JPH03227577A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH03227577A JPH03227577A JP2022744A JP2274490A JPH03227577A JP H03227577 A JPH03227577 A JP H03227577A JP 2022744 A JP2022744 A JP 2022744A JP 2274490 A JP2274490 A JP 2274490A JP H03227577 A JPH03227577 A JP H03227577A
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- Pending
Links
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- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔吐東上の利用分野〕
この発明は太ｗｊ！ｉ電池の表面電画および裏面コンタ
クトパターンの位置関係に関するものである。
クトパターンの位置関係に関するものである。
；＠２図は２０ ｔｈＩ ＥＥＥ ｐｈｏＬｏｖｏｌｔ
ｌｉａ ５ｐｓａｉＢｌｌａｔａＣｏｎｆｓｒ＊ｎｅｅ
−１９８８Ｖｏ １．２に示された太陽電池を示す断
面図である。図におい・（、（１）は太陽電池の受光面
に形成された１−３部で発生した光電流を外部へ取り出
すマイナス極側の表１ｊ［Ｉ電極、（２）は太ｖＭ電池
を構成するｎｐ膚合の一方の半導体であるｎ＋層、（３
）は上記ｉｐ接合の他方の半導体である２層、（４）は
ｐ％不純物が高濃度にドーピングされたＰ”ｔｄ、（６
）はポリＳ１から成る基板、（５）は太肋電池円で吸収
しきれずに透過してくる光をＰ接合へ反射し再度吸収さ
せる、また、基板（６）からの不純物のｎｐ接接合への
拡散を防ぐ拡１ａｌｖｊ止膜とし”Ｃも作用する裏面反
射層ただし、基板（６）とｐ＋瀾（４）のコンタクトを
とるために一部除去されＣいる。（７）はプラス側電極
である裏面Ｎｖｉ、（８）は太陽電池表面から入射する
入射光である。
ｌｉａ ５ｐｓａｉＢｌｌａｔａＣｏｎｆｓｒ＊ｎｅｅ
−１９８８Ｖｏ １．２に示された太陽電池を示す断
面図である。図におい・（、（１）は太陽電池の受光面
に形成された１−３部で発生した光電流を外部へ取り出
すマイナス極側の表１ｊ［Ｉ電極、（２）は太ｖＭ電池
を構成するｎｐ膚合の一方の半導体であるｎ＋層、（３
）は上記ｉｐ接合の他方の半導体である２層、（４）は
ｐ％不純物が高濃度にドーピングされたＰ”ｔｄ、（６
）はポリＳ１から成る基板、（５）は太肋電池円で吸収
しきれずに透過してくる光をＰ接合へ反射し再度吸収さ
せる、また、基板（６）からの不純物のｎｐ接接合への
拡散を防ぐ拡１ａｌｖｊ止膜とし”Ｃも作用する裏面反
射層ただし、基板（６）とｐ＋瀾（４）のコンタクトを
とるために一部除去されＣいる。（７）はプラス側電極
である裏面Ｎｖｉ、（８）は太陽電池表面から入射する
入射光である。
次に動作につい・Ｃ説明する。太−電池表面より太陽電
池内部へ入る入射光（８）によつＣｎ＋層（２）、およ
びＰ ／Ｉ （３） 、ｐ＋層（４）によって構成され
る活性層で電子−正孔対が生成され、拡散によつ′Ｃ電
子は１層（２）へ、正孔はｐｄ（３）をへ“ｃｐ＋膚（
４）と流入する。
池内部へ入る入射光（８）によつＣｎ＋層（２）、およ
びＰ ／Ｉ （３） 、ｐ＋層（４）によって構成され
る活性層で電子−正孔対が生成され、拡散によつ′Ｃ電
子は１層（２）へ、正孔はｐｄ（３）をへ“ｃｐ＋膚（
４）と流入する。
次いで、電子は、＋層（２）中を通って表面電極（１）
へ、また正孔はｐ”ｍ（４）中を通って裏面反射層（５
）の−部にあけられたコンタクトパター、ンを通ってポ
リＳｉから成る基板（６）に流入するため、それぞれ表
面電極（７）から光超電力とし゛Ｃ外部回路へとり塩さ
れる。
へ、また正孔はｐ”ｍ（４）中を通って裏面反射層（５
）の−部にあけられたコンタクトパター、ンを通ってポ
リＳｉから成る基板（６）に流入するため、それぞれ表
面電極（７）から光超電力とし゛Ｃ外部回路へとり塩さ
れる。
特に裏面反射１１（６）は活性層で吸収しきれずに透過
してくる光（８）を活性層側へ反射するため、再度活性
層内で′蹴子−正孔対を生成するので裏面反射Ｊｌ（６
）を設けない場合よりも発生する光起電力が大きくなる
作ＪＦＪがあるが、外部回路へ°りながる基板（６）を
電気的コンタクトをとるために一部除去しなければなら
ない。
してくる光（８）を活性層側へ反射するため、再度活性
層内で′蹴子−正孔対を生成するので裏面反射Ｊｌ（６
）を設けない場合よりも発生する光起電力が大きくなる
作ＪＦＪがあるが、外部回路へ°りながる基板（６）を
電気的コンタクトをとるために一部除去しなければなら
ない。
従来の太ｍｓ池は以上のように構成されているので、表
面電極下の活性層では直達光がなく、裏面反射層によっ
”Ｃ散乱され′〔きた光のみで発電が行われる部分、ま
た、裏面反射層の一部にあけられたコンタタトパターン
ｔの活性層では裏面反射層がないため、反射光成分によ
る発電寄与が減少する部分が独立に発生し、太−電池全
体の発！量が低下する問題があった。
面電極下の活性層では直達光がなく、裏面反射層によっ
”Ｃ散乱され′〔きた光のみで発電が行われる部分、ま
た、裏面反射層の一部にあけられたコンタタトパターン
ｔの活性層では裏面反射層がないため、反射光成分によ
る発電寄与が減少する部分が独立に発生し、太−電池全
体の発！量が低下する問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、活性層を透過しＣきた入射光を全・Ｃ１再度
活性層内へ反射させる裏面反射層を有する太陽電池を得
ることを目的とする。
たもので、活性層を透過しＣきた入射光を全・Ｃ１再度
活性層内へ反射させる裏面反射層を有する太陽電池を得
ることを目的とする。
この発明に係る太−電池は、表面％を極パターンを裏面
反射層の除去パターンをＭね合わせＣｙｆ３成したもの
である。
反射層の除去パターンをＭね合わせＣｙｆ３成したもの
である。
この発明における太１＃ｉｌｃ池は、入射光のうち活性
層で吸収しきれなかった透過光が裏面反射層の除去パタ
ーンには当らないため、全べ°Ｃ反射され再度活性層で
吸収される。
層で吸収しきれなかった透過光が裏面反射層の除去パタ
ーンには当らないため、全べ°Ｃ反射され再度活性層で
吸収される。
以下、この発明の一実施例を因につい・〔説明する。第
１図は太陽電池を示す断面図である。図において、（１
）〜（８）は用２図の従来例に示したものと同等である
ので説明を省略する。
１図は太陽電池を示す断面図である。図において、（１
）〜（８）は用２図の従来例に示したものと同等である
ので説明を省略する。
次に作用に・りい゛Ｃ説明する。表面電極（１）以外の
受光面への入射光（８）が活性層内で吸収しきれずに通
過し、裏面反射層（５）によっ゛Ｃ活性層内に再び導入
される。この際、基板（６）と活性層のうちＰ １ｍ
（３）あるいはｐ ” 層（４）との電気的コンタクト
をとるために設けられた裏面反１４層（５）の除去パタ
ーンは表面電極（１）と重なり合う位置に設けられ′Ｃ
いるため、活性層への入射光（８）が全゛Ｃ裏面反射Ｍ
（５）によって活性層内へ導入される。
受光面への入射光（８）が活性層内で吸収しきれずに通
過し、裏面反射層（５）によっ゛Ｃ活性層内に再び導入
される。この際、基板（６）と活性層のうちＰ １ｍ
（３）あるいはｐ ” 層（４）との電気的コンタクト
をとるために設けられた裏面反１４層（５）の除去パタ
ーンは表面電極（１）と重なり合う位置に設けられ′Ｃ
いるため、活性層への入射光（８）が全゛Ｃ裏面反射Ｍ
（５）によって活性層内へ導入される。
なお、上記実施例では裏面反射層（６）の除去パターン
がすべて表面電極（１）に重なり・Ｃいる６のを示した
が、そのパターンの一部が重なっ°Ｃいたり、あるいは
表面電極（１）よりもはみ出°Ｃい・〔もよい。
がすべて表面電極（１）に重なり・Ｃいる６のを示した
が、そのパターンの一部が重なっ°Ｃいたり、あるいは
表面電極（１）よりもはみ出°Ｃい・〔もよい。
以上のようにξの発明によれば裏面反射層の除去パター
ンを表面を電極と１なり合わせ′Ｃ形成したので、表面
電極以外の受光ｍｌから活性層への入射光で吸収しきれ
ずに透過する光は全べ“Ｃ裏′面反射層によって反射さ
れ、再び活性層へ導入され、光発電鰍が増大する効果が
ある。
ンを表面を電極と１なり合わせ′Ｃ形成したので、表面
電極以外の受光ｍｌから活性層への入射光で吸収しきれ
ずに透過する光は全べ“Ｃ裏′面反射層によって反射さ
れ、再び活性層へ導入され、光発電鰍が増大する効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例による太陽電池を示す断面
図、・舅２図は従来の太ｒ’ｔｈ ｗｌ ｉａｌを示す
断面図である０図におい°〔（１）は表面電極、（２）
はｎ＋層、（３）は２層、曵山よＰ＋層、（５）は裏面
反射層、（６）は基板、（７）は裏面電極、（８）は入
射光である。 なお、 １中、 同一符号は同一、 又は相当部分を 示す。
図、・舅２図は従来の太ｒ’ｔｈ ｗｌ ｉａｌを示す
断面図である０図におい°〔（１）は表面電極、（２）
はｎ＋層、（３）は２層、曵山よＰ＋層、（５）は裏面
反射層、（６）は基板、（７）は裏面電極、（８）は入
射光である。 なお、 １中、 同一符号は同一、 又は相当部分を 示す。
Claims (1)
- −部が除去された裏面反射層を有する太陽電池において
、裏面反射層の除去部分を表面電極部分に重ね合わせた
位置に形成することを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022744A JPH03227577A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022744A JPH03227577A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227577A true JPH03227577A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12091212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022744A Pending JPH03227577A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098339A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | 太陽電池 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2022744A patent/JPH03227577A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098339A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | 太陽電池 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
| US6294822B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-09-25 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
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