JPH04107881A - 太陽電池素子 - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
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- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
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-
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- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽電池素子に関し、特にシリコン基板の裏面
側にのみ電極を形成した太陽電池素子に関する。
側にのみ電極を形成した太陽電池素子に関する。
（従来の技術およびその問題点）
太陽電池素子は、第３図に示すように、ｐ型シリコン基
板３１内の一生面側にｎ＋領域３２を形成してｐ−ｎ接
合部を形成し、このシリコン基板３１の一生面側のｎ＋
領域３２上と他の主面側にそれぞれ電極３３．３４を形
成したものが一般的である。なお、第３図中、３５は反
射防止膜である。ところが、このような太陽電池素子で
は、受光面側に電極３３があるために、この受光面側電
極３３によって入射光が遮られて影によるロスが発生す
るとともに、この受光面側電極３３部や受光面側高濃度
層３２部分でキャリアの再結合損失が発生するという問
題がある。
板３１内の一生面側にｎ＋領域３２を形成してｐ−ｎ接
合部を形成し、このシリコン基板３１の一生面側のｎ＋
領域３２上と他の主面側にそれぞれ電極３３．３４を形
成したものが一般的である。なお、第３図中、３５は反
射防止膜である。ところが、このような太陽電池素子で
は、受光面側に電極３３があるために、この受光面側電
極３３によって入射光が遮られて影によるロスが発生す
るとともに、この受光面側電極３３部や受光面側高濃度
層３２部分でキャリアの再結合損失が発生するという問
題がある。
そこで、受光面側の光彩面積を減少させるとともに受光
面側電極部でのキャリアの再結合を抑制するために、第
４図に示すような太陽電池素子も提案されている。すな
わち、ｐ型シリコン基板４１の一生面側には凹凸部４２
と反射防止膜４３だけを形成して、シリコン基板４１内
の他の主面側にｎ＋領域４４とｐ＋領域４５を形成し、
このｎ１領域４４部分とｐ＋領域４５部分と点状に接触
する電極４６．４７をそれぞれ形成したものである。こ
のように構成することにより、受光面側には電極がない
ことから光彩面積はゼロとなり、また電極との接触面積
を減少させることでキャリアの再結合も抑制できるよう
になる。ところが、この太陽電池素子では、シリコン基
板の比抵抗が大きいと太陽電池素子を形成した場合に直
列抵抗が増大し、集光タイプでない場合には効率が大き
く低下するという問題がある。
面側電極部でのキャリアの再結合を抑制するために、第
４図に示すような太陽電池素子も提案されている。すな
わち、ｐ型シリコン基板４１の一生面側には凹凸部４２
と反射防止膜４３だけを形成して、シリコン基板４１内
の他の主面側にｎ＋領域４４とｐ＋領域４５を形成し、
このｎ１領域４４部分とｐ＋領域４５部分と点状に接触
する電極４６．４７をそれぞれ形成したものである。こ
のように構成することにより、受光面側には電極がない
ことから光彩面積はゼロとなり、また電極との接触面積
を減少させることでキャリアの再結合も抑制できるよう
になる。ところが、この太陽電池素子では、シリコン基
板の比抵抗が大きいと太陽電池素子を形成した場合に直
列抵抗が増大し、集光タイプでない場合には効率が大き
く低下するという問題がある。
また、第５図に示すように、ｐ型シリコン基板５１内に
貫通孔５２を形成するとともに、このシリコン基板５１
の受光面側と貫通孔５２内にｎ＋領域５３を連続して形
成し、裏面側のｐ＋領域５４と貫通孔部分の裏面側のｎ
＋領域５５部分にそれぞれ電極５６．５７を形成するこ
とによって受光面側の光彩面積を減少させるようにした
太陽電池素子も提案されている（例えば特開平１−５１
２８２号公報参照）、ところが、この太陽電池素子では
、シリコン基板５１の表面および貫通孔５２部分にｎ＋
領域５３を形成するために８００℃以上の高温プロセス
が必要なことと受光面側にｎ◆の高濃度層を形成するた
めこの受光面側高濃度層でキャリアの再結合損失が発生
するという問題があった。なお、第５図中、５８はｐ型
シリコン基板の受光面側に形成された反射防止膜である
。
貫通孔５２を形成するとともに、このシリコン基板５１
の受光面側と貫通孔５２内にｎ＋領域５３を連続して形
成し、裏面側のｐ＋領域５４と貫通孔部分の裏面側のｎ
＋領域５５部分にそれぞれ電極５６．５７を形成するこ
とによって受光面側の光彩面積を減少させるようにした
太陽電池素子も提案されている（例えば特開平１−５１
２８２号公報参照）、ところが、この太陽電池素子では
、シリコン基板５１の表面および貫通孔５２部分にｎ＋
領域５３を形成するために８００℃以上の高温プロセス
が必要なことと受光面側にｎ◆の高濃度層を形成するた
めこの受光面側高濃度層でキャリアの再結合損失が発生
するという問題があった。なお、第５図中、５８はｐ型
シリコン基板の受光面側に形成された反射防止膜である
。
本発明は、このような従来装置の問題点に鑑みて案出さ
れたものであり、光彩面積による効率低下を防止すると
ともにキャリアの再結合損失を防止した太陽電池素子を
提供することを目的とするものである。
れたものであり、光彩面積による効率低下を防止すると
ともにキャリアの再結合損失を防止した太陽電池素子を
提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明によれば、受光面側に凹凸部を有するｐ型シリコ
ン基板内に傾斜した貫通孔を多数形成するとともに、こ
のシリコン基板裏面側の貫通孔近傍にｎ＋領領域形成し
て、シリコン基板内の受光面側から貫通孔部分を経由し
てｎ＋領領域連続する反転層を形成し、シリコン基板の
受光面側と貫通孔内に反射防止膜を形成して、シリコン
基板裏面側のｎ＋領領域形成された部分以外の部分にｐ
“領域を形成し、上記ｎ＋領領域ｐ“領域上に電極を形
成して成る太陽電池素子が提供され、そのことにより上
記目的が達成される。
ン基板内に傾斜した貫通孔を多数形成するとともに、こ
のシリコン基板裏面側の貫通孔近傍にｎ＋領領域形成し
て、シリコン基板内の受光面側から貫通孔部分を経由し
てｎ＋領領域連続する反転層を形成し、シリコン基板の
受光面側と貫通孔内に反射防止膜を形成して、シリコン
基板裏面側のｎ＋領領域形成された部分以外の部分にｐ
“領域を形成し、上記ｎ＋領領域ｐ“領域上に電極を形
成して成る太陽電池素子が提供され、そのことにより上
記目的が達成される。
（作用）
上記のようにシリコン基板の受光面側には電極が存在し
ないことから、光彩損失とキャリアの再結合損失とは発
生せず、また受光面側にｎ＋領領域ないことからも受光
面側高濃度層によるキャリアの再結合損失も発生しない
、さらに、シリコン基板の受光面側に凹凸部形成すると
ともにシリコン基板内に傾斜した貫通孔を多数形成する
ことによてシリコン基板の表面積を増大させている。し
たがって、高効率の太陽電池素子を提供できるようにな
る。
ないことから、光彩損失とキャリアの再結合損失とは発
生せず、また受光面側にｎ＋領領域ないことからも受光
面側高濃度層によるキャリアの再結合損失も発生しない
、さらに、シリコン基板の受光面側に凹凸部形成すると
ともにシリコン基板内に傾斜した貫通孔を多数形成する
ことによてシリコン基板の表面積を増大させている。し
たがって、高効率の太陽電池素子を提供できるようにな
る。
（実施例）
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る太陽電池素子の一実施例を示す
斜視図であり、１は全体としてｐ型シリコン基板を示す
。
斜視図であり、１は全体としてｐ型シリコン基板を示す
。
前記シリコン基板１は、例えばボロンなどのｐ型不純物
を含有させた０、４Ωｃｍ程度の比抵抗を有する厚み５
０〜２００μｍ程度のシリコン基板で構成される。この
シリコン基板１は、引き上げ法などによって形成した単
結晶シリコン基板でもよく、また鋳込み法などによって
形成した多結晶シリコン基板でもよい。
を含有させた０、４Ωｃｍ程度の比抵抗を有する厚み５
０〜２００μｍ程度のシリコン基板で構成される。この
シリコン基板１は、引き上げ法などによって形成した単
結晶シリコン基板でもよく、また鋳込み法などによって
形成した多結晶シリコン基板でもよい。
前記シリコン基板１内には、多数の貫通孔１ａが形成さ
れている。この貫通孔１ａは、シリコン基板１の表面積
（受光面８１［）を増大させるとともに、後述する反転
層７をシリコン基板１の裏面側に導くために形成される
。この貫通孔１ａは、直径５０μｍ程度に形成される。
れている。この貫通孔１ａは、シリコン基板１の表面積
（受光面８１［）を増大させるとともに、後述する反転
層７をシリコン基板１の裏面側に導くために形成される
。この貫通孔１ａは、直径５０μｍ程度に形成される。
なお、この貫通孔１ａは、入射光をシリコン基板１内に
効率良く取り入れるために傾斜して形成するのが好まし
い。
効率良く取り入れるために傾斜して形成するのが好まし
い。
前記シリコン基板１の受光面側には、テキスチャー処理
によるピラミッド状凹凸部１ｂが形成されている。この
ピラミッド状凹凸部１ｂは、シリコン基板１の表面での
照射光の反射ロスを低減させるために形成される。なお
、ピラミッド状凹凸部に限らず、７字溝などを多数形成
するようにしてもよい、シリコン基板１の表面に７字溝
を形成する場合は、水酸化ナトリウム溶液などを使用し
たフォトリソグラフィー技術により形成される。
によるピラミッド状凹凸部１ｂが形成されている。この
ピラミッド状凹凸部１ｂは、シリコン基板１の表面での
照射光の反射ロスを低減させるために形成される。なお
、ピラミッド状凹凸部に限らず、７字溝などを多数形成
するようにしてもよい、シリコン基板１の表面に７字溝
を形成する場合は、水酸化ナトリウム溶液などを使用し
たフォトリソグラフィー技術により形成される。
なお、第１図において、３はｎ＋領領域電極、４はｐ１
領域の電極である。
領域の電極である。
第２図は、本発明に係る太陽電池素子の部分断面図であ
る。
る。
前記シリコン基板１内には、貫通孔１ａが傾斜して形成
されている。
されている。
このシリコン基板１の裏面側の貫通孔１ａの近傍には、
選択的にｎ＋領域５が形成されている。
選択的にｎ＋領域５が形成されている。
このｎ＋領域５は、Ｐなどの不純物を高濃度に含有して
いる。
いる。
また、シリコン基板１裏面側のｎ＋領域５が形成された
部分以外の部分には、ｎ”領域５部分から適当な距離を
隔ててＢＳＦ （裏面電界）層となるｐ＋領域６が形成
されている。このｐ＋領域６は、アルミニウム元素など
を高濃度に含有して構成される。
部分以外の部分には、ｎ”領域５部分から適当な距離を
隔ててＢＳＦ （裏面電界）層となるｐ＋領域６が形成
されている。このｐ＋領域６は、アルミニウム元素など
を高濃度に含有して構成される。
前記シリコン基板ｌの受光面側および貫通孔ｌａ内の表
面側には、Ｃｅなとのイオンを低濃度に含有する反転層
７が、裏面側に形成されたｎ＋領域５に接続されるよう
に形成されている。この反転層７は、表面近傍で発生し
た電子・正孔を反転層で形成された電界により分離する
ため、および表面へ導かれた電子をｎ＋領域５へ導くた
めに形成される。
面側には、Ｃｅなとのイオンを低濃度に含有する反転層
７が、裏面側に形成されたｎ＋領域５に接続されるよう
に形成されている。この反転層７は、表面近傍で発生し
た電子・正孔を反転層で形成された電界により分離する
ため、および表面へ導かれた電子をｎ＋領域５へ導くた
めに形成される。
前記シリコン基板１の貫通孔１ａ内を含む表面側には酸
化シリコン（Ｓｉｎ、）膜などから成るパシベーション
膜２が厚み５０人程度に形成されている。
化シリコン（Ｓｉｎ、）膜などから成るパシベーション
膜２が厚み５０人程度に形成されている。
このパシベーション膜２上の受光面側および貫通孔ｌａ
内には、Ｃｅなどのイオンを含む屈折率ｎが２．４程度
の窒化シリコン膜（Ｓ １ＸＮｙ ）膜８およびＣｅな
どのイオンを含まない屈折率ｎが１．４程度のフッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ２）膜９などから成る多層反射防止
膜が形成されている。この多層反射防止膜８．９は、そ
れぞれ厚み６００人、および１０００人程度スル成され
る。
内には、Ｃｅなどのイオンを含む屈折率ｎが２．４程度
の窒化シリコン膜（Ｓ １ＸＮｙ ）膜８およびＣｅな
どのイオンを含まない屈折率ｎが１．４程度のフッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ２）膜９などから成る多層反射防止
膜が形成されている。この多層反射防止膜８．９は、そ
れぞれ厚み６００人、および１０００人程度スル成され
る。
また、シリコン基板１の裏面側に形成されたｎ＋領域５
上には、ｎ＋領域５と点状に接触するＡＩなどから成る
電極３、およびｐ＋領域６と点状に接触するＡ１などか
ら成る電極４がそれぞれ形成されている。なお、ｎ＋領
域５の電極３とｐ＋領域６の電極４とは、シリコン基板
１の裏面側の対向部でそれぞれ合流するように櫛歯状に
形成すればよい。また、このｎ＋領域５の電極３とｐ＋
領域６の電ｒｉ４とは、ＢＳＲ（裏面側反射防止層）を
兼ねるものである。
上には、ｎ＋領域５と点状に接触するＡＩなどから成る
電極３、およびｐ＋領域６と点状に接触するＡ１などか
ら成る電極４がそれぞれ形成されている。なお、ｎ＋領
域５の電極３とｐ＋領域６の電極４とは、シリコン基板
１の裏面側の対向部でそれぞれ合流するように櫛歯状に
形成すればよい。また、このｎ＋領域５の電極３とｐ＋
領域６の電ｒｉ４とは、ＢＳＲ（裏面側反射防止層）を
兼ねるものである。
上述のような太陽電池素子は以下のような工程で形成さ
れる。
れる。
まず、ｐ型シリコン基板１をＨＣＩなどで清浄化する。
次に、１０μｍ程度に絞られたＹＡＧなどのレーザを用
いて多数の貫通孔１ａを傾斜して形成する。
いて多数の貫通孔１ａを傾斜して形成する。
次に、ダメージ層を除去するために、フッ酸・硝酸の混
合溶液などを用いてシリコン基板１の表面を軽くエツチ
ングする。
合溶液などを用いてシリコン基板１の表面を軽くエツチ
ングする。
次に、シリコン基板１の受光面側に、ピラミッド状の凹
凸部１ｂを形成する。このピラミッド状凹凸部１ｂは、
水酸化ナトリウム溶液などを用いたテキスチャー処理に
より形成される。
凸部１ｂを形成する。このピラミッド状凹凸部１ｂは、
水酸化ナトリウム溶液などを用いたテキスチャー処理に
より形成される。
次に、酸化シリコン膜などから成るパシベーション膜２
をプラズマＣＶＤ法により形成して、裏面側の所定部分
（ｎゝ領領域ｐ＋領領域を形成する部分）をエツチング
除去する。
をプラズマＣＶＤ法により形成して、裏面側の所定部分
（ｎゝ領領域ｐ＋領領域を形成する部分）をエツチング
除去する。
次に、シリコン基板１の裏面側にｎ＋領域５とｐ″″領
域６とをイオン注入法または熱拡散法により形成する 次に、シリコン基板１の受光面側と貫通孔ｌａ内のパシ
ベーション膜２上に、Ｃｅイオンなどを含有する窒化シ
リコン膜８をプラズマＣＶＤ法などにより形成する。
域６とをイオン注入法または熱拡散法により形成する 次に、シリコン基板１の受光面側と貫通孔ｌａ内のパシ
ベーション膜２上に、Ｃｅイオンなどを含有する窒化シ
リコン膜８をプラズマＣＶＤ法などにより形成する。
なお、この反転層７は、ｎ層層を形成した後にエツチン
グによってｎ層とする。
グによってｎ層とする。
次に、ｎ１領域５およびｐ＋領域６上にＡＩなどから成
る電極３．４をスクリーン印刷法または蒸着法により形
成する。
る電極３．４をスクリーン印刷法または蒸着法により形
成する。
最後に、窒化シリコン腹８とフッ化マグネシウム膜９を
プラズマＣＶＤ法などで形成することにより多層反射防
止膜を形成して完成する。
プラズマＣＶＤ法などで形成することにより多層反射防
止膜を形成して完成する。
（発明の効果）
以上のように、本発明に係る太陽電池素子では、受光面
側に凹凸部を有するｐ型シリコン基板内に傾斜した貫通
孔を多数形成するとともに、このシリコン基板裏面側の
貫通孔近傍にｎ＋領領域形成して、シリコン基板内の受
光面側から貫通孔部分を経由してｎ＋領領域連続する反
転層を形成し、シリコン基板の受光面側と貫通孔内に反
射防止膜を形成して、シリコン基板裏面側のｎ＋領領域
形成された部分以外の部分にｐ＋領領域形成し、上記ｎ
＋領領域ｐ＋領域上に電極を形成して成り、受光面に電
極がないことから、シャドウィング口又はゼロになると
ともに、電極近傍でのキャリアの再結合損失が無くなる
。
側に凹凸部を有するｐ型シリコン基板内に傾斜した貫通
孔を多数形成するとともに、このシリコン基板裏面側の
貫通孔近傍にｎ＋領領域形成して、シリコン基板内の受
光面側から貫通孔部分を経由してｎ＋領領域連続する反
転層を形成し、シリコン基板の受光面側と貫通孔内に反
射防止膜を形成して、シリコン基板裏面側のｎ＋領領域
形成された部分以外の部分にｐ＋領領域形成し、上記ｎ
＋領領域ｐ＋領域上に電極を形成して成り、受光面に電
極がないことから、シャドウィング口又はゼロになると
ともに、電極近傍でのキャリアの再結合損失が無くなる
。
また、シリコン基板の受光面側にｎ′″層がないことか
ら、ｎ層によるキャリアの再結合損失がなくなる。
ら、ｎ層によるキャリアの再結合損失がなくなる。
さらに、反転層（ｎ層）が存在するので、効果的な集電
ができる。
ができる。
以上により、従来の構成に比較して電圧・電流特性が向
上する。
上する。
第１図は本発明に係る太陽電池素子の一実施例を示す斜
視図、第２図は第２図は同じく断面図、第３図は従来の
太陽電池素子を示す図、第４図は従来の他の太陽電池素
子を示す図、第５図は従来のその他の太陽電池素子を示
す図である。 １ ： １ａ ： １ｂ ＝ ３ ： ４ ： ５ ： ６ ： ８、９ ： ｐ型シリコン基板 貫通孔 凹凸部 ２：反射防止膜 ｎ＋領領域電極 ｐ＋領領域電極 ｎ＋領領 域＋領領 域射防止膜
視図、第２図は第２図は同じく断面図、第３図は従来の
太陽電池素子を示す図、第４図は従来の他の太陽電池素
子を示す図、第５図は従来のその他の太陽電池素子を示
す図である。 １ ： １ａ ： １ｂ ＝ ３ ： ４ ： ５ ： ６ ： ８、９ ： ｐ型シリコン基板 貫通孔 凹凸部 ２：反射防止膜 ｎ＋領領域電極 ｐ＋領領域電極 ｎ＋領領 域＋領領 域射防止膜
Claims (1)
- 受光面側に凹凸部を有するｐ型シリコン基板内に傾斜し
た貫通孔を多数形成するとともに、このシリコン基板裏
面側の貫通孔近傍にｎ＾＋領域を形成して、シリコン基
板内の受光面側から貫通孔部分を経由してｎ＾＋領域に
連続する反転層を形成し、シリコン基板の受光面側と貫
通孔内に反射防止膜を形成して、シリコン基板裏面側の
ｎ＾＋領域が形成された部分以外の部分にｐ＾＋領域を
形成し、上記ｎ＾＋領域とｐ＾＋領域上に電極を形成し
て成る太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226944A JP2866982B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226944A JP2866982B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107881A true JPH04107881A (ja) | 1992-04-09 |
| JP2866982B2 JP2866982B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=16853064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2226944A Expired - Fee Related JP2866982B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2866982B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046407A1 (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| JP2008034609A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 |
| JP2008227269A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 光電変換素子、太陽電池モジュール、太陽光発電システム |
| JP2009076512A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2011037261A1 (ja) | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2013042222A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013014860A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2226944A patent/JP2866982B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2006046407A1 (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| US8383930B2 (en) | 2004-10-27 | 2013-02-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for producing solar cell |
| JP2008034609A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 |
| JP2008227269A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 光電変換素子、太陽電池モジュール、太陽光発電システム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2866982B2 (ja) | 1999-03-08 |
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