余白) 反応工程式 4 (式中、R1およびR2は前記と同じ R9は保護基を
有することのあるアミノ基、R”は前記R5におけるエ
ステル残基を示す。) 一般式(1−c)で表されるカルボン酸誘導体は、一般
式(t−b)で表される化合物のセフェム環の44 位のエステル化合物を脱エステル化反応に付すことによ
り製造することができる。
R9におけるアミノ基の保護基としては、通常の保護基
、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイル等の炭
素数1〜6の低級アルカノイル基;モノクロロアセチル
、−モノフルオロアセチル、モノブロモアセチル、モノ
ヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチ
ル、トリフルオロアセチル、3−クロロプロピオニル、
2゜3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−トリクロ
ロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−クロロペン
タノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フルオロブロ
ピオニル、4−フルオロブチリル等のハロゲン原子が1
〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノイル基;ベ
ンジル、α−フェネチル、β−フェネチル、3−フェニ
ルプロピル、ベンズヒドリル、トリチル等のフェニル基
を1〜3個有しかつアルキル部分の炭素数が1〜6のフ
ェニル(低級)アルキル基;フェニルメトキシ力5 ホルミル、1−フェニルエトキシカルボニル、2フエニ
ルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカルボ
ニル、4−フェニルブトキシカルボニル、5−フェニル
ペンチルオキシカルボニル、6−フェニルへキシルオキ
シカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が1〜6のフ
ェニル(低級)アルコキシカルボニル基;メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、第3
級ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘ
キシルオキシカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が
1〜6の低級アルコキシカルボニル基などを例示できる
上記脱エステル化反応は、前記反応工程式−2に示した
加水分解反応と実質的に同様に行うことができ、反応方
法および反応条件(例えば、加水分解触媒、溶媒、反応
温度、反応時間等)は、反応工程式−2の加水分解反応
の説明を参照することができる。
また、上記脱エステル化反応は、R51のエステ6 ル残基が例えば、ベンジル等の接触還元法により容易に
脱離するエステル残基の場合には、接触還元法によって
も行なうことができる。接触還元法に用いられる触媒と
しては、例えば、プラチナ触媒(例えば、酸化白金、白
金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金、コロイド状白
金等)、パラジウム触媒(例えば、パラジウム黒、塩化
パラジウム、酸化パラジウム、パラジウム−炭素、パラ
ジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム、ス
ポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒(例えば、還元
ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等)、コバル
ト触媒(例えば、還元コバルト、ラネーコバルト等)、
鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)、銅触媒(例え
ば、還元鉄、ラネー鉄等)等を例示できる。
上記の反応で、酸または塩基を使用する場合には、一般
式(1−b)で表される化合物に対する酸または塩基の
使用割合は、1〜−100倍モル量、好ましくは1〜2
0倍モル量とするのがよい。また、該反応は一20℃〜
80℃、好ましくは−10℃7 〜50℃の温度条件下で、30分〜48時間、好ましく
は1〜24時間程度行なえばよい。
また、接触還元法を適用する場合には、−数式(t−b
)で表される化合物に対する接触還元触媒の使用割合は
、0.1〜10倍モル量、好ましくは0.1〜1倍モル
量とするのがよい。該反応は、0〜200℃、好ましく
は0〜100℃の温度条件下で、30分〜48時間、好
ましくは30分〜6時間程度行なえばよい。
(以下余白) 8 反応工程式−4 (式中、RI   R2およびR5は前記と同じ、R”
はアミノ基の保護基を示す。) チアゾリル基の2位がアミノ基である一般式(1−d)
で表される本発明の化合物は、チアゾリル基の2位が置
換アミノ化合物である一般式(8)で表される本発明の
化合物を、前記反応式−4aの脱 9 エステル化反応の条件と実質的に同様な条件下で反応に
付すことにより得ることができ、例えば、無溶媒または
適当な溶媒の存在下、酸性化合物または塩基性化合物を
作用させるか、または接触還元反応に付すことにより得
られる。
上記反応に使用される溶媒としては、特に制限はなく、
例えば、反応工程式−1において例示された溶媒が挙げ
られる。
上記の酸性化合物としては、前記反応工程式−2で例示
された酸性化合物が挙げられるが、酸性化合物の好まし
い例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸等の無機
酸、トリフルオロ酢酸、酢酸、ギ酸等の有機酸、酸型イ
オン交換樹脂等が例示できる。これらの酸性化合物の内
、液体のものは溶媒を兼ねて用いることできる。
また、塩基性化合物としては、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン等のトリアルキルアミン、ピリジン、ピコ
リン、1.5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノネン−
5,1,4−ジアザビシクロ[2,2,2コオクタン、
1.8−ジアザビ0 シクロ[5,4,0]ウンデセン−7などの有機塩基、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水
酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金
属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の
アルカリ金属炭酸水素塩などの無機塩基、チオ尿素、尿
素等の尿素化合物などが例示できる。
反応系に水を加える場合、水は酸性化合物または塩基性
化合物に対して、10〜80 V/V%程度が好ましく
、さらに反応終了後、10〜20倍量加えるのがよい。
一般式S)で表される本発明化合物に対する酸性化合物
または塩基性化合物の使用割合は、等モル−100倍モ
ル量、好ましくは2〜10倍モル量とするのがよい。ま
た、反応温度は一20℃〜80℃、好ましくは一10℃
〜50℃とするのがよい。反応時間は1〜24時間程時
間路了する。
反応工程式−4bの反応を接触還元反応で行なう場合、
接触還元反応の条件(例えば、接触還元触媒、触媒量、
溶媒、反応温度、反応時間等)は、1 前記の反応工程式−4aの接触還元反応条件を援用でき
る。
このようにして本発明の化合物である一般式(l−d)
で表されるアミン化合物を得る。
反応工程式−4C (式中、RI  R2RIOおよびR51は前記と同じ
。) 本反応は、−数式(9)で表される化合物の4位の脱エ
ステル化およびR’IOで表されるアミノ基の脱 2 保護基反応を同時に行い、−数式(1−e)で表される
化合物を得る反応であり、前記反応工程式−4aまたは
4bと実質的に同一の条件で行えるが、このとき加水分
解触媒として、酸類を用いるのが好ましく、さらに好ま
しくは無水塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化鉄、塩化
スズ、三フッ化ホウ素等のルイス酸やトリフルオロ酢酸
等の有機酸を例示できる。
(以下余白) 反応工程式− (式中、RIおよびR2は′前記と同じ、Xはハロゲン
原子を示す。) この反応工程式−5aは、無溶媒または不活性溶媒下、
−数式(1−f)で表される化合物と一般式(10)で
表される化合物とを反応させて、−数式(1−g)で表
される本発明化合物を得るものである。
一般式00)で表される化合物において、Xで表される
ハロゲン原子としては、塩素、ヨウ素、臭素、4 フッ素が挙げられる。
反応に際しては、予め一般式(L−4)で表される化合
物にシリル化剤を反応させて、−数式(’ 1 = f
”)で表される化合物が有するカルボギシ基を保護する
のが好ましい。かかるシ・リル化剤としては、種々の低
級アルキルシリル化剤が使用可能であるが、とりわけ、
N、O−ビ・ストリメチルシリルア・セトアミド(BS
A)を使用するのが好ましい。
溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒であれ
ば、いずれの゛溶媒も使用でき、例えば上記反応゛工程
式−1に使用されるものが例示で“きる。
−数式(1−f)で表される化合物に対するシリル化剤
は1〜10倍モル量、好ましくは2〜3倍モル量とする
のがよい。反応塩度は0〜60℃、好ましくは15〜2
0℃で行なわれ、通常5−h−20時間で反応は完結す
る。
反応生成物は、陰イオン交換樹脂等で処理することによ
り、−数式(1−g)で表される本発明化合物が得られ
る。
(以下余白)  5 反応工程式 5 (式中、 R盲 2 5 およびXは前記と同じ) 前記反応工程式− aに準じた方法を用いて、 一般式(1−h)で表される化合物を一般式00)で表
される化合物と反応させ、一般式(1−Dて表される化
合物を得、前記反応工程式4−aと同様の方法を用いて
脱エステル化反応させて、一般式(1−j)で表される
化合物を得るものである。
上記反応工程式5−bは以上のように2段階で行っても
よいが、1段階で一般式(1−j)で表される化合物を
得ることも可能である。
本発明の一般式(1)で表される化合物は、当然に光学
異性体ならびにシン異性体およびアンチ異性体を含むも
のである。これらの異性体は、慣用の分割法、例えば、
光学分割剤を使用する方法、酵素を使用する方法などで
分離することができる。
本発明化合物は、通常、−数的な医薬製剤の形態で用い
られる。製剤は通常使用される充填剤、増量剤、結合剤
、付湿剤、崩壊剤、表面活性剤、滑沢剤などの希釈剤あ
るいは賦形剤を用いて調製される。この医薬製剤として
は各種の形態が治療目的に応じて選択でき、その代表的
なものとして錠剤、火剤、散剤、液剤、懸濁剤、乳剤、
顆粒剤、7 カプセル剤、平割、注射剤(液剤、懸濁剤等)などが挙
げられる。錠剤の形態に成形するに際しては、担体とし
て、この分野で従来公知のものを広く使用でき、例えば
乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、尿素、デンプ
ン、炭酸カルシウム、カオリン、結晶セルロース、ケイ
酸等の賦形剤、水、エタノール、プロパツール、−単シ
ロップ、ブドウ糖液、デンプン液、ゼラチン溶液、カル
ボキシメチルセルロース、セラック、メチルセルロース
、リン酸カリウム、ポリビニルピロリドンなどの結合剤
、乾燥デンプン、アルギン酸ナトリウム、カンテン未、
ラミナラン末、炭酸水素ナトリウム、炭酸カルシウム、
ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、ラウ
リル硫酸ナトリウム、ステアリン酸モノグリセリド、デ
ンプン、乳糖などの崩壊剤、白糖、ステアリン、カカオ
バター、水素添加油などの崩壊抑制剤、第四級アンモニ
ウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウムなどの吸収促進剤、
グリセリン、デンプンなどの保湿剤、デンプン、乳糖、
カオリン、ベントナイト、コロイド状ケイ8 酸などの吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ酸
末、ポリエチレングリコールなどの滑沢剤などが例示で
きる。さらに錠剤は必要に応じて通常の剤皮を施した錠
剤、例えば糖衣剤、ゼラチン被包錠、腸溶被錠、フィル
ムコーティング錠あるいは二重錠、多層錠とすることが
できる。火剤の形態に成形するに際しては、−担体とし
て、この分野で従来公知のものを広く使用でき、例えば
、ブドウ糖、乳糖、デンプン、カカオ脂、硬化植物油、
カオリン、タルクなどの賦形剤、アラビアゴム末、トラ
ガント末、ゼラチン、エタノールなどの結合剤、ラミナ
ラン、カンテンなどの崩壊剤などが例示できる。平割の
形態に成形するに際しては、担体として、従来公知のも
のを広く使用でき、例えば、ポリエチレングリコール、
カカオ脂、高級アルコール、高級アルコールのエステル
類、ゼラチン、半合成グリセライドなどを挙げることが
できる。注射剤として調製される場合には、液剤、乳剤
および懸濁剤は殺菌され、かつ血液と等張であるのが好
ましく、これら液剤、乳剤および懸濁剤9 の形態に成形するのに際しては、希釈剤としてこの分野
において慣用されているものをすべて使用でき、例えば
水、エチルアルコール、プロピレングリコール、エトキ
シ化イソステアリルアルコール、ポリオキシ化イソステ
アリルアルコール、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪
酸エステル類などを挙げることができる。なお、この場
合等張性の溶液を調製するに充分な量の食塩、ブドウ糖
あるいはグリセリンを医薬製剤中に含有せしめてもよく
、また通常の溶解補助剤、緩衝剤、無痛化剤などを、更
に必要に応じて着色材、保存剤、香料、風味剤、甘味剤
などや他の医薬品を該治療剤に含有せしめてもよい。ペ
ースト、クリームおよびゲルの形態に成形するに際して
は、希釈剤として例えば、白色ワセリン、パラフィン、
グリセリン、セルロース誘導体、ポリエチレングリコー
ル、シリコン、ベントナイト等を使用できる。
本発明の医薬製剤中に含有されるべき一般式で表される
化合物またはその塩の量は、特に限定されず広範囲に選
択されるが、通常全組成物中1〜0 70重量%とするのがよい。
本発明の医薬製剤の投与方法は特に制限はなく、各種製
剤形態、患者の年齢、性別その他の条件、疾患の程度な
どに応じた方法で投与される。例えば錠剤、火剤、液剤
、懸濁剤、乳剤、顆粒剤、およびカプセル剤の場合には
経口投与される。
また注射剤の場合には単独であるいはブドウ糖、アミノ
酸などの通常の補液と混合して静脈内投与され、さらに
は必要に応じて単独で筋肉内、皮内、皮下もしくは腹腔
的投与される。平割の場合には直腸内投与される。
本発明の医薬製剤の投与量は用法、患者の年齢、性別そ
の他の条件、疾患の程度などにより適宜選択されるが、
通常本発明化合物の量は一日当り体重1kg当り1〜1
00+ng、好ましくは5〜20Ingとするのがよく
、該製剤は、1日に2〜4回に分けて投与することがで
きる。
(以下余白) 1 〈実施例〉 以下、参考例、実施例、製剤例および薬理試験に基づい
て、本発明をより詳細に説明する。
参考例 ベンズヒドリル(6S、7S)−7−フタルイミド−3
−(ピリジン−4−イルチオメチル)インセフェム−4
−カルボキシレート2.48gをテトラヒドロフラン1
5m1七ジメチルホルムアミド15m1との混合溶液に
溶解し、−15℃まで冷却した。そして、メチルヒドラ
ジン0.26m1を加え、−15℃にて2時間攪拌した
。次いで、反応混合液に酢酸エチル30m1水30m1
を加えて、分液し、水層に酢酸エチル15m1を加え逆
抽出した。有機層を合わせ、水30ν!で3回洗浄し、
さらに飽和食塩水30 ifで1回洗浄した。洗浄後、
2 無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去後、濾過し、濾
液を減圧濃縮した。残滓を塩化メチレン27かに溶解し
、2時間攪拌し、析出物を濾取した。
濾液にベンゾチアゾール−2−イル(Z) −2(2−
アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノチ
オ酢酸1.40gを加え、室温にて15時間攪拌した。
反応液を水301!で洗浄し、次いで5%炭酸水素ナト
リウム水溶液30 xi、さらに水3o11!で2回洗
浄した後、無水硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した
これを濾過し、濾液を減圧乾固し、残滓をシリカゲルク
ロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル)を用いて精
製し、白色粉末である標記化合物1.81gを得た。
mp : 232〜235℃(分解) NMR(CDC,Qs、DMSO−d6)δ(ppm)
: 3.06〜3.42 (m、2H) 、3.95 (s
3H) 、3.82〜4.18 (m、IH) 、4゜
3 19  (d、  IH,J=13Hz)  、4. 
37  (d。
IH,J=13Hz)  、 5. 77  (dd、
  LH。
J−9Hz、  J−6Hz)  、 6. 82  
(s、  IH)6、 78〜7. 02  (b  
r  s、  2H)  、6. 92  (s、  
IH)  、 7. 18  (d、  2H,J=6
Hz)  、 7. 08〜7. 67  (m、  
l0H)  、8゜37  (d、  2H,J=6H
z)  、 9. 23  (d。
IH,J−9H2) 実施例1 p−メトキシベンジル(6R,7R)−7−[(Z)−
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(1−
t−ブトキシカルボニル−1メチルエトキシ)イミノ]
アセトアミド−3(ピリジン−4−イルチオメチル)−
3−セフェ4 ニー4−カルボキシレートと2−ヨードメチル−5−ヒ
ドロキシ−4−ピリドンとを用いて、参考例と同様にし
て標記化合物を得た。
mp:  128℃(変色) NMR(DMSO−66)δ: 1.45 (s、6H) 、3.52 (ABQ、2H
)、4.50 (bs、2H); 5.12 (d、I
H)5.4〜5.9 (m、3H) 、6.77 (s
IH) 、6.93 (s、IH) 、7.26 (s
2H) 、7.84 (s、IH) 、8.20 (d
2H) 、8.77 (d、2H) 、9.58 (d
IH) 実施例2 ト  5 p−メトキシベンジル(6R,7R)−7−[(Z) 
−2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(1
−t−ブトキシカルボニル−1−メチルエトキシ)イミ
ノ]アセトアミド−3−(ピリジン−4−イルチオメチ
ル)−3−セフェム−4−カルボキシレートとN−ブロ
モアセチル−N”−3,4−ジヒドロベンゾイルヒドラ
ジドとを用い、参考例と同様にして標記化合物を得た。
mp:  131℃(変色) NMR(DMSO−66)δ: 1.1〜1.7 (m、6H) 、2.9〜4.0(m
、2H) 、4.47 (b s、2H) 、5.06
 (d、IH) 、5.46 (bs、2H) 、5゜
67 (dd、IH) 、6.5〜7.5 (m、5H
)6.70 (s、IH) 、8.22 (d、2H)
、8.64 (d、2H) 、9.1〜11.3 (m
3H) 実施例3 6 キシー1−メチルエトキシ)イミノアセトアミドコレー
ト p−メトキシベンジル(6R,7R)−7−[(Z)−
2−(2−アミノチアゾール−4−イル) −2−(1
−t−ブトキシカルボニル−1−メチルエトキシ)イミ
ノ]アセトアミド−3(ピリジン−4−イルチオメチル
)−3−セフェム−4−カルボキシレートと2−ヨード
−3−4−一ジヒドロキシアセトフェノンとを用い、参
考例と同様にして標記化合物を得た。
mp:  127℃(変色) NMR(DMSO−d6)δ: 1.45 (s、6H) 、4.57 (bs、2H)
、5.15 (d、LH) 、5.68 (q、IH)
、6.14 (bs、2H) 、6.74 (s、IH
)、6.97 (d、IH) 、7.34〜7.68 
(m。
2H) 、8.32 (d、2H) 、8.60 (d
7 2H) 実施例4 p−メトキシベンジル(6R,7R)−7[(Z) −
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキ
シイミノアセトアミドコ−3(ピリジン−4−イルチオ
メチル)−3−セフェム−4−カルボキシレートと2−
ヨード−3′4′−ジヒドロキシアセトフェノンとを用
い、参考例と同様にして標記化合物を得た。
mp:  119℃(変色) NMR(DMSO−d6)δ: 3.0〜4.0 (m、2H) 、3.83 (s、3
H) 、4.3−4.6 (b s、2H) 、5.1
8(d、IH) 、5.76 (dd、IH) 、6.
28 1  (bs、  2H)  、 6. 7−7、 1
  (m、  2H)  、7、 16  (bs、 
 2H)  、 7. 3〜7. 6  (m。
2H)  、8. 10  (d、  2H>  、 
8. 62  (d。
2H)  、 9. 55  (d、  LH)以下に
製剤例を示す。
製剤例1 (6R,7R)−7−[−(Z) 2−(2−アミノチアゾール−4 イル)−2−(1−カルボキシ−1− メチルエトキシ)イミノアセト アミド−3−[(5−ヒドロキシ− 4−ピリドン−2−イル)メチル 4−ピリジニオコチオメチル− 3−セフェム−4− カルボキシレート(実施例1)      200mg
ブドウ糖                250■注
射用蒸溜水             適量全   量
                        5
111注射用蒸溜水に、(6R,7R)−7−[(Z)
−2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−29 −(1−力ルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノアセ
トアミド−3−[(5−ヒドロキシ−4ピリドン−2−
イル)メチル−4−ピリジニオコチオメチル−3−セフ
ェム−4−カルボキシレートおよびブドウ糖を溶解させ
た後、511iアンプルに注入し、窒素置換後、121
℃で15分間加圧滅菌を行なって上記組成の注射剤を得
た。
製剤例2 (6R,7R)−7−[(Z)−2 (2−アミノチアゾール−4− イル) −2−(1−カルボキシ 1−メチルエトキシ)イミノコ アセトアミド−3−[1−(N− 3,4−ジヒドロキシベンズアミド) カルバモイルメチル−4− ピリジニオコチオメチル−3− セフェム−4− カルボキシレート(実施例2)      100gア
ビセル(商標名、旭化成■製)40gコーンスターチ 
           30g0 ステアリン酸マグネシウム        2gTC−
5(商標名、信越化学工業側波、ヒドロキシプロピルメ
チルセルロース)  10gポリエチレングリコール−
60003gヒマシ油               
  40gエタノール               
40g全量             225g(6R
,7R) −7−[(Z)−2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−(1−カルボキシ−1−メチルエ
トキシ)イミノアセトアミドー3− [1−(N−3,
4−ジヒドロキシベンズアミド)カルバモイルメチル−
4−ピリジニオコチオメチル−3−セフェム−4−カル
ボキシレート、アビセル、コーンスターチおよびステア
リン酸マグネシウムを、混合研磨後、糖衣R10mmの
キネで打錠する。得られた錠剤をTC−5、ポリエチレ
ングリコール−6000、ヒマシ油およびエタノールか
らなるフィルムコーティング剤被膜を行い、上記組成の
フィルムコーティング錠を製造した。
1 製剤例3 (6R,7R)−7−[(Z) 2−(2−アミノチアゾール 4−イル)−2−(1−カルボキシ 1−メチルエトキシ)イミノ アセトアミトコ −3−[[1 [2−(3,4−ジヒドロキシ フェニル)−2−オキソ]エチルコ 4−ピリジニオ]チオメチル−3 セフェム−4−カルボキシレート     2g(実施
例3) 精製ラノリン              5gサラシ
ミッロウ             5g白色ワセリン
              88g全量      
         100 g(6R,7R) −7−
[(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−
2−(1−カルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノア
セトアミド]−3−[[1−[2−(3,4−ジヒドロ
キシフェニル)−2−オキソコニチル]−4−ピリジニ
2 オ]チオメチルー3−セフェム−4−カルボキシレート
、精製ラノリンおよび白色ワセリンを加え、液状となる
まで加温後、固化しはじめるまで攪拌して、上記組成の
軟膏剤を得た。
[抗菌試験] 実施例で得られた化合物について、種々の菌に対する抗
菌作用を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻
止濃度(MIC)を求めた。
[CHEMOTHERAPY、22.1126〜112
8 (1974)参照] 得られた結果を第2表に示す。
なお、各種菌はI X 106菌数/猷(0,D。
600mμ、0.07〜0.16)に調整した。
供試化合物 No、1 :  (6R,7R) −7−[(Z) −
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−(1−
カルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノアセトアミド
−3−[(5−ヒドロキシ−4−ピリドン−2−イル)
メチル−4−ピリジニオコチオメチル−3 3−セフェム−4−カルボキシレート (実施例1) 2:  (6R,7R) −7−[(Z)−2(2−ア
ミノチアゾール−4−イル) 2−(1−カルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノア
セトアミド−3−[1 (N−3,4−ジヒドロキシベンズア ミド)カルバモイルメチル−4−ピリジニオ]チオメチ
ルー3−セフェム−4 カルボキシレート (実施例2) No、3:  (6R,7R)−7−[(Z)−2−(
2−アミノチアゾール−4−イル) 2−(1−力ルボキシ−1−メチルエトキシ)イミノア
セトアミド] −3−[[1−[2−(3,4−ジヒド
ロキシフェニル)−2−オキソ〕エチルコー4−ピリジ
ニオ]チオメチル−3−セフェム−4−カルボキシレー
ト(実施例3) 4:  (6R,7R)−7−[(Z)−2−4 No。
No。
比較例 (2−アミノチアゾール−4−イル) 2−メトキシイミノアセトアミトコ −3[[1−[2
−(3,4−ジヒドロキ シフェニル)−2−オキソ]エチル] 4−ピリジニオ]チオメチル−3−セフェム−4−カル
ボキシレート (実施例4) :セフタジジム(CAZ、セフェム系抗生物質) (以下余白)  5 6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式(1): ▲数式、化学式、表等があります▼(1) [式中、R^1は低級アルキル基またはカルボキシ低級
    アルキル基、 R^2は基: −A−(B)_n−R^4 (式中、Aは低級アルキレン基、 Bはカルボニル基または基: −CONHNHCO− を示し、nは0または1、 R^4は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼または▲数式、化学式、表等がありま
    す▼を 示す。)、 R^3はカルボキシ基またはカルボキシレート基を示す
    。]で表されるセファロスポリン誘導体およびその医薬
    的に許容される塩。
JP2655990A 1989-12-29 1990-02-05 セファロスポリン誘導体 Pending JPH03232892A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6451125B1 (en) * 1994-09-30 2002-09-17 Chemfree Corporation Parts washing system
WO2013002215A1 (ja) * 2011-06-27 2013-01-03 塩野義製薬株式会社 ピリジニウム基を有するセフェム化合物

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