JPH0322648B2 - - Google Patents
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- JPH0322648B2 JPH0322648B2 JP60029461A JP2946185A JPH0322648B2 JP H0322648 B2 JPH0322648 B2 JP H0322648B2 JP 60029461 A JP60029461 A JP 60029461A JP 2946185 A JP2946185 A JP 2946185A JP H0322648 B2 JPH0322648 B2 JP H0322648B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、面内記録型のハードデイスク媒体等
に利用される面内記録型磁気記録体に関する。
に利用される面内記録型磁気記録体に関する。
（従来の技術）
従来、金属薄膜型磁気記録体が高密度記録可能
な媒体として注目され、実用化されはじめている
が、この中で非磁性基材面上にCr膜を形成した
後、その表面にCo膜をスパツタ法や蒸着法で形
成して成る磁気記録体がある。該磁気記録体は、
面内方向で高い保磁力を示し、面内記録型のハー
ドデイスク媒体等に応用されつつある。又、最
近、前記の記録体の磁性膜であるCo膜に代え、
Co−Ni膜としたものが公知である。
な媒体として注目され、実用化されはじめている
が、この中で非磁性基材面上にCr膜を形成した
後、その表面にCo膜をスパツタ法や蒸着法で形
成して成る磁気記録体がある。該磁気記録体は、
面内方向で高い保磁力を示し、面内記録型のハー
ドデイスク媒体等に応用されつつある。又、最
近、前記の記録体の磁性膜であるCo膜に代え、
Co−Ni膜としたものが公知である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように、非磁性基材面上に形成したCr
膜を介しCo磁性膜を形成した磁性記録体は、そ
のCr膜の厚さを増大すると保磁力が増大するが、
その保磁力が600〜800Oe程度のものを得るには
その膜厚を4000〜8000Åとする必要があり、スパ
ツタ法や蒸着法を用いて量産しようとすると、該
Crの膜厚を4000〜8000Åと厚くする必要がある
ため、ターゲツトの消耗が大きく、又量産速度が
比較的おそい等の問題がある。従つて、Crの膜
厚を薄くしても600〜800Oe程度のものを得られ
ること、換言すれば、4000〜8000Åで上記以上の
保磁力をもつ磁気記録体の製造が望まれる。１
方、この磁性膜がCo膜である磁気記録体は、耐
食性が悪い欠点がある。以上の問題を解決するた
め該Co磁性膜に代え、Co−Ni磁性膜とした磁気
記録体は、保磁力が向上し且つ耐食性も向上した
ものが得られる。即ち、そのCr膜厚が3000Åで
700Oeの保磁力が得られるが、この同じ保磁力を
得るため、更に肉薄のCr膜厚とすることができ
れば更に好ましく、又その磁性膜の耐食性も更に
向上したものが得られれば更に好ましい。
膜を介しCo磁性膜を形成した磁性記録体は、そ
のCr膜の厚さを増大すると保磁力が増大するが、
その保磁力が600〜800Oe程度のものを得るには
その膜厚を4000〜8000Åとする必要があり、スパ
ツタ法や蒸着法を用いて量産しようとすると、該
Crの膜厚を4000〜8000Åと厚くする必要がある
ため、ターゲツトの消耗が大きく、又量産速度が
比較的おそい等の問題がある。従つて、Crの膜
厚を薄くしても600〜800Oe程度のものを得られ
ること、換言すれば、4000〜8000Åで上記以上の
保磁力をもつ磁気記録体の製造が望まれる。１
方、この磁性膜がCo膜である磁気記録体は、耐
食性が悪い欠点がある。以上の問題を解決するた
め該Co磁性膜に代え、Co−Ni磁性膜とした磁気
記録体は、保磁力が向上し且つ耐食性も向上した
ものが得られる。即ち、そのCr膜厚が3000Åで
700Oeの保磁力が得られるが、この同じ保磁力を
得るため、更に肉薄のCr膜厚とすることができ
れば更に好ましく、又その磁性膜の耐食性も更に
向上したものが得られれば更に好ましい。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の要求を満足する面内記録型磁
気記録体を提供するもので、非磁性基材面上に
Cr膜を介してエピタキシヤル成長されHCP相の
ｃ軸が面内方向に配向したCo合金系磁性金属膜
を形成して成る面内記録型磁気記録体において、
該磁性金属膜は、CoxSiyNizで表わされ且つ0.45
≦ｘ＜1.0、０＜ｙ≦0.15、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の原
子比の組成をもつことを特徴とする。
気記録体を提供するもので、非磁性基材面上に
Cr膜を介してエピタキシヤル成長されHCP相の
ｃ軸が面内方向に配向したCo合金系磁性金属膜
を形成して成る面内記録型磁気記録体において、
該磁性金属膜は、CoxSiyNizで表わされ且つ0.45
≦ｘ＜1.0、０＜ｙ≦0.15、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の原
子比の組成をもつことを特徴とする。
（実施例）
次に本発明の実施例につき説明する。
発明者は、磁性膜として、Co及びCo−Niに
夫々Siの添加量ｍを変えてその各種の組成割合の
Co−Si磁性膜及びCo−Si−Ni磁性膜を、非磁性
基材面に形成したCr膜面上に形成した面内記録
型磁気記録体を形成し、その夫々につき保磁力と
耐食性とを検討した。
夫々Siの添加量ｍを変えてその各種の組成割合の
Co−Si磁性膜及びCo−Si−Ni磁性膜を、非磁性
基材面に形成したCr膜面上に形成した面内記録
型磁気記録体を形成し、その夫々につき保磁力と
耐食性とを検討した。
第１図及び第２図は、Cr膜厚を3000Å、Co−
Si又はCo−Si−Ni磁性膜の厚さ500Åの一定とし
た磁気記録体の上記２元又は３元合金成分の配合
比の変化と保磁力との関係を示す。
Si又はCo−Si−Ni磁性膜の厚さ500Åの一定とし
た磁気記録体の上記２元又は３元合金成分の配合
比の変化と保磁力との関係を示す。
第１図のCo−Si磁性膜の曲線Ａ及びCo−Si−
Ni磁性膜の曲線Ｂに示すように、いづれの場合
も、Siの添加量が約15at％まではCo単独の磁性
膜に比し保磁力は増大することが分る。特に、
Co−Si−Niの３元合金の磁性膜ではその最高の
保磁力は約10at％の添加で780Oeが得られ、この
値は、仝図に対照として示した従来公知の中でも
最も高い保磁力を示すCo0.7Ni0.3磁性膜の最高の
保磁力700Oeよりも高い優れたものが得られるこ
とが分る。又第１図示のように、Co単独の磁性
膜はその保磁力は400Oeであるに対し、本発明に
よれば、第２図から明らかなように、保磁力が
400Oeより高い保磁力が得られる本発明のCo−Si
又はCo−Si−Niの磁性膜の組成範囲は、
CoxSiyNiz、但し0.45≦ｘ＜1.0、０＜ｙ≦0.15、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。
Ni磁性膜の曲線Ｂに示すように、いづれの場合
も、Siの添加量が約15at％まではCo単独の磁性
膜に比し保磁力は増大することが分る。特に、
Co−Si−Niの３元合金の磁性膜ではその最高の
保磁力は約10at％の添加で780Oeが得られ、この
値は、仝図に対照として示した従来公知の中でも
最も高い保磁力を示すCo0.7Ni0.3磁性膜の最高の
保磁力700Oeよりも高い優れたものが得られるこ
とが分る。又第１図示のように、Co単独の磁性
膜はその保磁力は400Oeであるに対し、本発明に
よれば、第２図から明らかなように、保磁力が
400Oeより高い保磁力が得られる本発明のCo−Si
又はCo−Si−Niの磁性膜の組成範囲は、
CoxSiyNiz、但し0.45≦ｘ＜1.0、０＜ｙ≦0.15、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。
最も好ましい領域は、Co0.60Si0.10Ni0.30付近
である。
である。
第３図は、該Co0.60Si0.10Ni0.30磁性膜と対照
としてCo0.7Ni0.3磁性膜とCo単独磁性膜の夫々
につき、非磁性基材面に形成されるCr膜厚を変
えた場合の保磁力との関係を検べた結果を示す。
としてCo0.7Ni0.3磁性膜とCo単独磁性膜の夫々
につき、非磁性基材面に形成されるCr膜厚を変
えた場合の保磁力との関係を検べた結果を示す。
この図から明らかなように、同じ保磁力、例え
ば700Oeを得るには、Co磁性膜の場合は、Cr膜
厚を5000Å、該Co−Ni磁性膜の場合はCr膜厚
は、3000Åを夫々必要とするに対し、本発明の該
Co−Si−Ni磁性膜の場合は、これを2000Åの肉
薄で足りることが分る。更に、本発明のCo−Si
−Ni磁性膜は、Co−Ni磁性膜及びCo磁性膜に比
し、Cr膜の厚さの変化を問わず、どの点の厚さ
でも、保磁力の向上したものが得られる。
ば700Oeを得るには、Co磁性膜の場合は、Cr膜
厚を5000Å、該Co−Ni磁性膜の場合はCr膜厚
は、3000Åを夫々必要とするに対し、本発明の該
Co−Si−Ni磁性膜の場合は、これを2000Åの肉
薄で足りることが分る。更に、本発明のCo−Si
−Ni磁性膜は、Co−Ni磁性膜及びCo磁性膜に比
し、Cr膜の厚さの変化を問わず、どの点の厚さ
でも、保磁力の向上したものが得られる。
又、本発明のCo−Si−Ni磁性膜につき耐食性
を、Co単独磁性膜、CoNi磁性膜と共に検べた結
果を第４図に示す。耐食性試験は、60℃、90％の
恒温恒湿の条件において、飽和磁化の減少で評価
した。第４図から明らかなように、本発明の磁性
膜は、著しく耐食性が増大していることが分る。
を、Co単独磁性膜、CoNi磁性膜と共に検べた結
果を第４図に示す。耐食性試験は、60℃、90％の
恒温恒湿の条件において、飽和磁化の減少で評価
した。第４図から明らかなように、本発明の磁性
膜は、著しく耐食性が増大していることが分る。
本発明の磁性膜の製造において、その他の元素
を微量添加しても差支えない。又このように作成
した磁性膜の上面に耐摩耗性や耐食性の有機又は
無機の任意の保護膜を形成してもよい。
を微量添加しても差支えない。又このように作成
した磁性膜の上面に耐摩耗性や耐食性の有機又は
無機の任意の保護膜を形成してもよい。
本発明の面内記録型磁気記録体の製造法は、そ
の非磁性基材面上のCr膜は、スパツタ法や蒸着
法などで形成し、そのCr膜の上面にCo−Si磁性
膜又はCo−Si−Ni磁性膜を形成するにもスパツ
タ法や蒸着法などで得られるが、Co、Ni、Siの
蒸気圧が異なるので、スパツタ法が好ましく、製
造容易である。Cr膜の形成後磁性膜を形成する
までの時間は、できるだけ短いことが好ましい。
の非磁性基材面上のCr膜は、スパツタ法や蒸着
法などで形成し、そのCr膜の上面にCo−Si磁性
膜又はCo−Si−Ni磁性膜を形成するにもスパツ
タ法や蒸着法などで得られるが、Co、Ni、Siの
蒸気圧が異なるので、スパツタ法が好ましく、製
造容易である。Cr膜の形成後磁性膜を形成する
までの時間は、できるだけ短いことが好ましい。
DCマグネトロンスパツタ法による本発明面内
記録型磁気記録体の製造条件は例えば、次の通り
である。基板：スライドガラス、基板温度：室
温、到達真空度：８×10-7トール以下、スパツタ
中のArガス圧：１×10-2トール、磁性膜厚：500
Å一定、Cr膜析出速度：1000Å／min、磁性膜：
500Å／min、ターゲツト・基板間の距離：100
mm、磁性膜のCo、Si、Niの組成の変化はCoター
ゲツト上にSiやNiのチツプを配置してスパツタ
を行なつた。生成磁性膜の組成分析は、蛍光ｘ線
法により行なつて求めた。
記録型磁気記録体の製造条件は例えば、次の通り
である。基板：スライドガラス、基板温度：室
温、到達真空度：８×10-7トール以下、スパツタ
中のArガス圧：１×10-2トール、磁性膜厚：500
Å一定、Cr膜析出速度：1000Å／min、磁性膜：
500Å／min、ターゲツト・基板間の距離：100
mm、磁性膜のCo、Si、Niの組成の変化はCoター
ゲツト上にSiやNiのチツプを配置してスパツタ
を行なつた。生成磁性膜の組成分析は、蛍光ｘ線
法により行なつて求めた。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、非磁性基材面
上に、Cr膜を形成したものの上面にエピタキシ
ヤル成長されHCP相のｃ軸が面内方向に配向し
たCo合金系磁性金属膜を形成して成る面内記録
型磁気記録体の該磁性金属膜をCoxSiyNizから
成り且つこれらの成分の原子比を0.45≦ｘ＜1.0、
０＜ｙ≦0.15、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたので、その
保磁力を著しく向上できると共に従来のCo磁性
膜、、Co−Ni磁性膜の保磁力と同じ保磁力をもつ
面内記録型磁気記録体を製造するには、そのCr
膜を著しく減少せしめることができるので、ター
ゲツトの消耗量を減少できると共に生産性を向上
し得られ、又従来の上記磁気記録体に比し著しく
耐食性の向上した面内記録型磁気記録体が得られ
る等の効果を有する。
上に、Cr膜を形成したものの上面にエピタキシ
ヤル成長されHCP相のｃ軸が面内方向に配向し
たCo合金系磁性金属膜を形成して成る面内記録
型磁気記録体の該磁性金属膜をCoxSiyNizから
成り且つこれらの成分の原子比を0.45≦ｘ＜1.0、
０＜ｙ≦0.15、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１としたので、その
保磁力を著しく向上できると共に従来のCo磁性
膜、、Co−Ni磁性膜の保磁力と同じ保磁力をもつ
面内記録型磁気記録体を製造するには、そのCr
膜を著しく減少せしめることができるので、ター
ゲツトの消耗量を減少できると共に生産性を向上
し得られ、又従来の上記磁気記録体に比し著しく
耐食性の向上した面内記録型磁気記録体が得られ
る等の効果を有する。
第１図は本発明実施例の磁性膜の成分組成と保
磁力との関係を示すグラフ、第２図は仝様の関係
の三角図表、第３図はCr膜厚と保磁力との関係
を示すグラフ、第４図は磁性膜の成分組成変化と
耐食性の関係を示すグラフである。
磁力との関係を示すグラフ、第２図は仝様の関係
の三角図表、第３図はCr膜厚と保磁力との関係
を示すグラフ、第４図は磁性膜の成分組成変化と
耐食性の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 非磁性基材面上にCr膜を介してエピタキシ
ヤル成長されHCP相のｃ軸が面内方向に配向し
たCo合金系磁性金属膜を形成して成る面内記録
型磁気記録体において、該磁性金属膜は、CoXSiY
NiZで表わされ且つ0.45≦ｘ＜1.0、０＜ｙ≦0.15、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の原子比の組成をもつことを特徴
とする面内記録型磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2946185A JPS61190713A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 面内記録型磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2946185A JPS61190713A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 面内記録型磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190713A JPS61190713A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH0322648B2 true JPH0322648B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=12276736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2946185A Granted JPS61190713A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 面内記録型磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190713A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105302A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP2946185A patent/JPS61190713A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105302A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61190713A (ja) | 1986-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |